專利名稱：用于通過高壓蒸發(fā)進行高速率涂覆的方法和設(shè)備的制作方法
用于通過高壓蒸發(fā)進行高速率涂覆的方法和設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域和
背景技術(shù)：
本發(fā)明包括用于連續(xù)地或者脈沖地高速率涂覆襯底的方法，并示例性地描述了適合于實現(xiàn)此方法的設(shè)備。該方法是通過能夠帶來較高的層厚度均勻性和材料成品率而允許極高沉積速率的真空涂覆方式。許多涂覆材料具有較高的化學反應(yīng)性，該化學反應(yīng)性使涂覆材料與諸如氧和水的大氣成分反應(yīng)，使得它們可以僅在適當?shù)母哒婵諚l件下沉積，從而避免至少部分氧化。這些材料一般包括周期表的第一三主族的元素，其中，鋁和鎂具有特別高的技術(shù)相關(guān)性，但是子族的許多過渡金屬和稀土在它們處于原子形態(tài)時具有很高的對氧的化學親和力和很高的還原電勢。除了這些簡單元素，還有大量的在與氧、蒸氣或者包括催化劑的其他氧接觸的條件下化學反應(yīng)并可以變化的無機和有機化合物?；诖烁叻磻?yīng)性，排除了諸如用于涂覆的噴霧熱解、化學氣相沉積(CVD)或者溶膠凝膠處理之類的許多公知的高速率涂覆方法。濺射技術(shù)(陰極濺射)至少可用于許多可用的金屬；然而，它們使用高反應(yīng)性處理氣體等離子體，其中，即使極其微量的氧也與涂覆材料發(fā)生反應(yīng)。由于此原因，濺射僅可以使用低殘余氣體壓力(< I(T5Pa)來執(zhí)行，并且必須使用非常清潔的處理氣體。此外，由于等離子體，即將被涂覆的表面的正前方存在沉積到襯底的高熱，這在許多情況下是不期望的。極其高的速率區(qū)域> lOOnm/s使用濺射對于金屬也是不可行的。因而在許多情況下有意義的替換方案是在高真空中的高速率蒸發(fā)。由此，涂覆材料通過施加能量而被加熱，使得其被過渡到氣相。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，例如，通過與加熱罐熱接觸、直流電流流動、輻射、感應(yīng)、或者電子束或電弧而實現(xiàn)該加熱。蒸氣在高真空(< I(T3Pa) 下彈道(ballistically)地消失，這是因為由于大的自由路徑而僅僅有極少與殘余氣體的碰撞。通過使用真空蒸發(fā)，如果距源的距離適合，可以實現(xiàn)在襯底處很高的沉積速率，并且可以均勻地涂覆很大的區(qū)域。在蒸氣的彈道傳播下，在襯底上有效的涂覆速率R與距源的距離d的平方成反比，即，R cT2。在襯底上速率分布和層厚度分布因而僅僅遵循幾何規(guī)則，并通常由COSnCp規(guī)則來描述。對于低速率并且在平面的襯底和源表面的情況下，η = 4。 在高速率下，已經(jīng)在努森(Knudsen)流量的影響下，因而由于指向上半空間的速度分布并由于這些蒸氣分子自身之間碰撞而發(fā)生噴流效應(yīng)，其中，噴流效應(yīng)附加地使蒸氣分布聚集， 使得能觀察到η > 4?？捎玫慕菂^(qū)域由角分布和層厚度的均勻性在可容許偏差內(nèi)的要求限定。由此與襯底的尺寸一起得到在源和襯底之間必須維持的最小距離。沒有蒸發(fā)到可接受的角區(qū)域內(nèi)的任何材料將被損耗，降低了產(chǎn)量，并引起不想要的污染。均勻性的要求因而與高沉積速率和材料產(chǎn)量的要求相矛盾。本發(fā)明通過將蒸發(fā)的涂覆材料(其開始沒有指向襯底的表面)散射回到涂覆空間中而克服了此矛盾，并因而損耗率能保持較低。襯底前方的空間使得能形成高蒸氣壓力，使得平均自由路徑明顯地小于涂覆室的幾何尺寸，并且強烈的散射造成蒸氣中方向分布的均勻性。對于高速率涂覆，通常期望蒸氣壓力> 10 ，并因而毫米數(shù)量級的
3平均自由路徑。這能通過脈沖蒸發(fā)特定量的材料在至少短時段內(nèi)實現(xiàn)。專利申請公開DE 1 621 271涉及用于使用已經(jīng)在真空中蒸發(fā)的金屬的冷凝而對本體進行表面金屬涂覆的方法。具體地，本發(fā)明涉及用于形成涂覆金屬的蒸氣的方法，其中，蒸氣不具有被包括在涂覆金屬中的顆粒。US 4，022，928公開了用全氟聚醚化合物涂覆表面。由此，禁止將材料的蒸氣流沉積到真空內(nèi)的表面上?？梢酝ㄟ^在真空中或者在大氣條件下蒸發(fā)、噴射或者旋涂，來施加全氟聚醚保護層，或者可以使用流體或者觸變膏例如使用打印處理來施加全氟聚醚保護層。在J. Vac. Sci. Technol. A5 (4)，1987 年 7/8 月，第 2239-2245 頁中的 S. Schiller, G. Beister, U. Heisig 禾口 H. Forster 等人的公開“High Rate Vapor Deposition and Large System for coating Processes”中，給出了關(guān)于高速率電子束蒸發(fā)和高速率濺射的報告。EP 0 795 890A2公開了用于濺射以實現(xiàn)襯底的反應(yīng)性涂層的設(shè)備，其中，施加到濺射電極的電功率在兩個值之間變化。選擇兩個功率值，使得在恒定的反應(yīng)性氣體流量下， 濺射電極的靶對于第一功率值處于金屬模式，而對于第二功率值處于氧化模式。DE 101 53 760A1涉及用于使用真空涂覆形成UV吸收透明研磨層的方法，其中， 同時地或者直接連續(xù)地，至少一個形成具有高吸收阻力的無機化合物和一個形成具有高UV 吸收的無機化合物沉積在襯底上，其中，通過在襯底上進行反應(yīng)性或者局部反應(yīng)性的基于等離子體的高速率蒸發(fā)而在各個情況下實現(xiàn)該沉積。

發(fā)明內(nèi)容
在傳統(tǒng)的高真空蒸發(fā)中，使用在10’a以下的分子流量的范圍，即，蒸氣分子的平均自由路徑f較大或者分別與儲存室或真空室的幾何尺寸L相當。在此范圍中，蒸氣彈道式地散布，并且蒸氣分布僅遵循幾何規(guī)則。在延伸到約IPa的以上壓力范圍中，遵循努森流量，其中，平均自由路徑f從0. OlL達到0. 1L。這是過渡范圍，其中，散射處理已經(jīng)影響蒸氣的動力。在冷凝速率在lO-lOOnm/s以上的高速度涂覆范圍中，一種處理離開了傳統(tǒng)物理涂覆的范圍，并到達IPa以上的流量的范圍，其中，蒸氣的行為像流動的流體那樣，并能使用宏觀的物理狀態(tài)變量來描述。分類由此遵循Karl Josten (ed.)第9修訂版 ISBN-103-8348-0133-X "Woods Handbuch Vakuumtechnik”。高速率涂覆的基本技術(shù)問題因而是在高真空環(huán)境中提供粘性流。根據(jù)本發(fā)明，此問題被解決的特征在于在高真空室中的某種壓力室中進行涂覆。 此壓力室內(nèi)的容積界定了涂覆空間。用于在高真空下進行高速率涂覆的設(shè)備包括基本上閉合的涂覆空間，該空間通過至少一個蒸發(fā)源供應(yīng)有涂覆材料的蒸氣。涂覆空間至少在一側(cè)由要被涂覆的襯底界定。為了在涂覆空間中形成盡可能高的蒸氣壓力(優(yōu)選地> 101 ),將流出此空間外的材料損失必須保持盡可能低。術(shù)語“基本上關(guān)閉”因而在此上下文中的意思是涂覆空間的所有能夠使蒸氣通過而散逸的開口的總截面小于襯底的涂覆表面的10%。此外，不需要涂覆的所有表面應(yīng)該被設(shè)置成，使得蒸氣不能冷凝在它們上，而是被散射回到涂覆空間中。此組件在圖1中示意性地示出。蒸氣發(fā)生器位于在涂覆室內(nèi)或者表面安裝于涂覆室上，蒸氣發(fā)生器將涂覆材料從固態(tài)或液態(tài)轉(zhuǎn)換成氣態(tài)。用于蒸發(fā)的選擇可從現(xiàn)有技術(shù)公知，例如，通過輻射、電流、電弧、電子束或者交互電磁場而加熱。使得蒸氣散射回來并且在其上應(yīng)該避免蒸氣冷凝的涂覆室壁和所有表面設(shè)置有非粘涂層或者具有適當?shù)臏囟?。在后者的情況下，該表面維持一定的溫度，使得涂覆材料的蒸氣壓力大于涂覆室的壓力。這似乎僅在涂覆材料已經(jīng)在低溫下具有高蒸發(fā)壓力的條件下是可行的。加熱的壁由于閉合的組件而在襯底之前形成熱半空間，其中，熱半空間的輻射對襯底提供了附加加熱的作用。因而， 對于每種情況必須確定此加熱作用是否可接受，或者是否必須使用襯底的主動冷卻系統(tǒng)來散熱。對此問題更方便和更好的解決方案是即使在低溫下也可以分別避免冷凝和涂覆材料粘附的非粘涂層。這種非粘涂層例如在US4，022，928中公開。此處，長鏈全氟聚醚(PEPE) 避免各種金屬在處理的表面上冷凝。為了避免涂層被非粘材料污染，推薦使用由全氟聚醚制成的非粘涂層，其在室溫下具有小于10-5 的蒸氣壓力。優(yōu)選地，蒸氣壓力應(yīng)該小于 10_8!^。由于蒸氣壓力隨著溫度而增大，在一個優(yōu)選實施例中，涂覆有非粘材料的所有表面受到主動式的冷卻。在此布置中，涂覆材料按照期望基本上僅在襯底的表面上冷凝，而不污染壁，并且該表面是涂覆室中僅有的材料熱沉。由此，能確保很高的材料產(chǎn)量并對周圍部件的較低污染。材料的損失對應(yīng)于受到寄生涂覆的部件與對于襯底表面的開口的面積比。對于通過材料流入(源)和流出(在襯底上的冷凝)的每個氣體流，傳統(tǒng)地計算涂覆室中動態(tài)蒸氣壓力梯度，涂覆室中的壓力上限在源溫度下由蒸氣壓力給定。這可以無任何問題地處于10-100 的范圍內(nèi)。在襯底上的冷凝速率當然還取決于其溫度。通常，襯底比蒸發(fā)器的源顯著地更冷。由于冷凝速率隨著溫度差而指數(shù)地增大，襯底表現(xiàn)出很有效的熱沉，并且基本上像海綿一樣吸收流出涂覆室的材料。由此，可以達到很高的冷凝速率 > lOnm/s和極其高的速率> lOOnm/s，并且能實現(xiàn)在處于幾秒的范圍內(nèi)的極短處理時間。在此處理管理中，必須在短時鐘周期內(nèi)用新的襯底置換已涂覆的襯底。由于襯底對涂覆室進行閉合，所以在置換過程中，當在連續(xù)操作中使用該室時，蒸發(fā)的涂覆材料將受到損失。如果與涂覆時段相比置換的持續(xù)時間較短(< 10%)，則損失是可接受的。如果期望短周期操作，推薦在脈沖模式下操作蒸發(fā)源。通過脈沖釋放蒸氣，可以在至少短時間時段內(nèi)維持> 10 的蒸氣壓力水平。此壓力水平是比周圍真空的壓力水平大幾個數(shù)量級，并允許在襯底上極其高的蒸氣冷凝速率··> 100nm/s0在幾秒內(nèi)，優(yōu)選在小于10秒內(nèi)，使涂覆所需的全部材料量被蒸發(fā)。為了保持時間常數(shù)(其由蒸發(fā)器的熱不活潑性給定)盡可能地低，僅對所需的涂覆材料進行加熱。為此， 電弧放電、電磁高頻、或者激光脈沖或調(diào)制電子束尤其適合。在此情況下，必須連續(xù)地調(diào)節(jié)涂覆材料。如果材料源包括連續(xù)操作的瀉流室，可以周期地使用封蓋以打開和關(guān)閉此瀉流室，從而實現(xiàn)定時的操作。然而，在此情況下，為了避免封蓋的涂覆，必須采取與室壁類似的措施(加熱、非粘封蓋)。即使該方法代表真實的高真空涂覆(由于系統(tǒng)中的殘余氣體壓力小于I(T3Pa)，在涂覆階段涂覆室仍填充有比較密的蒸氣云。由于蒸氣分子等與壁頻繁的碰撞，從源出射處的初始方向信息很快地丟失，造成蒸氣內(nèi)相當各向同性的方向分布。在襯底的表面上層厚度的波動相應(yīng)地較低。然而，可以在涂覆室內(nèi)安裝簾幕或者屏障，以用于導向蒸氣、并/或保護襯底、并/或使襯底上的層厚度均勻。例如，可以通過簾幕(比較圖2、避免材料沿著來自源的徑直視線方向到達襯底。如果在快速蒸發(fā)期間產(chǎn)生飛濺或者較大顆粒產(chǎn)生逃逸， 此簾幕還能避免不期望地受到這些顆粒的污染，或者用來屏蔽來自蒸氣源的熱輻射。當然，對于所有這些簾幕或者屏障，必須與所有不應(yīng)該被涂覆的其他表面一樣必須采取相同的設(shè)置。它們要么保持在足夠高的溫度下，要么必須充分地覆蓋有非粘涂層，以及受到主動式的冷卻。


下文將結(jié)合以下附圖的說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例
圖1是用于高壓蒸發(fā)的裝置的示意圖。
圖2是具有用于遮蔽從源到襯底的徑直視線的屏障的高壓蒸發(fā)器。
圖3是具有安裝在其上的瀉流室的高壓蒸發(fā)器。
圖4是在高壓蒸發(fā)器中以電極材料饋送作為源的蒸發(fā)器。
圖5是具有帶有材料饋送的激光或電子束加熱源的高壓蒸發(fā)裝置。
附圖標記說明
1涂覆室
2室壁
3蒸發(fā)源
4襯底
5冷卻或加熱元件
6屏障、簾幕
7瀉流室
8瀉流室的封蓋
9電弧
10可監(jiān)控的金屬電極
11可監(jiān)控的蒸發(fā)材料
12激光或電子束
具體實施例方式以下，將更詳細地描述高壓蒸發(fā)器的幾個優(yōu)選實施例。圖1示出了高壓蒸發(fā)器的示意圖。涂覆室1由壁2和要被涂覆的襯底4的至少一個側(cè)面界定。此布置本身能位于高真空室內(nèi)，該高真空室能通過使用適合的泵設(shè)置到適合的背景壓力< 10_3Pa，使得在涂覆開始之前，僅僅微量的氧或者水蒸氣存在于室內(nèi)。在涂覆室內(nèi)或者與涂覆室相連，有至少一個蒸發(fā)源3，其將涂覆材料轉(zhuǎn)變成氣相。所有將不被涂覆的表面必須具有很低的蒸氣粘性系數(shù)。對于已經(jīng)在適中的溫度產(chǎn)生高蒸氣壓力的涂覆材料，通過調(diào)節(jié)這些表面的溫度， 使得這些表面處的蒸氣壓力高于涂覆室內(nèi)的壓力，能避免冷凝。在一個實際示例中，鎂應(yīng)該作為金屬沉積在半導體襯底上作為導電接觸層。為此， 涂覆室2的壁使用加熱元件5保持在550°C以上的溫度，同時在處理過程中襯底的溫度不超過250°C。由此，鎂蒸氣幾乎完全沉積在襯底的表面上。壁未被涂覆。例如對于許多有機物質(zhì)，很類似的例程是可行的，只要它們在加熱的壁上不腐爛(高溫分解)。然而，技術(shù)上關(guān)注的金屬的大部分(諸如，鋁、鉻、銅或者貴金屬)僅在1000°C以
6上的溫度具有> 10 的蒸氣壓力。在這種情況下，壁的加熱不可行。因而，推薦使用非粘涂料以減小粘性系數(shù)。適合的涂料優(yōu)選地由長鏈PEFE化合物(例如，F(xiàn)omblin)。為了保持 PFPE化合物的蒸氣壓力較低并為了將來自蒸發(fā)源的熱輻射散去，與其連接的涂覆部件優(yōu)選地受到主動式冷卻。為了調(diào)節(jié)壁5的溫度，例如，諸如水管的冷卻元件能用作冷卻元件。在此情況下，壁材料2應(yīng)該由良好的導熱體的材料制成。優(yōu)選導熱系數(shù)λ >80W/(m*K)的材料，諸如鋁、銅和這些金屬的合金。為了使襯底上的層厚度均勻，在涂覆室中安裝屏障或者簾幕6是可取的。這在圖 2中示例性示出，其中，簾幕遮住從源到襯底的徑直視線。因而，涂覆材料僅能通過散射而在間接路徑上到達襯底。這種屏障還能避免襯底的污染或者源的加熱作用。屏障能制成任何幾何形狀，例如，穿孔的金屬板。由于它們不用于被涂覆，所以取決于處理管理，類似于室壁，它們可以供應(yīng)有加熱系統(tǒng)或者供應(yīng)有非粘涂層和冷卻系統(tǒng)(未示出)。涂覆室的開口相對于襯底構(gòu)成了競爭涂覆材料的關(guān)系，從而降低了產(chǎn)量。因而，蒸發(fā)源優(yōu)選地位于涂覆室內(nèi)或者直接安裝在涂覆室上。為了進行長時間的操作，這些蒸發(fā)器必須具有大的材料容積或者必須可以從外部進行裝載。在以下，將描述若干優(yōu)選實施例作為示例。圖3示出了通常的具有有限的材料容積7的加熱瀉流室(effusion cell)，該室直接安裝在涂覆室上。瀉流室維持在高溫并以高蒸氣壓力釋出材料。為了實現(xiàn)脈沖操作，熱瀉流室7可以用封蓋8打開和關(guān)閉。為了避免封蓋的涂覆，封蓋要么像室壁那樣保持在高溫度，要么必須設(shè)置有非粘性涂層。為了在涂覆室內(nèi)蒸發(fā)金屬，還可以使用其電極能夠被調(diào)節(jié)的電弧蒸發(fā)器9。例如， 它在圖4中示出。涂覆材料以兩根導線或棒的形式通過室壁中的套管插入到涂覆室中，其中，兩者被彼此相鄰地布置，但留下較小的縫隙。通過分別施加高電壓或者高電壓脈沖，形成火花，在火花端點上電極材料蒸發(fā)，并由此形成導電氣體通道。這允許在電極之間的高電流，并且電弧允許電極材料平滑地蒸發(fā)。電極10被監(jiān)控(traced)，直到期望的材料量蒸發(fā)， 并且通過斷開電流或者通過增大電極之間的距離關(guān)閉電弧。在此布置中，除了電極形式的涂覆材料之外，沒有源的其他成分。材料在電極的尖端選擇性地加熱，并很有效地蒸發(fā)。在圖5中示出了另一示例性布置。在此情況下，涂覆材料11通過涂覆室中的套管而施加。為了加熱和蒸發(fā)可再補充的材料供應(yīng)，使用形成在涂覆室外部并通過盡可能小的室壁開口而導向到涂覆材料上的功率可調(diào)節(jié)的高能激光或電子束12。此外，在此布置中，通過調(diào)制電子束的功率可以實現(xiàn)脈沖模式。本發(fā)明的其他實施例1. 一種用于在高真空中進行高速率涂覆的設(shè)備，包括基本上閉合的涂覆室，使用至少一個蒸發(fā)源向所述涂覆室供應(yīng)涂覆材料的蒸氣，所述設(shè)備的特征在于a.所述涂覆室被限界在所述襯底的至少一側(cè)上，b.所述涂覆室的所有開口的總截面相當于不到所述襯底的所述涂覆表面的 10%。c.無需涂覆的所有表面被設(shè)置成使得蒸氣不能冷凝在所述表面上，并且d.冷凝到襯底上的有效速率> lOnm/s。2.根據(jù)示例1所述的設(shè)備，其特征在于，要避免蒸氣冷凝的所有表面被保持在適當?shù)臏囟然蛘弑辉O(shè)置有非粘涂層。3.根據(jù)示例1或2中的任一者所述的設(shè)備，其特征在于，所述非粘涂層包括全氟聚醚，并在室溫下具有小于10-5 的蒸氣壓力。4.根據(jù)示例1至3中的任一者所述的設(shè)備，其特征在于，設(shè)置有非粘涂層的表面受到主動式冷卻。5.根據(jù)示例1至4中的任一者所述的設(shè)備，其特征在于，所述涂覆室中的蒸氣壓力在涂覆階段期間達到至少lOI^a。6.根據(jù)示例1至5中的任一者所述的設(shè)備，其特征在于，在所述涂覆室內(nèi)設(shè)置屏障或者簾幕，用于對所述金屬蒸氣進行導向、并/或用于保護所述襯底、并/或者用于使所述襯底上的層厚度均勻。7.根據(jù)示例1至6中的任一者所述的設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源在脈沖模式下工作，使得在幾秒內(nèi)，優(yōu)選在小于10秒內(nèi)，使涂覆所需的材料量蒸發(fā)，使得短周期操作是可行的。8.根據(jù)示例1至7中的任一者所述設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源包括熱瀉流室， 所述熱瀉流室能使用封蓋打開和關(guān)閉。9.根據(jù)示例1至7中的任一者所述的設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源由電弧蒸發(fā)器組成，所述電弧蒸發(fā)器具有能被監(jiān)控的電極。10.根據(jù)示例1至7中的任一者所述的設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源包括可補充的材料供應(yīng)體，使用受到功率控制的激光或電子束來使所述材料供應(yīng)體蒸發(fā)。11. 一種用于在高真空中進行高速率金屬涂覆的方法，其特征在于a.在基本上閉合的涂覆室內(nèi)進行涂覆，由至少一個蒸發(fā)源對所述涂覆室進行供應(yīng)，并且b.將所述涂覆室限界在所述襯底的至少一側(cè)上，c.并且蒸發(fā)的涂覆材料通過所述涂覆室的壁而被散射回來，d.使得在所述涂覆室中形成> 10 的蒸氣壓力，并且e.所述材料的蒸氣在不污染壁的情況下基本冷凝在所述襯底上。
權(quán)利要求
1.一種用于在高真空中進行高速率金屬涂覆的設(shè)備，包括a.處于高真空內(nèi)的涂覆室，所述涂覆室包括至少一個通往所述高真空的開口；b.至少一個蒸發(fā)源，其被布置成使得其將金屬蒸氣顆粒發(fā)射到所述涂覆室中；c.其中，所述涂覆室被限界在襯底的至少一側(cè)上；所述設(shè)備的特征在于d.不需要涂覆的所有表面設(shè)置有非粘涂層；以及e.所述涂覆室通往所述高真空的所有開口的總截面被配置成，使得開啟所述蒸發(fā)源之后，從高真空條件開始，在所述涂覆室中形成對從所述蒸發(fā)源到所述襯底的金屬蒸氣顆粒的粘性流動。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述非粘性涂層包括全氟聚醚，并在室溫下具有小于IOla的蒸氣壓力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其特征在于，設(shè)置有所述非粘性涂層的表面受到主動式的冷卻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述涂覆室中的金屬蒸氣壓力在涂覆階段期間達到至少lOI^a。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的設(shè)備，其特征在于，在所述涂覆室內(nèi)設(shè)置屏障或簾幕，以用于對所述金屬蒸氣進行導向、并/或用于保護所述襯底、并/或用于使所述襯底上的層厚度均勻。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源在脈沖模式下工作，使得在幾秒內(nèi)，優(yōu)選在小于10秒內(nèi)，使涂覆所需的材料量蒸發(fā)，從而使得短周期操作可行。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源包括熱瀉流室， 所述熱瀉流室使用封蓋來打開和關(guān)閉。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源包括電弧蒸發(fā)器，所述電弧蒸發(fā)器受到監(jiān)控的電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述蒸發(fā)源包括可補充的材料供應(yīng)體，所述材料供應(yīng)體使用受到功率控制的激光或電子束而被蒸發(fā)。
10.一種用于利用根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的設(shè)備在高真空中進行高速率金屬涂覆的方法。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有非常高沉積速率、大涂覆厚度和高材料產(chǎn)量的真空涂覆方法以及用于執(zhí)行該涂覆處理的設(shè)備。為了解決在傳統(tǒng)真空蒸發(fā)方法中一方面涂覆厚度均勻性與另一方面材料產(chǎn)量和涂覆速率之間的矛盾，襯底形成了基本上閉合的涂覆室的邊界，該涂覆室得到蒸發(fā)源的供應(yīng)。所述蒸發(fā)室的壁和不應(yīng)該被涂覆的所有表面受到溫度控制或者設(shè)置有抗粘性層，使得蒸氣不能在其上冷凝并且散射回到涂覆室中。因而，在涂覆室中建立非常高的蒸氣壓力，并造成在襯底上很高的冷凝速率和涂覆厚度的均勻化。因為襯底是僅有的蒸氣能在其上冷凝的表面，所以幾乎沒有材料損失，并且產(chǎn)量極高。借助于蒸發(fā)源的脈沖操作能實現(xiàn)短周期的涂覆。
文檔編號B05D5/08GK102421930SQ201080019269
公開日2012年4月18日 申請日期2010年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月29日
發(fā)明者沃納·普路塞特 申請人:澤瓦薄膜技術(shù)股份有限公司