專利名稱：：轉(zhuǎn)印用基板和有機電致發(fā)光器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)印用基板(transfersubstrate)和有機電致發(fā)光器件的制造方法，特別是涉及用于轉(zhuǎn)印空穴傳輸材料的轉(zhuǎn)印用基板和利用該轉(zhuǎn)印用基板制造有機電致發(fā)光器件的方法。
背景技術(shù)：
：利用有機材料電致發(fā)光的有機電致發(fā)光器件均通過布置有機層形成，有機層由下部電極和上部電極之間堆疊在一起的空穴傳輸層和發(fā)光層構(gòu)成，有機電致發(fā)光器件作為能夠以低壓直流驅(qū)動實現(xiàn)高亮度發(fā)光的發(fā)光器件已受到關(guān)注。利用所述有機電致發(fā)光器件的全色顯示系統(tǒng)包括以陣列形式形成在基板上的紅(R)、綠(G)和藍(B)各色有機電致發(fā)光器件。在制造這種顯示系統(tǒng)時，由能夠發(fā)射各色光的有機發(fā)光材料形成的發(fā)光層需形成相應(yīng)于各電致發(fā)光器件的圖案。例如通過蔭罩法(經(jīng)由在薄板上設(shè)置開口圖案而形成的掩模，氣相沉積或涂覆發(fā)光材料)或噴墨法，形成具有相應(yīng)圖案的各發(fā)光層。然而，通過蔭罩法形成圖案難以實現(xiàn)有機電致發(fā)光器件的更精細(xì)制造和更高集成度，這是因為就在掩模中形成開口圖案而言，更精細(xì)制造基本不可行，并且由于掩模的撓曲和拉伸，在電致發(fā)光器件區(qū)域中以圖案形式形成具有高度定位精準(zhǔn)性的開口時將遭遇困難。另外，預(yù)先主要由有機層形成的功能層接觸形成有開口圖案的掩模時易于受損，從而導(dǎo)致制造成品率下降。另一方面，通過噴墨法形成圖案難以實現(xiàn)電致發(fā)光器件的更精細(xì)制造和更高集成度以及基板的大型化。作為有機材料制成的發(fā)光層和其他有機層的新型圖案化方法，相應(yīng)提出了利用能源(熱源)的轉(zhuǎn)印方法即熱轉(zhuǎn)印法(heattransferprocess)。如以下所述，例如利用熱轉(zhuǎn)印法制造顯示系統(tǒng)。首先，在顯示系統(tǒng)的基板(此后稱作"系統(tǒng)基板")上預(yù)先形成下部電極。另一方面，經(jīng)光熱轉(zhuǎn)化層在另一基板(此后稱作"轉(zhuǎn)印用基板")上預(yù)先形成發(fā)光層。以發(fā)光層和下部電極彼此相對布置的方式，布置系統(tǒng)基板和轉(zhuǎn)印用基板。從轉(zhuǎn)印用基板一側(cè)照射激光束，以使發(fā)光層熱轉(zhuǎn)印到系統(tǒng)基板上的下部電極上。此時通過點射激光束(spot-irradiatedlaserbeam)進行掃描，使發(fā)光層以良好的定位精準(zhǔn)性熱轉(zhuǎn)印到下部電極上的預(yù)定區(qū)域(見特開2002-110350號公報和特開平11-260549號公報)。還披露一種方法，該方法通過熱轉(zhuǎn)印法進行制造提供具有改善的發(fā)光效率和亮度半衰期的有機電致發(fā)光器件。根據(jù)該方法，在熱轉(zhuǎn)印發(fā)光層之前，對顯示基板和供體元件(donorelement)進行熱處理(見特開第2003-229259號公報)。
發(fā)明內(nèi)容然而，在上述熱轉(zhuǎn)印法中，取決于用于轉(zhuǎn)印層的有機材料，有可能因激光照射而液化，難以轉(zhuǎn)印。特別是，因為通常形成厚的空穴傳輸層，所以有機電致發(fā)光器件中使用的空穴傳輸有機材料作為液態(tài)轉(zhuǎn)印層的一部分殘留在轉(zhuǎn)印用基板的表面上?，F(xiàn)參考圖6A,圖6為利用轉(zhuǎn)印用基板(其上具有作為空穴傳輸有機材料的"HT539"(商品名，IdemitsuKosanCo.，Ltd.制造)形成的轉(zhuǎn)印層)進行熱轉(zhuǎn)印之后，轉(zhuǎn)印用基板表面的顯微圖像。證實殘留有多個如圖6B特寫照片所示的液滴。圖6C為通過測量圖6A的X-X，截面的表面高度獲得的曲線圖，如圖6C所示，也證實液滴以凹凸起伏的形式殘留在轉(zhuǎn)印用基板上。因而，熱轉(zhuǎn)印法由于未能確實以圖案形式形成空穴傳輸層而存在下述問題發(fā)光效率降低、驅(qū)動電壓升高、亮度半衰期縮短等。期望提供一種轉(zhuǎn)印用基板和利用該轉(zhuǎn)印用基板制造有機電致發(fā)光器件的方法，該轉(zhuǎn)印用基板能夠通過熱轉(zhuǎn)印法在被轉(zhuǎn)印的基板(transferredsubstrate)上確實以圖案形式形成有^L材料層。才艮據(jù)本發(fā)明的一種實施方案，在支撐基板(basesubstrte)上依次形成有光熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)印層的第一轉(zhuǎn)印用基板中，轉(zhuǎn)印層由選自第一有機材料和第二有機材料的有機材料形成，其中第一有機材料具有低于500。C的失重起始溫度(weightdecreaseinitiationtemperature)(Tsub)并且在大氣壓下升華，第二有機材料具有低于500。C的失重起始溫度(Tsub)并且滿足以下等式(l).'Tsub-Tm<200°C…(l)其中Tsub:第二有機材料的失重起始溫度，以及Tm:第二有機材料的熔點。根據(jù)上述第一轉(zhuǎn)印用基板，當(dāng)使用失重起始溫度低于50(TC并且在大氣壓下升華的有機材料作為所述有機材料時，轉(zhuǎn)印層在低于500。C時氣化而沒有呈現(xiàn)任何液態(tài)，從而使有機材料確實轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印的基板上。另一方面，當(dāng)使用失重起始溫度(T^)低于50(TC并且失重起始溫度(T;ub)和熔點(Tm)滿足上述等式(l)的有機材料時，如在本發(fā)明的詳細(xì)說明中所描述的，證實在呈現(xiàn)液態(tài)的溫度范圍不足200。C的情況下有機材料可確實轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印的基板上。本發(fā)明還提供利用該第一轉(zhuǎn)印用基板制造有機電致發(fā)光器件的第一方法。在如下制造有機電致發(fā)光器件的方法中在器件基板上以圖案形式形成下部電極，在下部電極上形成至少包括發(fā)光層的有機層，然后形成上部電極，以使上部電極經(jīng)有機層堆疊在下部電極的上方，該方法包括下述步驟布置具有上述構(gòu)造的第一轉(zhuǎn)印用基板，以使轉(zhuǎn)印層朝向其上形成有下部電極的器件基板，并從支撐基板一側(cè)照射光以在光熱轉(zhuǎn)化層中將光轉(zhuǎn)化為熱，使得轉(zhuǎn)印層熱轉(zhuǎn)印到下部電極上，從而至少形成有機層的發(fā)光層。根據(jù)上述有機電致發(fā)光器件的第一制造方法，利用具有上述構(gòu)造的第一轉(zhuǎn)印用基板，可通過熱轉(zhuǎn)印法在下部電極上至少確實以圖案形式形成有機層的發(fā)光層。根據(jù)本發(fā)明另一種實施方案，在支撐基板上依次形成有光熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)印層的第二轉(zhuǎn)印用基板中，轉(zhuǎn)印層由層層堆疊的至少三層有機材料層形成，并且所述至少三層有機材料層中位于所述轉(zhuǎn)印層外側(cè)的兩層有機材料層各自由選自第一有機材料和第二有機材料的有機材料形成，其中第一有機材料具有低于500。C的失重起始溫度(Tsub)并且在大氣壓下升華，第二有機材料具有低于500。C的失重起始溫度(Tsub)并且滿足以下等式(l):Tsub-Tm<200°C…(l)其中Tsub:第二有機材料的失重起始溫度，以及Tm:第二有機材料的熔點。根據(jù)上述第二轉(zhuǎn)印用基板，在由層層堆疊的至少三層有機材料層形成的轉(zhuǎn)印層中，在支撐基板側(cè)和表面?zhèn)鹊母饔袡C材料層中，使用例如上述的有機材料。如在本發(fā)明的詳細(xì)說明中描述的，證實了即使基本不具備可轉(zhuǎn)印性的有機材料用作置于支撐基板側(cè)有機材料層和表面?zhèn)扔袡C材料層之間的至少一層有機材料層，也可將轉(zhuǎn)印層確實轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印的基板上。本發(fā)明還提供利用該第二轉(zhuǎn)印用基板制造有機電致發(fā)光器件的第二方法。在如下制造有機電致發(fā)光器件的方法中在器件基板上以圖案形式形成下部電極，在下部電極上形成至少包括發(fā)光層的有才幾層，然后形成上部電極，以使上部電極經(jīng)有機層堆疊在下部電極的上方，該方法包括下述步驟布置具有上述構(gòu)造的第二轉(zhuǎn)印用基板，以使轉(zhuǎn)印層朝向其上形成有下部電極的器件基板，并從支撐基板側(cè)照射光以在光熱轉(zhuǎn)化層中將光轉(zhuǎn)化為熱，使得轉(zhuǎn)印層熱轉(zhuǎn)印到下部電極上，從而至少形成有機層的發(fā)光層。根據(jù)上述有機電致發(fā)光器件的第二制造方法，利用具有上述構(gòu)造的第上。如上所述根據(jù)本發(fā)明實施方案的各轉(zhuǎn)印用基板和根據(jù)本發(fā)明實施方案的各制造方法，利用轉(zhuǎn)印用基板的制造方法可通過熱轉(zhuǎn)印法至少將有機層的發(fā)光層確實轉(zhuǎn)印到下部電極上，因而可避免由于有機層不完全轉(zhuǎn)印將會造成的有機電致發(fā)光器件的性能劣化。圖l為本發(fā)明的轉(zhuǎn)印用基板的第一實施方案的截面圖；圖2為圖示溫度(T)和壓力(P)改變時某種物質(zhì)的狀態(tài)(固體、液體、氣體)的概念圖；圖3A-3E為在本發(fā)明制造有機電致發(fā)光器件的方法的第一實施方案的各步驟中有機電致發(fā)光器件的截面圖；圖4為本發(fā)明的轉(zhuǎn)印用基板的第二實施方案的截面圖；圖5為本發(fā)明制造有機電致發(fā)光器件的方法的第二實施方案的截面圖；和圖6A為說明現(xiàn)有轉(zhuǎn)印用基板的問題的顯微圖像，圖6B為一個液滴的特寫照片，圖6C為圖示熱轉(zhuǎn)印后轉(zhuǎn)印用基板表面高度的曲線圖。具體實施方式現(xiàn)參考附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。在以下說明中，用于形成全色顯示系統(tǒng)的空穴傳輸層的轉(zhuǎn)印用基板包括以陣列形式形成在基板上的紅(R)、綠(G)、藍(B)各色有機電致發(fā)光器件，并說明制造顯示系統(tǒng)的方法，該方法包括利用該轉(zhuǎn)印用基板的轉(zhuǎn)印法。(第一實施方案)<轉(zhuǎn)印用基板>首先參考圖l，此后將對本發(fā)明第一實施方案的轉(zhuǎn)印用基板100的構(gòu)造進行說明。圖中所示的轉(zhuǎn)印用基板100例如可用于形成有機電致發(fā)光器件中的空穴傳輸層，并且由依次形成在支撐基板101上的光熱轉(zhuǎn)化層102、抗氧化層103和轉(zhuǎn)印層104構(gòu)成。其中，支撐基板101由下述材料制成所述材料透射利用轉(zhuǎn)印用基板100進行轉(zhuǎn)印時所照射的具有預(yù)定波長的光hr。例如，當(dāng)采用發(fā)自固態(tài)激光源的波長約800nm的激光束作為所述光hr時，可使用玻璃基板作為支撐基板101。使用下述材料形成光熱轉(zhuǎn)化層102:所述材料在將光hr轉(zhuǎn)化為熱時具有高的光熱轉(zhuǎn)化效率并且具有高熔點。例如，當(dāng)采用上述波長約800nm的激光束作為光hr時，具有低反射率和高熔點的金屬例如鉻(Cr)或鉬(Mo)可優(yōu)選用于光熱轉(zhuǎn)化層102。此外，應(yīng)調(diào)整該光熱轉(zhuǎn)化層102的厚度使得能夠獲得所需的且足夠大的光熱轉(zhuǎn)化效率。例如當(dāng)形成Mo膜作為光熱轉(zhuǎn)化層102時，應(yīng)使用厚約200nm的光熱轉(zhuǎn)化層102。例如可通過濺射鍍膜法(sputterfilm-formingprocess)形成該光熱轉(zhuǎn)化層102。應(yīng)當(dāng)注意的是，光熱轉(zhuǎn)化層102不限于上述金屬材料，其形式還可為包含顏料作為感光材料(light-observingmaterial)的膜或者碳制成的膜。在光熱轉(zhuǎn)化層102上布置抗氧化層103,以防止構(gòu)成光熱轉(zhuǎn)化層102的材料氧化。例如通過CVD(化學(xué)氣相沉積)法利用氮化硅(SiNx)、二氧化硅(Si02)等形成上述抗氧化層103。應(yīng)當(dāng)注意的是，當(dāng)光熱轉(zhuǎn)化層102由抗氧化材料形成時可省略該抗氧化層103。此外，在抗氧化層103上布置轉(zhuǎn)印層104。作為本發(fā)明的特征，該轉(zhuǎn)印層104由選自第一有機材料和第二有機材料的有機材料形成，其中第一有機材料具有低于500。C的失重起始溫度(Tsub)并且在大氣壓下升華，第二有機材料具有低于500。C的失重起始溫度(i;ub)并且滿足以下等式(l):Tsub-Tm<200°C…(l)Tsub:第二有機材料的失重起始溫度，以及Tm:第二有機材料的熔點。失重起始溫度(i;ub)表示在大氣壓下測得有機材料的重量減小5%時的溫度，從而作為有機材料氣化溫度的指數(shù)。另一方面，熔點(TJ表示在大氣壓下通過示差掃描量熱計(DSC)測得的值。當(dāng)采用失重起始溫度(Tsub)低于500。C并且在大氣壓下升華的有機材料作為轉(zhuǎn)印層104時，轉(zhuǎn)印層104在低于500。C時氣化而沒有呈現(xiàn)任何液態(tài)，從而可確實實現(xiàn)有機材料轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印的基板上。.'作為這種有機材料，例如可提及"LG101C，，(商品名,LGChem，Ltd.制造)另一方面，當(dāng)采用失重起始溫度(Tsub)低于500。C并且失重起始溫度(Tsub)和熔點(TJ滿足上述等式(1)的有機材料作為轉(zhuǎn)印層104時，證實如圖2的概念圖所示Tsub-Tm落在大氣壓(P,)下表示液態(tài)的溫度范圍內(nèi)并且當(dāng)上述溫度范圍低于20(TC時，可確實實現(xiàn)有機材料轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印的基板上。應(yīng)當(dāng)注意的是，形成各有機電致發(fā)光器件的空穴傳輸層時，在許多情況下形成厚50nm或以上的空穴傳輸層，并且重要的是采用如上所述的有機材料，這是因為在熱轉(zhuǎn)印法中厚度越大轉(zhuǎn)印越困難?，F(xiàn)假定該實施方案使用具有轉(zhuǎn)印層104的轉(zhuǎn)印用基板IOO,該轉(zhuǎn)印層104由下述結(jié)構(gòu)式(l)所示的a-NPD(N,N，-二(l-萘基)-N,N，-二苯基[l,l，-聯(lián)苯]-4，4，-二胺)形成，a-NPD為滿足上述等式(l)的空穴傳輸材料。...結(jié)構(gòu)式(1)從而，將對轉(zhuǎn)印層104由a-NPD形成的實施方案進行說明。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，作為失重起始溫度(Tsub)低于500。C并且失重起始溫度(Tsub)和熔點(Tm)滿足上述等式(l)的有機材料，除上述a-NPD以外，可提及Alq3[三(8-羥基喹啉)鋁]、ADN[9,10-二(2-萘基)蒽]和CBP[4,4，-雙(9-二咔唑基)-2，2，-聯(lián)苯J。<有機電致發(fā)光器件的制造方法>接著，將說明利用上述轉(zhuǎn)印用基板100的有機電致發(fā)光器件制造方法。如圖3A所示，首先設(shè)置其上將以陣列形式形成有機電致發(fā)光器件的系統(tǒng)基板11。該系統(tǒng)基板11由玻璃、硅或塑料基板、其上形成有TFT(薄膜晶體管)的TFT基板等制成?，F(xiàn)假定該系統(tǒng)基板ll由透光性材料制成，特別是當(dāng)該實施方案所制造的顯示系統(tǒng)為發(fā)射光從系統(tǒng)基板11一側(cè)輸出的透射型時更是如此。接著，在系統(tǒng)基板11上以圖案形式形成將用作陽極或陰極的下部電極12。假定將該下部電極12圖案化為與該實施方案所制造的顯示系統(tǒng)的驅(qū)動系統(tǒng)相適應(yīng)的構(gòu)形。例如當(dāng)顯示系統(tǒng)的驅(qū)動系統(tǒng)為簡單矩陣系統(tǒng)時，例如形成條狀下部電極12。另一方面，當(dāng)顯示系統(tǒng)的驅(qū)動系統(tǒng)是為各像素布置TFT的有源矩陣系統(tǒng)時，下部電極12形成與布置成多個陣列的各像素相應(yīng)的圖案，以使下部電極12經(jīng)由接觸孔(未示出)連接到同樣結(jié)合各像素布置的TFT上，所迷接觸孔通過覆蓋TFT的層間絕緣膜而形成。此外，假定根據(jù)該實施方案所制造的顯示系統(tǒng)的光輸出系統(tǒng)選擇和使用合適的材料用于下部電極12。具體而言，當(dāng)顯示系統(tǒng)為發(fā)射光從系統(tǒng)基板11的相對側(cè)輸出的頂發(fā)射型時，利用高反射性材料形成下部電極12。另一方面，當(dāng)顯示系統(tǒng)為發(fā)射光從系統(tǒng)基板11側(cè)輸出的透射型或雙側(cè)發(fā)射型時，利用透光性材料形成下部電極。例如，現(xiàn)假定顯示系統(tǒng)為頂發(fā)射型并且下部電極12用作陽極。在這種情況下，利用高反射率導(dǎo)電材料例如銀(Ag)、鋁(A1)、鉻(Cr)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉭(Ta)、鎢(W)、鈾(Pt)、金(Au)或它們的合金形成下部電極12。當(dāng)顯示系統(tǒng)為頂發(fā)射型而下部電極12用作陰極時，使用功函小的導(dǎo)電材料形成下部電極12。作為這種導(dǎo)電材料的實例，可使用例如鋰(Li)、鎂(Mg)或鈣(Ca)等活潑金屬和例如銀(Ag)、鋁(Al)或銦(In)等金屬的合金，或者具有這些金屬的堆疊結(jié)構(gòu)的材料。例如，還可采用下述結(jié)構(gòu)插入活潑金屬(例如Li、Mg或Ca)與卣素(例如氟或溴)、氧等的化合物，作為上部電極12和形成在上部電極12之上的有機層之間的薄層。當(dāng)顯示系統(tǒng)為透射型或雙側(cè)發(fā)射型并且下部電極12用作陽極時，利用高透光性導(dǎo)電材料例如ITO(氧化銦錫)或IZO(氧化銦鋅)形成下部電極12。應(yīng)當(dāng)注意的是，當(dāng)有源矩陣系統(tǒng)用作該實施方案所制造的顯示系統(tǒng)的驅(qū)動系統(tǒng)時，可能期望該顯示系統(tǒng)設(shè)計為頂發(fā)射型，以保證各有機電致發(fā)光器件具有大的開口率(apertureratio)。如上所述形成下部電極12(在該實施方案中為陽極)之后，以圖案形式形成絕緣膜13,以使絕緣膜13覆蓋下部電極12的外圍。通過上述絕緣膜13中形成的窗口而露出的下部電極12部分用作像素區(qū)，在所述像素區(qū)布置各有機電致發(fā)光器件。假定例如通過使用有機絕緣材料例如聚酰亞胺或光致抗蝕劑或者無機絕緣材料例如二氧化硅，形成該絕緣膜13。接著，作為覆蓋下部電極12和絕緣層13的共用層，形成空穴注入層14。使用常規(guī)空穴注入材料形成該空穴注入層14。例如，氣相沉積以下結(jié)構(gòu)式(2)表示的m-MTDATA[4,4,4-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺]形成厚25nm的月莫?？深愃朴诶贸Ｒ?guī)有機電致發(fā)光器件的顯示系統(tǒng)的制造，進行上述步驟。如圖3B所示，然后，與其上形成有空穴注入層14的系統(tǒng)基板11相對，布置轉(zhuǎn)印用基板100。此時，布置轉(zhuǎn)印用基板100和系統(tǒng)基板11，以使轉(zhuǎn)印層104和空穴注入層14彼此相對。作為替換性方案，可使系統(tǒng)基板11和轉(zhuǎn)印用基板100相互緊密接觸，以使構(gòu)成系統(tǒng)基板11側(cè)最上層的空穴注入層14和構(gòu)成轉(zhuǎn)印用基板100側(cè)最上層的轉(zhuǎn)印層104相互接觸。即使以這種方式布置，仍使得由空穴傳輸材料形成的轉(zhuǎn)印層14支撐在系統(tǒng)基板11側(cè)的絕緣膜13上，因而轉(zhuǎn)印用基板100沒有接觸下部電極12上的空穴注入層14區(qū)域。然后，從如上所述布置為與系統(tǒng)基板11相對的轉(zhuǎn)印用基板100的支撐12基板101側(cè)，照射例如波長為800nm的激光束hr。此時，使激光束hr選擇性點射在相應(yīng)于各像素區(qū)的區(qū)域上，這是因為隨后將進行說明的空穴傳輸層對于各色有機電致發(fā)光器件是共用的。然后激光束hr被光熱轉(zhuǎn)化層102吸收，利用所得熱量，將轉(zhuǎn)印層104熱轉(zhuǎn)印到系統(tǒng)基板ll側(cè)。此時，因為設(shè)置了具有空穴傳輸材料制成的轉(zhuǎn)印層104并且如上構(gòu)成的轉(zhuǎn)印用基板100，所以通過空穴傳輸層14在下部電極12上確實以圖案形式形成空穴傳輸層15。在此步驟中，重要的是照射激光束hr,以使下部電極12的上表面被空穴傳輸層15完全覆蓋，所述上表面在像素區(qū)通過絕緣膜13露出。盡管上述熱轉(zhuǎn)化步驟可在大氣壓下進行，但希望其在真空下進行。通過在真空下進行熱轉(zhuǎn)化，可利用能量較低的激光束hr實現(xiàn)轉(zhuǎn)印，從而可減少空穴傳輸層15轉(zhuǎn)印過程中對該空穴傳輸層15造成的不利熱效應(yīng)。此外，在真空下進行熱轉(zhuǎn)印步驟可增強基板之間的緊密摔觸并可實現(xiàn)具有較好圖案精準(zhǔn)性的轉(zhuǎn)印，并因此是合意的。此外，可通過一直在真空下進行所有步驟，來避免器件劣化。在上述激光束hr選擇性點射的步驟中，當(dāng)激光照射系統(tǒng)中的激光頭驅(qū)動裝置裝配有精確的對準(zhǔn)系統(tǒng)時，僅需使具有合適光斑直徑(spotdiameter)的激光束hr沿下部電極12照射到轉(zhuǎn)印用基板100上。在這種情況下，不再需要嚴(yán)格進行系統(tǒng)基板11和轉(zhuǎn)印用基板IOO之間的對準(zhǔn)。另一方面，當(dāng)激光頭的驅(qū)動裝置沒有裝配任何精確對準(zhǔn)系統(tǒng)時，需在轉(zhuǎn)印用基板側(cè)預(yù)先形成限制激光束hr照射區(qū)域的遮光膜。具體而言，在轉(zhuǎn)印用基板100的背面上布置遮光膜，該遮光膜通過在反射激光束的高反射性金屬層中設(shè)置開口而形成。此外，可在遮光膜上形成低反射性金屬膜。在這種情況下，需要精確進行系統(tǒng)基板11和轉(zhuǎn)印用基板IOO之間的對準(zhǔn)。在該實施方案中，通過一個熱轉(zhuǎn)印步驟以圖案形式形成空穴傳輸層15。當(dāng)空穴傳輸層15的厚度過大(例如40nm或以上)而不能夠一次實現(xiàn)轉(zhuǎn)印時，可利用轉(zhuǎn)印用基板100進行多次熱轉(zhuǎn)印步驟形成空穴轉(zhuǎn)印層15。經(jīng)過上述步驟之后，進行加熱步驟。具體而言，在轉(zhuǎn)印層104轉(zhuǎn)印之后立即加熱系統(tǒng)基板ll。例如，可優(yōu)選加熱溫度在構(gòu)成空穴傳輸層15的有機材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)士30。C的范圍內(nèi)。另一方面，當(dāng)使用沒有明顯Tg的材料作為轉(zhuǎn)印層104時，優(yōu)選100。C土50。C，更優(yōu)選100。C土30。C作為具體加熱溫度，這是因為在后一溫度范圍內(nèi)進行加熱步驟不會導(dǎo)致構(gòu)成其它有機層的有機材料熱降解。通過該加熱步驟，使空穴傳輸層15穩(wěn)定，從而實現(xiàn)發(fā)光效率和亮度半衰期的改善。如圖3C所示，然后，通過真空蒸鍍法在空穴傳輸層15上形成各色有機發(fā)光材料制成的發(fā)光層16。對于藍光發(fā)射層16b的形成，在空穴傳輸層15上將形成藍光器件的區(qū)域，真空蒸鍍通過混合2.5wt。/。苯乙烯胺衍生物(由下述結(jié)構(gòu)式(4)表示且為藍光發(fā)光客體材料)和AND(由下述結(jié)構(gòu)式(3)表示且為電子傳輸主體材料)得到的材料，形成厚約35nm的膜。對于紅光發(fā)射層16r的形成，在空穴傳輸層15上將形成紅光發(fā)光器件的區(qū)域，真空蒸鍍通過混合30wto/。紅光發(fā)光客體材料2,6-雙[(4，-曱氧基二苯基氨基)苯乙烯基]-l,5-二氰基萘(BSN)和作為主體材料的上述AND得到的材料，形成厚約30nm的膜。對于綠光發(fā)射層16g的形成，在空穴傳輸層15上將形成綠光發(fā)光器件的區(qū)域，真空蒸鍍通過混合5wt。/。綠光發(fā)光客體材料香豆素6和作為主體材料的上述AND得到的材料，形成厚約30nm的膜。在該實施方案中，說明了通過真空蒸鍍法以圖案形式形成各色發(fā)光層16的實例。然而，在空穴傳輸層15的形成步驟中，可通過熱轉(zhuǎn)印法形成各色發(fā)光層16。如圖3D所示，在上述步驟之后，在系統(tǒng)基板11的整個表面上真空蒸鍍電子傳輸層17作為共用層。利用常規(guī)電子傳輸材料形成該電子傳輸層17。例如，真空蒸鍍厚約20nm的Alq3。通過如上形成空穴注入層14、空穴傳輸層15、各色發(fā)光層16r、16g、16b和電子傳輸層17,構(gòu)成有機層18。然后通過真空蒸鍍法在電子傳輸層上形成電子注入層19。在系統(tǒng)基板11的整個表面上蒸鍍該電子注入層19作為共用層。利用常規(guī)電子注入材料形成該電子注入層19。例如，可通過真空蒸鍍法形成膜厚約0.3nm(蒸鍍速度約0.01nm/sec)的氟化鋰(LiF)。然后在電子注入層19上形成上部電極20。當(dāng)下部電極為陽極時，該上部電極20用作陰極，而當(dāng)下部電極12為陰極時該上部電極20用作陽極。當(dāng)該實施方案中制造的顯示系統(tǒng)采用簡單矩陣系統(tǒng)時，例如形成與下部電極12條相交的條狀上部電極20。另一方面，當(dāng)顯示系統(tǒng)采用有源矩陣系統(tǒng)時，假定形成固體膜狀上部電極20，以使上部電極20覆蓋系統(tǒng)基板11的整個表面并用作各像素共用的電極。在這種情況下，可利用與下部電極12相同的材料形成輔助電極(未示出)，可使上部電極20連接到該輔助電極上，以形成防止在上部電極20上產(chǎn)生電壓降的構(gòu)造。從而在各部分中(inportions)形成紅光發(fā)光器件21r、綠光發(fā)光器件21g和藍光發(fā)光器件21b,其中包括各色發(fā)光層16r、16g、16b的有機層18放置在下部電極12和上部電極20的交叉處。對于上部電極20，應(yīng)根據(jù)該實施方案制造的顯示系統(tǒng)的光輸出系統(tǒng)，選擇并使用合適的材料。具體而言，當(dāng)顯示系統(tǒng)為從系統(tǒng)基板11相對側(cè)輸出發(fā)射光的頂發(fā)射型或者為雙側(cè)發(fā)射型時，利用透光性材料或半透光性材料形成上部電極20。當(dāng)顯示系統(tǒng)為從系統(tǒng)基板11側(cè)輸出發(fā)射光的透光型時，利用高反射性材料形成上部電極20。在該實施方案中，顯示系統(tǒng)為頂發(fā)射型并且下部電極12用作陽極，從而上部電極20用作陰極。在這種情況下，使用功函小的材料中具有良好透光性的材料形成上部電極20,并結(jié)合下部電極12的形成步驟示例上部電極20，使電子可有效地注入到有機層18中。因而，通過真空蒸鍍法形成10nm厚的MgAg作為上部電極20,例如用作共用陰極。此時，通過利用能量足夠低的成膜粒子的成膜方法，例如通過氣相沉積法或CVD(化學(xué)氣相沉積)法，形成上部電極20，以避免對下層造成任何影響。當(dāng)顯示系統(tǒng)為頂發(fā)射型時，優(yōu)選進行設(shè)計，使得可通過將上部電極20形成為半透光性電極以在上部電極20和下部電極12之間構(gòu)成諧振結(jié)構(gòu)，來提高輸出光的強度。當(dāng)顯示系統(tǒng)為透射型并且上部電極20用作陰極時，利用功函小并且反射率高的導(dǎo)電材料形成上部電極20。當(dāng)顯示系統(tǒng)為透射型并且上部電極19用作陽極時，利用具有高反射率的導(dǎo)電材料形成上部電極20。如上所述形成各色有機電致發(fā)光器件21r、21g、21b后，如圖3E所示，形成保護膜22覆蓋上部電極20。該保護層22旨在防止水接觸有機層18并應(yīng)利用透水性和吸水性低的材料形成達到足夠的厚度。當(dāng)該實施方案制造的顯示系統(tǒng)為頂發(fā)射型時，該保護膜22應(yīng)由透射各色發(fā)光層16r、16g、16b產(chǎn)生的光的材料制成，使得例如可保證80%的透過率?？衫媒^緣材料形成上述保護膜22。當(dāng)利用絕緣材料形成保護膜22時，可適當(dāng)?shù)厥褂脽o機無定形絕緣材料，例如無定形硅(a-Si)、無定形碳化硅(a-SiC)、無定形氮化硅(a-Si^Nx)、無定形碳(a-C)等。這種無機無定形絕緣材料不形成晶粒，因而透水性低，使得保護膜22具有良好的防水性。例如當(dāng)無定形氮化硅用于形成保護膜22時，通過CVD法形成厚2-3pm的無定形氮化硅膜。然而，此時，希望將成膜溫度設(shè)定為室溫，以避免由于有機層18劣化而造成亮度下降，還希望在膜上應(yīng)力最小的條件下進行成膜，以避免保護層22剝落。當(dāng)該實施方案制造的顯示系統(tǒng)采用有源矩陣系統(tǒng)并且上部電極20布置為覆蓋系統(tǒng)基板11整個表面的共用電極時，可利用導(dǎo)電材料形成保護膜22。當(dāng)利用導(dǎo)電材料形成保護膜22時，可使用透明導(dǎo)電材料例如ITO或IXO。覆蓋各色發(fā)光層16r、16b、16g的這些層17、19-22各自形成為固態(tài)膜而沒有使用任何掩模。優(yōu)選在相同的成膜設(shè)備中連續(xù)形成這些膜17、19-22，優(yōu)選不暴露于空氣。從而可避免空氣中的水將會造成的有機層18劣化。此外，可通過熱轉(zhuǎn)印法在像素區(qū)形成除空穴傳輸層15和發(fā)光層16以外構(gòu)成有機層18的其它層即空穴注入層14和電子傳輸層17。對于如上所述其上形成有保護膜22的系統(tǒng)基板11，經(jīng)由粘結(jié)用樹脂材料(未示出)將保護基板23粘結(jié)在保護膜22側(cè)。例如可使用紫外固化樹脂作為粘結(jié)用樹脂材料。另一方面，例如可使用玻璃基板作為保護基板23。然而，應(yīng)當(dāng)注意的是，當(dāng)所制造的顯示系統(tǒng)為頂發(fā)射型時，粘結(jié)用樹脂材料和保護基板23必須分別由透光性材料制成。通過上述步驟，完成在系統(tǒng)基板11上以陣列形式形成有各色發(fā)光器件21r、21g、21b的全色顯示系統(tǒng)l。根據(jù)上述轉(zhuǎn)印用基板100和利用該轉(zhuǎn)印用基板100的上述有機電致發(fā)光器件制造方法，由于使用失重起始溫度(Tsub)低于50.0。C并且失重起始溫度(Tsub)和熔點(Tm)滿足等式(l)的有機材料，可通過熱轉(zhuǎn)印法經(jīng)空穴注入層14在下部電極12上確實以圖案形式形成空穴傳輸層15。因而，可避免空穴傳輸層15不完全轉(zhuǎn)印將會造成的有機電致發(fā)光器件的性能劣化。在上述實施方案中，主要對下部電極12作為陽極和上部電極20作為陰極的情況進行了說明。本發(fā)明還可應(yīng)用于下部電極12作為陰極和上部電極20作為陽極的情況。在這種情況下，下部電極12和上部電極20之間的各層14-17、19按相反順序堆疊。上述基于該實施方案的本發(fā)明不僅對于如上所述具有相隔共用層的器件有效，還對串連有機電致發(fā)光器件有效，在串連有機電致發(fā)光器件中的每一個中，例如如特開平第2003-272860所示堆疊分別具有發(fā)光層(發(fā)光單元)的有機層單元，并可產(chǎn)生相似的有利效果。(第二實施方案)<轉(zhuǎn)印用基板〉圖4為用于該實施方案的轉(zhuǎn)印用基板100，的截面結(jié)構(gòu)圖。應(yīng)當(dāng)注意的是以相同的標(biāo)記表示與第一實施方案中相同的結(jié)構(gòu)要素。如圖所示，通過在支撐基板101上依次堆疊光熱轉(zhuǎn)化層102、抗氧化層103和轉(zhuǎn)印層104，構(gòu)成轉(zhuǎn)印用基板100'。在該實施方案中，通過層層堆疊至少三層有機材料層形成轉(zhuǎn)印層104，。具體而言，通過從支撐基板101側(cè)依次堆疊第一層104a，、第二層104b，和第三層104c，構(gòu)成轉(zhuǎn)印層104，。利用選自第一有機材料和第二有機材料的有機材料，各自形成支撐基板101側(cè)的第一層104a，和表面?zhèn)鹊牡谌龑?04c',其中第一有機材料具有低于500。C的失重起始溫度(Tsub)并且在大氣壓下升華，第二有機材料具有低于50(TC的失重起始溫度(Tsub)并且滿足下述等式(l):Tsub-Tm<200°C…(l)其中Tsub:第二有機材料的失重起始溫度，和Tm:第二有機材料的熔點。因而，即使第二層104b，由不滿足等式(l)并且難以轉(zhuǎn)印的材料形成，將第二層104b，放置在由滿足等式(l)的有機材料形成的第一層104a，和第三層104c，之間仍可將第二層104b，確實轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印的基板側(cè)。因而，即使利用難以轉(zhuǎn)印的空穴傳輸材料形成第二層104b，單層并形成50nm-100nm的厚度，仍可將第二層104b，確實轉(zhuǎn)印到被轉(zhuǎn)印的基板側(cè)。假定各自形成厚度為轉(zhuǎn)印層104，總厚度的5%-10%的第一層104a，和第三層104c，。當(dāng)利用空穴傳輸有機材料形成第二層104b，時，優(yōu)選第一層104a，和第三層104c，也分別利用空穴傳輸有機材料形成。然而，可利用性質(zhì)與第二層104b，的有機材料不同的有機材料例如電子傳輸有機材料，形成第一層104a，和第三層104c，，條件是所得有機電致發(fā)光器件的性能劣化在可允許的范圍內(nèi)。因為便于形成轉(zhuǎn)印用基板100，，所以優(yōu)選但不特別限于利用相同的材料形成第一層104a，和第三層104c，。在該實施方案采用的轉(zhuǎn)印用基板100，中，假定利用"LG101C"(空穴傳輸材料的商品名，IdemitsuKosanCo"Ltd.制造)形成第一層104a，和第三層104c，，利用"HT-320"(空穴傳輸有機材料的商品名，IdemitsuKosanCo.，Ltd.制造)形成放置在第一層104a，和第三層104c，之間的第二層104b，。應(yīng)當(dāng)注意的是以上是關(guān)于其中第二層104b，為單層的實例作出的說明，但第二層104b，可由多層形成。<有機電致發(fā)光器件的制造方法>以與第一實施方案相同的方式制造利用上述轉(zhuǎn)印用基板IOO，的有機電致發(fā)光器件。具體而言，在第一實施方案中參考圖3B描述的步驟中，如圖5所示，與其上形成有空穴注入層14的系統(tǒng)基板11相對，布置轉(zhuǎn)印用基板100，。此時，布置轉(zhuǎn)印用基板IOO，和系統(tǒng)基板11,使轉(zhuǎn)印層104，和空穴注入層14夂皮此相對。然后，從如上所述與系統(tǒng)基板11相對布置的轉(zhuǎn)印用基板IOO，的支撐基板101側(cè)，照射例如波長為800nm的激光束hr。此時，因為本申請隨后將要描述的空穴傳輸層對于各色有機電致發(fā)光H件為共用的，所以激光束hr選擇性地點射在相應(yīng)于各像素區(qū)的區(qū)域上。然后激光束hr被光熱轉(zhuǎn)化層102吸收，并利用所得熱量，將轉(zhuǎn)印層104，熱轉(zhuǎn)印到系統(tǒng)基板11側(cè)。從而，經(jīng)空穴注入層14在下部電極12上確實以圖案形式形成空穴傳輸層15，。在這種情況下，空穴傳輸層15，由上述三層形成的轉(zhuǎn)印層104，各層材料的混合物形成。接著，在主要構(gòu)成空穴傳輸層15，的有機材料的Tg附近的溫度，加熱其上形成有空穴傳輸層15，的系統(tǒng)基板11。以與第一實施方案中參考圖3C-3E描述的各步驟相同的方式，進行隨后的步驟以制造有機電致發(fā)光器件。根據(jù)上述轉(zhuǎn)印用基板100，和利用該轉(zhuǎn)印用基板100，的上述有機電致發(fā)光器件制造方法，由于利用失重起始溫度(Tsub)低于50(TC并且在大氣壓下升華的有機材料，作為轉(zhuǎn)印層104',在支撐基板側(cè)形成第一層104a，并在表面?zhèn)刃纬傻谌龑?04c',因而可通過熱轉(zhuǎn)印法經(jīng)空穴注入層14在下部電才及12上確實以圖案形式形成空穴傳輸層15，。從而，可避免空穴傳輸層15，不完全轉(zhuǎn)印將會造成的有機電致發(fā)光器件的性能劣化。實施例接著，將對本發(fā)明具體實施例和其比較例的有機電致發(fā)光器件制造方法以及評價結(jié)果進行說明。(實施例1-5)以與參考第一實施方案中圖i所述的方法相同的方式，通過改變轉(zhuǎn)印用基板104的材料制造轉(zhuǎn)印用基板100。如以下表1所示，作為實施例1，利用失重起始溫度(Tsub)低于500。C并且在大氣壓下升華的"LG101C"(商品名，LGChem,Ltd.制造)形成轉(zhuǎn)印層104。作為實施例2-5,利用各自的失重起始溫度(Tsub)均低于500。C并且各自的失重起始溫度(Tsub)和熔點(TJ均滿足上述等式(l)的有機材料形成轉(zhuǎn)印層104。具體而言，在實施例2中利用Alq3形成轉(zhuǎn)印層104,在實施例3中利用ADN形成轉(zhuǎn)印層104,在實施例4中利用a-NPD形成轉(zhuǎn)印層104,在實施例5中利用CBP形成轉(zhuǎn)印層104。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>實施例4a-NPD432281151成功實施例5CBP440282158成功比專交例1"HT-320"507265242失敗比沖交例2"HT-539"520270250失敗(比4交例1和2)作為相對于上述實施例1-5的比較例1和2,也制備了具有轉(zhuǎn)印層104的轉(zhuǎn)印用基板，所述轉(zhuǎn)印層104利用如以上表1中所示不升華且不滿足等式(l)的有機材料形成。具體而言，在比較例1中利用"HT-320"(商品名，IdemitsuKosanCo.，Ltd.制造)形成轉(zhuǎn)印層104，在比較例2中利用"HT陽539"(商品名,IdemitsuKosanCo.,Ltd.制造)形成轉(zhuǎn)印層104。[評價結(jié)果]釆用實施例l-5和比較例1、2的上述轉(zhuǎn)印用基板，通過熱轉(zhuǎn)印法在被轉(zhuǎn)印的基板上形成圖案。結(jié)果如以上表l所示。在表1中，"成功，，表示確實實現(xiàn)圖案形成，而"失敗"表示沒有實現(xiàn)轉(zhuǎn)印且轉(zhuǎn)印層以液滴形式殘留在轉(zhuǎn)印用基板上。如表l所示，當(dāng)采用實施例1-5中各轉(zhuǎn)印用基板100時，證實圖案確實形成在被轉(zhuǎn)印的基板上(成功)。另一方面，在T^-Tm值大于200。C的比較例1和2中，證實沒有發(fā)生轉(zhuǎn)印(失敗)。(實施例6-10)<轉(zhuǎn)印用基板>(實施例6)如以下所述制備轉(zhuǎn)印用基板100，。首先，通過常規(guī)濺射法在玻璃基板制成的支撐基板上形成由Mo制成且厚200nm的光熱轉(zhuǎn)化層102。然后，通過CVD法在光熱轉(zhuǎn)化層102上形成由SiNx制成的厚100nm的抗氧化層103。接著，分別利用表2所示的有機材料和厚度依次形成第一層104a，、第二層104b，和第三層104c，，從而形成轉(zhuǎn)印層104，。表2轉(zhuǎn)印層有機電致發(fā)光器件第一層(厚度nm)第二層(厚度nm)第三層(厚度nm)電壓(v)電流效率(cd/A)實施例6"LG101C"(5)"HT-320"(100)"LG101C"(5)7.54.5實施例7a-NPD(10)"HT-320"(100)a-NPD(10)7.94.3實施例8"LG101C"(5)"HT-320"(100)Alq3(10)8.04.1實施例9ct-NPD(10)"HT-320"(100)Alq3(10)8.04.0實施例10Alq3(10)"HT-320"(ioo)Alq3(10)9.54.0比專交例3-"HT-320"(100)-轉(zhuǎn)印失敗比專交例4一"HT-320"(ioo)Alq3(10)轉(zhuǎn)印失敗比專交例5a-NPD(10)"HT-320"(ioo)-12,11.2在該實施方案中，失重起始溫度(Tsub)低于500。C并且在大氣壓下升華的"LG101C，，(商品名，LGChem,Ltd.制造)用于第一層104a，和第三層104c，，單層難以轉(zhuǎn)印的空穴傳輸材料"HT-320"(商品名，IdemitsuKosanCo.,Ltd.)用于第二層l04b，。(實施例7)在該實施方案中，以與實施例6相似的方式制備轉(zhuǎn)印用基板100，，不同的是失重起始溫度(l^b)低于500。C并且失重起始溫度(T^)和熔點滿足上述等式(l)的空穴傳輸材料a-NPD用于第一層104a，和第三層104c，。(實施例8)在該實施方案中，以與實施例6相似的方式制備轉(zhuǎn)印用基板100，，不同的是上述空穴傳輸材料"LG101C"用于第一層104a，，失重起始溫度(1^)低于500。C并且失重起始溫度(Tsub)和熔點滿足上述等式(l)的電子傳輸材料Alq3用于第三層104c，。(實施例9)在該實施方案中，以與實施例6相似的方式制備轉(zhuǎn)印用基板100，，不同的是上述a-NPD用于第一層104a，，上述Alq3用于第三層104c，。(實施例10)在該實施方案中，以與實施例6相似的方式制備轉(zhuǎn)印用基板100，，不同的是失重起始溫度(Tsub)低于50(TC并且失重起始溫度(Tsub)和熔點滿足上述等式(l)的電子傳輸材料Alq3用于第一層104a，和第三層104c，。(比較例3-5)作為實施例6-10的比較例3,以與實施例7相似的方式制備轉(zhuǎn)印用基板，不同的是僅利用"HT-320"(商品名，IdemitsuKosanCo.,Ltd.制造)形成轉(zhuǎn)印層104，。作為比較例4，以與實施例7相似的方式制備轉(zhuǎn)印用基板，不同的是僅在"HT-320"(作為第二層)的表面?zhèn)刃纬蓛H由上述Alq3制成的第三層。此外，作為比較例5，以與實施例7相似的方式制備轉(zhuǎn)印用基板，不同的是僅在"HT-320"(作為第二層)的支撐基板側(cè)形成由a-NPD制成的第一層。<有機電致發(fā)光器件的制造方法〉采用實施例6-10的上述轉(zhuǎn)印用基板IOO，和比較例3-5的上述轉(zhuǎn)印用基板，分別以與第二實施方案相似的方式形成有機電致發(fā)光器件即藍光發(fā)光器件。首先制造頂發(fā)射有機電致發(fā)光器件單元，其中在由30mmx30mm的玻璃板制成的系統(tǒng)基板11上具有堆疊在厚190nm的Ag合金(反射層)上厚12.5nm的ITO透明電極作為下部電極(陽極)。然后通過濺射法形成厚約2iam的二氧化硅絕緣膜13，以覆蓋下部電極12的外圍，并通過平版印刷法，使下部電極12露出作為像素區(qū)。然后，通過真空蒸鍍法形成厚12nm(蒸鍍速度0.2-0.4nm/sec)的由m-MTDATA制成的膜，作為有機層形式的空穴注入層14。將其上形成有上述構(gòu)造的轉(zhuǎn)印層104，的實施例6的轉(zhuǎn)印用基板100'布置成與其上形成有空穴注入層14的系統(tǒng)基板11相對，并在真空中，使所述轉(zhuǎn)印用基板和系統(tǒng)基板相互緊密接觸。由于絕緣膜13的厚度在所述基板之間留有約2pm的小間隙。在這種狀態(tài)下，從轉(zhuǎn)印用基板IOO，中支撐基板101—側(cè)，相應(yīng)于器件制造系統(tǒng)基板11的像素區(qū)照射波長800nm的激光束hr。因而，轉(zhuǎn)印層104，從轉(zhuǎn)印用基板IOO，熱轉(zhuǎn)印，從而形成空穴傳輸層15。將激光束hr的光斑尺寸控制為300jamx10)um。使激光束hr沿垂直于其縱向維度的方向掃描。將能量密度控制在2.6E—3mJ/Vm2。接著，在氮氣(作為惰性氣體)氣氛下，于100。C對其上形成有空穴傳輸層15的系統(tǒng)基板11進行加熱步驟30分鐘。然后，通過真空蒸鍍形成35nm的藍光發(fā)光層16b，該藍光發(fā)光層由作為主體材料的AND和按照相對厚度比2.5%混入作為藍光發(fā)射客體材料的苯乙烯胺衍生物制成。在形成藍光發(fā)光層16b之后，形成電子傳輸層17。氣相沉積厚約20nm的Alq3作為電子傳輸層17。然后氣相沉積厚約0.3nm(沉積速度約0.01nm/sec)的LiF作為電子注入層18。然后氣相沉積厚10nm的MgAg作為用作上部電極20的陰極，從而得到藍光發(fā)光器件。以與實施例6相似的方式制造實施例7-10和比較例3-5的有機電致發(fā)光器件。表2顯示通過上述制造方法采用實施例6-10和比較例3-5的轉(zhuǎn)印用基板制造的藍光發(fā)光器件的電壓和10mA/cmS時的電流效率。如表2所示，證實了在利用具有下述構(gòu)造的實施例6-10的轉(zhuǎn)印用基板IOO，制造的有機電致發(fā)光器件中確實實現(xiàn)了轉(zhuǎn)印"HT-320"制成的第二層104b，放置在各自由失重起始溫度(Tsub)低于50(TC并且在大氣壓下升華的有機材料或者失重起始溫度(Tsub)低于500。C并且失重起始溫度(Tsub)和熔點(Tm)滿足上述等式(1)的有機材料制成的第一層104a，和第三層104c，之間。另一方面，在比較例3和4中，沒有以圖案形式形成空穴傳輸層15。在其中僅利用a-NPD形成第一層104a，的比較例6中，以圖案形式形成了空穴傳輸層15,但圖案構(gòu)成不完整。因而證實了驅(qū)動電壓高且電流效率低。在實施例6-10的轉(zhuǎn)印用基板中，與實施例8-10的轉(zhuǎn)印用基板(其中第一層104a，和第三層104c，中的至少一個由電子傳輸材料制成)相比，實施例6和7中的轉(zhuǎn)印用基板(其中第一層104a，和第三層104c，均由相同的空穴傳輸材料制成)的驅(qū)動電壓較低并且電流效率較高。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在所附權(quán)利要求或其等同方式的范圍內(nèi)可根據(jù)設(shè)計要求和其它因素進行各種改進、組合、亞組合和替換。相關(guān)申請的交叉引用本發(fā)明包含與2007年4月2日提交于日本專利局的特愿2007-096271相關(guān)的主題，在此引入其全部內(nèi)容作為參考。權(quán)利要求1.一種轉(zhuǎn)印用基板，其在支撐基板上依次形成有光熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)印層，其中所述轉(zhuǎn)印層由選自第一有機材料和第二有機材料的有機材料形成，所述第一有機材料具有低于500℃的失重起始溫度Tsub并且在大氣壓下升華，所述第二有機材料具有低于500℃的失重起始溫度Tsub并且滿足下述等式(1)Tsub-Tm＜200℃...(1)其中Tsub所述第二有機材料的失重起始溫度，和Tm所述第二有機材料的熔點。2.權(quán)利要求l的轉(zhuǎn)印用基板，其中所述第一和第二有機材料為空穴傳輸材料。3.—種制造有機電致發(fā)光器件的方法，所述方法如下制造有機電致發(fā)光器件在器件基底上以圖案形式形成下部電極，在所述下部電極上形成至少包括發(fā)光層的有機層，然后在所述有機層上形成上部電極，所述方法包括下述步驟與其上形成有所述下部電極的所述器件基底相對，布置轉(zhuǎn)印用基板，所述轉(zhuǎn)印用基板在支撐基板上依次具有光熱轉(zhuǎn)化層和有機材料形成的轉(zhuǎn)印層，使得所述轉(zhuǎn)印層朝向所述器件基底；和從所述支撐基板的外側(cè)照射光以在所述光熱轉(zhuǎn)化層中將所述光轉(zhuǎn)化為熱，使得所述轉(zhuǎn)印層熱轉(zhuǎn)印到所述下部電極上，從而至少形成所述有機層的所述發(fā)光層，其中所述轉(zhuǎn)印層由選自第一有機材料和第二有機材料的有機材料形成，所述第一有機材料具有低于500。C的失重起始溫度Tsub并且在大氣壓下升華，所述第二有機材料具有低于500。C的失重起始溫度Tsub并且滿足下述等式(l):Tsub-Tm<200°C…(l)其中Tsub:所述第二有機材料的失重起始溫度，和Tm:所述第二有機材料的熔點。4.一種轉(zhuǎn)印用基板，其在支撐基板上依次形成有光熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)印層，其中所述轉(zhuǎn)印層由層層堆疊的至少三層有機材料層形成，并且所述至少三層有機材料層中位于所述轉(zhuǎn)印層外側(cè)的兩層有機材料層各自由選自第一有機材料和第二有機材料的有機材料形成，所述第一有機材料具有低于500°C的失重起始溫度Tsub并且在大氣壓下升華，所述第二有機材料具有低于500°C的失重起始溫度Tsub并且滿足下述等式(l):Tsub_Tm<200°C,..(l)其中Tsub:所述第二有機材料的失重起始溫度，和Tm:所述第二有機材料的熔點。5.權(quán)利要求4的轉(zhuǎn)印用基板，其中位于所述轉(zhuǎn)印層外側(cè)的所述兩層有機材料層由相同的有機材料形成。6.權(quán)利要求4的轉(zhuǎn)印用基板，其中置于所述兩層有機材料層之間的所述至少一層有機材料層由空穴傳輸材料形成，所述兩層有機材料層一層在所述支撐基板側(cè)和另一層在所述轉(zhuǎn)印層的所述表面?zhèn)取?.權(quán)利要求6的轉(zhuǎn)印用基板，其中一層在所迷支撐基板側(cè)和另一層在所述轉(zhuǎn)印層的所述表面?zhèn)鹊乃鰞蓪佑袡C材料層由空穴傳輸材料形成。8.—種制造有機電致發(fā)光器件的方法，該方法如下制造有機電致發(fā)光器件在器件基底上以圖案形式形成下部電極，在所述下部電極上形成至少包括發(fā)光層的有機層，然后在所述有機層上形成上部電極，所述方法包括下述步驟與其上形成有所述下部電極的所述器件基底相對，布置轉(zhuǎn)印用基板，所述轉(zhuǎn)印用基板在支撐基板上依次具有光熱轉(zhuǎn)化層和有機材料形成的轉(zhuǎn)印層，使得所述轉(zhuǎn)印層朝向所述器件基底；和從所述支撐基板的外側(cè)照射光以在所述光熱轉(zhuǎn)化層中將所述光轉(zhuǎn)化為熱，使得所述轉(zhuǎn)印層熱轉(zhuǎn)印到所述下部電極上，從而至少形成所述有機層的所述發(fā)光層，其中所述轉(zhuǎn)印層由層層堆疊的至少三層有機材料層形成，并且所述至少三個有機材料中位于所述轉(zhuǎn)印層外側(cè)的兩層有機材料層各自由選自第一有機材料和第二有機材料的有機材料形成，所述第一有機材料具有低于500。C的失重起始溫度Tsub并且在大氣壓下升華，所述第二有機材料具有低于500。C的失重起始溫度Tsub并且滿足下述等式(l):<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中Tsub:所述第二有機材料的失重起始溫度，和.Tm:所述第二有機材料的熔點。全文摘要披露一種轉(zhuǎn)印用基板，轉(zhuǎn)印用基板在支撐基板上依次形成有光熱轉(zhuǎn)化層和轉(zhuǎn)印層。轉(zhuǎn)印層由選自第一有機材料和第二有機材料的有機材料形成，第一有機材料具有低于500℃的失重起始溫度T_sub并且在大氣壓下升華，第二有機材料具有低于500℃的失重起始溫度T_sub并且滿足下述不等式T_sub-T_m＜200℃(T_sub第二有機材料的失重起始溫度，T_m第二有機材料的熔點)。還披露一種該采用轉(zhuǎn)印用基板制造有機電致發(fā)光器件的方法。文檔編號C09K11/06GK101282603SQ20081009111公開日2008年10月8日申請日期2008年4月2日優(yōu)先權(quán)日2007年4月2日發(fā)明者松波成行,高木亮子,鬼島靖典申請人:索尼株式會社