專利名稱：：熒光體以及發(fā)光裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種由紫外線或者短波長可見光高效地激發(fā)而進(jìn)行發(fā)光的熒光體、以及使用該熒光體的發(fā)光裝置。
背景技術(shù)：
：已知如下所述構(gòu)成的各種發(fā)光裝置，其通過將發(fā)光元件和由該發(fā)光元件產(chǎn)生的光激發(fā)而產(chǎn)生與該發(fā)光元件具有不同波長區(qū)域的光的熒光體進(jìn)行組合，從而得到所需顏色的光。特別是近年來，作為長壽命且消耗電力較少的白色發(fā)光裝置，如下所述構(gòu)成的發(fā)光裝置受到關(guān)注，其通過將產(chǎn)生紫外線或者短波長可見光的發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD)等半導(dǎo)體發(fā)光元件、和以它們?yōu)榧ぐl(fā)光源的熒光體進(jìn)行組合，從而得到白色光。作為這種白色發(fā)光裝置的具體例子，已知將產(chǎn)生紫外線或者短波長可見光的LED和由紫外線或者短波長可見光激發(fā)而分別發(fā)出青、黃等顏色的光的熒光體組合多組的方式等(參照專利文獻(xiàn)1)。專利文獻(xiàn)1日本特開2009-38348號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容但是，在上述白色發(fā)光裝置中使用的產(chǎn)生黃色光的熒光體，其發(fā)光頻譜與發(fā)光度曲線(luminositycurve)不一致，另外，與使發(fā)光度最大的波長相比，發(fā)光頻譜的峰值波長向長波長側(cè)偏移。因此，雖然作為熒光體單體的變換效率良好，但作為白色發(fā)光裝置，從光通量、發(fā)光效率的角度出發(fā)，要求進(jìn)一步改善。本發(fā)明就是鑒于這種狀況而提出的，其目的在于提供一種熒光體，其產(chǎn)生具有峰值波長更接近使發(fā)光度最大的波長的發(fā)光頻譜的光。為了解決上述課題，本發(fā)明的一種形態(tài)的熒光體的通式表示為(M2X、M3y、M4z)J1O3Xi27n)(在這里，M1表示從由Si、Ge、Ti、Zr以及Sn構(gòu)成的群中選出的至少含有Si的1種或1種以上的元素，M2表示從由Ca、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Ca的1種或1種以上的元素，M3表示從由Sr、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Sr的1種或1種以上的元素，X表示至少1種鹵族元素，M4表示從由稀土族元素以及Mn構(gòu)成的群中選出的至少含有Eu2+的1種或一種以上的元素。另外，m落在6/6≤m≤8/6的范圍內(nèi)，n落在5≤n≤7的范圍內(nèi)。另外，x、y、ζ落在滿足x+y+z=1、0<x<1、0<y<1、0.01≤z≤0.3的范圍內(nèi)。)。在所述通式中M2、M3、M4的主要元素的離子半徑為M2<M3與M4的情況下，也可以使x、y、z為滿足0.50<x/(y+z)<0.8的值。例如在上述通式的各組分中，在M1=Si、X=CUM2=Ca,M3=Sr,M4=Eu2+的情況下，2價(jià)金屬離子的離子半徑為M2<M3與M4，根據(jù)由x和(y+z)表示的組分比例而晶體場的強(qiáng)度變化。其結(jié)果，根據(jù)組分比例而發(fā)光頻譜的峰值波長偏移。具體地說，如果為x>(y+z)，則離子半徑較小的元素所占的比例變多，發(fā)光頻譜向長波側(cè)偏移。另一方面，如果為X<(y+Z)，則離子半徑較大的元素所占的比例變多，發(fā)光頻譜向短波側(cè)偏移。由于現(xiàn)有的黃色系熒光體的發(fā)光頻譜與發(fā)光度曲線的峰值波長相比在長波長側(cè)具有峰值波長，所以尋求在短波長側(cè)具有峰值波長的熒光體。因此，在由上述通式表示的熒光體中，通過使離子半徑較大的元素所占的比例變大，可以使所產(chǎn)生的光的峰值波長向短波長側(cè)偏移。此外，如果x/(y+z)大于0.50，則在合成時(shí)不會(huì)產(chǎn)生很多雜質(zhì)，可以得到足夠的發(fā)光強(qiáng)度。另一方面，如果x/(y+z)小于0.80，則可以得到發(fā)光頻譜的峰值波長與現(xiàn)有的熒光體相比向短波長側(cè)偏移的熒光體。在上述通式中X的主要鹵族元素為Cl的情況下，也可以使鹵族元素X中Br所占的比例XBr為滿足0.1<XBr<0.3的值。例如在上述通式的各個(gè)組分中，在M1=Si,M2=Ca、M3=Sr、M4=Eu2+、X為Cl及Br的情況下，Cl和Br的離子半徑為Cl<Br，根據(jù)該組分比例，晶格的形變發(fā)生變化。其結(jié)果，根據(jù)組分比例而發(fā)光頻譜的峰值波長偏移。即，通過將作為鹵族元素X的Cl的一部分置換為離子半徑較大的其他鹵族元素，從而與鹵族元素X僅為Cl的構(gòu)成相比較，可以使發(fā)光頻譜的峰值波長向短波長側(cè)偏移。此外，如果Xte大于0.10，則可以得到產(chǎn)生對(duì)于發(fā)光度有利的發(fā)光頻譜的光的熒光體，該發(fā)光頻譜的峰值波長與現(xiàn)有的熒光體相比向短波長側(cè)偏移。另一方面，如果Xte小于0.30，則可以得到合成時(shí)不會(huì)產(chǎn)生很多雜質(zhì)且產(chǎn)生足夠的發(fā)光強(qiáng)度的光的熒光體。本發(fā)明的另一種形態(tài)是發(fā)光裝置。該發(fā)光裝置構(gòu)成為，具有發(fā)光元件，其產(chǎn)生紫外線或者短波長可見光；第1熒光體，其由所述紫外線或者短波長可見光激發(fā)而產(chǎn)生可見光；以及第2熒光體，其由所述紫外線或者短波長可見光激發(fā)，產(chǎn)生與所述第1熒光體產(chǎn)生的可見光具有互補(bǔ)色關(guān)系的可見光，該發(fā)光裝置將來自各熒光體的光進(jìn)行加色混合而得到白色光。第1熒光體的通式表示為(M^M^iOj^X^)(在這里，M1表示從由Si、Ge、Ti、Zr以及Sn構(gòu)成的群中選出的至少含有Si的1種或1種以上的元素，M2表示從由Ca、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Ca的1種或1種以上的元素，M3表示從由Sr、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Sr的1種或1種以上的元素，X表示至少1種鹵族元素，M4表示從由稀土族元素以及Mn構(gòu)成的群中選出的至少含有Eu2+的1種或一種以上的元素。另外，m落在6/6彡m彡8/6的范圍內(nèi)，η落在5彡η彡7的范圍內(nèi)。另外，x、y、ζ落在滿足x+y+z=1、0<χ<1、0<y<1、0·01彡ζ彡0·3的范圍內(nèi)。)。另外，新發(fā)現(xiàn)由上述通式表示的上述第1熒光體，由紫外線或者短波長可見光特別在400nm附近的波長區(qū)域中被高效激發(fā)，產(chǎn)生較高發(fā)光強(qiáng)度的可見光，可以在發(fā)光裝置中使用該熒光體。另外，從發(fā)光裝置的顯色性的角度出發(fā)，優(yōu)選第1熒光體的發(fā)光頻譜的峰值波長位于560590nm的波長區(qū)域，半幅值大于或等于lOOnm。更優(yōu)選峰值波長小于或等于576nm。進(jìn)一步優(yōu)選峰值波長小于或等于574nm。第2熒光體只要產(chǎn)生與第1熒光體所產(chǎn)生的可見光具有互補(bǔ)色關(guān)系的可見光即可，其發(fā)光頻譜不特別地限定。此外，在以得到白色光的發(fā)光裝置為目的時(shí)，在第1熒光體產(chǎn)生黃色系光的情況下，優(yōu)選使用產(chǎn)生作為黃色系的光的補(bǔ)色光即青色光的熒光體。另夕卜，在相同的目的下，從顯色性的角度出發(fā)，優(yōu)選第2熒光體的發(fā)光頻譜的峰值波長位于440mm470nm的波長區(qū)域，半幅值為3060nm。雖然發(fā)光元件只要至少產(chǎn)生紫外線或者短波長可見光即可，其發(fā)光頻譜不特別地限定，但從發(fā)光裝置的發(fā)光效率等角度出發(fā)，優(yōu)選發(fā)光頻譜的峰值波長落在350nm430nm的范圍內(nèi)。另外，作為發(fā)光元件的具體例子，可以使用例如LED或LD等半導(dǎo)體發(fā)光元件、用于得到來自真空放電或熱發(fā)光發(fā)出的光的光源，電子束激發(fā)發(fā)光元件等各種光源。更優(yōu)選使用半導(dǎo)體發(fā)光元件作為發(fā)光元件，以可以得到小型、省電力且長壽命的發(fā)光裝置。作為這種半導(dǎo)體發(fā)光元件的優(yōu)選例，可以舉出在400nm附近的波長區(qū)域中發(fā)光特性良好的InGaN類的LED或LD。此外，以上的構(gòu)成要素的任意組合、將本發(fā)明的表現(xiàn)在方法、裝置、系統(tǒng)等之間變換而得到的表現(xiàn)，都作為本發(fā)明的形態(tài)而有效。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種熒光體，其產(chǎn)生具有峰值波長更接近使發(fā)光度最大的波長的發(fā)光頻譜的光。圖1是本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置的概略剖面圖。圖2是表示對(duì)本實(shí)施例所涉及的熒光體14、8使用Cu的Kα特性X射線形成的X射線衍射的測定結(jié)果的圖。圖3是表示對(duì)本實(shí)施例所涉及的熒光體58使用Cu的Kα特性X射線形成的X射線衍射的測定結(jié)果的圖。圖4是表示本實(shí)施例所涉及的熒光體1的里特沃爾德分析的結(jié)果的圖。圖5是表示熒光體2、4、8產(chǎn)生的發(fā)光頻譜和發(fā)光度曲線的圖。圖6是表示熒光體6、7、8產(chǎn)生的發(fā)光頻譜和發(fā)光度曲線的圖。圖7是表示向發(fā)光裝置施加700mA的驅(qū)動(dòng)電流時(shí)的實(shí)施例的發(fā)光頻譜(粗線)以及對(duì)比例的發(fā)光頻譜(細(xì)線)的圖。具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，詳細(xì)說明用于實(shí)施本發(fā)明的方式。此外，在中，對(duì)于相同的要素標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)，適當(dāng)省略重復(fù)的說明。圖1是本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置的概略剖面圖。圖1所示的發(fā)光裝置10在基板12上形成一對(duì)的電極14(陽極)及電極16(陰極)。在電極14上利用固定部件20固定有半導(dǎo)體發(fā)光元件18。半導(dǎo)體發(fā)光元件18和電極14利用固定部件20導(dǎo)通，半導(dǎo)體發(fā)光元件18和電極16利用導(dǎo)線22導(dǎo)通。在半導(dǎo)體發(fā)光元件上形成熒光層24?；?2優(yōu)選由不具有導(dǎo)電性而熱傳導(dǎo)性較高的材料形成，可以使用例如陶瓷基板(氮化鋁基板、氧化鋁基板、莫來石基板、玻璃陶瓷基板)或玻璃環(huán)氧樹脂基板等。電極14及電極16是由金或銅等金屬材料形成的導(dǎo)電層。半導(dǎo)體發(fā)光元件18是本發(fā)明的發(fā)光裝置中使用的發(fā)光元件的一個(gè)例子，例如可以使用產(chǎn)生紫外線或者短波長可見光的LED或LD等。作為具體例子，可以舉出InGaN類的化合物半導(dǎo)體。InGaN類的化合物半導(dǎo)體根據(jù)In的含量而發(fā)光波長區(qū)域變化。存在如果In的含量多則發(fā)光波長成為長波長，在含量較少的情況下成為短波長的趨勢(shì)，可以確認(rèn)In含量為峰值波長位于400nm附近的程度的InGaN類的化合物半導(dǎo)體，在發(fā)光時(shí)的量子效率最尚。固定部件20是例如銀漿料等導(dǎo)電性粘接劑或者金錫共晶焊料等，將半導(dǎo)體發(fā)光元件18的下表面固定在電極14上，將半導(dǎo)體發(fā)光元件18的下表面?zhèn)入姌O與基板12上的電極14電氣連接。導(dǎo)線22是金導(dǎo)線等導(dǎo)電部件，通過例如超聲波熱壓接等與半導(dǎo)體發(fā)光元件18的上表面?zhèn)入姌O以及電極16接合，將兩者電氣連接。在熒光層24中，利用粘結(jié)部件將后述的各熒光體密封為覆蓋半導(dǎo)體發(fā)光元件18的上表面的膜狀(層狀)。熒光層24例如如下所示形成，S卩，在制作了向液狀或者凝膠狀的粘結(jié)部件中混入熒光體的熒光體漿料后，將該熒光體漿料涂敷于半導(dǎo)體發(fā)光元件18的上表面，然后，使熒光體漿料的粘結(jié)部件硬化。作為粘結(jié)部件，可以使用例如硅樹脂或氟類樹脂等。另外，對(duì)于本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置，由于使用紫外線或者短波長可見光作為激發(fā)光源，所以優(yōu)選耐紫外線性能優(yōu)越的粘結(jié)部件。另外，熒光層24也可以混入熒光體以外的具有各種物性的物質(zhì)。通過在熒光層24中混入與粘結(jié)部件相比折射率較高的物質(zhì)，例如金屬氧化物、氟類化合物、硫化物等，可以提高熒光層24的折射率。由此，可以得到下述效果，即，減少從半導(dǎo)體發(fā)光元件18產(chǎn)生的光向熒光層24入射時(shí)發(fā)生的全反射，使至熒光層24的激發(fā)光的入射效率提高。而且，通過使所混入的物質(zhì)的粒子直徑為納米尺寸，從而不會(huì)使熒光層24的透明度降低而可以提高折射率。另外，可以向熒光層24混入氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦等平均粒徑為0.33μπι左右的白色粉末作為光散射劑。由此，可以防止發(fā)光面內(nèi)的亮度、色度不均。下面，詳細(xì)記述本實(shí)施方式所涉及的發(fā)光裝置中使用的各熒光體。(第1熒光體)第1熒光體例如可以以下述方式得到。對(duì)于第1熒光體，作為原料可以使用由下述組分式⑴⑷表示的化合物。(I)M1O2(M1表示Si、Ge、Ti、Zr、Sn等4價(jià)的元素)(2)M2O(M2表示Mg、Ca、Sr、Ba、Zn等2價(jià)的元素)(3)M3X2(M3表示Mg、Ca、Sr、Ba、Zn等2價(jià)的元素，X表示鹵族元素)(4)M4(M4表示Eu2+等稀土族元素和/或Mn)作為組分式(1)的原料，可以使用例如Si02、GeO2,TiO2,ZrO2,SnO2等。作為組分式(2)的原料，可以使用例如2價(jià)金屬離子的碳酸鹽、氧化物、氫氧化物等。作為組分式(3)的原料，可以使用例如SrCl2、SrCl2·6H20、MgCl2,MgCl2·6H20、CaCl2,CaCl2·2H20、BaCl2,BaCl2·2H20、ZnCl2、MgF2>CaF2>SrF2>BaF2>ZnF2>MgBr2>CaBr2>SrBr2>BaBr2>ZnBr2>Mgl2、CaI2、SrI2、BaI2、ZnI2等。作為組分式(4)的原料，可以使用例如Eu203、Eu2(CO3)3、Eu(OH)3、EuC13、MnO、Mn(OH)2,MnCO3>MnCl2·4H20、Mn(NO3)2·6H20等。作為組分式(1)的原料，M1是至少必須具有Si而從由Si、Ge、Ti、Zr以及Sn構(gòu)成的群中選出的至少1種元素，優(yōu)選為Si的比例大于或等于80mol%的化合物。作為組分式(2)的原料，M2是至少必須具有Ca和/或Sr而從由Mg、Ca、Sr、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少1種元素，優(yōu)選為Ca和/或Sr的比例大于或等于60mol%的化合物。作為組分式(3)的原料，M3是至少必須具有Sr而從由Mg、Ca、Sr、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少1種元素，優(yōu)選為Sr大于或等于30mol%的化合物。另外，作為組分式(3)的原料，X是至少必須具有Cl的至少1種鹵族元素，優(yōu)選為Cl的比例大于或等于50mol%的化合物。作為組分式⑷的原料，M4優(yōu)選為必須具有2價(jià)的Eu的稀土族元素，也可以含有Mn或除Eu之外的稀土族元素等。將組分式(1)⑷的原料摩爾比以(1)(2)=10.11.0、(2)(3)=10.212.0、(2)(4)=10.054.0的比例，優(yōu)選以(1)(2)=10.251.0、(2)(3)=10.36.0、(2)(4)=10.053.0的比例，更優(yōu)選以(1)(2)=10.251.0、(2)(3)=10.34.0、(2)(4)=10.053.0的比例進(jìn)行稱量，將稱量出的各原料放入氧化鋁研缽，以大約30分鐘進(jìn)行粉碎混合，得到原料混合物。將該原料混合物放入氧化鋁坩鍋，在還原氣氛的電爐中以規(guī)定的氣氛(H2N2=595)，在溫度大于或等于700°C而小于1100°C下焙燒340小時(shí)，得到燒結(jié)物。用純凈溫水將該燒結(jié)物細(xì)心地進(jìn)行清洗，通過沖走剩余的氯化物而可以得到第1熒光體。第1熒光體由紫外線或者短波長可見光激發(fā)而產(chǎn)生可見光。此外，對(duì)于組分式(3)的原料(2價(jià)的金屬鹵化物)，優(yōu)選稱量大于或等于化學(xué)計(jì)量比的多余量。這是因?yàn)榭紤]到在焙燒中鹵族元素的一部分氣化蒸發(fā)的情況，防止由于鹵族元素不足導(dǎo)致熒光體產(chǎn)生晶體缺陷。另外，過量添加的組分式(3)的原料在燒結(jié)溫度下會(huì)液化，作為固相反應(yīng)的助熔劑起作用，促進(jìn)固相反應(yīng)以及提高結(jié)晶性。此外，在上述原料混合物燒結(jié)后，上述過量添加的組分式(3)的原料在所制造的熒光體中作為雜質(zhì)存在。因此，為了得到純度以及發(fā)光強(qiáng)度較高的熒光體，需要使用純凈溫水沖去上述雜質(zhì)。本實(shí)施方式的第1熒光體的通式所示出的組分比是將雜質(zhì)沖去后的組分比，如上述所示過量添加而成為雜質(zhì)的組分式(3)的原料沒有加進(jìn)該組分比中。在本實(shí)施方式中，為了得到發(fā)光效率高的熒光體，優(yōu)選盡可能減少成為雜質(zhì)的金屬元素。特別地，由于Fe、Co、Ni等過渡金屬元素作為發(fā)光干擾劑起作用，所以優(yōu)選使用純度高的原料、以及在合成工序中防止混入雜質(zhì)，以使得上述元素的合計(jì)小于或等于500ppm。(第2熒光體)第2熒光體例如可以以下述方式得到。第2熒光體作為原料使用CaCO3、MgC03、CaCl2,CaHPO4、以及Eu2O3，將這些原料以規(guī)定的比例進(jìn)行稱量，以使得摩爾比為CaCO3MgCO3CaCl2CaHPO4Eu2O3=0.050.350.010.500.170.501.000.0050.050，將稱量出的各原料放入氧化鋁研缽，以大約30分鐘進(jìn)行粉碎混合，得到原料混合物。將該原料混合物放入氧化鋁坩鍋，在含有25%的H2的N2氣氛中，在溫度大于或等于800°C而小于1200°C下焙燒3小時(shí)，得到燒結(jié)物。利用純凈溫水將該燒結(jié)物細(xì)心地進(jìn)行清洗，通過沖去剩余的氯化物而可以得到第2熒光體。第2熒光體產(chǎn)生與第1熒光體所產(chǎn)生的可見光具有互補(bǔ)色關(guān)系的可見光。此外，對(duì)于得到上述原料混合物時(shí)的CaCl2的稱量(摩爾比)，優(yōu)選針對(duì)所制造的第2熒光體的組分比，稱量比其化學(xué)計(jì)量比大于或等于0.5mol的多余量。由此，可以防止由于Cl不足導(dǎo)致的第2熒光體產(chǎn)生晶體缺陷。<熒光體的晶體構(gòu)造的確定>下面，說明本實(shí)施方式所涉及的熒光體的晶體構(gòu)造等的確定。以下將某種物質(zhì)作為一個(gè)例子進(jìn)行說明，但后述的各熒光體也可以通過相同的方法確定晶體構(gòu)造等。首先，使以下記述的基質(zhì)晶體的單晶體成長。該基質(zhì)晶體是在通式M1O2·aM20·bM3X2M4中，使得M1=Si、M2=Ca及Sr、M3=Sr、X=Cl、且不含有M4的物質(zhì)。<基質(zhì)晶體的生成和分析>基質(zhì)晶體的單晶體的晶體成長是利用以下的流程實(shí)施的。首先，對(duì)Si02、Ca0、SrCl2各原料進(jìn)行稱量，以使得它們的摩爾比成為SiO2CaOSrCl2=I0.711.07，將稱量出的各種原料放入氧化鋁研缽，以大約30分鐘進(jìn)行粉碎混合，得到原料混合物。將該原料混合物放入壓片模具(tabletmold)并在IOOMPa下進(jìn)行單軸壓縮成型，得到成型體。將該成型體放入氧化鋁坩鍋并蓋上蓋子，然后在空氣中以1030°C焙燒36小時(shí)，得到燒結(jié)物。將得到的燒結(jié)物利用純凈溫水和超聲波進(jìn)行清洗，得到基質(zhì)晶體。在如上述所示生成的基質(zhì)晶體中得到Φ0.2mm的單晶體。對(duì)于得到的基質(zhì)晶體，利用以下的方法進(jìn)行元素定量分析，確定組分比(通式中的a、b的值)。(I)Si的定量分析在白金坩鍋中利用碳酸鈉將基質(zhì)晶體融解后，利用稀硝酸進(jìn)行溶解處理并進(jìn)行定容。對(duì)該溶液使用ICP發(fā)光分光分析裝置(SII于H”口7—株式會(huì)社製SPS-4000)，測定Si量。(2)金屬元素的定量分析在惰性氣體中利用高氯酸、硝酸以及氟氫酸將基質(zhì)晶體加熱分解，利用稀硝酸進(jìn)行溶解處理并進(jìn)行定容。對(duì)該溶液使用上述的ICP發(fā)光分光分析裝置，測定金屬元素量。(3)Cl的定量分析利用管狀電爐將基質(zhì)晶體進(jìn)行燃燒，利用吸附液吸附產(chǎn)生的氣體。對(duì)該溶液使用Dionex社制的DX-500，利用離子色譜分析法確定Cl量。(4)0的定量分析對(duì)基質(zhì)晶體使用LECO社制的氮氧分析裝置TC-436，將樣品在氬中進(jìn)行熱分解，利用紅外線吸收法對(duì)產(chǎn)生的氧進(jìn)行定量。以上元素定量分析的結(jié)果，所得到的基質(zhì)晶體的大致組分比如以下式子(1)所不。SiO2·1.05(Ca0.6、Sr04)0·0.15SrCl2…式(1)另外，利用比重計(jì)測定的上述基質(zhì)晶體的比重為3.4。對(duì)于基質(zhì)晶體的單晶體，利用成像板單晶體自動(dòng)X射線構(gòu)造分析裝置(RIGAKU製R-AXISRAPID)，測定使用Mo的Ka線(波長λ=0.71Α)形成的X射線衍射圖案(以下稱為測定1)。使用通過測定1在2θ<60°(d>0.71Α)的范圍內(nèi)得到的5709個(gè)衍射斑點(diǎn)，進(jìn)行以下的晶體構(gòu)造分析。對(duì)于基質(zhì)晶體，根據(jù)測定1形成的X射線衍射圖案，使用數(shù)據(jù)處理軟件(RIGAKU製RapidAuto)，如下所示確定基質(zhì)晶體的晶體種類、布拉維晶格、空間群、以及晶格常數(shù)。晶體種類單斜晶布拉維晶格底心單斜晶格空間群C2/m晶格常數(shù)a=13.3036(12)Ab=8.3067(8)Ac=9.1567(12)Aα=y=90°β=110.226(5)°V=949.50(18)A3然后，使用晶體構(gòu)造分析軟件(RIGAKU製CrystalStracture)，利用直接法確定大致的構(gòu)造后，利用最小二乘法將構(gòu)造參數(shù)(位置占有率、原子坐標(biāo)、溫度因數(shù)等)進(jìn)行精密化。精密化是針對(duì)|F|>2。獨(dú)立的1160個(gè)點(diǎn)的|F|進(jìn)行的，其結(jié)果，可以得到可靠性因數(shù)R1=2.7%的晶體構(gòu)造模型。下面將該晶體構(gòu)造模型稱為“初始構(gòu)造模型”。表1示出根據(jù)單晶體求出的初始構(gòu)造模型的原子坐標(biāo)和占有率。表權(quán)利要求一種熒光體，其通式表示為(M2x、M3y、M4z)mM1O3X(2/n)，其中，M1表示從由Si、Ge、Ti、Zr以及Sn構(gòu)成的群中選出的至少含有Si的1種或1種以上的元素，M2表示從由Ca、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Ca的1種或1種以上的元素，M3表示從由Sr、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Sr的1種或1種以上的元素，X表示至少1種鹵族元素，M4表示從由稀土族元素以及Mn構(gòu)成的群中選出的至少含有Eu2+的1種或1種以上的元素，另外，m落在6/6≤m≤8/6的范圍內(nèi)，n落在5≤n≤7的范圍內(nèi)，另外，x、y、z落在滿足x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0.01≤z≤0.3的范圍內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光體，其特征在于，在所述通式中，Μ2、Μ3、Μ4的主要元素的離子半徑為Μ2<Μ3與M4的情況下，X、y、ζ為滿足0.50<x/(y+z)<0.8的值。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熒光體，其特征在于，在所述通式中，X的主要鹵族元素為Cl的情況下，在鹵族元素X中Br所占的比例Xte為滿足0.1<XBr<0.3的值。4.一種發(fā)光裝置，其構(gòu)成為，具有發(fā)光元件，其產(chǎn)生紫外線或者短波長可見光；第1熒光體，其由所述紫外線或者短波長可見光激發(fā)，產(chǎn)生可見光；以及第2熒光體，其由所述紫外線或者短波長可見光激發(fā)，產(chǎn)生與所述第1熒光體產(chǎn)生的可見光具有互補(bǔ)色關(guān)系的可見光，將來自各熒光體的光進(jìn)行加色混合而得到白色光，該發(fā)光裝置的特征在于，所述第1熒光體的通式表示為(M2X、M3y、M4z)J1O3Xi27n)，其中，M1表示從由Si、Ge、Ti、&以及Sn構(gòu)成的群中選出的至少含有Si的1種或1種以上的元素，M2表示從由Ca、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Ca的1種或1種以上的元素，M3表示從由Sr、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Sr的1種或1種以上的元素，X表示至少1種鹵族元素，M4表示從由稀土族元素以及Mn構(gòu)成的群中選出的至少含有Eu2+的1種或1種以上的元素，另外，m落在6/6≤m≤8/6的范圍內(nèi)，η落在5≤n≤7的范圍內(nèi)，另外，x、y、z落在滿足x+y+z=1、0<χ<1、0<y<1、0.01≤z≤0.3的范圍內(nèi)。全文摘要本發(fā)明提供一種熒光體，其產(chǎn)生具有峰值波長更接近使發(fā)光度最大的波長的發(fā)光頻譜的光。熒光體的通式表示為(M2x、M3y、M4z)mM1O3X(2/n)(在這里，M1表示從由Si、Ge、Ti、Zr以及Sn構(gòu)成的群中選出的至少含有Si的1種或1種以上的元素，M2表示從由Ca、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Ca的1種或1種以上的元素，M3表示從由Sr、Mg、Ba以及Zn構(gòu)成的群中選出的至少含有Sr的1種或1種以上的元素，X表示至少1種鹵族元素，M4表示從由稀土族元素以及Mn構(gòu)成的群中選出的至少含有Eu2+的1種或1種以上的元素。另外，m落在6/6≤m≤8/6的范圍內(nèi)，n落在5≤n≤7的范圍內(nèi)。另外，x、y、z落在滿足x+y+z＝1、0＜x＜1、0＜y＜1、0.01≤z≤0.3的范圍內(nèi)。)。文檔編號(hào)C09K11/86GK101987958SQ20101024540公開日2011年3月23日申請(qǐng)日期2010年7月30日優(yōu)先權(quán)日2009年7月31日發(fā)明者四之宮裕,大長久芳,巖崎剛,榎本公典,青柳忍申請(qǐng)人:株式會(huì)社小糸制作所