專利名稱：熱接口材料及其制造方法與應(yīng)用該材料的電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱界面材料，特別是涉及一種具高導(dǎo)熱效果的熱接口 材料及其制造方法與應(yīng)用該材料的電子裝置。
背景技術(shù)：
隨著電子組件的設(shè)計(jì)逐年縮小體積、及對散熱效率要求逐漸提高，為 了使電子組件在通入電流的過程中所產(chǎn)生的熱量能快速導(dǎo)出，以免影響正 常的運(yùn)轉(zhuǎn)效能，通常會在電子組件與一個(gè)供電子組件固定的基板間設(shè)置一 層熱界面材料層，除了能夠借助于該熱接口材料層固定該電子組件外，也 能將該電子組件通入電流過程中所產(chǎn)生的熱量導(dǎo)出至該基板上，以防止熱 量屯積而減損電子組件的運(yùn)作效能與使用壽命。
對應(yīng)目前電子裝置所表現(xiàn)的強(qiáng)大運(yùn)算功能與大量使用的組件，使得電 子裝置在運(yùn)轉(zhuǎn)過程中更容易產(chǎn)生較多的熱量，因此，導(dǎo)熱效果的提升也成 為改善電子裝置效能的重要課題。
如中國臺灣省第94144804、 94144805、 94128479及92108369等發(fā)明
專利案所述的導(dǎo)熱膏，即上述熱接口材料在電子業(yè)界的俗稱，是借助于將 多個(gè)高熱傳導(dǎo)系數(shù)的無機(jī)填充物粒子添加并散布在基體原料中所制得，其 中，無機(jī)填充物粒子是由諸如石墨、硼氮化合物、硅氧化合物、磯土、 銀及其它導(dǎo)熱金屬等材質(zhì)所制得的粒子，而基體原料通常是使用具有預(yù)定 粘度的聚硅烷，雖然上述的散熱膏已普遍被使用在電子裝置中，并可透過 分布于該基體中的導(dǎo)熱粒子傳導(dǎo)熱量，而能提供預(yù)定的導(dǎo)熱效果，但實(shí)際
上仍存在有以下缺陷
一、如果散熱膏中所添加的高熱傳導(dǎo)系數(shù)粒子數(shù)量不夠多時(shí)，則所述粒子較不易在該電子組件到該基板間形成易導(dǎo)熱的相互連續(xù)接觸狀態(tài)，導(dǎo) 致部分熱量無法順利自該電子組件傳導(dǎo)到該基板，而有導(dǎo)熱系數(shù)過低與導(dǎo) 熱效果較差的缺陷。
二、 因電子裝置與電子組件的小型化與薄型化，所涂布的熱界面材料 層也要相對變薄，但現(xiàn)有導(dǎo)熱膏中的導(dǎo)熱粒子多為微米級大小，粒徑過大， 導(dǎo)致最終涂布形成的熱界面層厚度無法有效減少。
三、 由于所述粒子多為高硬度的無機(jī)粉體材質(zhì)，在涂敷至電子組件時(shí)， 所述粒子的堅(jiān)硬表面可能會磨損刮傷電子組件，而相對具有潤滑性較小的 缺點(diǎn)。
四、 所述粒子與基體原料由于分屬于無機(jī)與有機(jī)材質(zhì)，導(dǎo)致二者的界 面吸附力不足，從而形成溢油現(xiàn)象，并具有吸附性較小的缺陷。
為了解決一般無機(jī)粒子所制得的導(dǎo)熱膏中的導(dǎo)熱粒子粒徑過大的問
題，后來又開發(fā)出碳納米導(dǎo)熱膏，如中國臺灣省第94115966與91137956 發(fā)明專利案所述，主要是以納米等級的碳納米纖維或碳納米球取代前述的 無機(jī)導(dǎo)熱粒子，以大幅降低分布在該基體原料中的導(dǎo)熱粒子的粒徑大小， 讓填充納米等級的導(dǎo)熱材料可制備出極細(xì)致的導(dǎo)熱膏，并能微量涂敷而制 得較薄的導(dǎo)熱薄膜，且細(xì)微化的粒子可借助于均勻分散而形成細(xì)致的導(dǎo)熱 網(wǎng)絡(luò)，加上碳材料具有高度潤滑性與化學(xué)惰性，能夠避免影響硅油質(zhì)量與 粘度，由此可解決前述無機(jī)導(dǎo)熱粒子粒徑過大所引發(fā)的導(dǎo)熱效能較差、涂 布厚度較厚、及潤滑性較小等問題，但在碳納米與基體原料間仍存有界面 吸附力不足而產(chǎn)生溢油的問題，此外，碳納米導(dǎo)熱膏中的碳納米纖維與碳 納米球間仍不易形成均勻分布，這同樣不易達(dá)到易導(dǎo)熱的相互連續(xù)接觸狀 態(tài)，導(dǎo)致碳納米導(dǎo)熱膏的導(dǎo)熱系數(shù)與導(dǎo)熱效果仍然不佳。
隨著納米科技的持續(xù)研究開發(fā)，有相關(guān)的研究結(jié)果提出，碳納米管擁 有超高導(dǎo)熱率的效果("Unusally High Thermal Conductivity of Carbon Nanotubes"， Physical Review Letters, vol. 84, No.20, pp.4613-4616(2000))、及 單根碳納米管擁有超高導(dǎo)熱率的測量結(jié)果("Thermal Transport Measurements of Individual Multiwalled Nanotubes"， Physical Review Letters, vol.87， No.21，pp.215502 1-4(2001))，根據(jù)測量結(jié)果顯示單根碳納米管在室溫下的導(dǎo)熱率可 達(dá)3000W/mK(瓦特/米 開爾文)以上。依研究數(shù)據(jù)推論，如果能將碳納米 管應(yīng)用至熱界面材料將有助于提升導(dǎo)熱率，因此，在美國專利7，186，020號 與7,301,232號中進(jìn)一步披露了以碳納米管取代前述無機(jī)導(dǎo)熱粒子與碳納米 所制備的熱接口材料，雖然單根碳納米管確實(shí)具有極佳的導(dǎo)熱率，但在實(shí) 際使用時(shí)，填充有碳納米管的導(dǎo)熱膏所能表現(xiàn)的導(dǎo)熱率只有0.3 2W/mK， 顯示其中仍有很大的改善空間與需要再開發(fā)研究的地方。此外，目前使用 碳納米管導(dǎo)熱膏仍存在以下問題有待解決
一、 由于碳納米管與基體原料間仍有界面吸附力不足的問題，因此， 仍無法提高碳納米管在基體原料中的添加量，使導(dǎo)熱膏整體的導(dǎo)熱效果仍 然不佳。
二、 基于碳納米管與基體原料間界面吸附力不足，同樣會產(chǎn)生溢油問 題，而使該導(dǎo)熱膏具有吸附性較差的缺點(diǎn)。
三、 分散在該基休原料中的各個(gè)碳納米管間的吸附力弱，使管與管間 的接觸性低，導(dǎo)致在該電子組件與該基板間不易形成易導(dǎo)熱的相互連續(xù)接 觸狀態(tài)，無法有效改善與提升該導(dǎo)熱膏的整體導(dǎo)熱效果。
為了提高碳納米管與基體原料的接觸性、及碳納米管與碳納米管間的 接觸性，以再提升實(shí)際應(yīng)用時(shí)的導(dǎo)熱效果，進(jìn)一步的研究指出對碳納米管 進(jìn)行改質(zhì)，形成官能化的碳納米管，應(yīng)該可以改善界面吸附力，并增加碳 納米管與基體原料、及碳納米管與碳納米管間的吸附力與接觸性，因此， 在美國專利7,296,576號、7,285，591號、7，279,247號、7，244,407號、7，241，496 號、7,211,364號、6，卯5,667號、6,887,450號中分別提出經(jīng)官能化處理的碳 納米管，及將碳納米管官能化的方法，借以改善碳納米管與有機(jī)的基體原 料間的兼容性與吸附性。雖然目前已有數(shù)種官能化的碳納米管被制造出， 但仍未有將特定的官能化碳納米管應(yīng)用于熱接口材料上的研究，或提供官 能化碳納米管在應(yīng)用上的導(dǎo)熱數(shù)據(jù)的報(bào)告，鑒于導(dǎo)熱效果在電子相關(guān)裝置 與方法中的重要性日增，當(dāng)前仍有繼續(xù)開發(fā)足以提供具有高導(dǎo)熱效果的熱 接口材料的需求。
10

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的其中 一個(gè)目的是提供一種能提升導(dǎo)熱效果的熱接口材料。
于是，本發(fā)明熱接口材料包含基質(zhì)組分、及分布于該基質(zhì)組分中的官 能化碳納米管組分。
該基質(zhì)組分為有機(jī)硅高分子的粘滯性液體。
該官能化碳納米管組分包括多個(gè)分布于該基質(zhì)組分中、并具有以下結(jié) 構(gòu)式(I)的官能化碳納米管
Y陽(『)n(1)
其中，
n為大于l的整數(shù)；
Y為納米級中空管狀碳化合物；
;-o為連接在該納米級中空管狀碳化合物表面的官能團(tuán)，X表示OR 或NR'R〃，且R為C「C27烷基，R'為氫或C,-C,8烷基，R〃為C「C,8垸基。
本發(fā)明熱界面材料的有益效果在于借助于將所述官能化碳納米管混 合至該基質(zhì)組分中，使該官能化碳納米管組分與該基質(zhì)組分間具有優(yōu)選的 界面吸附力，且所述官能化碳納米管間因官能團(tuán)接枝使彼此間有優(yōu)選的吸 附力，并能增進(jìn)彼此間的接觸性，終能使利用該官能化碳納米管組分所調(diào) 配出的熱界面材料表現(xiàn)出優(yōu)選的導(dǎo)熱效果。
本發(fā)明的另一個(gè)目的，是在提供一種具有優(yōu)選導(dǎo)熱效果的熱接口材料 的制造方法。
于是，本發(fā)明熱接口材料的制造方法包含以下步驟
(i) 制備官能化碳納米管組分，取預(yù)定量的納米級中空管狀碳化合物分 別進(jìn)行羧酸化、酰氯化與親核取代反應(yīng)，以制得包含多個(gè)官能化碳納米管
的官能化碳納米管組分； -
(ii) 均質(zhì)，使該官能化碳納米管組分與基質(zhì)組分于一預(yù)定溫度中轉(zhuǎn)動攪 拌，以使二者形成均質(zhì)混合物；
(iii) 分散，對步驟(ii)的均質(zhì)混合物進(jìn)行超音波震蕩，以使該官能化碳納
ii米管組分在該基質(zhì)組分中均勻分布，并形成分散混合物；及
(iv)乳化，使該分散混合物在預(yù)定溫度下轉(zhuǎn)動攪拌進(jìn)行均質(zhì)乳化。 本發(fā)明熱接口材料的制造方法的有益效果在于借助于羧酸化、酰氯
化與親核取代反應(yīng)制出官能化碳納米管，再將所述官能化碳納米管配合均
質(zhì)、分散與乳化處理，以使其均勻地分布在該基質(zhì)組分中，使本發(fā)明具有
能夠制出穩(wěn)定而有優(yōu)選導(dǎo)熱效果的熱接口材料的特性。
本發(fā)明的另 一個(gè)目的是提供一種應(yīng)用該熱接口材料的電子裝置，該電
子裝置能夠借助于該熱接口材料而表現(xiàn)出優(yōu)選的導(dǎo)熱效果。
因此，本發(fā)明應(yīng)用該熱接口材料的電子裝置，其包含一個(gè)電子組件、
一個(gè)供該電子組件固定的基板、及設(shè)置在該電子組件與該基板間的熱接口
材料層。
其中，該熱接口材料層是由如前所述的熱界面材料所形成的。 本發(fā)明應(yīng)用該熱接口材料的電子裝置的有益效果在于能夠借助于該 熱接口材料層使該電子組件與該基板相接合，且電子組件通入電流過程中 產(chǎn)生的熱量還能經(jīng)由熱接口材料層快速地傳導(dǎo)到該基板，進(jìn)而透過該基板 散熱，使本發(fā)明具有優(yōu)選的導(dǎo)熱效果，從而更能滿足電子裝置的散熱需求。


圖1是本發(fā)明熱接口材料的制造方法一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式的流程圖； 圖2是說明本發(fā)明應(yīng)用該熱接口材料的電子裝置的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式 的側(cè)視示意圖3是說明本發(fā)明應(yīng)用該熱接口材料的電子裝置與其它非使用本發(fā)明 熱接口材料的電子裝置通電后，在不同時(shí)間下其溫度對應(yīng)時(shí)間的變化情形 的曲線圖。
圖4所示為說明經(jīng)官能化處理的所述官能化碳納米管緊密排列而形成 導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)的情形的掃描電子顯微鏡照片。
圖5所示為說明未經(jīng)官能化處理的所述納米級中空管狀碳化合物呈大 量糾結(jié)且團(tuán)簇成為微米級材料的形態(tài)的掃描電子顯微鏡照片。
1具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
本發(fā)明熱接口材料包含基質(zhì)組分、分布于該基質(zhì)組分中的官能化碳納 米管組分、及無機(jī)填充料組分，且相對于1重量份的官能化碳納米管組分，
該基質(zhì)組分的含量優(yōu)選為5重量份~100重量份、及該無機(jī)填充料組分的含 量優(yōu)選為10重量份 20重量份。更優(yōu)選地，該基質(zhì)組分的含量為5重量份 10重量份。
該基質(zhì)組分為有機(jī)硅高分子的粘滯性液體，該有機(jī)硅高分子可使用硅 油或改性硅油，且該硅油是選自于甲基苯基硅油或甲基硅油，而該改性硅 油能夠選用反應(yīng)型硅油或非反應(yīng)型硅油。
其中，該反應(yīng)型硅油是選自于以下群組中的物質(zhì)羧基改性硅油、甲 醇基改性硅油、異丁基改性硅油、異類官能團(tuán)改性硅油、苯酚基改性硅油、 環(huán)氧基改性硅油、及胺基改性硅油。
該非反應(yīng)型硅油是選自于以下群組中的物質(zhì)氟改性硅油、高級烷氧 基改性硅油、高級脂肪酸聚酯改性硅油、烷基改性硅油、甲基苯乙烯基改 性硅油、及聚醚改性硅油。
該官能化碳納米管組分包括多個(gè)分布于該基質(zhì)組分中、并具有以下結(jié) 構(gòu)式(I)的官能化碳納米管
Y"( r )n.................................(I)
其中，
n為大于l的整數(shù)；
Y為納米級中空管狀碳化合物，其直徑為2nm 250nm，其長度為200nm ~150^im，且其長徑比是大于或等于100;
5一°為連接在該納米級中空管狀碳化合物表面的官能團(tuán)，X表示OR
入
或NR'R〃，且R為Q-C27烷基，R'為氫或C廣ds垸基，R〃為d-ds烷基。
所述納米級中空管狀碳化合物為選自以下群組中的碳納米管單層碳 納米管、雙層碳納米管、多層碳納米管、薄壁碳納米管、及厚壁碳納米管， 且所述納米級中空管狀碳化合物是先經(jīng)親油性處理而形成官能化碳納米管
13后，再添加到該基質(zhì)組分中，借助于官能化碳納米管在碳管表面形成官能 團(tuán)接枝型式，能有助于所述碳管分散與混摻在該基質(zhì)組分中。
該無機(jī)填充物組分包括多個(gè)分布在該基質(zhì)組分中的無機(jī)導(dǎo)熱納米粒 子，且所述無機(jī)導(dǎo)熱納米粒子為選自以下群組中的物質(zhì)金、銀、鋁、錫、 銅、鎵、鎵銦合金、氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、硅、氮化硼、氧化鋅、氧 化硅、石英、鉆石、及它們的組合。
參閱圖l，進(jìn)一步地，本發(fā)明熱接口材料的制造方法包括以下步驟
步驟101為官能化碳納米管組分的制備，取預(yù)定量的納米級中空管狀 碳化合物先進(jìn)行鍛燒與純化，接著再分別進(jìn)行羧酸化、酰氯化與親核取代 反應(yīng)，以制得包含多個(gè)官能化碳納米管的官能化碳納米管組分。
鍛燒是使所述納米級中空管狀碳化合物于氮?dú)?、空氣或真空環(huán)境下升 溫至預(yù)定溫度，并于預(yù)定時(shí)間內(nèi)鍛燒，以分別達(dá)到去除水氣、完全干燥、 表面氧化、及表面石墨化的目的，其中，鍛燒可選擇在氮?dú)?、空氣或真?br> 環(huán)境的其中一種環(huán)境下進(jìn)行，當(dāng)在氮?dú)猸h(huán)境下進(jìn)行鍛燒時(shí)，升溫至425°C 土50。C，當(dāng)在空氣環(huán)境下進(jìn)行鍛燒時(shí)，升溫至350。C士5(TC，當(dāng)在真空環(huán)境下 進(jìn)行鍛鐃時(shí)，升溫至180'C±30°C，借此，最終都能使所述納米級中空管狀 碳化合物達(dá)到表面石墨化的效果。
純化時(shí)，將鍛燒完成的所述納米級中空管狀碳化合物置于濃度6M 12M的鹽酸溶液中，并于溫度5(TC 120'C的條件下加熱攪拌4小時(shí) 24小 時(shí)，再將鹽酸溶液倒出，并以去離子水重復(fù)置換，直到含有納米級中空管 狀碳化合物的溶液pH值實(shí)質(zhì)上為pH4為止，如果需要更高純度的納米級 中空管狀碳化合物，則可以再增加重復(fù)置換的次數(shù)。最后，再以高溫爐在 9(TC 350。C的溫度范圍內(nèi)作階段式升溫加熱，在該優(yōu)選實(shí)施方式中，該階 段式升溫加熱是分別升溫到卯"C、 95°C、 100°C、 110°C、 120°C、 250。C等 溫度，并分別在前述各溫度下加熱3 12小時(shí)，由此完成所述納米級中空管 狀碳化合物的純化。
進(jìn)行羧酸化時(shí)，將所述納米級中空管狀碳化合物置于硝酸溶液中，并 于5(TC 12(TC的條件下加熱24小時(shí) 72小時(shí)，再將該硝酸溶液抽出，由此制得羧酸化的碳納米管。羧酸化后，接著進(jìn)行酰氯化將所述羧酸化的碳
納米管置于亞硫酰氯(Thionyl Chloride, SOCl2)溶液中進(jìn)行酰氯化，反應(yīng)時(shí) 間為30分鐘 24小時(shí)，以進(jìn)一步形成酰氯化的碳納米管。親核取代反應(yīng)則 是在于所述酰氯化的碳納米管中加入醇類或胺類化合物，并反應(yīng)3小時(shí)以 上，以形成該官能化碳納米管組分。
在該優(yōu)選實(shí)施方式中，進(jìn)行親油基反應(yīng)的方式是將所述納米級中空管 狀碳化合物經(jīng)羧酸化、酰氯化處理后，再加入醇類或胺類的有機(jī)化合物進(jìn) 行親核取代反應(yīng)而制得所述官能化碳納米管，當(dāng)進(jìn)行親核取代反應(yīng)時(shí)，如 果所加入的是醇類有機(jī)化合物，則進(jìn)行酯化反應(yīng)，且所加入的醇類化合物 為不含其它官能團(tuán)的醇類，且優(yōu)選是使用選自以下群組中的物質(zhì)C,~C27
的伯醇、C廣C27的仲醇、C廣C27的叔醇、及C廣C27的多元醇。如果所加入
的是胺類有機(jī)化合物時(shí)，貝lj該胺類有機(jī)化合物優(yōu)選具有以下的結(jié)構(gòu)式 R'〃-NR'R"，其中，R'為氫或C「C,8垸基、R〃為C,-C,8烷基、及R'〃為d-CI8烷基。
如果以Y表純化后的納米級中空管狀碳化合物，則其經(jīng)羧酸化、酰氯 化與親核性取代反應(yīng)的過程能夠以如下所示的反應(yīng)式表示，其中，(1)、 (2)
分別說明在親核性取代反應(yīng)時(shí)加入醇類、胺類的有機(jī)化合物的情形
YY_(C00H)]^k_ Y_(C0C1)n^lUY"一。)n…d)
OR
Y，Y_(C00H)^^Y_(C0C1)^ra^ Y-( -0)n...(2)
步驟102為混合，其是將步驟101中所制得的該官能化碳納米管組分 先經(jīng)鍛燒處理，再混入已加熱至4(TC 20(TC的基質(zhì)組分中，并使用攪拌機(jī) 攪拌，且反復(fù)進(jìn)行攪拌3分鐘、脫泡3分鐘的步驟，直到使該官能化碳納 米管組分沉入該基質(zhì)組分中。
其中，進(jìn)行轉(zhuǎn)動攪拌與鍛燒的條件應(yīng)根據(jù)混合時(shí)所需處理的總量多少 進(jìn)行調(diào)整，當(dāng)所處理的量較多時(shí)，例如，取1Kg的官能化碳納米管組分加
15入20Kg的基質(zhì)組分中時(shí)，且所述官能化碳納米管在混入該基質(zhì)組分前，先 在溫度10(TC 35(TC的范圍內(nèi)鍛燒6小時(shí) 72小時(shí)，再以錨式攪拌器在轉(zhuǎn)速 300rpm下緩慢攪拌，直至官能化碳納米管組分全部沉入該基質(zhì)組分中；當(dāng) 所處理的量較少時(shí)，例如，取25g的官能化碳納米管組分加入500g的基質(zhì) 組分中時(shí)，先在溫度25(TC鍛燒6小時(shí)，再使用公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)攪拌機(jī)攪拌，且分 別將公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速設(shè)定為1200ipm、及自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速設(shè)定為240rpm。此外，該基質(zhì) 組分也使用有機(jī)硅高分子的粘滯性液體，其能夠選用的物質(zhì)與前述熱接口 材料中基質(zhì)組分相同，故不再贅述。
步驟103為均質(zhì)化將己混合的該官能化碳納米管組分與基質(zhì)組分置 于均質(zhì)機(jī)中，并以預(yù)定轉(zhuǎn)速攪拌，以使二者形成均質(zhì)混合物。優(yōu)選地，該 均質(zhì)機(jī)的溫度是設(shè)定在40°C~200°C，轉(zhuǎn)速則配合需要均質(zhì)的量的多少相應(yīng) 地調(diào)整，當(dāng)量少時(shí)，使用單純吸粉式均質(zhì)機(jī)，且是在轉(zhuǎn)速10000 20000rpm 下進(jìn)行攪拌，當(dāng)量多時(shí)，則是使用連續(xù)式均質(zhì)機(jī)，且是在轉(zhuǎn)速2500 4500rpm 下循環(huán)多次進(jìn)行攪拌，或使用Ross乳化均質(zhì)攪拌機(jī)，并于轉(zhuǎn)速4500~ 6500rpm及真空0.1 50托的條件下進(jìn)行攪拌。
步驟104為分散，其是對步驟03的均質(zhì)混合物進(jìn)行超音波震蕩，以 使該官能化碳納米管組分在該基質(zhì)組分中均勻分布，并形成分散混合物。 其中，進(jìn)行超音波震蕩時(shí)所用的超音波裝置優(yōu)選使用功率750W 1500W的， 且震蕩條件是設(shè)定在20%~40%功率時(shí)30-300秒、及50%~80%功率時(shí)3~7 分鐘。所用超音波震蕩功率也是依據(jù)實(shí)際處理量而定，處理量較少時(shí)，使 用探頭式超音波裝置，并于功率750W下進(jìn)行震蕩，處理量較多時(shí)，則使 用連續(xù)式探頭超音波裝置，并于功率1500W進(jìn)行震蕩。
步驟105為乳化，使該分散混合物在預(yù)定溫度下轉(zhuǎn)動攪拌進(jìn)行均質(zhì)乳 化。優(yōu)選地，乳化時(shí)，將該分散混合物置于乳化均質(zhì)機(jī)中，并于溫度25~ 100°C、轉(zhuǎn)速2500 6000rpm轉(zhuǎn)動攪拌、及真空度0.1~50托的條件下進(jìn)行均 質(zhì)乳化。通過乳化，可調(diào)整該分散混合物的粘度，并提高其密度。
步驟106為脫泡，其是將經(jīng)過均質(zhì)乳化的分散混合物以預(yù)定轉(zhuǎn)速攪拌 3 10分鐘、脫泡3 10分鐘。同樣地，因應(yīng)所處理量的多少而采用不同的裝
16置進(jìn)行脫泡，當(dāng)量少時(shí)，使用公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)攪拌機(jī)進(jìn)行攪拌與脫泡，且攪拌時(shí)
設(shè)定公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速大于1000rpm、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速大于或等于公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速的2/5，脫泡時(shí)， 設(shè)定公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速大于1000rpm，自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速大于或等于公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速的1/37。在該優(yōu) 選實(shí)施方式中，當(dāng)在進(jìn)行攪拌時(shí)，設(shè)定公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為1800 rpm、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為 720rpm，當(dāng)在進(jìn)行脫泡時(shí)，設(shè)定公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為1800 rpm、自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速為49rpm。 當(dāng)量多時(shí)，使用旋轉(zhuǎn)真空脫泡機(jī)，且在轉(zhuǎn)速1000 3500rpm及0.1 10托的 真空狀態(tài)下進(jìn)行攪拌脫泡。借助于脫泡可除去潛藏的小氣泡，并進(jìn)一步調(diào) 整整體的粘度，以使各組分混合更均勻。
值得說明的是，該熱接口材料產(chǎn)物中除了包含該基質(zhì)組分與該官能化 碳納米管組分外，還可進(jìn)一步添加無機(jī)填充物組分，以輔助提升該熱接口 材料的導(dǎo)熱率。該無機(jī)填充物組分可在步驟102中進(jìn)行混合時(shí)，伴隨著該 官能化納米組分一起添加到該基質(zhì)組分中，也可以在步驟103進(jìn)行均質(zhì)時(shí)'， 伴隨該官能化納米組分與基質(zhì)組分一起加到該均質(zhì)機(jī)中，以使三者在均質(zhì) 化處理后形成該均質(zhì)混合物。其中，該無機(jī)填充物組分包括多個(gè)無機(jī)導(dǎo)熱 納米粒子，且所述無機(jī)導(dǎo)熱納米粒子與前述熱界面材料中的無機(jī)填充物組 分的無機(jī)導(dǎo)熱納米粒子所選用的材質(zhì)相同，所以在此不再贅述。
此外，在該優(yōu)選實(shí)施方式中，各組分的用量是以步驟101所制備出的 該官能化碳納米管組分為基準(zhǔn)，在后續(xù)的混合步驟中，相對于1重量份的 官能化碳納米管組分，該無機(jī)填充物組分的用量優(yōu)選為10重量份 20重量 份、及該基質(zhì)組分的用量為5重量份~100重量份。
如圖4與圖5所示，其分別是經(jīng)過本發(fā)明的制造方法所制得的熱接口 材料中的官能化碳納米管組分、及未經(jīng)官能化處理的所述納米級中空管狀 碳化合物的掃描電子顯微鏡照片，其中，為了取得圖4中的該官能化碳納 米管組分的影像，先使1重量份的官能化碳納米管組分與20重量份的甲基 硅油混合后，旋轉(zhuǎn)涂布在硅芯片上，并于溫度30(TC下進(jìn)行真空鍛燒，去除 硅油，就能以掃描式電子顯微鏡觀察到該官能化碳納米管組分的形態(tài)，如 圖4所示，所述官能化碳納米管是呈緊密排列及易導(dǎo)熱的相互連續(xù)狀態(tài)， 因此，能夠成為極佳的導(dǎo)熱網(wǎng)絡(luò)，而圖5則顯示當(dāng)所述納米級中空管狀碳
17化合物未經(jīng)過官能化處理前，呈大量糾結(jié)且團(tuán)簇為微米級材料的形態(tài)，由 此無法形成易導(dǎo)熱的相互連續(xù)狀態(tài)。
進(jìn)一步地，本發(fā)明應(yīng)用該熱接口材料的電子裝置包含一個(gè)電子組件、 一個(gè)用以供該電子組件固定的基板、及一個(gè)設(shè)置在該電子組件與該基板間 的熱接口材料層。
該電子組件在通入電流過程中會產(chǎn)生熱量，該熱接口材料層是由如前 所述的熱接口材料所形成，且該電子組件所產(chǎn)生的熱量是通過該熱接口材 料層傳導(dǎo)至該基板。
其中，該電子裝置的型式不應(yīng)受到限制，可以是筆記型計(jì)算機(jī)、桌上
型計(jì)算機(jī)、LED裝置，或太陽能發(fā)電裝置等。 <實(shí)施例1>
以下配合ASTM D5470-2006的熱傳導(dǎo)固體電絕緣薄材料熱傳導(dǎo)性能測 試方法，說明本發(fā)明熱接口材料或以本發(fā)明制造方法所制得的熱接口材料 的熱傳導(dǎo)系數(shù)，以下分別以官能化碳納米管組分、基材組分與無機(jī)填充物 組分依預(yù)定比例調(diào)配出的熱界面材料為樣品，再依照ASTMD5470-2006的 標(biāo)準(zhǔn)方法測量該熱接口材料的熱傳導(dǎo)系數(shù)，各組分比例與測量結(jié)果如表1 所示。表1-不同組分比例的熱界面材料的熱傳導(dǎo)系數(shù)
熱界面材料 樣品官能化 碳納米管組分 (重量份)基質(zhì)組分 (重量份)無機(jī) 填充物組分 (重量份)W/m K
樣品l1100-0.8
樣品2150-2.4
樣品3120-4.2
樣品4110-10.7
樣品51-24.5
樣品61100101.2
樣品71100202.1
樣品8150203.5
樣品9120205.6
樣品IO1101011.5
樣品ll151029.5
依據(jù)表1的結(jié)果顯示，當(dāng)該熱接口材料中只包含官能化碳納米管組分
與基質(zhì)組分時(shí)，如表1中的樣品1~樣品5，隨著官能化碳納米管組分所占 比例增加，熱接口材料的熱傳導(dǎo)系數(shù)也隨著增加，且其熱傳導(dǎo)系數(shù)相對于 現(xiàn)有碳納米管導(dǎo)熱膏的熱傳導(dǎo)系數(shù)(約0.3 2 W/m，K)也有顯著改善，當(dāng)該 熱接口材料中包含有官能化碳納米管組分、基質(zhì)組分與無機(jī)填充物組分時(shí)， 如表1中的樣品6~樣品11,相對于樣品1 樣品5，在該官能化碳納米管組 分與該基質(zhì)組分的比例相同的條件下，顯示有額外添加無機(jī)填充物組分的 熱界面材料，其熱傳導(dǎo)系數(shù)獲得進(jìn)一步改善，顯示添加無機(jī)填充物組分確 實(shí)有輔助提升導(dǎo)熱率的效果。
19<實(shí)施例2>
參閱圖2，以下以電子裝置2為例說明本發(fā)明應(yīng)用該熱接口材料的電 子裝置的導(dǎo)熱效果，測試方法是先準(zhǔn)備電子組件21與導(dǎo)熱基板22，該電子 組件21具有通電后會產(chǎn)生熱量的熱源部211、及散熱底座212，在該導(dǎo)熱 基板22形成有多個(gè)散熱鰭片221，在本實(shí)施例中，該電子裝置為LED裝置、 及該電子組件是高功率的LED，測試時(shí)依照該電子組件21與該導(dǎo)熱基板 22的連接方式分為以下四種情形(a)將該電子組件21直接押靠在該基板 22上，以形成與該基板22相貼觸的狀態(tài)，該電子組件21與該基板22間未 涂布任何物質(zhì)，(b)利用市售的散熱貼布將該電子組件21固定在該基板22 上，(c)將市售散熱膏涂布在該電子組件21與該基板22間，以形成導(dǎo)熱層， (d)使用本發(fā)明的熱接口材料涂布在該電子組件21與該基板22間形成該熱 界面材料層。其中，(b)中所使用的散熱貼布廠商是道康寧，其型號為 OTR-ICE-PAD， (c)中所用的散熱膏廠商為JetArt，型號為CK4800, (d)則是 以前述實(shí)施例1的樣品IO作為本發(fā)明熱接口材料的應(yīng)用實(shí)例，且前述四種 情形所用的該電子組件21與該導(dǎo)熱基板22都相同，接著，分別對前述四 組電子裝置施加900mA的電流及4.0V的電壓30分鐘，并利用設(shè)置在該散 熱底座212的溫度計(jì)3測量其溫度變化，其中，考慮到該電子裝置2的耐 熱溫度，所以測量溫度的上限是設(shè)定在70°C，并得到如圖3所示的溫度對 應(yīng)時(shí)間的曲線圖。
根據(jù)圖3的曲線圖，當(dāng)對該LED裝置2通電時(shí)，可比較出使用本發(fā)明 的熱接口材料(d)的電子組件21的散熱底座212的溫度相對于不使用任何散 熱膏(a)、使用市售的散熱貼布(b)、及使用市售散熱膏(c)的散熱底座212的 溫度低，顯示使用本發(fā)明熱接口材料形成的熱接口材料層，能夠較快速地 將該熱源部211產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至該導(dǎo)熱基板22,使該電子組件21的散熱 底座212的溫度不致過高。
歸納上述，本發(fā)明熱界面材料可獲致下述的功效及優(yōu)點(diǎn)，故能達(dá)到本 發(fā)明的目的
一、借助于將納米級中空管狀化合物經(jīng)過羧酸化、酰氯化與親核性取代反應(yīng)所形成的官能化碳納米管，可通過官能團(tuán)接枝而增加其與基質(zhì)組分 間的吸附性與兼容性，而能有效改善溢油情形。
二、 此外，所述官能化碳納米管彼此間通過所述官能團(tuán)接枝可形成高 密度交叉迭合，當(dāng)混摻至該基質(zhì)組分中時(shí)，較易形成易導(dǎo)熱的相互連續(xù)接 觸狀態(tài)，而能加速熱傳導(dǎo)的速度與避免形成熱阻，使本發(fā)明熱界面材料具 有導(dǎo)熱效果較高的優(yōu)點(diǎn)。
三、 由實(shí)施例中表1的熱傳導(dǎo)系數(shù)的測量結(jié)果可看出，當(dāng)官能化碳納 米管組分在該熱界面材料中所占的比例越高時(shí)，所測得的熱傳導(dǎo)系數(shù)亦顯 著增加，而額外添加無機(jī)填充物組分也有輔助增加熱傳導(dǎo)系數(shù)的作用，尤 其是在該官能化碳納米管組分相對于該基質(zhì)組分的重量份較少時(shí)，導(dǎo)熱效 果增加更為明顯，這顯示本發(fā)明熱接口材料可借助于該官能化碳管組分顯 著增加導(dǎo)熱效果。
另夕卜，本發(fā)明應(yīng)用該熱接口材料的電子裝置可獲致下述的功效及優(yōu)點(diǎn)， 故能達(dá)到本發(fā)明的目的
結(jié)合實(shí)施例2的結(jié)果證明，當(dāng)將該熱接口材料應(yīng)用于電子裝置時(shí)，相 對于一般市面上的導(dǎo)熱膏或?qū)豳N布等產(chǎn)品，確實(shí)能夠借助于該熱接口材 料的高導(dǎo)熱特性加速熱量的傳導(dǎo)，以避免電子裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)效能因高溫而受 損，使本發(fā)明結(jié)合有熱接口材料的電子裝置具有運(yùn)作效能較好、且不易損 壞而使用壽命較長的優(yōu)點(diǎn)。
2權(quán)利要求
1、一種熱接口材料，其包含基質(zhì)組分、及分布于該基質(zhì)組分中的官能化碳納米管組分；其特征在于該基質(zhì)組分為有機(jī)硅高分子的粘滯性液體；及該官能化碳納米管組分包括多個(gè)分布于該基質(zhì)組分中、并具有以下結(jié)構(gòu)式(I)的官能化碳納米管其中，n為大于1的整數(shù)；Y為納米級中空管狀碳化合物；為連接在該納米級中空管狀碳化合物表面的官能團(tuán)，X表示OR或NR′R″，且R為C1-C27烷基，R′為氫或C1-C18烷基，R″為C1-C18烷基。
2、 權(quán)利要求l的熱接口材料，其特征在于相對于l重量份的官能化碳 納米管組分，該基質(zhì)組分的含量為5重量份 100重量份。
3、 權(quán)利要求2的熱接口材料，其特征在于相對于l重量份的官能化碳 納米管組分，該基質(zhì)組分的含量為5重量份 10重量份。
4、 權(quán)利要求2的熱接口材料，其特征在于制備所述官能化碳納米管 所用的納米級中空管狀碳化合物的直徑為2nm 250nm,其長度為200nm 150|am，且其長徑比是大于或等于IOO。
5、 權(quán)利要求4的熱接口材料，其特征在于制備所述官能化碳納米管 所用的納米級中空管狀碳化合物是選自于以下群組中的碳納米管單層碳 納米管、雙層碳納米管、多層碳納米管、薄壁碳納米管、及厚壁碳納米管。
6、 權(quán)利要求5的熱接口材料，其特征在于所述官能化碳納米管在由 所述納米級中空管狀碳化合物經(jīng)親油性處理制備后，再添加到該基質(zhì)組分 中。
7、 權(quán)利要求6的熱接口材料，其特征在于所述納米級中空管狀碳化 合物所受的親油性處理包括羧酸化處理、酰氯化處理、及再加入醇類或胺 類的有機(jī)化合物所進(jìn)行的親核取代反應(yīng)。
8、 權(quán)利要求7的熱接口材料，其特征在于該基質(zhì)組分的有機(jī)硅高分 子為硅油或改性硅油。
9、 權(quán)利要求8的熱接口材料，其特征在于該有機(jī)硅高分子為硅油， 且該硅油選自于甲基苯基硅油或甲基硅油。
10、 權(quán)利要求8的熱接口材料，其特征在于該有機(jī)硅高分子為改性硅 油，且該改性硅油為反應(yīng)型硅油或非反應(yīng)型硅油。
11、 權(quán)利要求10的熱接口材料，其特征在于該有機(jī)硅高分子是改性 硅油中的反應(yīng)型硅油，且該反應(yīng)型硅油是選自于以下群組中的物質(zhì)羧基 改性硅油、甲醇基改性硅油、異丁基改性硅油、異類官能團(tuán)改性硅油、苯 酚基改性硅油、環(huán)氧基改性硅油、及胺基改性硅油。
12、 權(quán)利要求10的熱接口材料，其特征在于該有機(jī)硅高分子是改性 硅油中的非反應(yīng)型硅油，且該非反應(yīng)型硅油是選自于以下群組中的物質(zhì) 氟改性硅袖、高級烷氧基改性硅油、高級脂肪酸聚酯改性硅油、烷基改性 硅油、甲基苯乙烯基改性硅油、及聚醚改性硅油。
13、 權(quán)利要求8的熱接口材料，其特征在于該熱接口材料還包含無機(jī) 填充料組分，該無機(jī)填充料組分包括多個(gè)分布在該基質(zhì)組分中的無機(jī)導(dǎo)熱 納米粒子。
14、 權(quán)利要求13的熱接口材料，其特征在于相對于l重量份的官能化 碳納米管組分，該無機(jī)填充物組分的含量為10重量份 20重量份。
15、 權(quán)利要求14的熱接口材料，其特征在于該無機(jī)填充料組分中的 無機(jī)導(dǎo)熱納米粒子為選自以下群組中的物質(zhì)金、銀、鋁、錫、銅、鎵、 鎵銦合金、氮化鋁、氧化鋁、碳化硅、硅、氮化硼、氧化鋅、氧化硅、石 英、鉆石、及它們的組合。
16、 一種權(quán)利要求l的熱接口材料的制造方法；其特征在于該制造方 法包括以下步驟(i) 制備官能化碳納米管組分，取預(yù)定量的納米級中空管狀碳化合物分 別進(jìn)行羧酸化、酰氯化與親核取代反應(yīng)，以制得包含多個(gè)官能化碳納米管 的官能化碳納米管組分；(ii) 均質(zhì)化，使該官能化碳納米管組分與基質(zhì)組分在預(yù)定溫度下轉(zhuǎn)動攪 拌，以使二者形成均質(zhì)混合物；(iii) 分散，對步驟(ii)的均質(zhì)混合物進(jìn)行超音波震蕩，以使該官能化碳納 米管組分在該基質(zhì)組分中均勻分布并形成分散混合物；及(iv) 乳化，使該分散混合物在預(yù)定溫度下轉(zhuǎn)動攪拌以進(jìn)行均質(zhì)乳化。
17、 權(quán)利要求16的熱接口材料的制造方法，其特征在于步驟(i)中的 羧酸化是將所述納米級中空管狀碳化合物置于硝酸溶液中，并于5(TC 12(TC的條件下加熱24小時(shí) 72小時(shí)，再將該硝酸溶液抽出，以制得羧酸化 的碳納米管。
18、 權(quán)利要求17的熱接口材料的制造方法，其特征在于將步驟(i)中 的酰氯化在所述納米級中空管狀碳化合物進(jìn)行羧酸化后，再將所述羧酸化的碳納米管置于亞硫酰氯溶液中進(jìn)行酰氯化反應(yīng)30分鐘 24小時(shí)，以進(jìn)一步形成酰氯化的碳納米管。
19、 權(quán)利要求18的熱接口材料的制造方法，其特征在于步驟(i)中的親核取代反應(yīng)在所述已羧酸化、酰氯化的碳納米管中加入醇類或胺類化合物，并反應(yīng)3小時(shí)以上。
20、 權(quán)利要求19的熱接口材料的制造方法，其特征在于在步驟(ii)中， 相對于l重量份的官能化碳納米管組分，該基質(zhì)組分的用量為5重量份 100 重量份。
21、 權(quán)利要求20的熱接口材料的制造方法，其特征在于步驟(i)中的 親核取代反應(yīng)是在所述已羧酸化、酰氯化的碳納米管中加入醇類化合物進(jìn) 行酯化反應(yīng)，且所加入的醇類化合物為不含其它官能團(tuán)的醇類。
22、 權(quán)利要求21的熱接口材料的制造方法，其特征在于步驟(i)中的親核取代反應(yīng)中所加入的醇類為選自以下群組中的物質(zhì)C廣C27的伯醇、 C, C27的仲醇、C廣C27的叔醇、及C, C27的多元醇。
23、 權(quán)利要求21的熱接口材料的制造方法，其特征在于步驟(i)中的親核取代反應(yīng)中所加入的醇類為C, C27的伯醇。
24、 權(quán)利要求20的熱接口材料的制造方法，其特征在于步驟(i)中的 親核取代反應(yīng)是在所述已羧酸化、酰氯化的碳納米管中加入具有以下結(jié)構(gòu) 式的胺類化合物進(jìn)行的親核取代反應(yīng)R〃'-NR'R〃，其中，R'為氫或C,-ds 烷基、R〃為Q-d8烷基、及R〃'為C廣d8烷基。
25、 權(quán)利要求20的熱接口材料的制造方法，其特征在于在步驟(i)中，進(jìn)行羧酸化、酰氯化與親核取代反應(yīng)以前，先對所述納米級中空管狀碳化 合物進(jìn)行鍛燒，鍛燒是使所述納米級中空管狀碳化合物于氮?dú)?、空氣或?空環(huán)境下升溫至預(yù)定溫度，并在預(yù)定時(shí)間內(nèi)進(jìn)行。
26、 權(quán)利要求25的熱接口材料的制造方法，其特征在于在步驟(i)中，在選自以下群組的條件下進(jìn)行鍛燒當(dāng)在氮?dú)猸h(huán)境下進(jìn)行鍛燒時(shí)，升溫至425。C士50。C，當(dāng)在空氣環(huán)境下進(jìn)行鍛燒時(shí)，升溫至350。C士50。C，以及當(dāng)在 真空環(huán)境下進(jìn)行鍛鐃升溫至18(rC士3(TC 。
27、 權(quán)利要求26的熱接口材料的制造方法，其特征在于在步驟(i)中， 在進(jìn)行鍛燒后與進(jìn)行羧酸化、酰氯化與親核取代反應(yīng)前，先進(jìn)行純化，且 純化時(shí)是將鍛燒完成的所述納米級中空管狀碳化合物置于濃度6M 12M的 鹽酸溶液中，并于溫度5(TC 12(TC的條件下加熱攪拌4小時(shí) 24小時(shí)，再將 鹽酸溶液倒出，并以去離子水重復(fù)置換直到含有納米級中空管狀碳化合物 的溶液pH值實(shí)質(zhì)上為pH4為止，最后再以高溫爐在90。C 35(TC的溫度范圍 內(nèi)作階段式升溫加熱，各階段各自在預(yù)定溫度下加熱3小時(shí) 12小時(shí)。
28、 權(quán)利要求20的熱接口材料的制造方法，其特征在于步驟(ii)的均 質(zhì)處理是使該官能化碳納米管組分與該基質(zhì)組分在溫度4(rC 20(TC、及轉(zhuǎn) 速2500rpm 20000rpm的條件下進(jìn)行轉(zhuǎn)動攪拌。
29、 權(quán)利要求28的熱接口材料的制造方法，其特征在于步驟(iii)的分 散是使用功率750W 1500W的超音波，以20%~40%功率作用30秒~300秒、 及50%~80%功率作用3~7分鐘的條件下進(jìn)行超音波震蕩。
30、 權(quán)利要求29的熱接口材料的制造方法，其特征在于步驟(iv)的乳 化是使該分散混合物于溫度25t: 10(rC、轉(zhuǎn)速2500rpm 6000rpm、及真空度.0.1托 50托的條件下進(jìn)行均質(zhì)乳化。
31、 權(quán)利要求30的熱接口材料的制造方法，其特征在于該制造方法 還包括在步驟(ii)以前的步驟(ii)-l，步驟(ii)-l為混合，混合時(shí)是將該官能化碳納米管組分混入溫度4(rC 20(TC的基質(zhì)組分中，并以預(yù)定轉(zhuǎn)速反復(fù)進(jìn)行 攪拌及脫泡。
32、 權(quán)利要求31的熱接口材料的制造方法，其特征在于在步驟(ii)-l 中，所述官能化碳納米管在混入該基質(zhì)組分前先在溫度10(rC 35CTC下鍛燒 6小時(shí) 72小時(shí)。
33、 權(quán)利要求32的熱接口材料的制造方法，其特征在于該制造方法 還包括步驟(i力以后的步驟(v)脫泡，其是將經(jīng)均質(zhì)乳化的該分散混合物以預(yù) 定轉(zhuǎn)速攪拌3 10分鐘后，脫泡3 10分鐘。
34、 權(quán)利要求33的熱接口材料的制造方法，其特征在于在步驟(力中， 使用公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)攪拌機(jī)進(jìn)行攪拌與脫泡，攪拌時(shí)設(shè)定公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速大于1000rpm、 及自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速大于或等于公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速的2/5，脫泡時(shí)設(shè)定公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速大于1000rpm， 自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速大于或等于公轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速的1/37。
35、 權(quán)利要求32的熱接口材料的制造方法，其特征在于該制造方法 還包括步驟(iv)以后的步驟(v)脫泡，其是將經(jīng)均質(zhì)乳化的該分散混合物置于 0.1 10托的真空狀態(tài)下，以轉(zhuǎn)速1000rpm 3500rpm進(jìn)行攪拌脫泡。
36、 一種結(jié)合有熱接口材料的電子裝置，其包含一個(gè)電子組件、 一個(gè) 用以供該電子組件固定的基板、及一個(gè)設(shè)置在該電子組件與該基板間的熱 接口材料層，且該電子組件在通入電流過程中會產(chǎn)生熱量；其特征在于該熱接口材料層是由權(quán)利要求1-15之一的熱接口材料所形成。
全文摘要
一種熱接口材料及其制造方法與應(yīng)用該材料的電子裝置，該熱接口材料包含基質(zhì)組分、及分布于該基質(zhì)組分中的官能化碳納米管組分。該基質(zhì)組分為有機(jī)硅高分子的粘滯性液體。該官能化碳納米管組分包括多個(gè)分布于該基質(zhì)組分中，并具有結(jié)構(gòu)式(I)的官能化碳納米管，其中，n為大于1的整數(shù)；Y為納米級中空管狀碳化合物；C-O為連接在該納米級中空管狀碳化合物表面的官能團(tuán)，X表示OR或NR′R″，且R為C₁-C₂₇烷基，R′為氫或C₁-C₁₈烷基，R″為C₁-C₁₈烷基，借助于添加官能化碳納米管，使該熱界面材料具有高導(dǎo)熱效果。
文檔編號C09J183/00GK101508845SQ200810005659
公開日2009年8月19日 申請日期2008年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月14日
發(fā)明者蘇峻葦 申請人:蘇峻葦