專利名稱：：一種包膜熒光粉顆粒及其制備方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及一種包膜熒光粉顆粒及其制備方法。
背景技術(shù)：
：近來，場發(fā)射顯示器(FED)已經(jīng)成為被廣泛研究的下一代平板顯示器。顯示器產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展對于熒光粉提出了更高的要求不僅需要有高的發(fā)光效率，還需要有適宜的顆粒形貌。適宜的熒光粉需要具有球形且無團聚的顆粒形貌，較小的顆粒大小和較窄的粒徑分布。Y3Al5012:Tb3+是一種被廣泛認同的有效的FED用綠色熒光粉。用溶膠-凝膠法[丄Y.Choe，D.Ravichandran，S.M.Blomquist，K.W.Kirchner，E.W.ForsytheandD.C.Morton,,Z咖k，93，119(2001)]制備的￥^15012:邗3+熒光粉具有較小的粒徑(2-3Rn)和良好的發(fā)光性能，在低壓陰極射線(小于1500V)的激發(fā)下，其發(fā)光亮度要遠高于商品粉樣品，然而上述熒光粉不是每個顆粒為一個晶粒，而是幾個晶粒的團聚體[Xiu-JuanLi，Quan-MaoYu，Zheng-ZhiZeng，andXi-PingJing氺,"ParticleGrowthofY3Al50i2:Tb3+PhosphorinSol-GelPreparation"，/^fi7ectroc/e瓜5bc.，154(8)，p726-729(2007)]。在熒光粉顆粒表面進行包覆，對于改善熒光粉的性能有很重要的作用，例如提高穩(wěn)定性、改善表面導電性、減少顆粒團聚等?，F(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展出很多包覆熒光粉顆粒的方法，如固相法、化學氣相沉積法(CVD)、液相包覆法、Pechini溶膠-凝膠法、多羥基化合物法等。另外，按照成份不同，包覆層還可以分為無機材料和有機高分子。無機材料通常是通過化學氣相沉積法包覆在熒光粉表面的，這需要精細昂貴的儀器設備；有機材料的包覆層往往不能承受高溫，這些都限制了熒光粉的應用。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供了一種包膜熒光粉顆粒。本發(fā)明所提供的包膜熒光粉顆粒，由核層和殼層組成，所述核層是熒光粉，所述殼層是硅酸鋁包膜。本發(fā)明所提供的包膜熒光粉顆粒，所述核層具體可為￥^15012:讓3+熒光粉。本發(fā)明所提供的包膜熒光粉顆粒，所述包膜熒光粉顆粒的粒徑Ds。為0.8-3.5Mm，殼層厚度為3-20nm。本發(fā)明還提供了制備硅酸鋁包膜熒光粉顆粒的方法。3本發(fā)明提供的制備硅酸鋁包膜熒光粉顆粒的方法，包括如下步驟1)將熒光粉浸入O.1-0.3M的可溶性Al3+鹽溶液中，使A1"粘附在顆粒的表面；將得到的顆粒浸入O.15-0.45M可溶性SiO/—鹽溶液中。2)將步驟l)得到的顆粒烘干；然后在400-500。C、焙燒6-12小時，得到硅酸鋁包膜熒光粉顆粒。所述可溶性A13+鹽具體可為KA1(S04)2或A1C1"所述可溶性SiO廣鹽具體可為Na2SiO^K2Si03。上述KA1(S04)2溶液的濃度具體可為O.2M;上述Na2SiO3溶液的濃度具體可為0.3M。所述制備硅酸鋁包膜熒光粉顆粒的方法，在步驟2)中，具體可將烘干后的顆粒在40(TC下高溫焙燒6小時。所述制備硅酸鋁包膜熒光粉顆粒的方法，在步驟l)中，可將所述熒光粉浸入可溶性Alw鹽溶液或可溶性SiO/—鹽溶液后，80W超聲振蕩5-30分鐘。所述熒光粉具體可為Y3A15012:TV+熒光粉。本發(fā)明所提供的包膜熒光粉顆粒可應用于場發(fā)射顯示器的制備。本發(fā)明的制備方法中，熒光粉顆粒表面發(fā)生如下反應2A13++3Si0/—+;tH20—Al2(Si03)3*;sH2(H。包膜熒光粉顆粒與包膜前的熒光粉顆粒相比，顆粒的分散性明顯得到改善，晶粒間的團聚明顯減少，且晶粒的形貌沒有明顯改變。包膜熒光粉顆粒表面可以清楚地觀察到很薄的包膜層。光致發(fā)光和陰極射線發(fā)光的測量結(jié)果表明，與未包膜的熒光粉顆粒相比，包膜熒光粉顆粒有相同的激發(fā)光譜，是典型的TV+的f-f躍遷。PL數(shù)據(jù)說明，Y203和Al2(Si03)3包膜，對熒光強度沒有明顯的影響，但其它材料會對熒光強度造成損失。低壓陰極射線的測試結(jié)果表明，ZnO和Al2(Si03)包膜熒光粉顆粒保持著良好的發(fā)光強度，但A1A和YA包膜熒光粉顆粒則不然。在低壓陰極射線轟擊下，未包膜的熒光粉顆粒和ZnO包膜熒光粉顆粒的熒光強度迅速下降，而Al2(Si03)3包膜熒光粉顆粒亮度保持得很好。應用本發(fā)明提供的方法可以使熒光粉顆粒的分散度進一步得到提高，且保持良好的發(fā)光強度，可以應用于場發(fā)射器的制備，對場發(fā)射顯示器性能提升具有巨大的價值。圖1為不同的Al3+濃度條件下制備的包膜熒光粉顆粒粒徑Ds。的變化圖2為不同的焙燒溫度條件下制備的包膜熒光粉顆粒粒徑D5。的變化圖3為不同的焙燒時間條件下制備的包膜熒光粉顆粒粒徑Ds。的變化圖4為硅酸鋁包膜熒光粉的X射線衍射圖譜圖5為硅酸鋁包膜熒光粉的掃描電鏡圖圖6為硅酸鋁包膜熒光粉的高倍掃描電鏡7為硅酸鋁包膜熒光粉的透射電鏡8為硅酸鋁包膜熒光粉的高分辨透射電鏡9為硅酸鋁包膜熒光粉的粒度分布10為硅酸鋁包膜熒光粉的陰極射線發(fā)射光譜圖11為包膜熒光粉在低壓陰極射線轟擊下熒光強度的時間衰減曲線具體實施例方式以下的實施例便于更好地理解本發(fā)明，但并不限定本發(fā)明。下述實施例中的實驗方法，如無特殊說明，均為常規(guī)方法。實施例l、不同制備條件對包膜熒光粉顆粒粒徑的影響一、不同的Ar和sio32—濃度對包膜熒光粉顆粒粒徑的影響1、￥^15012:化3+熒光粉的制備采用Al(0H)3、103和TW)7為起始材料制備1.8化。.扒15012熒光粉。1)首先按化學計量比(Y203、Tb407、Al(OHh的摩爾比為1.4:0.05:5)稱取原料，分別溶解于稍過量的濃硝酸中，將各硝酸鹽溶液混合。其中，A1(N03)3溶液需要將A1(0H)3加入濃硝酸中，在20(TC的水熱罐里加熱12小時溶解制得。2)將步驟l)得到的混合液在7(TC下持續(xù)攪拌并用尿素將其pH值調(diào)至3-4。3)在步驟2)得到的溶液中加入聚乙二醇(約為熒光粉的50wt%)，混合溶液變?yōu)闊o色或淡黃色透明溶膠，于烘箱中烘干為凝膠。升溫至40(TC引發(fā)燃燒，80(TC除去未反應完的有機物，得到白色蓬松的泡沬狀前驅(qū)體。4)將步驟3)得到的前驅(qū)體稍加研磨，放入馬弗爐內(nèi)，其與爐壁加熱棒垂直距離為5厘米，在馬弗爐里140(TC焙燒3小時，得到Y(jié)2.8Tb。.2Al50i2熒光粉。用激光散射粒度分布測試儀(LA-920型，Horiba公司，日本)檢測熒光粉的粒徑和粒度分布，粒徑Ds。為3.19Wn。2、包膜熒光粉顆粒的制備1)分別將等量的￥^15012:化3+熒光粉浸入裝有表1中的4種濃度的KA1(S0》2溶液的燒杯后，再將燒杯放入超聲波清洗儀(KQ2200型，昆山市超聲儀器有限公司)中室溫下80W超聲振蕩15分鐘，使Ar粘附在顆粒的表面。2)分別將步驟l)得到的顆粒浸入裝有表l中的4種濃度的Na2Si03鹽溶液的燒杯后，再將燒杯放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。其中，KA1(S04)2溶液和Na2Si03溶液的初始濃度比為2:3。53)將步驟2)得到的顆粒用蒸餾水洗漆幾次，在12(TC加熱10小時烘干。4)將步驟3)得到的顆粒在馬弗爐中40(TC下高溫焙燒6小時。得到硅酸鋁包膜Y3A1^2:TV+熒光粉顆粒。同時設置未包膜的熒光粉作為對照，制備過程中用蒸餾水代替KA1(S(X)2溶液和Na2Si03溶液。表l不同制備條件中采用的KAl(S04)2溶液和Na2Si(U容液的濃度濃度條件l濃度條件2濃度條件3濃度條件4KA1(S0》2溶液(mol/L)0.10.20.30.4Na2SiO:箱液(mol/L)0.150.30.450.63、包膜熒光粉顆粒的粒徑和粒度分布用激光散射粒度分布測試儀(LA-920型，Horiba公司，日本)分別檢測上述4種濃度條件下制備的包膜熒光粉和對照熒光粉的粒徑和粒度分布，粒徑Ds。見圖l。由圖1可見，隨著A廣濃度從0.0M升高到0.2M，樣品粒徑Ds。下降；而進一步增加Ar濃度，樣品粒徑D5。又很快增加。這說明用稀溶液對顆粒進行包覆，有利于打碎顆粒的團聚，但濃溶液又有可能讓其重新團聚。實驗數(shù)據(jù)顯示，Al"和Si0/—的最佳濃度分別為0.2M和O.3M。二、不同的焙燒溫度條件對包膜熒光粉顆粒粒徑的影響1、￥^15012:化3+熒光粉的制備采用Al(0H)3、YA和Tb407為起始材料制備Y2.Jb。.2Al5012。1)首先按化學計量比(YA、TbA、A1(0H)3的摩爾比為1.4:0.05:5)稱取原料，分別溶解于稍過量的濃硝酸中，將各硝酸鹽溶液混合。其中，Al(NO丄溶液需要將Al(OH)3加入濃硝酸中，在20(TC的水熱罐里加熱12小時溶解制得。2)將步驟1)得到的混合液在7(TC下持續(xù)攪拌并用尿素將其pH值調(diào)至3-4。3)在步驟2)得到的溶液中加入聚乙二醇(約為熒光粉的50wty。)，混合溶液變?yōu)闊o色或淡黃色透明溶膠，于烘箱中烘干為凝膠。升溫至40(TC引發(fā)燃燒，80(TC除去未反應完的有機物，得到白色蓬松的泡沫狀前驅(qū)體。4)將步驟3)得到的前驅(qū)體稍加研磨，放入馬弗爐內(nèi)，其與爐壁加熱棒垂直距離為15厘米，在馬弗爐里140(TC焙燒3小時，得到^.8化。.^15012熒光粉。用激光散射粒度分布測試儀(LA-920型，Horiba公司，日本)檢測熒光粉的粒徑和粒度分布，粒徑Ds。為2.14Wn。2、包膜熒光粉顆粒的制備1)將Y3Al5O^Tb3+熒光粉浸入0.2M的KAl(S(X)2溶液中，放入超聲波清洗儀中室6溫下80W超聲振蕩15分鐘，使Ar粘附在顆粒的表面。2)將步驟l)得到的顆粒浸入0.3MNa2Si03溶液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。。3)將步驟2)得到的顆粒用蒸餾水洗滌幾次，在12(TC加熱10小時烘干。4)將等量的步驟3)得到的顆粒在馬弗爐中，分別采用200。C、30(TC、400°C、50(TC和60(TC的焙燒溫度焙燒6小時。得到硅酸鋁包膜￥^15012:TV+熒光粉顆粒。3、包膜熒光粉顆粒的粒徑和粒度分布用激光散射粒度分布測試儀(LA-920型，Horiba公司，日本)分別檢測上述5種焙燒溫度條件下得到的包膜熒光粉的粒徑和粒度分布，粒徑Ds。見圖2。由圖可見，當焙燒溫度低于30(TC時，對顆粒大小無明顯影響。這可能是因為在低溫時熱效應的強度還不足以打斷晶粒之間的粘接。在40(TC下焙燒時，樣品粒徑D5。明顯地從2陶降到l陶。當焙燒溫度進一步提高，樣品粒徑Ds。又稍稍增大，這在現(xiàn)階段還不好解釋。實驗數(shù)據(jù)顯示，最佳焙燒溫度為40(TC。三、不同的焙燒時間條件對包膜熒光粉顆粒粒徑的影響1、￥^15012:化3+熒光粉的制備同步驟二的l。2、包膜熒光粉顆粒的制備1)將Y3Al5(^:TV+熒光粉浸入0.2M的KAl(S04)2溶液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘，使Al3+粘附在顆粒的表面。2)將步驟l)得到的顆粒浸入0.3MNa2Si(V溶液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。3)將步驟2)得到的顆粒用蒸餾水洗滌幾次，在12(TC加熱10小時烘干。4)將等量的步驟3)得到的顆粒在馬弗爐中，40(TC下高溫焙燒，分別焙燒l小時、3小時、6小時、IO小時、12小時。得到硅酸鋁包膜Y3A1^2:TV+熒光粉顆粒。3、包膜熒光粉顆粒的粒徑和粒度分布用激光散射粒度分布測試儀(LA-920型，Horiba公司，日本)分別檢測上述5種焙燒時間條件下得到的包膜熒光粉的粒徑和粒度分布，粒徑Ds。見圖3。由圖可見，當焙燒時間從1小時延長到6小時，樣品粒徑Ds。從2Mm明顯下降到小于lWn。當焙燒時間進一步延長，例如10小時，樣品粒徑Ds。只是又稍稍增大。實驗數(shù)據(jù)顯示，最佳焙燒時間為6小時?；谝陨系难芯拷Y(jié)果，確定了制備包膜熒光粉的最佳條件前驅(qū)體溶液中Ar和Si0f離子的濃度分別為0.2M和0.3M;最佳焙燒溫度和焙燒時間分別是40(TC和6小時。在此制備條件下制備包膜熒光粉，粒徑05。會從2-3Mm降到lWn。實施例2、硅酸鋁包膜熒光粉的制備和表征一、硅酸鋁包膜熒光粉的制備1、Y3Al5(X2:TV+熒光粉的制備采用Al(0H)3、丫203和TbA為起始材料制備Y2.8Tb。.2Al5012。1)首先按化學計量比(Y203、Tb407、A1(0H)3的摩爾比為1.4:0.05:5)稱取原料，分別溶解于稍過量的濃硝酸中，將各硝酸鹽溶液混合。其中，A1(N03)3溶液需要將Al(OH)3加入濃硝酸中，在20(TC的水熱罐里加熱12小時溶解制得。2)將步驟l)得到的混合液在7(TC下持續(xù)攪拌并用尿素將其pH值調(diào)至3-4。3)在步驟2)得到的溶液中加入聚乙二醇(約為熒光粉的50wt%)，混合溶液變?yōu)闊o色或淡黃色透明溶膠，于烘箱中烘干為凝膠。升溫至40(TC引發(fā)燃燒，80(TC除去未反應完的有機物，得到白色蓬松的泡沫狀前驅(qū)體。4)將步驟3)得到的前驅(qū)體稍加研磨，放入馬弗爐內(nèi)，其與爐壁加熱棒垂直距離為15厘米，在馬弗爐里1400。C焙燒3小時。得到Y(jié)2Jb。2Al50!2熒光粉。2、包膜熒光粉顆粒的制備1)將Y3AlA2:Tb3+熒光粉浸入0.2M的KAl(S04)2溶液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘，使Ar粘附在顆粒的表面。2)將步驟l)得到的顆粒浸入0.3MNa2Si03溶液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。3)將步驟2)得到的顆粒用蒸餾水洗滌幾次，在12(TC加熱10小時烘干。4)將步驟3)得到的顆粒在馬弗爐中，40(TC下高溫焙燒6小時。得到硅酸鋁包膜Y3Al50,2:讓3+熒光粉顆粒。二、硅酸鋁包膜熒光粉的表征1、X射線衍射試驗用Rigaku公司的D/Max-2000轉(zhuǎn)靶X射線粉末衍射儀進行X射線衍射(XRD)，分析其物相變化，XRD圖譜見圖4。由圖可見，硅酸鋁包膜熒光粉X射線衍射分析得到的數(shù)據(jù)與Y3AlsO,2在粉末衍射數(shù)據(jù)庫(JCPDS卡片號33-40)中的數(shù)據(jù)一致，包膜熒光粉仍然保持著石榴石結(jié)構(gòu)。沒有觀察到其他新的包膜層的XRD峰，這可能是因為包膜層的物質(zhì)很少的緣故。2、電鏡試驗81)掃描電鏡試驗用場發(fā)射數(shù)字化掃描電子顯微鏡(SEM，S4800型，Hitachi公司，日本)分析硅酸鋁包膜熒光粉，SEM照片見圖5和圖6。圖5為SEM照片，(a)為包膜前的熒光粉；(b)為硅酸鋁包膜熒光粉。圖6為高倍SEM照片，(a)為包膜前的熒光粉；(b)為硅酸鋁包膜熒光粉。由圖可見，硅酸鋁包膜熒光粉顆粒的分散性明顯得到改善，但晶粒的形貌沒有明顯改變。同包膜前的熒光粉一樣，包膜后的顆粒仍然是由幾個晶粒組成的團聚體。但對于包膜后的粉末而言，每個團聚體中的晶粒個數(shù)減少了。這說明由硅酸鋁包膜的粉末經(jīng)過熱處理后，晶粒之間較弱的粘連作用會被劈開，盡管還沒有制得"每個顆粒只含一個晶粒"的熒光粉，但晶粒間的團聚已經(jīng)減少了。2)透射電鏡試驗用H9000高分辨電鏡(TEM，H9000NAR，Hitachi,日本)分析硅酸鋁包膜熒光粉，TEM照片見圖7和圖8。圖7為TEM照片，(a)為包膜前的熒光粉；(b)為硅酸鋁包膜熒光粉。圖8中為高分辨TEM照片，(a)為包膜前的熒光粉；(b)為硅酸鋁包膜熒光粉。由圖可見，經(jīng)過包膜處理的樣品顆粒表面可以清楚地觀察到很薄的包膜層。在圖7(b)中，包膜層厚度為20nm，在圖8(b)中，包膜層厚度為2-5nm。圖8(b)顯示出，與熒光粉顆粒相比，其包膜層的結(jié)晶性并不好。實施例3、硅酸鋁包膜熒光粉與其它化合物包膜熒光粉的性能比較一、包膜熒光粉的制備1、^15012:化3+熒光粉的制備同實施例2的步驟一的1。2、硅酸鋁包膜熒光粉顆粒的制備同實施例2的步驟一的2。3、對照熒光粉顆粒的制備1)將Y3Al50^Tb3+熒光粉浸入蒸餾水中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。2)將步驟l)的得到的顆粒浸入蒸餾水中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。3)同實施例2的步驟一的2的3)。4)同實施例2的步驟一的2的4)。4、A1A包膜熒光粉的制備1)將Y3AlA2:lV+熒光粉浸入0.1M的AlCl3溶液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。2)將步驟l)的得到的顆粒浸入pH值為9的NH4Cl-NH3，H20緩沖液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。3)同實施例2的步驟一的2的3)。4)同實施例2的步驟一的2的4)。5、103包膜熒光粉的制備1)將Y3Al5(X2:Tb"熒光粉浸入0.1M的Y(N0丄溶液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。2)將步驟1)的得到的顆粒浸入pH值為9的NHX1-Mi,H20緩沖液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。3)同實施例2的步驟一的2的3)。4)同實施例2的步驟一的2的4)。6、ZnO包膜熒光粉的制備1)將Y3Al50,2:TV+熒光粉浸入0.15MZn(N03)2溶液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。2)將步驟l)的得到的顆粒浸入pH值為9的NH4Cl-NH3'H20緩沖液中，放入超聲波清洗儀中室溫下80W超聲振蕩15分鐘。3)同實施例2的步驟一的2的3)。4)同實施例2的步驟一的2的4)。二、包膜熒光粉的性能比較1、包膜熒光粉的粒度和粒度分布用激光散射粒度分布測試儀(LA-920型，Horiba公司，日本)分別檢測對照熒光粉和各種包膜熒光粉的粒度與粒徑分布，結(jié)果見表2，硅酸鋁包膜熒光粉的粒度分布見圖9。由表2可見，各種包膜層都可以在一定程度上減小粒徑。由圖9可見，圖中的峰幾乎是完全對稱分布，且其分布很窄。Ds。為l.19Pm，峰的半高寬為2.23Mm(范圍從O.58Mm到2.81Mm)。2、包膜熒光粉的發(fā)光的測量光致發(fā)光(photoluminescence，簡稱PL)，是用紫外、可見或紅外輻射激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光。陰極射線發(fā)光(cathodol咖inescence，簡稱CL)由具有能量100KV的電子束激發(fā)發(fā)光材料而產(chǎn)生的發(fā)光。低壓陰極射線是指低于1500V的陰極射線。通過Hitachi公司F-4500型熒光分光光度計分析對照熒光粉和各種包膜熒光粉10的光致發(fā)光強度。通過國產(chǎn)YFC-2陰極射線熒光光譜儀分析對照熒光粉和各種包膜熒光粉的陰極射線發(fā)光強度和低壓陰極射線發(fā)光強度。對照熒光粉和各種包膜熒光粉的發(fā)光強度結(jié)果見表2。Al2(Si03)3包膜熒光粉的陰極射線發(fā)射光譜見圖10。圖10中，(a)為對照熒光粉；(b)為硅酸鋁包膜熒光粉。_表2各種包膜￥^15012:化3+熒光粉的粒徑Ds。和發(fā)光亮度_<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>光致發(fā)光和陰極射線發(fā)光的測量結(jié)果表明，與對照熒光粉相比，各種包膜熒光粉有著相同的激發(fā)光譜，是典型的Tb"的f-f躍遷。光致發(fā)光數(shù)據(jù)說明，YA和Al2(Si03)3包膜熒光粉，對光致發(fā)光強度沒有明顯的影響，但其它包膜材料會對熒光強度造成損失。低壓陰極射線的測試結(jié)果表明，ZnO和Al2(Si03)3包膜熒光粉保持著良好的發(fā)光強度，但A1^和103包膜熒光粉則不然。通過國產(chǎn)YFC-2陰極射線熒光光譜儀測量低壓陰極射線轟擊條件下，ZnO包膜熒光粉、Al2(Si03)3包膜熒光粉和對照熒光粉熒光強度的衰減情況，熒光強度的時間衰減曲線見圖11。實驗結(jié)果表明，在陰極射線的轟擊下，對照熒光粉和ZnO包膜熒光粉的熒光強度迅速下降，而Al2(Si03)3包膜熒光粉亮度保持得很好。權(quán)利要求1、一種包膜熒光粉顆粒，由核層和殼層組成，其特征在于所述核層是熒光粉，所述殼層是硅酸鋁包膜。2、如權(quán)利要求l所述的包膜熒光粉顆粒，其特征在于，所述核層是￥^15012:化3+熒光粉。3、如權(quán)利要求2所述的包膜熒光粉顆粒，其特征在于所述包膜熒光粉顆粒的粒御50為0.8-3.5Mm，殼層厚度為3-20nm。4、制備權(quán)利要求l所述的包膜熒光粉顆粒的方法，包括如下步驟1)將熒光粉浸入O.1-0.3M的可溶性Ar+鹽溶液中，使A1"粘附在顆粒的表面；將得到的顆粒浸入O.15-0.45M可溶性Si0/—鹽溶液中；2)將步驟l)得到的顆粒烘干；然后在400-50(TC、焙燒6-12小時，得到硅酸鋁包膜熒光粉顆粒。5、如要求4所述的制備包膜熒光粉顆粒的方法，其特征在于所述可溶性Ar+鹽為KA1(S04)2或AlCl3;所述可溶性Si0/—鹽為Na2Si03或K2Si03。6、如權(quán)利要求5所述的制備包膜熒光粉顆粒的方法，其特征在于所述KA1(S04)2溶液的濃度為O.2M;所述Na2Si03溶液的濃度為0.3M。7、如權(quán)利要求4所述的制備包膜熒光粉顆粒的方法，其特征在于所述步驟2)的培燒條件為400°C下高溫焙燒6小時。8、如權(quán)利要求4所述的制備包膜熒光粉顆粒的方法，其特征在于在步驟l)中，將所述熒光粉浸入可溶性Al^鹽溶液或可溶性Si032—鹽溶液后，80W超聲振蕩5-30分鐘。9、如權(quán)利要求4所述的制備包膜熒光粉顆粒的方法，其特征在于所述熒光粉是Y3Als(X2:Tb3+熒光粉。10、權(quán)利要求l-3中任一所述包膜熒光粉在制備場發(fā)射顯示器中的應用。全文摘要本發(fā)明公開了一種硅酸鋁包膜熒光粉顆粒及其制備方法，與包膜前的熒光粉顆粒相比，本發(fā)明的硅酸鋁包膜熒光粉顆粒的分散性明顯改善、晶粒間的團聚明顯減少、晶粒的形貌沒有明顯改變、且保持良好的發(fā)光強度。本發(fā)明所提供的硅酸鋁包膜熒光粉顆粒及其制備方法可用于制備場發(fā)射顯示器，對場發(fā)射顯示器性能的提升具有巨大的價值。文檔編號C09K11/02GK101486898SQ200810056279公開日2009年7月22日申請日期2008年1月16日優(yōu)先權(quán)日2008年1月16日發(fā)明者李秀娟,荊西平申請人:北京大學