專利名稱：液晶介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基于極性化合物的混合物的、負(fù)介電各向異性的液晶介質(zhì)，其包含至少一種選自式IA、IB和IC的化合物的化合物，
其中 R1A、R1B、R2B和R1C各自彼此獨(dú)立地表示具有2-6個(gè)C原子的烷基， R2A和R2C各自彼此獨(dú)立地表示具有不超過6個(gè)C原子的未取代、由CN或CF3單取代或由鹵素至少單取代的烷基，其中在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2-基團(tuán)也可被-O-、-S-、

、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O(shè)原子不直接彼此連接的方式代替，且若L＝F，R2C還可表示鹵素，優(yōu)選F或Cl， L表示H或F， m、n、o和p各自彼此獨(dú)立地表示0、1或2， b表示0或1。
這類介質(zhì)可特別用于具有基于ECB效應(yīng)的有源矩陣尋址的電光顯示器和用于IPS(面內(nèi)切換)顯示器或FFS(邊緣場(chǎng)切換)顯示器。根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選具有負(fù)的介電各向異性。

背景技術(shù)：
電控雙折射、ECB效應(yīng)(electrically controlledbirefringence)或還有DAP(排列相畸變)效應(yīng)的原理首次描述于1971年(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon，″Deformation of nematicliquid crystals with vertical orientation in electricalfields″，Appl.Phys.Lett.19(1971)，3912)。接著還有J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972)，1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973)，4869)的論文。
J.Robert和F.Clerc(SID 80 Digest Techn.Papers(1980)，30)，J.Duchene(Displays 7(1986)，3)和H.Schad(SID 82 DigestTechn.Papers(1982)，244)的論文已表明，液晶相必須具有高數(shù)值的彈性常數(shù)K3/K1的比例，高數(shù)值的光學(xué)各向異性Δn和高數(shù)值的介電各向異性Δε≤-0.5以適用于基于ECB效應(yīng)的高信息顯示元件?；贓CB效應(yīng)的電光顯示元件具有垂直邊緣取向(VA-技術(shù)＝垂直配向)。介電負(fù)性的液晶介質(zhì)還可以用于利用所謂IPS或FFS效應(yīng)的顯示器中。
利用ECB效應(yīng)的顯示器，作為所謂的VAN(垂直配向向列型)顯示器，例如在MVA(多域垂直配向，例如Yoshide，H.等，報(bào)告3.1″MVALCD for Notebook or Mobile PCs...″，SID 2004 InternationalSymposium，Digest of Technical Papers，XXXV，第I輯，第6至9頁(yè)，和Liu，C.T.等，報(bào)告15.1″A 46-inch TFT-LCD HDTVTechnology...″，SID 2004 International Symposium，Digest ofTechnical Papers，XXXV，第II輯，第750至753頁(yè))，PVA(圖案垂直配向，例如Kim，Sang Soo，報(bào)告15.4″Super PVA Sets NewState-of-the-Art for LCD-TV″，SID 2004 International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，第II輯，第760至763頁(yè))，ASV(高級(jí)超視角(Advanced Super View)，例如Shigeta，Mitzuhiro和Fukuoka，Hirofumi，報(bào)告15.2″Development of High QualityLCDTV″，SID 2004 International Symposium，Digest of TechnicalPapers，XXXV，第II輯，第754至757頁(yè))顯示器的結(jié)構(gòu)形式中的，已經(jīng)將其本身確定為除了IPS(面內(nèi)切換)顯示器(例如Yeo，S.D.，論文15.3″A LC Display for the TV Application″，SID 2004International Symposium，Digest of Technical Papers，XXXV，第II輯，第758和759頁(yè))和長(zhǎng)久已知的TN(扭曲向列型)顯示器之外，當(dāng)前最重要的三種新類型的液晶顯示器之一，特別是對(duì)于電視應(yīng)用。例如在Souk，Jun，SID Seminar 2004，Seminar M-6″RecentAdvances in LCD Technology″，Seminar Lecture Notes，M-6/1至M-6/26，和Miller，Ian，SID Seminar 2004，Seminar M-7″LCD-Television″，Seminar Lecture Notes，M-7/1至M-7/32中將這些技術(shù)以通常形式進(jìn)行了比較。盡管現(xiàn)代ECB顯示器的響應(yīng)時(shí)間(Schaltzeit)已經(jīng)通過超速驅(qū)動(dòng)(overdrive)的控制方法獲得顯著改善，例如Kim，Hyeon Kyeong等，報(bào)告9.1″A 57-in.Wide UXGATFT-LCD for HDTV Application ″，SID 2004 InternationalSymposium，Digest of Technical Papers，XXXV，第I輯，第106至109頁(yè)，但是獲得適合視頻的響應(yīng)時(shí)間，特別是在灰階的切換中，仍然是一個(gè)沒有令人滿意地解決的問題。
對(duì)于在電光顯示元件中該效應(yīng)的工業(yè)應(yīng)用而言，要求液晶相必須滿足許多必要條件。此處特別重要的是對(duì)水分，空氣和物理影響如熱、紅外、可見光和紫外區(qū)域內(nèi)的輻射和直流與交流電場(chǎng)的化學(xué)耐受力。
此外，工業(yè)上可用的液晶相要求具有在合適溫度范圍和低粘度下的液晶介晶相。
迄今公開的一系列具有液晶介晶相的化合物均不包括滿足所有這些必要條件的單一化合物。因此，通常制備兩種到二十五種、優(yōu)選三種到十八種化合物的混合物，以獲得能用作液晶相的物質(zhì)。然而，因?yàn)槠駷橹箾]有具有顯著負(fù)介電各向異性和足夠的長(zhǎng)期穩(wěn)定性的液晶材料可利用，以這種方式不可能容易地制備最佳狀態(tài)的相。
矩陣液晶顯示器(MFK-顯示器)是已知的。例如能將有源元件(即晶體管)用作為將單個(gè)像素獨(dú)立轉(zhuǎn)換的非線性元件。于是，采用術(shù)語(yǔ)“有源矩陣”，其中能區(qū)分為兩種類型 1.在作為基材的硅晶片上的MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管。
2.在作為基材的玻璃板上的薄膜晶體管(TFT)。
就類型1的情況，作為電光效應(yīng)通常是使用動(dòng)態(tài)散射或賓-主效應(yīng)。將單晶硅作為基底材料使用限制了顯示器尺寸，因?yàn)椴煌@示器部分的模塊化組裝會(huì)導(dǎo)致在接頭處的問題。
就優(yōu)選的更有前途的類型2的情況來(lái)說(shuō)，作為電光效應(yīng)通常使用TN-效應(yīng)。
在兩種技術(shù)之間有區(qū)別包含化合物半導(dǎo)體例如CdSe的TFT，或基于多晶硅或非晶硅的TFT。對(duì)于后一種技術(shù)上，全世界范圍內(nèi)正在進(jìn)行深入的工作。
將TFT矩陣施用于顯示器的一個(gè)玻璃板的內(nèi)部，而其它玻璃板在其內(nèi)部帶有透明反電極。與像素電極的尺寸相比，TFT非常小且對(duì)圖像幾乎沒有不利作用。該技術(shù)還可以推廣到全色功能的的顯示器，其中將紅、綠和藍(lán)濾光片的鑲嵌塊(mosaik)以使得濾光元件與每個(gè)可切換的像素相對(duì)的方式排列。
迄今為止公開的TFT顯示器通常作為具有在透射中交叉的起偏器(Polaristoren)的TN盒來(lái)運(yùn)行且是背景照明的。
術(shù)語(yǔ)“MFK-顯示器”在此處包括具有集成非線性元件的任何矩陣顯示器，即除了有源矩陣外，還有具有無(wú)源(passiven)元件的顯示器，如可變電阻或二極管(MIM＝金屬-絕緣體-金屬)。
這類MFK-顯示器特別適用于TV應(yīng)用(例如袖珍電視)或用于汽車或飛機(jī)構(gòu)造中的高信息顯示器。除了關(guān)于對(duì)比度的角度依賴性和響應(yīng)時(shí)間問題之外，由于液晶混合物不夠高的電阻率，MFK-顯示器中也還產(chǎn)生一些困難[TOGASHI，S.，SEKIGUCHI，K.，TANABE，H.，YAMAMOTO，E.，SORIMACHI，K.，TAJIMA，E.，WATANABE，H.，SHIMIZU，H.，Proc.Eurodisplay 84，1984年9月A 210-288Matrix LCD Controlled byDouble Stage Diode Rings，第141頁(yè)起，Paris；STROMER，M.，Proc.Eurodisplay 84，1984年9月Design of Thin Film Transistorsfor Matrix Adressing of Television Liquid Crystal Displays，第145頁(yè)起，Paris]。隨著降低的電阻，MFK-顯示器的對(duì)比度劣化。因?yàn)橛捎谂c顯示器內(nèi)表面的相互作用，液晶混合物的電阻率通常隨MFK-顯示器的壽命下降，所以高的(初始)電阻對(duì)于必須在長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間內(nèi)具有可接受的電阻值的顯示器而言是非常重要的。
迄今為止公開的MFK-TN-顯示器的缺點(diǎn)是在這些顯示器中它們相對(duì)低的對(duì)比度，相對(duì)高的視角依賴性和在這些顯示器中生產(chǎn)灰階的困難。
因此，繼續(xù)存在著對(duì)具有非常高的電阻率且同時(shí)具有大的工作溫度范圍、短響應(yīng)時(shí)間和低閾值電壓的MFK顯示器的很大需求，并且借助于這種顯示器能產(chǎn)生各種灰階。
特別是對(duì)于電視應(yīng)用，達(dá)到短響應(yīng)時(shí)間非常重要。為了實(shí)現(xiàn)這點(diǎn)，作為ECB應(yīng)用中的介電中性的化合物特別使用下式的化合物。


其中R1＝H或CH3
在LCD電視應(yīng)用中，經(jīng)常出現(xiàn)所謂的可靠性問題，例如圖像殘留，即當(dāng)顯示器已經(jīng)工作了一段較長(zhǎng)時(shí)間時(shí)可看到的圖像“燒糊(Einbrennen)”現(xiàn)象。
該問題經(jīng)常在電視機(jī)較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行時(shí)間后才發(fā)生。原因常被認(rèn)為是長(zhǎng)時(shí)間的所謂背光照射，同時(shí)還有提高的工作溫度，這能導(dǎo)致在顯示器中仍然不清楚的過程，例如導(dǎo)致取向?qū)雍鸵壕Щ旌衔镏g的相互作用。就液晶混合物而言，圖像殘留問題出現(xiàn)的原因被認(rèn)為是經(jīng)常使用的中性烯基化合物。


發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)在于提供液晶混合物，特別是用于監(jiān)視器和TV應(yīng)用的液晶混合物，其基于ECB效應(yīng)或IPS或FFS效應(yīng)，它不具有上面提及的缺點(diǎn)或僅在最小程度上具有。特別是，對(duì)于監(jiān)視器和電視機(jī)，必須確保它們即使在非常高和非常低溫下也能工作并且同時(shí)具有短時(shí)間響應(yīng)以及同時(shí)具有改善的可靠性特性，特別是在長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間后不具有或者具有顯著降低的圖像殘留。
令人驚訝地，現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)若在這些顯示器元件中使用包含至少一種選自式IA、IB和IC化合物的化合物的向列型液晶混合物，則該目標(biāo)能得以實(shí)現(xiàn)。
所述的式IA、IB和IC的化合物的特征在于，在鏈烯基側(cè)鏈中雙鍵不在末端。
式IA的化合物是已知的，例如公開于EP 0168683B1和EP 0122389B1中。式IB的化合物是已知的，例如公開于EP 0969071B1中。式IC的化合物是已知的，例如公開于EP 0969071B1中。
本發(fā)明因此涉及基于包含至少一種選自式IA、IB、IC化合物的化合物的極性化合物混合物的液晶介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的混合物優(yōu)選顯示出具有≥60℃、優(yōu)選≥65℃、特別是≥70℃的清亮點(diǎn)的非常寬的向列相范圍，非常有利的電容性閾值，相對(duì)高的保持比和同時(shí)在-30℃和-40℃下非常好的低溫穩(wěn)定性以及非常低的旋轉(zhuǎn)粘度和短的響應(yīng)時(shí)間。根據(jù)本發(fā)明的混合物的特征還在于，除了旋轉(zhuǎn)粘度γ1的改進(jìn)外，能觀察到為了改進(jìn)響應(yīng)時(shí)間的彈性常數(shù)K33的增大，且顯示出改善的可靠性特性。
如下給出根據(jù)本發(fā)明的混合物的一些優(yōu)選實(shí)施方案 a)式IA、IB和IC中的R1A、R1B、R2B和R1C優(yōu)選表示直鏈烷基，特別是C2H5、n-C3H7、n-C4H9，還有n-C5H11、n-C6H13。
R2A和R2C優(yōu)選表示烷基或烷氧基，特別是CH3，n-C3H7，n-C5H11，還有C2H5、n-C4H9。
式IA、IB和IC的化合物中的鏈烯基側(cè)鏈優(yōu)選以E構(gòu)型存在。
b)包括一種、兩種、三種、四種或更多種，優(yōu)選一種、兩種或三種式IA、IB和/或IC的化合物的液晶介質(zhì)。
c)液晶介質(zhì)，其中在整個(gè)混合物中式IA的化合物的比例是≥5重量％，優(yōu)選至少10重量％，特別優(yōu)選≥15重量％。
若存在，在整個(gè)混合物中式IB的化合物的比例優(yōu)選是≥5重量％，特別是≥10重量％，非常特別優(yōu)選≥20重量％。
若存在，在整個(gè)混合物中式IC的化合物的比例優(yōu)選是≥2重量％，特別是≥4重量％，非常特別優(yōu)選≥5重量％。
根據(jù)本發(fā)明的混合物中式IA、IB和/或IC的化合物的總比例優(yōu)選為≥5重量％，特別是≥10重量％和非常特別優(yōu)選≥15重量％。
d)優(yōu)選的式IA、IB和IC的化合物是下式的化合物

特別優(yōu)選的化合物是式IA-1和IC-1的化合物。
非常特別優(yōu)選的式IA的化合物是化合物

優(yōu)選的混合物包含下式的化合物
與下式化合物的組合，
且優(yōu)選分別以5-15重量％的濃度。
優(yōu)選的混合物包含下式的化合物
與下式化合物的組合，
且優(yōu)選分別以5-15重量％的濃度。
e)還包含一種或多種式IIA和/或IIB的化合物的液晶介質(zhì)，

其中 R2表示H，具有不超過15個(gè)C原子的烷基，其為未取代的、由CN或CF3單取代的或由鹵素至少單取代的，其中在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2-基團(tuán)也可被-O-、-S-、

-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以使得O原子不直接彼此相連接的方式代替， L1-4各自彼此獨(dú)立地表示F或Cl， Z2和Z2′各自彼此獨(dú)立地表示單鍵、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CH＝CHCH2O-， p表示1或2，和 v表示1到6。
在式IIA和IIB的化合物中，Z2可具有相同或不同的含義。
在式IIA和IIB的化合物中，R2優(yōu)選表示具有1-6個(gè)C原子的烷基，特別是直鏈烷基，優(yōu)選CH3、C2H5、n-C3H7、n-C4H9、n-C5H11。
在式IIA和IIB的化合物中，L1、L2、L3和L4優(yōu)選表示L1＝L2＝F以及L3＝L4＝F，此外還有L1＝F和L2＝Cl、L1＝Cl和L2＝F。L3＝F和L4＝Cl、L3＝Cl和L4＝F。在式IIA和IIB中Z2和Z2′優(yōu)選各自彼此獨(dú)立地表示單鍵，以及-C2H4-橋。
若在式IIB中Z2＝-C2H4-，則Z2′優(yōu)選是單鍵，或者如果Z2′＝-C2H4-，則Z2優(yōu)選是單鍵。在式IIA和IIB的化合物中，(O)CvH2v+1優(yōu)選表示OCvH2v+1，以及CvH2v+1。
式IIA和IIB的優(yōu)選的化合物是如下提及的這些。





在式IIA和IIB的化合物中，R2在每種情況下優(yōu)選表示具有不超過6個(gè)C原子的直鏈烷基，特別是CH3、C2H5、n-C3H7、n-C4H9、n-C5H11。L1-4優(yōu)選分別表示F。
式IIA和/或IIB的化合物在整個(gè)混合物中的比例優(yōu)選是至少20重量％。
f)還包含一種或多種式III的化合物的液晶介質(zhì)
其中 R31和R32各自彼此獨(dú)立地表示具有不超過12個(gè)C原子的直鏈的烷基、烷氧基烷基或烷氧基，以及

表示

或

， Z3表示單鍵、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H8-、-CF＝CF-。
優(yōu)選的式III的化合物為如下提及的
其中 烷基和烷基*各自彼此獨(dú)立地表示具有1-6個(gè)C原子的直鏈烷基。
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包含至少一種式IIIa、式IIIb和/或式IIId的化合物。
式III的化合物在整個(gè)混合物中的比例優(yōu)選是至少5重量％。
g)包含式

和/或

和/或

的化合物的液晶介質(zhì)，優(yōu)選以＜20重量％、特別是＜10重量％的總含量。
進(jìn)一步優(yōu)選本發(fā)明的混合物包含化合物
h)還包含一種或多種下式的四環(huán)化合物的液晶介質(zhì)
其中 R7-10各自彼此獨(dú)立地具有權(quán)利要求2中對(duì)于R2指明的含義之一，以及 w和x各自彼此獨(dú)立地表示1到6。
i)還包含一種或多種式Y(jié)-1到Y(jié)-6的化合物的液晶介質(zhì)

其中R13-R18各自彼此獨(dú)立地表示具有1-6個(gè)C原子的烷基或烷氧基；z和m各自彼此獨(dú)立地表示1-6；x表示0、1、2或3。
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)特別優(yōu)選以≥5重量％的量包含一種或多種式Y(jié)-1到Y(jié)-6的化合物。
j)還包含一種或多種下式的化合物的液晶介質(zhì)，
優(yōu)選以＞3重量％、特別≥5重量％以及非常特別優(yōu)選5-25重量％的量含有， 其中 R19表示具有1-7個(gè)C原子的烷基或烷氧基。
k)還包含一種或多種式T-1到T-21的氟化三聯(lián)苯的液晶介質(zhì)，


其中 R表示具有1-7個(gè)C原子的直鏈烷基或烷氧基，以及m是1-6。
R優(yōu)選表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選以2-30重量％，特別是5-20重量％的量包含式T-1到T-21的三聯(lián)苯。
特別優(yōu)選式T-1、T-2、T-3和T-21的化合物。在這些化合物中，R優(yōu)選表示烷基，以及烷氧基，均具有1-5個(gè)C原子。
根據(jù)本發(fā)明特別優(yōu)選的介質(zhì)包含下式的化合物
其中烷基和烷基*具有如上所述的含義。
若希望混合物的Δn值≥0.1，優(yōu)選將三聯(lián)苯用于本發(fā)明的混合物中。優(yōu)選的混合物包含2-20重量％的一種或多種選自化合物T-1到T-21的三聯(lián)苯化合物。
I)還包含一種或多種式B-1到B-3的聯(lián)苯的液晶介質(zhì)
其中 烷基和烷基*各自彼此獨(dú)立地表示具有1-6個(gè)C原子的直鏈烷基，和 鏈烯基和鏈烯基*各自彼此獨(dú)立地表示具有2-6個(gè)C原子的直鏈鏈烯基。
式B-1到B-3的聯(lián)苯在整個(gè)混合物中的比例優(yōu)選是至少3重量％，特別是≥5重量％。
式B-1到B-3的化合物中，式B-2的化合物是特別優(yōu)選的。
特別優(yōu)選的聯(lián)苯是
其中烷基*表示具有1-6個(gè)C原子的烷基。根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)特別優(yōu)選包含一種或多種式B-1a和/或B-2c的化合物。
m)包含至少一種式Z-1到Z-7的化合物的液晶介質(zhì)，
其中R和烷基具有如上所述的含義。
n)包含至少一種式O-1到O-15的化合物的液晶介質(zhì)，

其中R1和R2具有對(duì)于R2A指明的含義，優(yōu)選R1和R2各自彼此獨(dú)立地表示直鏈烷基。
優(yōu)選的介質(zhì)包含一種或多種式O-1、O-3、O-4、O-9、O-13、O-14和/或O-15的化合物。
o)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的液晶介質(zhì)包含一種或多種具有四氫萘基或萘基單元的物質(zhì)，如式N-1到N-5的化合物，
其中R1N和R2N各自彼此獨(dú)立地具有對(duì)于R2A指明的含義，優(yōu)選表示直鏈烷基、直鏈烷氧基或直鏈鏈烯基以及Z1和Z2各自彼此獨(dú)立地表示 -C2H4-、-CH＝CH-、-(CH2)4-、-(CH2)3O-、-O(CH2)3-、-CH＝CHCH2CH2-、-CH2CH2CH＝CH-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF2O-、-OCF2、-CH2-或單鍵。
p)優(yōu)選的混合物包含一種或多種選自式BC的二氟二苯并色滿化合物、式CR的色滿、式PH-1和PH-2的氟化菲、式BF的氟化二苯并呋喃的化合物，
其中 RB1、RB2、RCR1、RCR2、R1、R2各自彼此獨(dú)立地具有R2A的含義。c是0、1或2。根據(jù)本發(fā)明的混合物優(yōu)選以3到20重量％的量、特別是3到15重量％的量包含式BC、CR、PH-1、PH-2和/或BF的化合物。
特別優(yōu)選的式BC和CR的化合物是化合物BC-1到BC-7以及CR-1到CR-5，


其中 烷基和烷基*各自彼此獨(dú)立地表示具有1-6個(gè)C原子的直鏈烷基，和 鏈烯基和鏈烯基*各自彼此獨(dú)立地表示具有2-6個(gè)C原子的直鏈鏈烯基。
非常特別優(yōu)選包含一種、兩種或三種式BC-2的化合物的混合物。
q)優(yōu)選的化合物包含一種或多種式In的茚滿化合物，
其中 R11、R12、R13表示具有1-5個(gè)C原子的直鏈烷基或烷氧基、烷氧基烷基、鏈烯基， R12和R13還表示鹵素，優(yōu)選F，
i表示0、1或2。
優(yōu)選的式In的化合物是如下式In-1到In-16的化合物


特別優(yōu)選的是式In-1、In-2、In-3的化合物。
式In和子式In-1到In-16的化合物優(yōu)選以≥5重量％、特別是5-30重量％和非常特別優(yōu)選5-25重量％的濃度用于根據(jù)本發(fā)明的混合物中。
r)優(yōu)選的混合物包含一種或多種式L-1到L-11的化合物，
其中 R、R1和R2各自彼此獨(dú)立地具有權(quán)利要求1中對(duì)于R2A指明的含義，以及烷基表示具有1-6個(gè)C原子的烷基。S表示1或2。
特別優(yōu)選的是式L-1和L-4的化合物。
式L-1到L-10的化合物優(yōu)選以5-50重量％、特別是5-40重量％以及非常特別優(yōu)選10-40重量％的濃度使用。
本發(fā)明進(jìn)一步涉及具有基于ECB、IPS或FFS效應(yīng)的有源矩陣尋址的電光顯示器，其特征在于，其包含根據(jù)權(quán)利要求1到9的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的液晶介質(zhì)作為電介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)優(yōu)選具有從≤-20℃到≥70℃，特別優(yōu)選從≤-30℃到≥80℃，非常特別優(yōu)選從≤-40℃到≥90℃的向列相。
此處的術(shù)語(yǔ)“具有向列相”指的是一方面在相應(yīng)溫度的低溫下觀察不到近晶相和結(jié)晶，且另一方面，在由向列相加熱時(shí)仍不出現(xiàn)澄清

低溫下的檢測(cè)在流量式粘度計(jì)中在相應(yīng)溫度下進(jìn)行以及通過在具有相當(dāng)于電光應(yīng)用的層厚度的測(cè)試盒中存儲(chǔ)而檢測(cè)至少100小時(shí)。若在相應(yīng)測(cè)試盒中在-20℃的溫度下儲(chǔ)存穩(wěn)定性為1000h或更高，則該介質(zhì)被認(rèn)為在此溫度下是穩(wěn)定的。在-30℃或-40℃的溫度下，相應(yīng)的時(shí)間分別是500h和250h。高溫下，清亮點(diǎn)在毛細(xì)管中通過常規(guī)方法來(lái)測(cè)量。
液晶混合物優(yōu)選具有至少60K的向列相范圍和在20℃下最多30mm2·s-1的流動(dòng)粘度v20。
在液晶混合物中雙折射率Δn的值通常在0.07和0.16之間，優(yōu)選在0.08和0.12之間。
根據(jù)本發(fā)明的液晶混合物具有從-0.5到-8.0的Δε，特別是從-3.0到-6.0，其中Δε表示介電各向異性。在20℃下的旋轉(zhuǎn)粘度γ1優(yōu)選≤165mPa·s，特別是≤140mPa·s。
根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)具有相對(duì)低的閾值電壓(V0)數(shù)值。它們優(yōu)選在1.7V到3.0V的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選≤2.75V以及特別優(yōu)選≤2.4V。
對(duì)于本發(fā)明，除非另有明確說(shuō)明，術(shù)語(yǔ)“閾值電壓”涉及電容性閾值(V0)，亦稱Freedericksz-閾值。
另外，根據(jù)本發(fā)明的液晶介質(zhì)在液晶盒中具有高的電壓保持比數(shù)值，特別是在承受顯示器背光之后。
通常，在此，具有低控制電壓或閾值電壓的液晶介質(zhì)顯示出比那些具有較大控制電壓或閾值電壓的液晶介質(zhì)更低的電壓保持比，反之亦然。
對(duì)于本發(fā)明，術(shù)語(yǔ)“正介電化合物”表示具有Δε＞1.5的那些化合物，術(shù)語(yǔ)“介電中性化合物”表示具有-1.5≤Δε≤1.5的那些，以及術(shù)語(yǔ)“負(fù)介電化合物”指的是具有Δε＜-1.5的那些。此處，化合物的介電各向異性通過將10％的化合物溶解在液晶基質(zhì)(Host)中并由得到的混合物測(cè)定在至少每種情況下一個(gè)測(cè)試盒中的電容而確定，所述測(cè)試盒具有20μm的層厚，在1kHz下具有垂面的和具有均勻的表面取向。測(cè)量電壓一般為0.5V到1.0V，但總低于各個(gè)受試的液晶混合物的電容性閾值。
作為正介電和介電中性化合物的基質(zhì)混合物使用ZLI-4792以及對(duì)于負(fù)介電化合物的基質(zhì)混合物使用ZLI-2857，二者來(lái)自Merck KGaA，德國(guó)。要試驗(yàn)的各種化合物的值由在將待試驗(yàn)的化合物加入后基質(zhì)混合物的介電常數(shù)的變化并外推到100％的所用化合物而獲得。將10％的要試驗(yàn)的化合物溶于基質(zhì)混合物中。若為此的物質(zhì)的溶解性太低，則將濃度逐步減半，直到該試驗(yàn)?zāi)茉谒谕臏囟认逻M(jìn)行。
本發(fā)明中指明的所有溫度值均以℃計(jì)。
電壓保持比在Merck KGaA生產(chǎn)的測(cè)試盒中測(cè)定。測(cè)量盒具有鈉鈣玻璃(Sodalime Glas)基材以及具有聚酰亞胺取向?qū)?Polyimid AL60702來(lái)自JSR公司)。層厚度均一地為6.0μm。透明的ITO電極的面積是1cm2。
根據(jù)本發(fā)明的混合物適于所有VA-TFT應(yīng)用，例如VAN、MVA、(S)-PVA和ASV。它們還適于負(fù)Δε的IPS(面內(nèi)切換)、FFS(邊緣場(chǎng)切換)和PALC應(yīng)用。
在根據(jù)本發(fā)明的顯示器中的向列型液晶混合物通常包括兩種組分A和B，其本身由一種或多種單一化合物組成。
組分A具有顯著的負(fù)介電各向異性并賦予向列相以≤-0.5的介電各向異性。除了一種或多種式IA、IB和/或IC的化合物外，其優(yōu)選包括式IIA和/或IIB的化合物，以及式III的化合物。
組分A的比例優(yōu)選在45和100％之間，特別是在60和100％之間。
對(duì)于組分A，優(yōu)選選擇一種(或多種)具有Δε≤-0.8的值的單一化合物。該值必須越負(fù)，則A在整個(gè)混合物中的比例越小。
組分B有顯著的向列性(

)和在20℃下不大于30mm2·s-1，優(yōu)選不大于25mm2·s-1的流動(dòng)粘度。
組分B的特別優(yōu)選的單一化合物是具有在20℃下不大于18，優(yōu)選不大于12mm2·s-1的流動(dòng)粘度的極低粘度向列型液晶。
組分B是單變性或互變性向列型的，不具有近晶相，且能在降至非常低的溫度下防止在液晶混合物中出現(xiàn)近晶相。例如，若將高向列性的各種材料加入近晶液晶混合物中，則這些材料的向列性能通過獲得的近晶相抑制程度來(lái)比較。
許多合適的材料是本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員從文獻(xiàn)中已知的。特別優(yōu)選的是式III的化合物。
此外，這些液晶相還可包括大于18種組分，優(yōu)選18到25種組分。
該相優(yōu)選包含4到15、特別是5到12，以及特別優(yōu)選＜10種式IA、IB和/或IC的化合物和式IIA和/或IIB和任選III的化合物。
除了式IA、IB、IC的化合物和式IIA和/或IIB和任選地III的化合物外，還可添加其它成分，例如以直至整個(gè)混合物的45重量％、但優(yōu)選直至35％、特別是直至10％的量。
其它成分優(yōu)選選自向列型或向列性(nematogenen)物質(zhì)，特別是已知物質(zhì)，選自氧化偶氮苯、亞芐基苯胺、聯(lián)苯、三聯(lián)苯、苯基或環(huán)己基苯甲酸酯、環(huán)己烷羧酸苯基或環(huán)己基酯、苯基環(huán)己烷、環(huán)己基聯(lián)苯、環(huán)己基環(huán)己烷、環(huán)己基萘、1，4-雙環(huán)己基聯(lián)苯或環(huán)己基嘧啶、苯基-或環(huán)己基二噁烷、任選鹵化的二苯乙烯(Stilbenen)、苯甲基苯基醚、二苯乙炔和取代的肉桂酸酯類。
適于作為這類液晶相的成分的最重要的化合物可以由式IV表征， R9-L-G-E-R10IV 其中L和E各自表示選自由1，4-二取代的苯和環(huán)己烷環(huán)，4，4′-二取代的聯(lián)苯，苯基環(huán)己烷和環(huán)己基環(huán)己烷體系，2，5-二取代的嘧啶和1，3-二噁烷環(huán)，2，6-二取代的萘，二-和四氫化萘，喹唑啉和四氫化喹唑啉組成的組的碳環(huán)或雜環(huán)體系， G表示-CH＝CH- -N(O)＝N--CH＝CQ- -CH＝N(O)--C≡C--CH2-CH2--CO-O--CH2-O--CO-S--CH2-S--CH＝N- -COO-Phe-COO--CF2O--CF＝CF--OCF2--OCH2--(CH2)4- -(CH2)3O- 或C-C單鍵，Q表示鹵素，優(yōu)選氯或-CN，以及R9和R10各自表示具有直至18、優(yōu)選直至8個(gè)C原子的烷基、鏈烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰基氧基，或者這些基團(tuán)中的一個(gè)也表示CN、NC、NO2、NCS、CF3、SF5、OCF3、F、Cl或Br。
這些化合物的大多數(shù)中，R9和R10彼此不同，這些基團(tuán)中的一個(gè)通常是烷基或烷氧基。建議的取代基的其它變化形式也是常用的。許多這樣的物質(zhì)及其混合物是可商購(gòu)獲得的。所有這些物質(zhì)可通過文獻(xiàn)中已知的方法制備。
對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)不言而喻的是，根據(jù)本發(fā)明的VA、IPS、FFS或PALC混合物也可以包含其中例如H、N、O、Cl、F已經(jīng)被相應(yīng)同位素代替的化合物。
還可將例如公開在U.S.6,861,107中的可聚合化合物，所謂的反應(yīng)性介晶(RMs)以基于混合物優(yōu)選0.12-5重量％，特別優(yōu)選0.2-2％的濃度加入到根據(jù)本發(fā)明的混合物。這類混合物可用于所謂的聚合物穩(wěn)定的VA-模式，其中反應(yīng)性介晶的聚合應(yīng)在液晶混合物中進(jìn)行。其前提是，液晶混合物本身不包含任何可聚合的組分。
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)相應(yīng)于通常的幾何結(jié)構(gòu)，如描述在例如EP-OS 0240379中的那樣。
以下實(shí)施例用于解釋發(fā)明而非限制它。上文和下文中，百分比數(shù)據(jù)表示重量百分比；所有溫度以攝氏溫度表示。
除了式IIA和/或IIB的化合物和一種或多種選自式IB、IC和ID的化合物的化合物外，根據(jù)本發(fā)明的混合物優(yōu)選包含一種或多種下面指出的化合物。
使用以下縮寫 (n、m、z各自彼此獨(dú)立地，1、2、3、4、5或6) (O)CmH2m+1表示OCmH2m+1或CmH2m+1)











能按照本發(fā)明使用的液晶混合物以本身常規(guī)的方式制備。通常，將期望量的以較少數(shù)量使用的組分溶于構(gòu)成主要組成部分的組分中，有利地在升高的溫度下。也可以混合組分在有機(jī)溶劑中，例如在丙酮、氯仿或甲醇中形成的溶液，并且在充分混合后，再例如通過蒸餾除去溶劑。
借助于合適的添加劑，根據(jù)本發(fā)明的液晶相能被改性，使得它們可用于迄今為止已經(jīng)公開的任何類型例如ECB-、VAN-、IPS-、GH-或ASM-VA-LCD顯示器。
所述電介質(zhì)中還可以添加所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的或描述在文獻(xiàn)中的添加劑，例如UV吸收劑、抗氧化劑、納米顆粒、自由基清除劑。例如可加入0-15％的多色性染料、穩(wěn)定劑或手性摻雜劑。
例如，可加入0-15％的多色性染料，還有傳導(dǎo)性鹽，優(yōu)選乙基二甲基十二烷基銨-4-己氧苯甲酸酯(-hexoxybenzoat)、四丁基銨四苯基硼氫化鹽(-boranat)或冠醚的絡(luò)合鹽(參見例如Haller等，Mol.Cryst.Liq.Cryst.第24卷，第249-258頁(yè)(1973))以改善傳導(dǎo)性，或者加入改變介電各向異性、粘度和/或向列相取向的物質(zhì)。這類物質(zhì)描述在例如DE-OS 2209127、2240864、2321632、2338281、2450088、2637430和2853728中。
表A顯示了能加入根據(jù)本發(fā)明的混合物中的可能的摻雜劑。若該混合物包含摻雜劑，則它以0.01-4重量％、優(yōu)選0.1-1.0重量％的量使用。
表A

下文的表B中列出了可以例如基于混合物總量計(jì)多至10重量％、優(yōu)選0.01到6重量％、特別是0.1到3重量％的量加入本發(fā)明混合物中的穩(wěn)定劑。
表B




以下的實(shí)施例用來(lái)闡述本發(fā)明而不是限制它。上下文中， V0 表示閾值電壓，電容性的[V]在20℃下， Δn 表示在20℃和589nm下的光學(xué)各向異性， Δε 表示在20℃和1kHz下的介電各向異性， cp. 表示清亮點(diǎn)[℃]， K1 表示彈性常數(shù)，在20℃下的“斜面”變形，[pN]， K3 表示彈性常數(shù)，在20℃下的“彎曲”變形，[pN]， γ1 表示在20℃下測(cè)得的旋轉(zhuǎn)粘度[mPa·s]，通過旋轉(zhuǎn)方法在磁場(chǎng)中測(cè)得 LTS 表示低溫穩(wěn)定性(向列相)，在測(cè)試盒中測(cè)定， VHR(20) 表示在20℃下的電壓保持比[％] VHR(100) 表示在100℃下5分鐘后的電壓保持比[％] VHR(BL) 表示承受背光*后的電壓保持比[％] VHR(100，BL) 表示承受背光*后和在100℃下5分鐘后的電壓保持比[％] *商購(gòu)的CCFL(冷陰極熒光燈)背光 用于測(cè)量閾值電壓的顯示器具有以20μm間距的兩個(gè)平面平行的載體板，和電極層并且在載體板的內(nèi)側(cè)面上具有置于其上的SE-1211(Nissan Chemicals)的取向?qū)?，其起到使液晶垂面取向的作用?br> 在本申請(qǐng)中所有濃度涉及的是對(duì)應(yīng)的混合物或混合物成分，除非另有明確說(shuō)明。所有物理性質(zhì)按照“Merck Liquid Crystals，PhysicalProperties of Liquid Crystals”，Status 1997年11月，Merck KGaA，德國(guó)測(cè)定并適用于20℃的溫度，除非另有明確說(shuō)明。
混合物實(shí)施例 實(shí)施例1 CY-3-O4 9,60％ 清亮點(diǎn)[℃]63 CY-5-O4 9,60％ Δn[589nm，20℃] 0,0762 CCY-2-O2 9,60％ Δε[1kHz，20℃] -3,0 CCY-3-O2 9,60％ γ1[mPa·s，20℃] 112 CCY-5-O2 6,40％ CCY-2-1 9,60％ CCY-3-1 6,40％ CC-5-V6,40％ PCH-5312,80％ CC-1-V3 20,00％ 實(shí)施例2 CY-3-O4 9,60％ 清亮點(diǎn)[℃]78 CY-5-O4 9,60％ Δn[589nm，20℃] 0,0820 CCY-2-O2 9,60％ Δε[1kHz，20℃] -3,1 CCY-3-O2 9,60％ γ1[mPa·s，20℃] 140 CCY-5-O2 6,40％ CCY-2-1 9,60％ CCY-3-1 6,40％ CC-5-V6,40％ PCH-5312,80％ CC-5-V3 20,00％ 實(shí)施例3 CY-3-O49,60％ 清亮點(diǎn)[℃]75 CY-5-O49,60％ Δn[589nm，20℃] 0,0780 CCY-2-O2 9,60％ Δε[1kHz，20℃] -3,3 CCY-3-O2 9,60％ γ1[mPa·s，20℃] 125 CCY-5-O2 6,40％ CCY-2-19,60％ CCY-3-16,40％ CC-5-V 6,40％ PCH-53 12,80％ CC-4-V220,00％ 實(shí)施例4 CY-3-O215,00％ 清亮點(diǎn)[℃]79,5 CY-5-O214,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0829 CCY-3-O2 10,00％ ε||[1kHz，20℃] 3,5 CCY-3-O3 10,00％ ε⊥[1kHz，20℃] 7,3 CCY-4-O2 5,00％ Δε[1kHz，20℃] -3,7 CPY-3-O2 8,00％ K1[pN，20℃] 14,7 CC-3-V110,00％ K3[pN，20℃] 15,4 CCH-34 10,00％ K1/K3[20℃] 1,05 CCH-35 3,00％ V0[V，20℃] 2,14 CCH-3015,00％ γ1[mPa·s，20℃] 114 CC-4-V2 10,00％ LTS盒-20℃ ＞1000h LTS盒-30℃ ＞1000h LTS塊-20℃ ＞1000h 實(shí)施例5 CY-3-O213,00％ 清亮點(diǎn)[℃]80 CY-5-O212,00％ Δn[589nm，20℃] 0,035 CCY-3-O2 10,00％ ε||[1kHz，20℃] 3,5 CCY-3-O3 11,00％ ε⊥[1kHz，20℃] 7,2 CCY-4-O2 8,00％ Δε[1kHz，20℃] -3,7 CPY-3-O2 8,00％ K1[pN，20℃] 15,0 CC-3-V110,00％ K3[pN，20℃] 16,1 CCH-34 10,00％ K1/K3[20℃] 1,07 CCH-35 3,00％ V0[V，20℃] 2,20 CCH-3015,00％ γ1[mPa·s，20℃] 119 CC-1-V310,00％ LTS盒-20℃ ＞1000h LTS塊-20℃ ＞1000h 實(shí)施例6 CY-3-O21 5,00％ 清亮點(diǎn)[℃] 80 CY-5-O21 5,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0821 CCY-3-O2 10,00％ ε||[1kHz，20℃] 3,5 CCY-3-O3 10,00％ ε⊥[1kHz，20℃] 7,3 CCY-4-O2 6,00％ Δε[1kHz，20℃] -3,8 CPY-3-O2 6,00％ K1[pN，20℃] 15,3 CC-3-V110,00％ K3[pN，20℃] 16,2 CCH-34 10,00％ K1/K3[20℃]1,06 CCH-35 3,00％ V0[V，20℃]2,19 CCH-3015,00％ γ1[mPa·s，20℃] 120 CC-5-V310,00％ LTS盒-20℃ ＞1000h 實(shí)施例7 CY-3-O213,00％ 清亮點(diǎn)[℃]79,5 CY-5-O214,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0835 CCY-3-O2 10,00％ ε||[1kHz，20℃] 3,5 CCY-3-O3 10,00％ ε⊥[1kHz，20℃] 7,2 CCY-4-O2 6,00％ Δε[1kHz，20℃] -3,7 CPY-3-O2 9,00％ K1[pN，20℃] 14,7 CC-3-V110,00％ K3[pN，20℃] 15,4 CCH-34 10,00％ K1/K3[20℃] 1,05 CCH-35 3,00％ V0[V，20℃] 2,16 CCH-3015,00％ γ1[mPa·s，20℃] 1000 CC-2-V310,00％ LTS盒-20℃ ＞1000h LTS盒-30℃ ＞1000h LTS盒-40℃ ＞1000h LTS塊-20℃ ＞1000h 實(shí)施例8 CY-3-O218,00％ 清亮點(diǎn)[℃]80 CY-5-O210,00％ Δn[589nm，20℃]0,0837 CCY-3-O2 10,00％ ε||[589nm，20℃] 4,6 CCY-3-O3 10,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,9 CCY-4-O2 6,00％ Δε[589nm，20℃] -2,3 CPY-3-O2 8,00％ K1[pN，20℃] 16,5 CC-3-V110,00％ K3[pN，20℃] 15,3 CCH-34 10,00％ K1/K3[20℃] 0,93 CCH-35 3,00％ V0[V，20℃] 2,74 CCH-3015,00％ γ1[mPa·s，20℃] 118 CC-3-V210,00％ LTS盒-20℃＞1000h LTS塊-20℃＞1000h 實(shí)施例9 CY-3-O214,00％ 清亮點(diǎn)[℃]79 CY-5-O215,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0830 CCY-3-O2 10,00％ ε||[589nm，20℃] 3,5 CCY-3-O3 10,00％ ε⊥[589nm，20℃] 7,1 CCY-4-O2 4,00％ Δε[589nm，20℃] -3,6 CPY-3-O2 8,00％ K1[pN，20℃] 14,7 CC-3-V110,00％ K3[pN，20℃] 15,7 CCH-34 10,00％ K1/K3[20℃] 1,07 CCH-35 4,00％ V0[V，20℃] 2,19 CCH-3015,00％ γ1[mPa·s，20℃] 109 CC-2V-V2 10,00％ LTS盒-20℃ ＞1000h LTS盒-30℃ ＞1000h 實(shí)施例10 CY-3-O410,00％ 清亮點(diǎn)[℃]79 CY-5-O215,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0940 CCY-3-O3 8,00％ ε||[589nm，20℃] 3,3 PYP-2-37,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,3 CLY-2-O4 6,00％ Δε[589nm，20℃] -3,0 CLY-3-O2 6,00％ K1[pN，20℃] 15,8 CLY-3-O3 6,00％ K3[pN，20℃] 14,2 CC-3-V111,00％ K1/K3[20℃] 0,90 CCP-31 6,00％ V0[V，20℃] 2,30 CC-4-V213,00％ γ1[mPa·s，20℃] 118 CCH-34 6,00％ PCH-53 6,00％ 實(shí)施例11 CY-3-O410,00％ 清亮點(diǎn)[℃]80 CY-5-O215,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0847 CCY-3-O3 8,00％ ε||[589nm，20℃] 3,4 CCY-4-O2 6,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,4 CPY-2-O2 8,00％ Δε[589nm，20℃] -3,1 CPY-3-O2 8,00％ K1[pN，20℃] 15,0 PYP-2-33,00％ K3[pN，20℃] 14,2 CC-3-V112,00％ K1/K3[20℃] 0,95 CCP-31 5,00％ V0[V，20℃] 2,26 CC-4-V215,00％ γ1[mPa·s，20℃] 120 CCH-34 5,00％ LTS盒-20℃ ＞1000h PCH-53 5,00％ LTS盒-30℃ ＞1000h LTS盒-40℃ ＞1000h LTS塊-20℃ ＞1000h 實(shí)施例12 CY-3-O4 14,00％ 清亮點(diǎn)[℃]80,5 CY-5-O2 14,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0937 CCY-3-O38,00％ ε||[589nm，20℃] 3,4 CCY-4-O23,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,5 CPY-2-O29,00％ Δε[589nm，20℃] -3,1 CPY-3-O28,00％ K1[pN，20℃] 14,7 CC-3-V1 10,00％ K3[pN，20℃] 14,5 CCP-2V-112,00％ K1/K3[20℃] 0,99 CC-4-V2 10,00％ V0[V，20℃] 2,29 CCH-34 6,00％ γ1[mPa·s，20℃] 126 PCH-53 6,00％ LTS盒-20℃ ＞1000h LTS盒-30℃ ＞1000h LTS盒-40℃ ＞1000h 實(shí)施例13 CY-3-O427,00％ 清亮點(diǎn)[℃]81 CY-5-O28,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0945 CCY-3-O3 4,00％ ε||[589nm，20℃] 3,4 CPY-2-O2 8,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,6 CPY-3-O2 9,00％ Δε[589nm，20℃] -3,2 CC-3-V19,00％ K1[pN，20℃] 15,1 CCP-2V-1 10,00％ K3[pN，20℃] 15,5 CCP-3V-1 9,00％ K1/K3[20℃] 1,03 CCH-34 12,00％ V0[V，20℃] 2,32 PCH-53 4,00％ γ1[mPa·s，20℃] 132 LTS盒-20℃ ＞1000h LTS盒-30℃ ＞1000h LTS塊-20℃ ＞1000h 實(shí)施例14 CY-3-O420,00％ 清亮點(diǎn)[℃]80,5 CY-5-O211,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0938 CCY-3-O3 5,00％ ε||[589nm，20℃] 3,4 CPY-2-O2 10,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,5 CPY-3-O2 10,00％ Δε[589nm，20℃] -3,1 CC-3-V110,00％ K1[pN，20℃] 15,0 CCP-3V-1 12,00％ K3[pN，20℃] 14,4 CC-4-V212,00％ K1/K3[20℃] 0,96 CCH-34 10,00％ V0[V，20℃] 2,27 γ1[mPa·s，20℃] 121 LTS盒-20℃ ＞1000h 實(shí)施例15 CY-3-O4 18,00％ 清亮點(diǎn)[℃]79,5 CY-5-O2 10,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0977 CCY-3-O3 8,00％ ε||[589nm，20℃] 3,4 CPY-2-O2 10,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,5 CPY-3-O2 10,00％ Δε[589nm，20℃] -3,1 CC-3-V1 11,00％ K1[pN，20℃] 14,6 CCP-1V-1 12,00％ K3[pN，20℃] 15,8 CC-4-V2 8,00％ K1/K3[20℃] 1,08 CCH-346,00％ V0[V，20℃] 2,37 PCH-537,00％ γ1[mPa·s，20℃] 127 LTS盒-20℃ ＞1000h VHR(100，BL) LTS盒-30℃ ＞1000h 0h96,7％ LTS盒-40℃ ＞1000h 168h 88,0％ LTS塊-20℃ ＞1000h 500h 77,9％ 對(duì)比實(shí)施例1 CY-3-O4 30,00％ 清亮點(diǎn)[℃]80 CY-5-O4 5,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0946 CCY-3-O3 4,00％ ε||[589nm，20℃] 3,4 CPY-2-O2 8,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,5 CPY-3-O2 8,00％ Δε[589nm，20℃] -3,1 CC-3-V1 10,00％ K1[pN，20℃] 14,2 CCP-V-1 12,00％ K3[pN，20℃] 15,2 CCP-V2-1 12,00％ K1/K3[20℃] 1,07 CCH-3411,00％ V0[V，20℃] 2,33 γ1[mPa·s，20℃] 127 VHR(100，BL) LTS塊-30℃ 384 0h98,3％ 168h 78,0％ 500h 67,7％ 實(shí)施例16 CY-3-O4 14,00％ 清亮點(diǎn)[℃]81,5 CY-5-O2 15,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0953 CCY-3-O3 8,00％ ε||[589nm，20℃] 3,4 CCY-4-O2 3,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,7 CPY-2-O2 9,00％ Δε[589nm，20℃] -3,3 CPY-3-O2 9,00％ K1[pN，20℃] 15,2 CC-3-V1 10,00％ K3[pN，20℃] 15,0 CCP-316,00％ K1/K3[20℃] 0,99 CCP-337,00％ V0[V，20℃] 2,26 CC-4-V2 10,00％ γ1[mPa·s，20℃] 135 CCH-344,00％ LTS盒-20℃ ＞1000h PCH-535,00％ LTS盒-30℃ ＞1000h LTS盒-40℃ ＞1000h VHR(100，BL) LTS塊-20℃ ＞1000h 0h97,0％ 168h 87,1％ 500h 74,5％ 實(shí)施例17 CY-3-O4 10,00％ 清亮點(diǎn)[℃]79,5 CY-5-O2 5,00％ Δn[589nm，20℃] 0,0949 CCY-3-O3 9,00％ ε||[589nm，20℃] 3,4 CCY-4-O2 8,00％ ε⊥[589nm，20℃] 6,7 CPY-2-O2 8,00％ Δε[589nm，20℃] -3.3 CPY-3-O2 7,00％ K1[pN，20℃]15,0 PYP-2-3 3,00％ K3[pN，20℃]14,4 CC-3-V1 11,00％ K1/K3[20℃] 0,96 CCP-315,00％ V0[V，20℃] 2,22 CC-4-V2 10,00％ γ1[mPa·s，20℃] 127 CCH-347,00％ LTS盒-20℃ ＞1000h PCH-537,00％ LTS盒-30℃ ＞1000h LTS盒-40℃ ＞1000h VHR(100，BL) LTS塊-20℃ ＞1000h 0h96,9％ 168h 88,8％ 500h 77,7％ 實(shí)施例18 CY-3-O412,00％ 清亮點(diǎn)[℃]74.5 CY-5-O412,00％ Δn[589nm，20℃] 0,084 CCY-2-O2 12,00％ Δε[1kHz，20℃] -4,0 CCY-3-O2 12,00％ CCY-5-O2 8,00％ CCY-2-112,00％ CCY-3-18,00％ CC-5-V 8,00％ PCH-53 16,00％ 每種情況下將20％的V18a-i中所提及的各個(gè)物質(zhì)中的一種插入到上述基質(zhì)中，并且在承受背光之后測(cè)量VHR(100)[％]
該表表明式IA、IB和IC的化合物在承受背光后在基質(zhì)中顯示出比參考物質(zhì)更高的電壓保持比。
權(quán)利要求
1.液晶介質(zhì)，其特征在于，其包含至少一種選自式IA、IB和IC化合物的化合物，
其中
R1A、R1B、R2B和R1C各自彼此獨(dú)立地表示具有2-6個(gè)C原子的烷基，
R2A和R2C各自彼此獨(dú)立地表示具有不超過6個(gè)C原子的未取代、由CN或CF3單取代或由鹵素至少單取代的烷基，其中，在這些基團(tuán)中一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)也可被-O-、-S-、
-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O(shè)原子不直接彼此連接的方式代替，且若L＝F，則R2C也可表示鹵素，優(yōu)選F或Cl，
L表示H或F，
m、n、o和p各自彼此獨(dú)立地表示0、1或2，
b表示0或1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶介質(zhì)，其特征在于，其另外包含一種或多種式IIA和/或IIB的化合物
其中
R2表示具有不超過15個(gè)C原子的，未取代的、由CN或CF3單取代的或由鹵素至少單取代的烷基或鏈烯基，其中在這些基團(tuán)中一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)也可被-O-、-S-、
-C≡C-、-CO-、-CO-O、-O-CO-或-O-CO-O-以使得O原子不直接彼此相連接的方式代替，
L1-4各自彼此獨(dú)立地表示F或Cl，
Z2和Z2′各自彼此獨(dú)立地表示單鍵、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CH＝CHCH2O-，
p表示1或2，和
v表示1到6。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的液晶介質(zhì)，其特征在于，其另外包含一種或多種式III的化合物
其中
R31和R32各自彼此獨(dú)立地表示具有不超過12個(gè)C原子的直鏈的烷基、烷氧基烷基或烷氧基，以及
表示
Z3表示單鍵、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-C4H9-、-CF＝CF-。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于，該介質(zhì)包含至少一種式IA-1到IC-3的化合物，
其中R2A、R2C和L具有權(quán)利要求1中指明的含義。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于，該介質(zhì)另外包含一種或多種下式的化合物
其中
R7-10各自彼此獨(dú)立地具有權(quán)利要求2中對(duì)于R2指明的含義之一，以及
w和x各自彼此獨(dú)立地表示1到6。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于，該介質(zhì)另外包含一種或多種式T-1到T-21的三聯(lián)苯，
其中
R表示具有1-7個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基，以及m表示1-6。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于，該介質(zhì)另外包含一種或多種式O-1到O-14的化合物，
其中R1和R2彼此獨(dú)立的具有權(quán)利要求1中對(duì)于R2A指明的含義。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于，該介質(zhì)另外包含一種或多種式In的茚滿化合物
其中
R11、R12、R13表示具有1-5個(gè)C原子的直鏈的烷基或烷氧基、烷氧基烷基、鏈烯基，
R12和R13另外表示鹵素，
表示
i表示0、1或2。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到8的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)，其特征在于，式IA、IB和/或IC的化合物在整個(gè)混合物中的比例為≥5重量％。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到9的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)的制備方法，其特征在于，將式IA、IB和IC的至少一種化合物與至少另一種液晶化合物混合，以及任選地將添加劑加入。
11.根據(jù)權(quán)利要求1到9的一項(xiàng)或多項(xiàng)的液晶介質(zhì)在電光顯示器中的用途。
12.具有有源矩陣尋址的電光顯示器，其特征在于，其包含根據(jù)權(quán)利要求1到9的一項(xiàng)或多項(xiàng)的介電液晶介質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的電光顯示器，其特征在于，它是ECB、PALC、FFS或IPS顯示器。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于極性化合物的混合物的負(fù)介電各向異性的液晶介質(zhì)，其包含至少一種選自式(IA)、(IB)和(IC)化合物的化合物，，其中R1A、R2A、R1B、R2B、R1C、R、L、m、n、o、p和b具有權(quán)利要求1中指明的含義，以及它用于有源矩陣顯示器的用途，特別是基于ECB、PALC、FFS或IPS效應(yīng)的。
文檔編號(hào)C09K19/44GK101796162SQ200880103053
公開日2010年8月4日 申請(qǐng)日期2008年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月15日
發(fā)明者M·科拉森-邁莫爾, M·布萊默, 樽見和明 申請(qǐng)人:默克專利股份有限公司