專利名稱：切割/芯片接合薄膜的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及將用于固著芯片狀工件(半導體芯片等)與電極構件的膠粘劑在切割 前附著在工件(半導體晶片等)上的狀態(tài)下供給工件切割的切割/芯片接合薄膜。
背景技術：
形成有電路圖案的半導體晶片(工件)，在根據(jù)需要通過背面研磨而調(diào)節(jié)厚度后， 切割為半導體芯片(芯片狀工件)(切割工序)。在切割工序中，為了除去切割層，一般在適 度的液壓(通常約2kg/cm2)下清洗半導體晶片。然后，將前述半導體芯片利用膠粘劑固著 到引線框等被粘物上(安裝工序)后，移至接合工序。在所述安裝工序中，將膠粘劑涂布到 引線框或半導體芯片上。但是，該方法中膠粘劑層的均勻化比較困難，另外膠粘劑的涂布需 要特殊裝置和長時間。因此，提出了在切割工序中膠粘保持半導體晶片并且還提供安裝工 序所需要的芯片固著用膠粘劑層的切割/芯片接合薄膜(例如，參考專利文獻1)。專利文獻1中記載的切割/芯片接合薄膜，在支撐基材上可剝離地設置有膠粘劑 層。即，在膠粘劑層的保持下切割半導體晶片后，拉伸支撐基材將半導體芯片與膠粘劑層一 起剝離，將其分別回收后通過該膠粘劑層固著到引線框等被粘物上。對于此種切割/芯片接合薄膜的膠粘劑層，希望具有對半導體晶片的良好保持力 和能夠將切割后的半導體芯片與膠粘劑層一體地從支撐基材上剝離的良好剝離性，以不產(chǎn) 生不能切割或尺寸誤差等問題。但是，使該兩種特性平衡決不是件容易的事。特別是像用 旋轉圓刀等切割半導體晶片的方式等，要求膠粘劑層具有大的保持力的情況下，難以得到 滿足上述特性的切割/芯片接合薄膜。因此，為了解決這樣的問題，提出了各種改良法(例如，參考專利文獻2)。在專利 文獻2中，提出了在支撐基材與膠粘劑層之間介有可紫外線固化的粘合劑層，將其切割后 進行紫外線固化，使粘合劑層與膠粘劑層之間的膠粘力下降，通過兩者間的剝離而容易地 拾取半導體芯片的方法。但是，即使通過該改良法，有時也難以得到使切割時的保持力與之后的剝離性良 好地平衡的切割/芯片接合薄膜。例如，在得到lOmmXIOmm以上的大型半導體芯片時，由 于其面積大，因此通過一般的芯片接合機不能容易地拾取半導體芯片。專利文獻1 日本特開昭60-57642號公報專利文獻2 日本特開平2-248064號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述問題而進行，其目的在于提供具備在基材上具有粘合劑層的切割 薄膜和設置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，所述切割/芯片接合 薄膜即使在半導體晶片為薄型的情況下，將該薄型工件切割時的保持力與將通過切割得到 的半導體芯片和該芯片接合薄膜一體地剝離時的剝離性的平衡特性也優(yōu)良。本發(fā)明人為了解決上述現(xiàn)有問題，對切割/芯片接合薄膜進行了研究。結果發(fā)現(xiàn)，
3切割薄膜中所含的多官能單體成分物質(zhì)擴散到芯片接合薄膜中，由此切割薄膜與芯片接合 薄膜的交界面消失，由此拾取性下降，并且完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，為了解決上述問題，具備在基材上具有粘合劑 層的切割薄膜和設置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層含有包 含作為主單體的丙烯酸酯、相對于丙烯酸酯含量在10 30摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和 相對于含羥基單體含量在70 90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯 化合物而構成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹脂而構成。本發(fā)明的切割薄膜中，由于使用丙烯酸酯作為主單體，因此可以實現(xiàn)剝離力的下 降，結果，可以實現(xiàn)良好的拾取性。另外，通過將含羥基單體的含量設定為10摩爾％以上， 抑制紫外線照射后的交聯(lián)不足。結果，例如可以防止切割時對粘貼在粘合劑層上的切割環(huán) 產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，通過使所述含量為30摩爾％以下，可以防止紫外線照射交聯(lián)過 度進行而難以剝離從而使拾取性下降。另外，本發(fā)明中，由于采用具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物代替多 官能單體，因此不會發(fā)生該多官能單體在芯片接合薄膜中物質(zhì)擴散的情況。結果，可以防止 切割薄膜與芯片接合薄膜的邊界面消失，可以實現(xiàn)更好的拾取性。前述構成中，所述丙烯酸酯優(yōu)選為CH2 = CHC00R(式中，R為碳原子數(shù)6 10的烷 基)。使用CH2 = CHC00R作為丙烯酸酯時，通過使用式中的烷基R的碳原子數(shù)為6 10的 范圍內(nèi)的丙烯酸酯，可以防止剝離力過大而使拾取性下降。所述含羥基單體優(yōu)選為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯 酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基) 丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯和 (甲基)丙烯酸_(4_羥甲基環(huán)己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。另外，所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，優(yōu)選為選自2-甲基丙 烯酰氧乙基異氰酸酯或者2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。另外，所述聚合物的重均分子量優(yōu)選在35萬至100萬的范圍內(nèi)。通過使重均分子 量為35萬以上，可以防止形成低分子量聚合物，由此，例如可以防止切割時從粘合劑層上 粘貼的切割環(huán)上產(chǎn)生剝離。另外，可以防止紫外線照射后的交聯(lián)不足，因此在從粘合劑層上 剝離切割環(huán)(夕'^ > 'J > )時，可以防止產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，通過使重均分子 量為100萬以下，可以提高在基材上形成粘合劑層時的作業(yè)性。這是因為，粘合劑層的形成 例如可以通過在基材上涂布包含所述聚合物的粘合劑組合物溶液后使其干燥來進行，如果 聚合物的重均分子量超過100萬，則粘合劑組合物溶液的粘度過大，因此該聚合物的聚合 以及涂布時的作業(yè)性變差。另外，優(yōu)選所述粘合劑層的紫外線照射前的23°C下的拉伸彈性模量在0.4 3. 5MPa的范圍內(nèi)，紫外線照射后的23°C下的拉伸彈性模量在7 lOOMPa的范圍內(nèi)。通過 將紫外線照射前的拉伸彈性模量(23°C )設定為0. 4MPa以上，使切割半導體晶片時半導體 芯片的固定良好，結果，可以防止碎片的產(chǎn)生。另外，將切割環(huán)剝離時，可以防止產(chǎn)生膠糊殘 留。另一方面，通過將拉伸彈性模量(23°C )設定為3. 5MPa以下，可以防止切割時產(chǎn)生芯片 飛散。另外，通過將紫外線照射后的拉伸彈性模量(23°C )設定為7MPa以上，可以提高拾取 性。
4
所述粘合劑層優(yōu)選不含丙烯酸。由此，可以防止粘合劑層與芯片接合薄膜的反應 或相互作用，可以進一步提高拾取性。


圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式的切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明的另一實施方式的另一切割/芯片接合薄膜的示意剖面圖。
圖3是表示通過所述切割/芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜安裝半導體芯片的例子的示意剖面圖。
符號說明
1基材
2粘合劑層
3芯片接合薄膜
4半導體晶片
5半導體芯片
6被粘物
7焊線
8密封樹脂
9隔片
10、11切割/芯片接合薄膜
具體實施例方式(切割/芯片接合薄膜)參考圖1和圖2對本發(fā)明的實施方式進行說明。圖1是表示本實施方式的切割/ 芯片接合薄膜的示意剖面圖。圖2是表示本實施方式的另一切割/芯片接合薄膜的示意剖 面圖。其中，省略了不需要說明的部分，并且存在為容易說明而擴大或縮小等進行圖示的部 分。如圖1所示，切割/芯片接合薄膜10的構成如下具有在基材1上設有粘合劑層 2的切割薄膜和設置在該粘合劑層2上的芯片接合薄膜3。另外，本發(fā)明如圖2所示，也可 以是僅在半導體晶片粘貼部分上形成有芯片接合薄膜3’的構成。所述基材1具有紫外線透射性，并且作為切割/芯片接合薄膜10、11的強度母體。 例如可以列舉低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙 烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋 酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無 規(guī)、交替)共聚物、乙烯_ 丁烯共聚物、乙烯_己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、 聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰 胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳族聚酰胺(紙)、玻璃、玻璃布、含氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏 二氯乙烯、纖維素類樹脂、聚硅氧烷(silicone)樹脂、金屬(箔)、紙等。另外，作為基材1的材料，可以列舉所述樹脂的交聯(lián)物等聚合物。所述塑料薄膜可 以不拉伸而使用，也可以根據(jù)需要進行單軸或雙軸拉伸處理后使用。利用經(jīng)拉伸處理等而
5被賦予熱收縮性的樹脂片，通過在切割后使其基材1熱收縮而降低粘合劑層2與芯片接合 薄膜3、3’的膠粘面積，可以容易地回收半導體芯片。為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，基材1的表面可以進行慣用的表面處 理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離射線處理等化學或物理處理、 底涂劑(例如，后述的粘合物質(zhì))涂布處理等。所述基材1可以適當選擇使用同種或異種材料，根據(jù)需要也可以將多種材料混合 使用。另外，為了使基材1具有防靜電性能，可以在所述基材1上設置包含金屬、合金、它們 的氧化物等的厚度約30A 約500A的導電物質(zhì)的蒸鍍層?；?可以是單層或者兩種以 上的多層?；?的厚度沒有特別限制，可以適當設定，一般為約5 ym 約200 ym。所述粘合劑層2包含紫外線固化型粘合劑而構成。紫外線固化型粘合劑可以通過 紫外線照射使其交聯(lián)度增大而容易地降低其粘合力，通過僅對圖2所示的粘合劑層2的與 半導體晶片粘貼部分對應的部分2a照射紫外線，可以設置與其它部分2b的粘合力差。另外，通過與圖2所示的芯片接合薄膜3’對應地使紫外線固化型粘合劑層2固化， 可以容易地形成粘合力顯著下降的所述部分2a。由于固化而粘合力下降的所述部分2a上 粘貼有芯片接合薄膜3’，因此粘合劑層2的所述部分2a與芯片接合薄膜3’的界面具有在 拾取時容易剝離的性質(zhì)。另一方面，未照射紫外線的部分具有充分的粘合力，形成所述部分 2b。如前所述，圖1所示的切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，由未固化的紫外 線固化型粘合劑形成的所述部分2b與芯片接合薄膜3粘合，能夠確保切割時的保持力。這 樣，紫外線固化型粘合劑可以在膠粘-剝離平衡良好的情況下支撐用于將半導體芯片固著 到襯底等被粘物上的芯片接合薄膜3。圖2所示的切割/芯片接合薄膜11的粘合劑層2 中，所述部分2b可以固定切割環(huán)。切割環(huán)例如可以使用由不銹鋼等金屬制成的切割環(huán)或樹 脂制成的切割環(huán)。所述紫外線固化型粘合劑使用具有自由基反應性碳碳雙鍵等紫外線固化性官能 團、并且顯示粘合性的粘合劑。作為紫外線固化型粘合劑，例如，可以例示在丙烯酸類粘合 劑中配合有紫外線固化性單體成分或低聚物成分的添加型紫外線固化型粘合劑。丙烯酸類 粘合劑是以丙烯酸類聚合物為基礎聚合物的粘合劑，從半導體芯片或玻璃等避忌污染的電 子部件的超純水或醇等有機溶劑的清潔洗滌性等方面考慮優(yōu)選。本發(fā)明中，作為所述丙烯酸類聚合物，可以列舉使用丙烯酸酯作為主單體成分的 丙烯酸類聚合物。作為所述丙烯酸酯，可以列舉例如丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙 酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異 辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、 二十烷酯等烷基的碳原子數(shù)1 30、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基酯等)及 丙烯酸環(huán)烷酯(例如，環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)等。這些單體可以單獨使用或者兩種以上組合使 用。前述例示的丙烯酸酯中，在本發(fā)明中優(yōu)選使用由化學式CH2 = CHC00R(式中，R為 碳原子數(shù)6 10、更優(yōu)選碳原子數(shù)8 9的烷基)表示的單體。碳原子數(shù)如果低于6則剝離 力變得過大，有時拾取性下降。另一方面，碳原子數(shù)如果超過10則與芯片接合薄膜的膠粘
6性下降，結果，有時在切割時產(chǎn)生芯片飛散。另外，丙烯酸酯由化學式CH2 = chcoor表示時， 其含量相對于全部單體成分優(yōu)選為50 91摩爾％、更優(yōu)選80 87摩爾％。含量如果小 于50摩爾則剝離力變得過大，有時拾取性下降。另一方面，如果超過91摩爾％則粘合性下 降，有時在切割時產(chǎn)生芯片飛散。另外，所述化學式表示的單體中，特別優(yōu)選丙烯酸-2-乙 基己酯、丙烯酸異辛酯。所述丙烯酸類聚合物含有能夠與所述丙烯酸酯共聚的含羥基單體作為必須成分。 作為含羥基單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基 丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥 基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或(甲基)丙烯 酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等。所述含羥基單體的含量，相對于丙烯酸酯優(yōu)選在10 30摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選 在15 25摩爾％的范圍內(nèi)。含量如果低于10摩爾％則紫外線照射后的交聯(lián)不足，切割時 有時對粘合劑層上粘貼的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另一方面，含量如果超過30摩爾％則粘合 劑的極性變高，與芯片接合薄膜的相互作用增強，從而難以剝離。所述丙烯酸類聚合物，為了改善凝聚力和耐熱性等，根據(jù)需要可以含有與能夠與 所述丙烯酸烷基酯或環(huán)烷酯共聚的其它單體成分對應的單元。作為這樣的單體成分，可以 列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬 來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺 酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺 丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單 體；丙烯酰胺；丙烯腈等。這些可共聚單體成分可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單體 的使用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。但是，所述含羧基單體的情況下，通過其 羧基與芯片接合薄膜3中的環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應，粘合劑層2與芯片接合薄膜3的邊 界面消失，有時兩者的剝離性下降。因此，含羧基單體的使用量優(yōu)選為全部單體成分的0 3重量％以下。另外，含羥基單體或含縮水甘油基單體也能夠與環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應， 因此，優(yōu)選與含羧基單體的情況同樣地設定。另外，這些單體成分中，優(yōu)選本發(fā)明的粘合劑 層2不含丙烯酸。這是因為，丙烯酸物質(zhì)擴散到芯片接合薄膜3中，使粘合劑層2與芯片接 合薄膜3的邊界面消失，有時使剝離性下降。在此，所述丙烯酸類聚合物不含多官能單體作為共聚用單體成分。由此，消除多官 能單體物質(zhì)擴散到芯片接合薄膜中的情況，可以防止由于粘合劑層2與芯片接合薄膜3的 邊界面消失而導致的拾取性下降。另外，所述丙烯酸類聚合物包含具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物作 為必須成分。作為所述異氰酸酯化合物，可以列舉例如甲基丙烯酰異氰酸酯、2-甲基丙烯 酰氧乙基異氰酸酯、2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯、間異丙烯基-a，a-二甲基芐基異氰酸酯寸。所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物的含量，相對于含羥基單體優(yōu) 選在70 90摩爾％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在75 85摩爾％的范圍內(nèi)。含量如果低于70摩爾％ 則紫外線照射后的交聯(lián)不足，切割時有時對粘貼在粘合劑層上的切割環(huán)產(chǎn)生膠糊殘留。另 一方面，含量如果超過90摩爾％則粘合劑的極性變高，與芯片接合薄膜的相互作用增強，
7由此使剝離變得困難，拾取性下降。所述丙烯酸類聚合物可以通過將單一單體或兩種以上單體的混合物聚合而得到。 聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等的任意方式進行。從防止污染潔 凈的被粘物等觀點考慮，優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量小。從該觀點考慮，丙烯酸類聚合物的重 均分子量優(yōu)選為約35萬至約100萬、更優(yōu)選約45萬至約80萬。另外，為了調(diào)節(jié)紫外線照射前的粘合力和紫外線照射后的粘合力，所述粘合劑中 也可以適當使用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段，可以列舉添加多異氰酸酯化 合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑進行反應的方法。使 用外部交聯(lián)劑的情況下，其使用量通過與欲交聯(lián)的基礎聚合物的平衡、以及作為粘合劑的 使用用途來適當確定。一般相對于所述基礎聚合物100重量份優(yōu)選配合約20重量份以下、 更優(yōu)選0. 1 10重量份。另外，粘合劑中除所述成分之外，根據(jù)需要還可以使用現(xiàn)有公知 的各種增粘劑、抗老化劑等添加劑。作為配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例如氨基甲酸酯低聚物、氨基 甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙 烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五 (甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。 另外，紫外線固化性的低聚物成分可以列舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚 丁二烯類等各種低聚物，其分子量在約100至約30000的范圍內(nèi)是適當?shù)?。紫外線固化性 單體成分或低聚物成分的配合量可以根據(jù)所述粘合劑層的種類適當確定能夠使粘合劑層 的粘合力下降的量。一般而言，相對于構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重 量份，例如為約5重量份至約500重量份、優(yōu)選約40重量份至約150重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，除前面說明過的添加型紫外線固化型粘合劑以 外，還可以列舉使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有自由基反應性碳碳雙鍵的 聚合物作為基礎聚合物的內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑。內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑不需要 含有或者大部分不含有作為低分子量成分的低聚物成分等，因此低聚物成分等不會隨時間 推移在粘合劑中移動，可以形成穩(wěn)定層結構的粘合劑層。所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的基礎聚合物，可以沒有特別限制地使用具有自 由基反應性碳碳雙鍵并且具有粘合性的基礎聚合物。作為這樣的基礎聚合物，優(yōu)選以丙烯 酸類聚合物為基本骨架的基礎聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可以列舉前面例 示的丙烯酸類聚合物。在所述丙烯酸類聚合物中引入自由基反應性碳碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以 采用各種方法，從分子設計方面而言在聚合物側鏈中引入自由基反應性碳碳雙鍵是比較容 易的。例如可以列舉預先將具有羥基的單體與丙烯酸類聚合物共聚后，使具有能夠與該羥 基反應的異氰酸酯基及自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物在保持自由基反應性碳 碳雙鍵的紫外線固化性的情況下與所得共聚物進行縮合或加成反應的方法。作為具有異氰 酸酯基和自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，可以列舉前面例示的那些。另外，作為 丙烯酸類聚合物，可以使用將前面例示的含羥基單體或2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯 基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚類化合物等共聚而得到的丙烯酸類聚合物。所述內(nèi)在型紫外線固化型粘合劑，可以單獨使用所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以在不損害特性的范圍內(nèi)配合紫外線固化 性單體成分或低聚物成分。紫外線固化性低聚物成分等通常相對于基礎聚合物100重量份 在30重量份的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0 10重量份的范圍內(nèi)。所述紫外線固化型粘合劑中，在通過紫外線等進行固化時優(yōu)選含有光聚合引發(fā) 劑。作為光聚合引發(fā)劑，可以列舉例如4-(2_羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、 a-輕基-a，a ’-二甲基苯乙酮、2_甲基_2_羥基苯丙酮、1_羥基環(huán)己基苯基酮等a-酮 醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2，2’- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2’- 二乙氧基苯乙酮、2-甲 基-1-[4_(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-1-丙酮等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異 丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；聯(lián)苯酰二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰 氯等芳香族磺酰氯類化合物；1-苯基-1，2-丙二酮-2-(0-乙氧基羰基)肟等光活性肟類 化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3，3’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合 物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4_二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4_二氯噻噸 酮、2，4-二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；酰基氧 化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引發(fā)劑的配合量相對于構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎 聚合物100重量份例如為約0. 05重量份至約20重量份。另外，作為紫外線固化型粘合劑，可以列舉例如日本特開昭60-196956號公報中 公開的、包含具有兩個以上不飽合鍵的加聚性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合 性化合物和羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鐺鹽類化合物等光聚合引發(fā)劑的橡 膠類粘合劑或丙烯酸類粘合劑等。紫外線固化型粘合劑層2的形成可以通過在基材1上形成紫外線固化型粘合劑層 2，或者將設置在隔片上的粘合劑層2轉印到基材1上來進行。在切割/芯片接合薄膜10的粘合劑層2中，對粘合劑層2的一部分進行紫外線照 射使所述部分2a的粘合力<其它部分2b的粘合力。即，可以使用對基材1的至少單面的、 與半導體晶片粘貼部分3a對應的部分以外的部分的全部或者一部分進行遮光的基材，在 其上形成紫外線固化型粘合劑層2后進行紫外線照射，使與半導體晶片粘貼部分3a對應的 部分固化，從而形成粘合力下降的所述部分2a。作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支 撐薄膜上制作能夠形成光掩模的遮光材料。另外，所述紫外線照射的積分光量優(yōu)選為50 500mJ/cm2。通過使積分光量在所述范圍內(nèi)，在切割時保持能夠防止半導體芯片產(chǎn)生芯片飛 散程度的粘合性，并且在拾取時得到良好的拾取性。由此，可以有效地制造本發(fā)明的切割/ 芯片接合薄膜10。另外，紫外線照射時因氧而產(chǎn)生固化障礙時，優(yōu)選從紫外線固化型粘合劑層2的 表面隔絕氧(空氣)。作為該方法，可以列舉例如用隔片將粘合劑層2的表面覆蓋的方法 或者在氮氣氛圍中進行紫外線等的照射的方法等。粘合劑層2的厚度沒有特別限制，從同時實現(xiàn)防止芯片切割面的缺陷和粘合層的 固定保持等觀點考慮，優(yōu)選為約1 P m至約50 u m。優(yōu)選2 y m 30 y m、更優(yōu)選5 y m 25 y m。芯片接合薄膜3例如可以僅由單層膠粘劑層構成。另外，也可以將玻璃化轉變溫 度不同的熱塑性樹脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當組合而形成兩層以上的多層結 構。另外，在半導體晶片的切割工序中使用切削水，因此芯片接合薄膜3吸濕，有時含水率 達到常態(tài)以上。如果在這樣的高含水率的狀態(tài)下膠粘在襯底等上，則在后固化階段膠粘界
9面處滯留水蒸汽，有時產(chǎn)生翹起。因此，作為芯片膠粘用膠粘劑，通過形成由芯片膠粘劑夾 住高透濕性芯材的結構，在后固化階段水蒸汽透過薄膜而擴散，從而可以避免所述問題。從 該觀點考慮，芯片接合薄膜3可以采用在芯材的單面或雙面形成膠粘劑層的多層結構。作為所述芯材，可以列舉薄膜(例如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙 二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維或塑料制無紡纖維 增強的樹脂襯底、硅襯底或玻璃襯底等。本發(fā)明的芯片接合薄膜3，以環(huán)氧樹脂作為主成分而形成。環(huán)氧樹脂中使半導體元 件腐蝕的離子性雜質(zhì)等的含量少，因此優(yōu)選。作為所述環(huán)氧樹脂，只要是作為膠粘劑組合物 通常使用的環(huán)氧樹脂則沒有特別限制，可以使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化 雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆 型、三羥苯基甲烷型、四苯酚基乙烷型等雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂、或者乙內(nèi)酰脲 型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用或 者兩種以上組合使用。這些環(huán)氧樹脂中，特別優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、 三羥苯基甲烷型環(huán)氧樹脂或四苯酚基乙烷型環(huán)氧樹脂。這是因為，這些環(huán)氧樹脂作為固化 劑與酚樹脂的反應性好，并且耐熱性等優(yōu)良。另外，芯片接合薄膜3中根據(jù)需要可以組合使用其它熱固性樹脂或熱塑性樹脂。 作為所述熱固性樹脂，可以列舉酚樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚硅氧 烷樹脂、或者熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。另 外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑優(yōu)選酚樹脂。另外，所述酚樹脂作為所述環(huán)氧樹脂的固化劑起作用，可以列舉例如苯酚酚醛清 漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清 漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。 這些酚樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些酚樹脂中特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹 脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因為可以提高半導體裝置的連接可靠性。所述環(huán)氧樹脂與酚樹脂的配合比例，例如以相對于所述環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基 1當量酚樹脂中的羥基為0. 5 2. 0當量的比例進行配合是適當?shù)?。更?yōu)選0. 8 1. 2當 量。即，這是因為，兩者的配合比例如果在所述范圍以外，則固化反應不充分，環(huán)氧樹脂固化 物的特性容易變差。作為所述熱塑性樹脂，可以列舉天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、 乙烯_醋酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、乙烯_丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚 碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、尼龍6或尼龍6，6等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類 樹脂、PET或PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或者含氟樹脂等。這些熱塑性樹脂 可以單獨使用或者兩種以上組合使用。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐熱性 高、能夠確保半導體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。作為所述丙烯酸類樹脂，沒有特別限制，可以列舉以一種或兩種以上具有碳原子 數(shù)30以下、特別是碳原子數(shù)4 18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成分 的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁 基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸 基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者十二烷基等。
10
另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限制，可以列舉例如丙烯酸、甲 基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含羧基單體； 馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基 丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥 基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸-(4-羥 甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基 丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸 等含磺酸基單體；或者丙烯酰磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。芯片接合薄膜3的膠粘劑層中，為了預先具有某種程度的交聯(lián)，在制作時優(yōu)選添 加能夠與聚合物的分子鏈末端的官能團等反應的多官能化合物作為交聯(lián)劑。由此，可以提 高高溫下的膠粘特性，改善耐熱性。另外，芯片接合薄膜3的膠粘劑層中根據(jù)需要可以適當配合其它添加劑。作為其 它添加劑，可以列舉例如阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可以列舉 例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂等。這些物質(zhì)可以單獨使用或者兩種以上組合使 用。作為所述硅烷偶聯(lián)劑，可以列舉例如日_(3，4_環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、環(huán) 氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、環(huán)氧丙氧基甲基二乙氧基硅烷等。這些化合物可以單獨 使用或者兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如水滑石類、氫氧化鉍等。 這些物質(zhì)可以單獨使用或者兩種以上組合使用。芯片接合薄膜3的厚度沒有特別限制，例如為約5 y m至約100 u m、優(yōu)選約5 y m至 約 50 u m?？梢允骨懈?芯片接合薄膜10、11具有防靜電性能。由此，可以防止其膠粘時及剝 離時等產(chǎn)生靜電或者電路由于靜電導致的工件(半導體晶片等)帶電而遭破壞等。防靜電 性能的賦予，可以通過在基材1、粘合劑層2或芯片接合薄膜3中添加防靜電劑或導電物質(zhì) 的方法、在基材1上附設包含電荷轉移絡合物或金屬膜等的導電層等適當方式來進行。作 為這些方式，優(yōu)選不易產(chǎn)生可能導致半導體晶片變質(zhì)的雜質(zhì)離子的方式。作為為了賦予導 電性、提高導熱性等目的而配合的導電物質(zhì)(導電填料)，可以列舉銀、鋁、金、銅、鎳、導電 合金等的球狀、針狀、片狀金屬粉、氧化鋁等金屬氧化物、無定形炭黑、石墨等。但是，從不漏 電的觀點考慮，優(yōu)選所述芯片接合薄膜3、3’為非導電性。所述切割/芯片接合薄膜10、11的芯片接合薄膜3、3’優(yōu)選由隔片保護(未圖示)。 隔片具有作為在供給實際使用之前保護芯片接合薄膜3、3’的保護材料的功能。另外，隔片 還可以作為向粘合劑層2上轉印芯片接合薄膜3、3’時的支撐基材使用。隔片在向切割/ 芯片接合薄膜的芯片接合膜3、3’上粘貼工件時剝離。作為隔片，可以使用聚對苯二甲酸乙 二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯，或者由含氟剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯類剝離劑等剝離劑進 行了表面涂敷的塑料薄膜或紙等。(切割/芯片接合薄膜的制造方法)以下，以切割/芯片接合薄膜10為例對本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜的制造方法 進行說明。首先，基材1可以通過現(xiàn)有公知的制膜方法制成膜。作為該制膜方法，可以列舉 例如壓延制膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系中的擠出吹塑法、T形模頭擠出法、共擠 出法、干式層壓法等。
11
然后，在基材1上涂布包含粘合劑的組合物并干燥(根據(jù)需要加熱交聯(lián))而形成 粘合劑層2。作為涂布方式可以列舉輥涂、絲網(wǎng)涂布、凹版涂布等。另外，涂布可以直接在 基材1上進行，也可以涂布到表面進行剝離處理后的剝離紙等上后轉印到基材1上。然后，將用于形成芯片接合薄膜3的形成材料涂布在剝離紙上至預定厚度，進而 在預定條件下干燥而形成涂層。通過將該涂層轉印到所述粘合劑層2上，形成芯片接合薄 膜3。另外，通過將形成材料直接涂布到所述粘合劑層2上后，在預定條件下干燥也可以形 成芯片接合薄膜3。由此，得到本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10。(半導體裝置的制造方法)本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜10、11，在將芯片接合薄膜3、3’上任意設置的隔片 適當剝離后以下述方式使用。以下，參考圖3以使用切割/芯片接合薄膜11的情況為例進 行說明。首先，將半導體晶片4壓接在切割/芯片接合薄膜11中的芯片接合薄膜3’上，使 其膠粘保持而固定(安裝工序)。本工序在用壓接輥等擠壓手段擠壓的同時進行。然后，進行半導體晶片4的切割。由此，將半導體晶片4切割為預定的尺寸而小片 化，制造半導體芯片5。切割例如可以從半導體晶片4的電路面一側按照常規(guī)方法進行。另 外，本工序中，例如可以采用切入至切割/芯片接合薄膜10處的、稱為全切的切割方式等。 本工序中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的切割裝置。另外，半導體晶片 由于利用切割/芯片接合薄膜10進行了膠粘固定，因此不僅可以抑制芯片缺陷或芯片飛 散，也可以抑制半導體晶片4的破損。為了將在切割/芯片接合薄膜10上膠粘固定的半導體芯片剝離，進行半導體芯片 5的拾取。拾取方法沒有特別限制，可以使用現(xiàn)有公知的各種方法。例如，可以列舉用針 從切割/芯片接合薄膜10 —側將各個半導體芯片5上推，通過拾取裝置拾取上推的半導體 芯片5的方法等。在此，由于粘合劑層2為紫外線固化型，因此拾取在對該粘合劑層2照射紫外線后 進行。由此，粘合劑層2對芯片接合薄膜3a的粘合力下降，使半導體芯片5容易剝離。結 果，可以在不損傷半導體芯片的情況下進行拾取。紫外線照射時的照射強度、照射時間等條 件沒有特別限制，根據(jù)需要適當設定即可。例如，以紫外線照射積分光量計，優(yōu)選為50 500mJ/cm2。即使在所述積分光量的范圍內(nèi)，本發(fā)明的芯片接合薄膜也不會因紫外線照射使 交聯(lián)過度進行而難以剝離，顯示良好的拾取性。另外，作為紫外線照射時使用的光源，可以 使用前述光源。拾取的半導體芯片5通過芯片接合薄膜3a膠粘固定在被粘物6上(芯片接合)。 被粘物6載置于加熱臺(heat block)9上。作為被粘物6，可以列舉引線框、TAB薄膜、襯底 或者另外制作的半導體芯片等。被粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物、也可以是 難以變形的非變形型被粘物(半導體晶片等)。作為所述襯底，可以使用現(xiàn)有公知的襯底。另外，作為所述引線框，可以使用Cu引 線框、42合金引線框等金屬引線框或者由玻璃環(huán)氧、BT(雙馬來酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺 等制成的有機襯底。但是，本發(fā)明不限于這些，也包括在安裝半導體元件，與半導體元件電 連接后可以使用的電路襯底。芯片接合薄膜3為熱固型時，通過加熱固化將半導體芯片5膠粘固定在被粘物6上，提高耐熱強度。另外，將半導體芯片5通過半導體晶片粘貼部分3a膠粘固定到襯底等 上而形成的材料可以供給回流工序。之后，進行將襯底的端子部(內(nèi)部端子)的前端與半 導體芯片5上的電極焊盤(未圖示)通過焊線7進行電連接的絲焊，再用密封樹脂8密封 半導體芯片，并將該密封樹脂8后固化。由此，制作本實施方式的半導體裝置。實施例以下，更具體地舉例說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。但是，這些實施例中記載的材料或 配合量等，如果沒有特別限定的記載，則本發(fā)明的范圍并不僅限于此，這些不過是舉例說明 而已。另外，各例中，“份”如果沒有特別說明則均為重量基準。(實施例1)〈切割薄膜的制作〉在具有冷凝管、氮氣導入管、溫度計和攪拌裝置的反應容器中，加入88. 8份丙烯 酸-2-乙基己酯(以下稱為“2￡撤”)、11.2份丙烯酸-2-羥基乙酯(以下稱為“1^”)、0.2 份過氧化苯甲酰及65份甲苯，在氮氣流中在61°C下進行6小時聚合處理，得到重均分子量 85萬的丙烯酸類聚合物A。重均分子量如下所述。2EHA與HEA的摩爾比為100摩爾20摩爾。在該丙烯酸類聚合物A中加入12份(相對于HEA為80摩爾％ ) 2_甲基丙烯酰氧 乙基異氰酸酯(以下稱為“M0I”)，在空氣氣流中在50°C下進行48小時加成反應處理，得到 丙烯酸類聚合物A’。然后，在100份丙烯酸類聚合物A’中加入8份多異氰酸酯化合物(商品名口 才、一卜L”，日本聚氨酯株式會社制)和5份光聚合引發(fā)劑(商品名“4 >力1 651 ”，汽 巴精化公司制)，制作粘合劑溶液。將上述制備的粘合劑溶液涂布到PET剝離襯墊的進行聚硅氧烷處理后的面上， 在120°C加熱交聯(lián)2分鐘，形成厚度lOym的粘合劑層。然后，在該粘合劑層表面粘貼厚度 100 ym的聚烯烴薄膜。之后，在50°C保存24小時后，制作本實施例的切割薄膜?！葱酒雍媳∧さ闹谱鳌祵?00份以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯為主成分的丙烯酸酯類聚合物(根上工 業(yè)株式會社制，商品名"，々a > W-197CM)、59份環(huán)氧樹脂1(JER株式會社制，商品名 Epicoat 1004)、53份環(huán)氧樹脂2 (JER株式會社制，商品名:Epicoat 827)、121份酚樹脂 (三井化學株式會社制，商品名彡> ？夕^ XLC-4L)和222份球狀二氧化硅(7 卜7歹v ” ^株式會社制，商品名S0-25R)溶解于甲乙酮中，制備成濃度23.6重量％。將該膠粘劑組合物的溶液涂布到作為剝離襯墊(隔片)的經(jīng)聚硅氧烷脫模處理的 厚度38 y m的由聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜形成的脫膜處理薄膜上，然后在130°C干燥2分 鐘。由此，制作厚度25 ym的芯片接合薄膜。進而，將芯片接合薄膜轉印到上述切割薄膜的 粘合劑層一側，得到本實施例的切割/芯片接合薄膜。<重均分子量Mw的測定>重均分子量Mw的測定通過GPC(凝膠滲透色譜法)進行。測定條件如下所述。另 外，重均分子量通過聚苯乙烯換算來計算。測定裝置HLC_8120GPC(制品名，東曹公司制)柱TSKgel GMH-H⑶X 2 (商品編號，東曹公司制)
13
流量0.5ml/分鐘注射量100ill柱溫40°C洗脫液THF注射試樣濃度0. 1重量％檢測器差示折射計(實施例2 15)各實施例2 15中，變?yōu)橄卤?所示的組成及含量，除此以外，與上述實施例1同
樣操作，制作切割/芯片接合薄膜。
14 i-OA:丙烯酸異辛酯i-NA:丙烯酸異壬酯BA:丙烯酸正丁酯LA:丙烯酸月桂酯AA:丙烯酸HEA 丙烯酸-2-羥基乙酯4HBA 丙烯酸-4-羥基丁酯A0I 2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯C/L 多異氰酸酯化合物(商品名“二口本一卜L”，日本聚氨酯株式會社制)T/C:環(huán)氧類交聯(lián)劑(商品名“〒卜’ y F C”，三菱瓦斯化學公司制)(比較例1 9)各比較例1 9中，變?yōu)橄卤?所示的組成及含量，除此以外，與上述實施例1同 樣操作，制作切割/芯片接合薄膜。
16
<N
。丑長颭s VCOH寸鋝V3HH-灰毋胎琳 栽sy驢瑕S旮lovf^IOS 瞰51。場避116琳u籟g-E驢鹿晶片的切割，并評價各切割/芯片接合薄膜的性能。將半導體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進行背面研磨處理，使用厚度0. 15mm的 鏡面晶片作為工件。從切割/芯片接合薄膜上剝離隔片后，在40°C下在其芯片接合薄膜上 用輥壓接鏡面晶片使其粘貼，并進行切割。另外，切割是進行全切，得到1mm見方的芯片尺 寸。對切割后的半導體晶片及切割/芯片接合薄膜，確認有無芯片飛散。芯片飛散評價是 半導體芯片即使有一個飛散時也評價為X，無飛散時評價為〇。晶片磨削條件、粘貼條件及 切割條件如下所述。〈晶片磨削條件〉磨削裝置:rM ”公司制，DFG-8560半導體晶片8英寸直徑(從厚度0. 6mm背面磨削至0. 15mm)〈粘貼條件〉粘貼裝置日東精機制，MA-3000II粘貼速度10mm/分鐘粘貼壓力() 15MPa粘貼時的平臺溫度(7歹一夕溫度)40°C〈切割條件〉切割裝置:rM ”公司制，DFD-6361切割環(huán)2-8-1 ( rM ^ ^公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Z1 r ^、二 公司制 2050HEDD12 r ^、二 公司制 2050HEBB切割刀片轉速Z1 :40000rpmZ2 :40000rpm刀片高度Z1 :0.215mm(取決于半導體晶片的厚度(晶片厚度為75 y m時，為0. 170mm))Z2 :0.085mm切割方式A方式/階段式切割晶片芯片尺寸1. 0mm見方(拾取)使用各實施例及比較例的各切割/芯片接合薄膜，按照以下要領在實際進行半導 體晶片的切割后進行拾取，并評價各切割/芯片接合薄膜的性能。將半導體晶片(直徑8英寸、厚度0.6mm)進行背面研磨處理，使用厚度0. 075mm 的鏡面晶片作為工件。從切割/芯片接合薄膜上剝離隔片后，在40°C下在其芯片接合薄膜 上用輥壓接鏡面晶片使其粘貼，并進行切割。另外，切割是進行全切，得到10mm見方的芯片 尺寸。然后，對各切割/芯片接合薄膜進行紫外線照射，并進行將其拉伸，使各芯片間達 到預定間隔的擴張(expand)工序。進而，從各切割/芯片接合薄膜的基材一側通過用針上
18推的方式拾取半導體芯片，進行拾取性評價。具體而言，連續(xù)地拾取400個半導體芯片，在 后述的條件A和B下進行時的成功率均為100%時評價為◎，在條件A下進行時的成功率 為100%、并且在條件B下進行時的成功率不為100%時評價為〇，在條件A和B下成功率 均不為100%時評價為X。〈晶片磨削條件〉磨削裝置:rM ”公司制，DFG-8560半導體晶片8英寸直徑(從厚度0. 6mm背面磨削至0. 075mm)〈粘貼條件〉粘貼裝置日東精機制，MA-3000II粘貼速度10mm/分鐘粘貼壓力() 15MPa粘貼時的平臺溫度40°C〈切割條件〉切割裝置:rM ”公司制，DFD-6361切割環(huán)2-8-1 ( rM ^ ^公司制)切割速度80mm/秒切割刀片Z1 r ^、二 公司制 2050HEDD12 r ^、二 公司制 2050HEBB切割刀片轉速Z1 :40000rpmZ2 :40000rpm刀片高度Z1 :0. 170mm(取決于半導體晶片厚度(晶片厚度為75 y m時，為0. 170mm))Z2 :0.085mm切割方式A方式/階段式切割晶片芯片尺寸10. 0mm見方〈紫外線照射條件〉紫外線(UV)照射裝置日東精機(商品名、UM-810制)紫外線照射積分光量300mJ/cm2另外，紫外線照射從聚烯烴薄膜一側進行?！词叭l件〉關于拾取條件，分別通過下表3所示的條件A及條件B進行。表3 (拉伸彈性模量的測定方法)在將樣品尺寸設定為初始長度10mm、截面積0. 1 0. 5mm2，測定溫度23°C、夾盤間 距50mm、拉伸速度50mm/分鐘的測定條件下，沿MD方向或TD方向進行拉伸試驗，測定各方 向上的樣品的伸長變化量(mm)。結果，在得到的S-S曲線的初期上升部分畫切線，用該切線 相當于100%伸長率時的拉伸強度除以基材薄膜的截面積，得到拉伸彈性模量。另外，關于 紫外線照射后的拉伸彈性模量的測定，通過前述照射條件從聚烯烴薄膜一側照射紫外線后 進行。(切割環(huán)的膠糊殘留)從切割環(huán)上剝離切割薄膜，通過目測確認切割環(huán)上是否產(chǎn)生膠糊殘留。確認到膠 糊殘留時評價為X，未確認到時評價為〇。
〔01991——1
表權利要求
一種切割/芯片接合薄膜，具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層含有包含作為主單體的丙烯酸酯、相對于丙烯酸酯含量在10～30摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和相對于含羥基單體含量在70～90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物而構成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹脂而構成。
2.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述丙烯酸酯為CH2 = CHCOOR,式中，R為碳原子數(shù)6 10的烷基。
3.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述含羥基單體為選自由(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙 酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥 基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯和(甲基)丙烯 酸-(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯組成的組中的至少任意一種。
4.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物為選自2-甲基丙烯酰氧乙基異氰 酸酯或2-丙烯酰氧乙基異氰酸酯的至少任意一種。
5.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述聚合物的重均分子量在35萬至100萬的范圍內(nèi)。
6.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層的紫外線照射前的23°C下的拉伸彈性模量在0. 4 3. 5MPa的范圍內(nèi)，紫 外線照射后的23°C下的拉伸彈性模量在7 IOOMPa的范圍內(nèi)。
7.如權利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層不含丙烯酸。
全文摘要
本發(fā)明提供即使在工件為薄型的情況下將工件切割時的保持力與將通過切割得到的芯片狀工件和該芯片接合薄膜一體地剝離時的剝離性的平衡特性也優(yōu)良的切割/芯片接合薄膜。本發(fā)明的切割/芯片接合薄膜，具備在基材上具有粘合劑層的切割薄膜和設置在該粘合劑層上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合劑層含有包含作為主單體的丙烯酸酯、相對于丙烯酸酯含量在10～30摩爾％范圍內(nèi)的含羥基單體和相對于含羥基單體含量在70～90摩爾％范圍內(nèi)的具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物而構成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有環(huán)氧樹脂而構成。
文檔編號C09J7/02GK101855710SQ200880115089
公開日2010年10月6日 申請日期2008年10月30日 優(yōu)先權日2007年11月8日
發(fā)明者村田修平, 松村健, 神谷克彥 申請人:日東電工株式會社