專利名稱：粘合劑、粘合片及電子元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種粘合劑、使用該粘合劑的粘合片，以及電子元件的制造方法，特別是涉及一種用于切割晶片的粘合劑、粘合片，以及以晶片為基礎(chǔ)的電子元件的制造方法。
背景技術(shù)：
就切割晶片而制造電子元件時所使用的粘合片，專利文獻1至3中揭示了相關(guān)技術(shù)。這些粘合片是層積裸片貼裝膜(die attach film)而成的、兼?zhèn)淝懈钣谜澈掀δ芤约皩⑿酒潭ㄓ谝€框等的粘合劑功能的粘合片。通過層積裸片貼裝膜來省略電子元件制造過程中的切割后的粘合劑涂敷工序。背景技術(shù)文獻專利文獻
專利文獻1日本專利申請?zhí)亻_2006-049509號公報專利文獻2日本專利申請?zhí)亻_2007-246633號公報專利文獻3日本專利申請?zhí)亻_2008-001817號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題然而，使用現(xiàn)有的粘合片的過程中，隨著半導(dǎo)體零部件的高集積化而以尺寸大且薄的芯片為對象時，有時會出現(xiàn)對切割后的芯片的拾取工作變得困難的情況。并且，就層積有裸片貼裝膜的粘合片來說，在晶片切割成裸芯片(die chip)后，進而拾取時，有時會出項裸芯片會從裸片貼裝膜脫落的情況。本發(fā)明針對這種問題而產(chǎn)生，本發(fā)明提供了一種粘合劑，其具有優(yōu)異的芯片拾取性，且能夠抑制裸芯片從裸片貼裝膜脫落的現(xiàn)象發(fā)生。為了解決課題的手段根據(jù)本發(fā)明，提供一種粘合劑，其含有(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有4個以上乙烯基的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(urethane acrylate oligomer)和硅酮微粒。該粘合劑適宜作為DAF —體型粘合片的粘合劑層材料，該DAF —體型的粘合片在基材片上具備粘合劑層以及裸片貼裝膜(以下，稱“DAF”)，若使用具有由該粘合劑組成的粘合劑層的粘合片，當切割后拾取芯片時，能輕易剝離裸片貼裝膜(以下，稱“DAF”)和粘合劑層，因此，能抑制芯片的拾取不良。并且，可以抑制DAF從芯片脫落。進而，在切割時具有優(yōu)異的芯片保持性的同時，微量殘余糊劑對DAF的污染性也低。以下對本發(fā)明的各種實施形態(tài)進行例示。以下所示的各種實施方式可以相互組
I=I O上述硅酮微粒的含有量，相對于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，優(yōu)選為 0.05質(zhì)量份以上150質(zhì)量份以下。此時，芯片的拾取性特別出色，DAF特別不易從晶片脫落。
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上述氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的含有量，相對于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物 100質(zhì)量份，優(yōu)選為15質(zhì)量份以上225質(zhì)量份以下。此時，芯片的拾取性特別出色，DAF特別不易從晶片脫落。上述硅酮微粒的含有量相對于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，為0. 1 質(zhì)量份以上100質(zhì)量份以下，上述氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的含有量，也可以為20質(zhì)量份以上200質(zhì)量份以下。上述硅酮微粒以利用聚有機倍半硅氧烷(polyorganosilsesquioxane)樹脂覆蓋硅酮橡膠球狀微粒為宜。此時，DAF特別不易從晶片脫落。進一步含有硅酮接枝聚合物(silicone graft polymer)為宜。此時，芯片的拾取性特別出色，DAF特別不易從晶片脫落。上述硅酮接枝聚合物的含有量，相對于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物的100質(zhì)量份，優(yōu)選為0. 05質(zhì)量份以上12. 5質(zhì)量份以下。此時，芯片的拾取性特別出色，DAF特別不易從晶片脫落。本發(fā)明還提供一種基材膜，以及具備在上述基材膜上涂敷上述粘合劑的粘合劑層的粘合片。該粘合片具有出色的芯片拾取性，DAF不易從晶片脫落。并且，該粘合片適用于固定電子元件。并且，在上述粘合劑層上以層積有DAF為宜。進而，本發(fā)明又提供一種電子元件的制造方法，其包括在上述粘合片的DAF表面貼合晶片的晶片貼合工序；對所述貼合在粘合片上的晶片進行切割而制作裸芯片的切割工序；切割工序后剝離上述DAF及上述粘合劑層，并將上述裸芯片與上述DAF —起進行拾取的拾取工序。并且，本發(fā)明還提供一種電子元件的制造方法，其包括在晶片的背面全面涂敷糊狀粘合劑的涂敷工序；加熱上述糊狀粘接劑而使半固化成片狀而形成粘接劑半固化層的半固化工序；貼合上述粘接劑半固化層和上述粘合片的粘合劑層的粘合片貼合工序；上述粘合片貼合工序后，切割上述晶片而形成裸芯片的切割工序；上述切割工序后，剝離上述粘接劑半固化層和上述粘合劑層，將上述裸芯片和上述粘接劑半固化層一起進行拾取的拾取工序。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，芯片的尺寸又大又薄時也能實現(xiàn)出色的切割后的芯片拾取性，并且， 即使是層積有DAF的粘合片，當切割晶片而使其裸芯片化后，在進行拾取時，DAF也不會從裸芯片脫落。


圖1表示本發(fā)明的一實施方式的粘合片及電子元件的制造方法的說明圖。圖2是模式性地表示圖1的下一個工序以及此時的粘合片的說明圖。圖3是模式性地表示圖2的下一個工序以及此時的粘合片的說明圖。圖4是模式性地表示圖3的下一個工序的說明圖。符號的說明1粘合劑層2基材膜3粘合片
4DAF (裸片貼裝膜)5DAF 一體型粘合片6硅晶片7環(huán)形框8切割刀片9 切口10裸芯片11引線框
具體實施例方式以下，結(jié)合圖1 圖4對本發(fā)明的實施形態(tài)進行詳細說明。在圖1 圖4中，對相同構(gòu)成要素使用相同的符號?！从谜Z的說明〉在本說明書中，所謂單體是指單體本身或來源于單體的結(jié)構(gòu)。本說明書中的部 (份)以及％，若無特別記載就意味著以質(zhì)量為基準。在本說明書中所謂(甲基)丙烯酸是指在(甲基)丙烯酸中含(甲基)的化合物，以及不含(甲基)的化合物的總稱。并且， (甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的總稱。<實施方式的概要>圖1 圖4表示本實施方式的粘合片及電子元件的制造方法的說明圖。如圖1所示，本實施方式的粘合片3具備基材膜2和粘合劑層1。在粘合劑層1上層積有DAF (裸片貼裝膜)4，由粘合片3與DAF4形成DAF —體型粘合片5。在DAF4上層積有硅晶片6。粘合劑層1是在基材膜2上涂敷粘合劑而成，其中，所述粘合劑中含有(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有4個以上乙烯基的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，以及硅酮微粒。就具有上述組成的粘合劑的DAF —體型粘合片5來說，使用其而進行裸芯片10的拾取作業(yè)時，容易剝離DAF4和粘合片3的粘合劑層1。并且，所述DAF—體型粘合片5具有出色的芯片保持性，可以抑制切割時所發(fā)生的裸芯片10剝離的現(xiàn)象(即“芯片散落”)。在使用了 DAF—體型粘合片5的電子元件的制造方法中，在切割硅晶片6之后的裸芯片10的背面貼合DAF4的狀態(tài)下拾取裸芯片10，并直接將裸芯片10安裝并粘接于引線框11等內(nèi)。此時，由于殘余的糊劑量很少而DAF4很少受污染，以及DAF4不會從裸芯片10 脫落，因此，可以抑制發(fā)生粘接不良。以下，以粘合劑、粘合片、電子元件的制造方法的順序進行詳細的說明。<1.粘合劑〉首先，對本實施方式涉及的粘合劑進行說明。本實施方式的粘合劑，含有(甲基) 丙烯酸酯聚合物、具有4個以上乙烯基的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，以及硅酮微粒。作為該粘合劑的一個例子，含有(甲基)丙烯酸酯聚合物為100質(zhì)量份，具有4個以上乙烯基的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物為20質(zhì)量份以上且200質(zhì)量份以下，以及硅酮微粒為0. 1質(zhì)量份以上且100質(zhì)量份以下。此粘合劑，實質(zhì)上僅含有這三個成分即可，不過也可以添入各種已公知的添加劑，如固化劑、增粘樹脂、聚合引發(fā)劑、軟化劑、防老化劑、填充劑、防靜電劑、紫外線吸收劑，以及光穩(wěn)定劑。粘合劑，優(yōu)選為以上述三個成分作為主要成分。粘合劑中的上述三種成分的總含量例如為50、60、70、80、90、95、99、100%。上述三種成分的總含量，可以為在此例示的任何1個值以上或者在任意2個值的范圍內(nèi)。<1-1.(甲基)丙烯酸酯聚合物>(甲基)丙烯酸酯聚合物，是聚合了(甲基)丙烯酸酯單體的聚合物。并且，(甲基)丙烯酸酯聚合物，也可以含有(甲基)丙烯酸酯單體以外的乙烯基化合物單體。并且， 用于(甲基)丙烯酸酯聚合物制造的(甲基)丙烯酸酯單體，既可以是1種，也可以是2種以上。作為(甲基)丙烯酸酯的單體，例如有(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基) 丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、 (甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸鯨蠟酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基) 丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸三環(huán)[5.2. 1.02，6]癸-8-基酯 (dicyclopentanyl (meth) acrylate),(甲基)丙烯酸芐基酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、 (甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基正丙酯、 (甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、或(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯。在這些物質(zhì)中，為了粘合劑初始的粘附力充足而使粘合片確實地固定在環(huán)形框11，優(yōu)選的是含有(甲基)丙烯酸酯和(甲基)丙烯酸乙酯。該(甲基)丙烯酸酯單體以含有羥基為宜。這是因為含有羥基的單體可使粘合劑均質(zhì)化，而是通過羥基至少與存在于氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的反應(yīng)殘渣中的異氰酸酯基或存在于異氰酸酯固化劑中的異氰酸酯基進行反應(yīng)，可抑制發(fā)生硅氧烷接枝聚合物導(dǎo)致的污染的緣故。作為乙烯基化合物單體，可以適當使用含1種以上的選自羥基、羧基、環(huán)氧基、酰胺基、氨基、羥甲基、磺酸基、氨基磺酸基，以及(亞)磷酸酯基所構(gòu)成的官能基中的官能基的物質(zhì)。作為含有羥基的乙烯基化合物單體，例如有乙烯醇。作為含有羧基的乙烯基化合物單體，例如有(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐、衣康酸、富馬酸、丙烯酰胺-N-乙醇酸以及肉桂酸。作為含有環(huán)氧基的乙烯基化合物單體，例如有烯丙基縮水甘油醚，或者(甲基)丙烯酸縮水甘油醚。作為含有酰胺基的乙烯基化合物單體，例如有(甲基)丙烯酰胺。作為含有氨基的乙烯基化合物單體，例如有基(甲基)丙烯酸-N，N-二甲基氨基乙酯。作為有羥甲基的乙烯基化合物單體，例如有N-羥甲基丙烯酰胺。對于(甲基)丙烯酸酯聚合物的重量平均分子量(Mw)，并不作特別的限定，不過優(yōu)選為20萬 250萬。因為在這種情況下，粘合劑的特性尤其出色。該平均分子量的數(shù)值， 例如為20萬、40萬、60萬、80萬、100萬、150萬、200萬、250萬。這個重量平均分子量，可以在所例示的任何2個值之間的范圍內(nèi)。(甲基)丙烯酸酯聚合物的制造方法，可以使用乳化聚合、溶液聚合等。為了在照射放射線之后使粘合片3和裸片貼裝膜4容易剝離，優(yōu)選的是使用乳化聚合制造的丙烯酸橡膠。
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就(甲基)丙烯酸酯聚合物來說，特別是，在以丙烯酸乙酯和丙烯酸丁酯和丙烯酸甲氧基乙酯的總計為100質(zhì)量％時，其是含有丙烯酸乙酯35 75質(zhì)量％、丙烯酸丁酯10 30質(zhì)量％、丙烯酸甲氧基乙酯15 35質(zhì)量％的共聚物，因此優(yōu)選為使用乳化聚合來制造。 其原因在于，粘合片3的初始粘附力充足，可將粘合片3確實地固定在環(huán)形框11。<1-2.氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物⑴rethane Acrylate Oligomer))所謂“具有4個以上乙烯基的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物”(以下，亦簡稱為“氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物”)，只要是具有4個以上乙烯基，且在分子內(nèi)具有氨基甲酸酯鍵的 (甲基)丙烯酸酯低聚物即可，并無特別的限定。如果氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的乙烯基的數(shù)量少于4個，有時在放射線照射之后裸片貼裝膜4和粘合劑層1不容易剝離，使裸芯片10的拾取性降低。另一方面，對于氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物中的乙烯基數(shù)量的上限不做特別限定，不過如果將易獲得性或制造成本等作為考慮因素，優(yōu)選為最多15個左右。乙烯基的數(shù)量，例如為，4、6、9、10、15、20、 25個。乙烯基的數(shù)量可以為在此例示的任何1個值以上或者任何2個值的范圍之內(nèi)。對于氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的重量平均分子量(Mw)，并無特別的限定，不過優(yōu)選為1000 20000。因為在這種情況下，粘合劑的特性特別出色。該數(shù)均分子量，例如為 1000、2000、3000、4000、5000、6000、8000、10000、15000、20000。該重量平均分子量，可以為在此例示的任何2個值范圍之內(nèi)。對氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的配合量，并無特別的限定，不過，例如相對于(甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，以5質(zhì)量份以上且300質(zhì)量份以下為宜，優(yōu)選為15質(zhì)量份以上且2 質(zhì)量份以下，更優(yōu)選為20質(zhì)量份以上且200質(zhì)量份以下。該配合量，相對于 (甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，例如為5、10、15、20、50、100、150、200、250、300質(zhì)量份。該配合量也可以為在此例示的任何2個值之間的范圍之內(nèi)。如果該氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的配合量過少，有時在紫外線及/或放射線照射之后粘合片3和裸片貼裝膜4不容易剝離，發(fā)生裸芯片10拾取性方面的問題。并且，如果配合量過多，則不僅切割時可能會由糊劑的挖起而引發(fā)拾取不良，還可能會由反應(yīng)殘渣產(chǎn)生微量的糊劑殘留，將附著有裸片貼裝膜4的裸芯片10搭載至引線框11并實施加熱時有可能會發(fā)生粘接不良問題。氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的制造方法并無特別限定，可以列舉例如使含有羥基和多個(甲基)丙烯酸酯基的(甲基)丙烯酸酯化合物與含有多個異氰酸酯基的化合物 (例如二異氰酸酯化合物)相互反應(yīng)而形成氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的方法。并且，也能通過向含有多個羥基末端的多元醇低聚物中過量添加含有多個異氰酸酯基的化合物(例如二異氰酸酯化合物)并使兩者相互反應(yīng)，而作成含有異氰酸酯基末端的低聚物，然后，進一步與含有羥基以及多個(甲基)丙烯酸酯基的(甲基)丙烯酸酯化合物進行反應(yīng)，來形成氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物。作為含有羥基和多個(甲基)丙烯酸酯基的(甲基)丙烯酸酯化合物，例如有羥丙基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇-羥基-五丙烯酸酯、 雙(季戊四醇)四丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三丙烯酸酯、縮水甘油二丙烯酸酯或者將它們的丙烯酸酯基部分或全部替換為甲基丙烯酸酯基的化合物等。作為含有多個異氰酸酯基的異氰酸酯，例如有芳香族異氰酸酯、脂環(huán)族異氰酸酯以及脂肪族異氰酸酯等。在含有多個異氰酸酯基的異氰酸酯中，使用芳香族異氰酸酯或脂環(huán)族異氰酸酯為宜。作為異氰酸酯化合物的形態(tài)，有單體、二聚體以及三聚體，其中，使用三聚體為宜。作為芳香族異氰酸酯，例如有甲苯二異氰酸酯，4，4_ 二苯甲烷二異氰酸酯，或者苯二亞甲基二異氰酸酯。作為脂環(huán)族二異氰酸酯，例如有異佛爾酮二異氰酸酯、亞甲基雙(4-環(huán)己基異氰酸酯)。作為脂肪族二異氰酸酯，例如有1，6_己二異氰酸酯、三甲基-1， 6-己二異氰酸酯等。作為含有多個羥基末端的多元醇低聚物，例如有聚(氧丙烯)二醇、聚(氧丙烯) 三醇、聚(氧乙烯-氧丙烯)二醇、聚(氧丁烯)二醇、乙氧基化雙酚A、乙氧基化雙酚S螺環(huán)二醇、己內(nèi)酯變性二元醇以及碳酸酯二元醇。<1-3.硅酮微粒>所謂硅酮微粒，是指由在基本骨架上含有硅氧鍵(-SiO-)的化合物(硅酮)所形成的微粒，例如，由聚有機硅氧烷或聚有機倍半硅氧烷所形成的球狀微粒。對硅酮微粒的配合量并無特別限定，不過，例如相對于(甲基)丙烯酸酯聚合物 100質(zhì)量份，硅酮微粒的配合量以0. 01質(zhì)量份以上且200質(zhì)量份以下為宜，優(yōu)選為0. 05質(zhì)量份以上且150質(zhì)量份以下，更優(yōu)選為0. 1質(zhì)量份以上且100質(zhì)量份以下。如果硅酮微粒的配合量過少，在紫外線以及(或者)放射線照射之后粘合片3和裸片貼裝膜4不容易剝離，因此有時會發(fā)生裸芯片10拾取性方面的問題。而且，即使在能夠拾取的情況下，裸片貼裝膜4的局部或者全部會從裸芯片10脫落，在引線框11上裝貼裸芯片10時，有時會引發(fā)粘接不良。如果硅酮微粒的配合量過多，初始的粘附力降低，可能會有切割時芯片散落，或粘合片3從環(huán)形框7剝離的現(xiàn)象發(fā)生。硅酮微粒的配合量，例如有0. 05,0. 1,0. 5、1，5、10、 50、100、150、200質(zhì)量份。該配合量可以為在此例示的任何2個值范圍內(nèi)的值。硅酮微粒的平均粒徑，可適宜選用粘合劑層1厚度以下的硅酮微粒，優(yōu)選為 0. 01 μ m以上10 μ m以下。如果平均粒徑過小，向粘合劑的分散性變差，可能發(fā)生拾取性方面的問題；如果平均粒徑過大，粘合劑的粘性變低，使初始的粘附力降低，因而在切割時可能發(fā)生芯片散落。硅酮微粒的平均粒徑，例如為0. 01,0. 05,0. 1,0. 5、1、1. 5、2、2. 5、3、5、 IOum0該平均粒徑，可以為在此例示的任何2個值范圍內(nèi)的值。另外，在本說明書中，所謂 “平均粒徑”，是指根據(jù)激光衍射/散射法求得的粒度分布中的累計值50%時的粒徑。硅酮微粒，以聚有機倍半硅氧烷樹脂覆蓋硅酮橡膠球狀微粒為宜。此種微粒在粘合劑中的分散性良好，因而為優(yōu)選。硅酮橡膠球狀微粒，是具有橡膠彈性的球形硅酮微粒，例如，是在分子結(jié)構(gòu)中具有用通式(1)表示的線狀聚有機硅氧烷嵌段(linear polyorganosiloxane block)的、具有橡膠彈性的球狀硅酮固化物組成的物質(zhì)，-(RI2SiO)a-......(1)(這里的Rl為甲基、乙基、丙基、丁基等烷基、苯基、丙烯基等的芳基、乙烯基、丙烯基等的脂烯基、β -苯乙基、β -苯丙基等的芳烷基、三氯甲基、3，3，3-三氟丙基等的1價鹵化烴基，或者從含有如環(huán)氧基、氨基、氫硫基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基等的反應(yīng)性基的有機基中選出的1種或者2種以上的、碳數(shù)為1 20的1價有機基選出的基，優(yōu)選為甲基， 在Rl占90mOl%以上。A不滿5時不能充分發(fā)揮線狀聚有機硅氧烷的特性，雖然對A的最大值并無特別限定，不過，實際上如果大于5，000，硅酮橡膠微粒的制造會變得困難，因此A 應(yīng)為5 5，000，優(yōu)選為10 1，000的數(shù)值)。該硅酮橡膠球狀微粒，也可以在其粒子中含有硅酮油、有機硅烷、無機粉末、有機粉末等。聚有機倍半硅氧烷樹脂，是以通式(2)表示的物質(zhì)，R2SiO372......(2)這個通式中的R2是以有機倍半硅氧烷單位(organosilsesquioxane unit)為構(gòu)成單位的樹脂狀聚合物，其中有機倍半硅氧烷是從如甲基、乙基、丙基、丁基等烷基，或如苯基、丙烯基等的芳基，或如乙烯基、丙烯基等的脂烯基，或如苯乙基、苯丙基等的芳烷基，或如三氯甲基、3，3，3_三氟丙基等的1價鹵化烴基，或如環(huán)氧基、氨基、氫硫基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基等含有反應(yīng)基的有機基中選出的1種或者2種以上的，碳數(shù)為1 20的1價有機基。聚有機倍半硅氧烷樹脂(polyorganosilsesquioxane resin)中的R2，以甲基占其50mOl%以上為宜。并且，除&3103/2單位以外，在不損傷其覆蓋性的范圍內(nèi)，也可以含有少量的I^2Si02/2單位，R&Si01/2單位，SW2單位。對于聚有機倍半硅氧烷樹脂的數(shù)均分子量(Mn)，雖然沒有特別限定，不過以 500 10000為宜。因為在這種情況下，粘合劑的特性尤其出色。該數(shù)均分子量，例如為 500、1000、2000、3000、4000、5000、6000、7000、8000、9000、10000。該數(shù)均分子量，也可以為在此例示的任何2個值范圍內(nèi)的值。聚有機倍半硅氧烷樹脂，既可以均勻地覆蓋硅酮橡膠球狀微粒表面的全部，也可以覆蓋局部表面，不過相對于硅酮橡膠球狀微粒100質(zhì)量份，聚有機倍半硅氧烷樹脂樹脂如果不滿1質(zhì)量份，會使粘合劑的分散性變得不足，如果多于500質(zhì)量份，會使硅酮橡膠球形粒子的特性得不到充分發(fā)揮。從而，相對于硅酮橡膠球形微粒100質(zhì)量份，聚有機倍半硅氧烷樹脂的配合量，以1質(zhì)量份以上500質(zhì)量份以下為宜，更優(yōu)選為5質(zhì)量份以上100質(zhì)量份以下。該配合量，相對于硅酮橡膠球狀微粒100質(zhì)量份，該配合量為1、5、10、20、50、100、 150、200、250、300、350、400、500質(zhì)量份。該配合量，也可以為在此處示例的任何2個值范圍內(nèi)的值。<1-4.硅酮接枝聚合物(Silicone Graft Polymer))本發(fā)明的粘合劑，為降低裸片貼裝膜4和粘合劑層1的密合性，且提高拾取性，以含有硅酮接枝聚合物為宜。作為硅氧烷接枝聚合物，除了將硅氧烷分子鏈的末端具有乙烯基的單體(以下稱為“硅氧烷大分子單體(silicone macromonomer)”)聚合而得的物質(zhì)以外，例如還有硅氧烷大分子單體的均聚物，或硅氧烷大分子單體與其他乙烯基化合物的共聚物。硅氧烷大分子單體可優(yōu)選使用硅氧烷分子鏈的末端為(甲基)丙烯?；虮揭蚁┗鹊囊蚁┗幕衔?。作為其他乙烯基化合物，可優(yōu)選使用與其他摻入粘合劑中的聚合物的相溶性較高的(甲基)丙烯酸酯單體。因為采用相溶性較高的材料，可使粘合劑全體變得均質(zhì)。作為(甲基)丙烯酸酯單體，例如有(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羥基烷基酯、變性羥基(甲基)丙烯酸酯以及(甲基)丙烯酸等，但是為防止殘留微量的被稱為 “微?！?(particle)的糊劑，可優(yōu)選使用具有反應(yīng)性的(甲基)丙烯酸羥基烷基酯或變性羥基(甲基)丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，例如有(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、或者(甲基)丙烯酸羥基烷基酯等。作為(甲基)丙烯酸羥基烷基酯，例如有(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯以及(甲基)丙烯酸羥基丁酯。作為變性羥基(甲基)丙烯酸酯，例如有環(huán)氧乙烷變性羥基(甲基)丙烯酸酯，以及內(nèi)酯變性羥基(甲基)丙烯酸酯。作為硅酮接枝聚合物，特別是作為將含有(甲基)丙烯?；墓柩跬榇蠓肿訂误w 5 95質(zhì)量份、甲基丙烯酸酯5 95質(zhì)量份(硅氧烷大分子單體和甲基丙烯酸酯合計為 100質(zhì)量份)進行聚合而形成的硅酮接枝聚合物，優(yōu)選為通過使用含有羥基的引發(fā)劑進行聚合，在硅酮接枝聚合物的末端和/或側(cè)鏈至少含有1個羥基的硅酮接枝聚合物。其原因在于，粘合片和裸片貼裝膜容易剝離，裸芯片的拾取性變好。對硅酮接枝聚合物的重量平均分子量(Mw)，無特別限定，不過優(yōu)選為1000 5萬。 因為在此種情況下，粘合劑的特性尤其出色。該重量平均分子量，例如為1000、2000、3000、 5000、1萬、2萬、3萬、5萬。該重量平均分子量，可以在此處示例的任何2個值范圍內(nèi)。例如，相對于(甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，硅酮接枝聚合物的配合量，可以為0. 01質(zhì)量份以上15質(zhì)量份以下，優(yōu)選為0. 05質(zhì)量份以上12. 5質(zhì)量份以下，更優(yōu)選為 0. 1質(zhì)量份以上10質(zhì)量份以下。諾硅酮接枝聚合物的配合量過少，在紫外線及/或放射線照射之后，粘合片3和裸片貼裝膜4不容易剝離，可能會發(fā)生裸芯片10拾取性方面的問題。 并且，如果過量配合，會降低初始粘附力，在切割時可能會從環(huán)形框7剝離。該配合量相對于(甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，例如為0. 01、0. 05,0. 1、0· 5、1、2、5、10、12· 5、15質(zhì)量份。該配合量，也可以在此處示例的任何2個值范圍內(nèi)。<2.粘合片 >粘合片3通過在基材膜2上涂敷粘合劑來制造，由基材膜2以及層積于該基材膜2 之上的粘合劑層1所構(gòu)成。粘合片3可以用于固定在切割或背面研磨時所用的電子元件， 但是優(yōu)選作為通過層積DAF4和粘合片3而成的，兼用于切割工序中的電子元件的固定和向引線框11的固定工序中的DAF —體型粘合片5而使用。<2-1.粘合劑層>粘合劑層1的厚度，優(yōu)選為1 μ m以上，尤其優(yōu)選為2 μ m以上。并且，粘合劑層1的厚度，優(yōu)選為100 μ m以下，更優(yōu)選為40 μ m以下。粘合劑層1的厚度過薄，會降低粘附力， 會降低切割時的芯片保持性的同時還會引起環(huán)形框7和粘合片3之間的剝離。并且，粘合劑層1的厚度過厚，有時會使粘附力變得過強，而引起拾取不良。<2-2.基材膜〉基材膜2的厚度優(yōu)選為30 μ m以上，為防止在拾取工序中拉伸粘合片時粘合片裂開，更優(yōu)選為60 μ m。并且，基材膜2的厚度，優(yōu)選為300 μ m以下，在拾取工序中進行拉伸粘合片時為了獲得高彈性，更優(yōu)選為200 μ m以下。作為基材膜2的材料，例如有將聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯酸共聚物，或者將乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸酯共聚物等以金屬離子交聯(lián)而形成的離子鍵樹脂(ionomer resin) 0基材膜2可以使用這些樹脂的混合物、共聚體，以及多層膜。作為基材膜2的材料，優(yōu)選使用離子鍵樹脂。尤其在離子鍵樹脂中，如果使用將具有乙烯單位、(甲基)丙烯酸單位，以及(甲基)丙烯酸烷基酯單位的共聚物用Na+、K+、Zn2+ 等金屬離子進而交聯(lián)而得的離子鍵樹脂，則可抑制產(chǎn)生胡須狀切削屑，因此可優(yōu)選使用。對基材膜2而言，特別是優(yōu)選的是熔流速度(MFR)為0. 5 6. 0g/10分(JISK7210， 210°C )。作為基材膜2，特別優(yōu)選的是熔點為80 98°C，且含Si2+離子的膜。基材膜2的成形方法，例如有壓延成形法、T模擠出法、膨脹法以及鑄塑法。對于基材膜2，可以在基材膜2的一面或兩面涂敷防靜電劑在剝離DAF4的過程中防靜電。并且，也可以將防靜電劑混入樹脂中。作為防靜電劑，例如有高分子型防靜電劑、 低分子型防靜電劑、導(dǎo)電性聚合物、導(dǎo)電性填料、離子液體。在基材膜2中，將設(shè)有粘合劑層1的相反側(cè)的面可以做成平均表面粗糙度(Ra)為 0.3μπι以上且1.5μπι以下的壓紋面?？梢栽跀U張裝置(不圖示)的機械工作臺側(cè)設(shè)置壓紋面，由此可輕松地在切割后的擴張工序中擴張基材膜2。為提高切割后的擴張性，可以在基材膜2的設(shè)置有粘合劑層1的相反側(cè)的面涂敷潤滑劑，或者在樹脂中混入潤滑劑。作為潤滑劑，只要是能夠降低粘合片3與擴張裝置(不圖示)之間的摩擦系數(shù)的物質(zhì)即可，沒有特別的限定，例如可列舉為硅酮樹脂或(變性)硅酮油等硅酮化合物、氟樹脂、六方晶氮化硼、碳黑、二硫化鉬等已知物質(zhì)。這些減摩劑也可混合多個成分。由于電子元件的制造是在潔凈室(clean room)進行，因此優(yōu)選使用硅酮化合物或氟樹脂。作為在基材膜2上形成粘合劑層1而制造粘合片3的方法，例如有利用凹版涂敷機(gravure coater)、刮刀涂敷機(Comma Coater)、刮棒式涂敷機(bar coater)、刮刀式涂敷機(knife coater)或輥式涂敷機(roll coater)等涂敷機，將粘合劑直接涂敷于基材膜 2上的方法。還可以通過凸版印刷、凹版印刷、平板印刷、苯胺印刷、膠版印刷或絲網(wǎng)印刷等方式將粘合劑印刷在基材膜2上。<2-3. DAF:裸片貼裝膜〉DAF4是將粘合劑或粘接劑成形為膜狀的具有粘性的片。DAF4以在由苯二甲酸乙二醇酯樹脂等形成的剝離用膜等上層積粘接劑或粘合劑的狀態(tài)在市場上銷售，可以將粘接劑或粘合劑轉(zhuǎn)印至被粘體。作為DAF4的材質(zhì)，只要是一般使用的粘合劑或粘合劑的成分即可，例如為環(huán)氧、 聚酰胺、丙烯酸類、聚酰亞胺、乙酸乙烯酯類、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚乙烯、聚砜、聚酰胺酸、硅氧烷類、苯酚類、橡膠聚合物、氟橡膠聚合物以及氟樹脂。在DAF4中可以采用這些成分的混合物、共聚體、或者層積體。在DAF4中，根據(jù)需要例如也可以混合固化劑、紫外線聚合引發(fā)劑、防靜電劑、促固化劑、硅烷偶聯(lián)劑 (silane-coupling agent)、填充物(filler)等添加物。<3.電子元件的制造方法〉下面，對使用粘合片3或DAF —體型粘合片5來制造電子元件的方法進行說明。在此，針對電子元件的制造，對在粘合片3的粘合劑涂敷面層積DAF4而成的DAF —體型粘合片5的使用方法，以及使用粘合片3與糊狀粘合劑的方法進行說明。
<3-1.使用DAF —體型粘合片的方法>如圖1 圖4所示，使用DAF —體型粘合片5制造電子元件的方法，包括在DAF 一體型粘合片5的DAF4表面貼合硅晶片6的晶片貼合工序；被貼合在DAF —體型粘合片5 上的狀態(tài)下，通過切割硅晶片6來制作裸芯片10的切割工序；在切割工序后，剝離DAF4及粘合劑層1，同時拾取裸芯片10與DAF4的拾取工序。并且，也可以包括將拾取的裸芯片10 裝載于引線框11或電路基板上的裸芯片安裝工序。以下，對各工序進行詳細說明。(1)芯片貼合工序在該工序中，在DAF —體型粘合片5的DAF4表面貼合硅晶片6并固定。并且，優(yōu)選將DAF —體型粘合片5固定于環(huán)形框7。(2)切割工序在該工序中，在以將硅晶片6貼合于DAF —體型粘合片5上的狀態(tài)下，將硅晶片6 切割而形成裸芯片10。該切割可以使用切割刀片8來進行。由于粘合片3在紫外線及/或放射線照射之前的芯片保持性出色，因此在切割時能夠抑制裸芯片10的剝離(芯片散落)。
(3)拾取工序在該工序中，切割工序后剝離DAF4和粘合劑層1，然后以DAF4為單位拾取裸芯片 10。例如，具體按以下方法進行該工序。從DAF—體型粘合片5的基材膜2側(cè)進行紫外線及 /或放射線的(不圖示)照射，接著，將DAF—體型粘合片5擴大為放射狀并拉寬裸芯片10 的間隔之后，以針(needle)等工具(不圖示)頂起裸芯片10。然后，用真空夾具(collet) 或真空吸筆(air tweezers)等工具(不圖示)吸附裸芯片10，在DAF4和粘合劑層1之間進行剝離，并拾取附著DAF4的裸芯片10。作為紫外線及/或放射線的光源，可以使用已知的光源。作為紫外線源，有低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈。作為放射線以使用電子線、α線、β線、Y線為宜。通過照射紫外線及/或放射線，能夠使構(gòu)成粘合劑層1的化合物分子內(nèi)的乙烯基實現(xiàn)三維網(wǎng)狀化，從而降低粘合劑層1的粘附力。據(jù)此，在照射紫外線及/或放射線之前， 由于粘合劑層1具有較高的初始粘附力，因此能夠表現(xiàn)出優(yōu)異的芯片保持性，能夠在照射紫外線及/或放射線之后，降低粘合劑層1的粘附力，使裸片貼裝膜4與粘合劑層1之間的剝離變得容易，從而能提高裸芯片10的拾取性。(4)裸芯片安裝工序在該工序中，將附著DAF4的裸芯片10裝載(mount)于引線框11上。然后，通過加熱DAF4，加熱接合裸芯片10與引線框11或電路基板。最后，利用樹脂(不圖示)對裝載在引線框11的裸芯片10進行模塑。也能夠取代引線框11而使用形成有電路圖案的電路基板等。如果使用DAF —體型粘合片5，則微量糊劑殘留物對DAF4的污染性低，因此將附著DAF4的裸芯片10裝載于引線框11上并以加溫來進行接合時，可抑制污染引發(fā)的粘接不良ο<3-2.使用粘合片和糊狀粘合劑的方法〉如圖1 圖4所示，使用未附著DAF的粘合片3來制造電子元件的方法，包含在硅晶片6的背面全面涂敷糊狀粘合劑4的涂敷工序(不圖示)；加熱糊狀粘合劑4而半固化成片狀，以形成粘接劑半固化層4的半固化工序(不圖示)；貼合硅晶片6的粘接劑半固化
12層4和粘合片3的粘合劑層1的貼合工序(圖1)；在貼合于粘合片3的狀態(tài)下，將硅晶片 6切割成裸芯片10的切割工序(圖2)；在切割后，通過剝離粘合劑半固化層4及粘合劑層 1，一并拾取裸芯片10以及附著于其背面的粘接劑半固化層4的拾取工序(圖3)。并且，也可以包含將拾取的裸芯片10裝載于引線框11或電路基板上的裸芯片安裝工序。粘接劑半固化層4具有與上述DAF4相同的功能。因此，貼合由形成有粘接劑半固化層4的硅晶片6和由粘合劑層1以及基材膜2構(gòu)成的粘合片3，而使粘接劑半固化層和粘合劑層1相接觸時，就會構(gòu)成圖1所示狀態(tài)。之后，與使用DAF4的情況一樣，使用切割刀片 8進行切割，拾取附著粘接劑半固化層的裸芯片，并安裝于引線框11或電路基板上，進行加熱粘接。作為糊狀粘接劑，除具有熱固化性的特點以外，例如有丙烯酸、乙酸乙烯酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚酰胺、聚乙烯、聚砜、環(huán)氧類、聚酰亞胺、 聚酰胺酸、硅氧烷類、苯酚類、橡膠聚合物、氟橡膠聚合物，以及氟樹脂中的一種或多種的混合物。根據(jù)此方法，在切割硅晶片6的之后，通過從粘合片3的基材膜2側(cè)照射紫外線及 /或放射線(不圖示)，在裸芯片10的背面安裝粘接劑半固化層4的狀態(tài)下，能容易拾取裸芯片10，進而，可以直接將裸芯片10裝載于引線框11上而進行粘接。并且，根據(jù)此方法，能夠降低粘合劑層1對粘接劑半固化層4造成的污染，在將附著有粘接劑半固化層4的裸芯片10安裝于引線框11上并通過加溫來進行粘接時，能抑制污染引發(fā)的粘接不良。以上，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行了敘述，不過這些只是本發(fā)明的例示，也可采用上述以外的各種構(gòu)成。例如，作為硅晶片6可以使用其他材料的晶片(例如為GaN晶片等)。即使是其他材料的晶片，使用適合的切割刀片8來切斷該晶片的話，能夠?qū)嵤┡c上述實施方式相同的晶片加工方法，并也能獲得相同的效果。實施例以下，進一步說明本發(fā)明的實施例。首先，對實驗用粘合片的材料進行說明，其后， 對粘合片的制造方法進行說明，然后，對粘合片的評價方法進行說明，最后，對評價結(jié)果進行考察。<1.材料〉(甲基)丙烯酸酯聚合物是丙烯酸乙酯M%、丙烯酸丁酯22%、丙烯酸甲氧基乙酯對％的共聚物，通過乳化聚合而得(本公司聚合物產(chǎn)品)。重量平均分子量(Mw)為150 萬。氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物A 使二季戊四醇五丙烯酸酯(dipentaerythritol pentaacrylate)與六亞甲基二異氰酸酯(脂肪類己二異氰酸酯)的三聚物反應(yīng)而形成的末端異氰酸酯低聚物。重量平均分子量(Mw)為5000，丙烯酸酯官能基數(shù)為15個(15官能) 的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物(本公司聚合物產(chǎn)品)。氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物B 使六亞甲基二異氰酸酯(hexamethylene diisocyanate)與聚(氧丙烯)二醇的末端反應(yīng)而成的末端異氰酸酯低聚物，再與丙烯酸-2-羥基乙酯反應(yīng)而成的末端丙烯酸酯低聚物。數(shù)均分子量(Mn)為3400，每1分子的乙烯基數(shù)為2個O官能)(本公司聚合物產(chǎn)品)。
硅酮微粒A 在硅酮橡膠球狀微粒上覆蓋有機倍半硅氧烷樹脂而形成的平均粒徑為2 μ m的硅酮微粒(信越化學工業(yè)公司制，型式KMP-605)。硅酮微粒B 平均粒徑為5 μ m的硅酮橡膠球狀微粒(信越化學工業(yè)公司制，型式 KMP-597)硅酮微粒C 由聚有機倍半硅氧烷樹脂所構(gòu)成的平均粒徑為2 μ m的硅酮樹脂微粒 (信越化學工業(yè)會社制，型式KMP-590)。硅酮接枝聚合物使用含有2個羥基的引發(fā)劑來聚合硅氧烷大分子單體30質(zhì)量份和甲基丙烯酸甲酯70質(zhì)量份而獲得的，含有羥基的硅酮接枝聚合物(本公司聚合物產(chǎn)品， 重量平均分子量(Mw) :5000)。硅氧烷大分子單體使用了在硅酮分子鏈的末端含有甲基丙烯?；墓柩跬榇蠓肿訂误w(本公司聚合物產(chǎn)品，數(shù)均分子量(Mn) :1000)。光聚合引發(fā)劑苯偶酰二甲基縮酮(benzyldimethyl ketal) (Ciba Specialty Chemicals 公司制，產(chǎn)品名Irgacure 651)。固化劑1，6-己二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加合物(NIPPON P0LYURETHANE INDUSTRY CO.，LTD.制，產(chǎn)品名Colonate HL)?；哪び梢蚁?甲基丙烯酸-甲基丙烯酸烷基酯共聚物的Si鹽作為主體的離子聚合物樹脂所組成，使用熔流速度(MFR)為1.5g/10分鐘(JIS K7210，210°C )、熔點為 96"C、含有 Zn2+離子的膜(DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO. ,LTD.制，產(chǎn)品名=Himilan 1650)。裸片貼裝膜厚度為30 μ m的膜(環(huán)氧樹脂及丙烯樹脂的混合物)。<2.粘合片的制造〉按照表1所示的成分與配合量，調(diào)制了表1的各實驗編號所對應(yīng)的粘合劑。在調(diào)制各相應(yīng)粘合劑時，在表1所示成分的基礎(chǔ)上，又摻入了 3質(zhì)量份的光聚合引發(fā)劑以及3質(zhì)量份的固化劑。另外，在表1中，為簡潔地表示所配合的化合物的種類及其配合量，例如在配合100質(zhì)量份的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物A的情況下，僅在相應(yīng)欄上表示為「A100」。然后，在聚對苯二甲酸乙二醇酯制隔膜上涂敷粘合劑，使得干燥后的粘合劑層1 的厚度成為 ο μ m,將該粘合劑層1層積在基材膜2上而獲得粘合片3。之后，將厚度為 30 μ m的DAF4層積于粘合片3的粘合劑層1上，從而獲得DAF —體型粘合片5。<3.粘合片的評價方法〉按照以下方法對制得的DAF —體型粘合片5進行了評價。(1)晶片貼合工序首先，在DAF —體型粘合片5的DAF4表面貼合硅晶片6。作為硅晶片6使用了形成有虛擬電路圖案的、直徑8英寸X厚度75 μ m的硅晶片。(2)切割工序然后，在貼合于DAF—體型粘合片5的狀態(tài)下，對硅晶片6進行切割，而得到裸芯片10。將切割時切入粘合片3的深度定為30μπι。將裸芯片10的尺寸切割成為 IOmmX IOmm0切割裝置使用DISCO公司制造的DAD341。切割刀片使用DISCO公司制造的 NBC-ZH2050-27HEEE。切割條件如下。
切割刀片形狀外徑為55. 56mm，刃的寬度為35 μ m,內(nèi)徑為19. 05mm。切割刀片轉(zhuǎn)速40，OOOrpm0切割刀片前進速度80mm/秒。切削水溫25°C。切削水量1. OL/分。(3)拾取工序其次，在切割工序后，從DAF —體型粘合片5的基材膜2側(cè)照射紫外線，以DAF 4 為單位拾取裸芯片10。紫外線的照射，使用T0Y0-ADTEC公司制造的型式TUV-815US，在光照度8mW/cm、照射量500mJ/cm2的條件下進行。拾取裝置使用Canon Machinery公司制造的CAP-300II。拾取的條件如下。針銷數(shù)目(pin number of the needle) :5 個肖冑貞(pin height of the needle) :0. 3mm擴張量5mm(4)粘合片的評價(4-1)拾取性在上述條件下切割硅晶片6之后，評價了在附著DAF4的狀態(tài)下能夠拾取的裸芯片 10的個數(shù)?！?優(yōu))能夠拾取的裸芯片10為95%以上。〇(良)能夠拾取的裸芯片10為80%以上且不滿95%。X (不可)能夠拾取的裸芯片10不滿80%。(4-2)裸片貼裝膜剝離在上述條件下切割硅晶片6，然后拾取裸芯片10時，對從裸芯片10脫落落(剝離) 的裸片貼裝膜4進行了評價，評價結(jié)果如下?！?優(yōu))相對于裸芯片10的面積，裸片貼裝膜4的脫落面積不滿5%。〇(良)相對于裸芯片10的面積，裸片貼裝膜4的脫落面積為5%以上且不滿 10%。X(不可)相對于裸芯片10的面積，裸片貼裝膜4的脫落面積為10%以上。[表1]
權(quán)利要求
1.一種粘合劑，其含有(甲基)丙烯酸酯聚合物，具有4個以上乙烯基的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物，以及硅酮微粒。
2.如權(quán)利要求1所述的粘合劑，其中，相對于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，上述硅酮微粒的含有量為0. 05質(zhì)量份以上且150質(zhì)量份以下。
3.如權(quán)利要求1所述的粘合劑，其中，相對于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，上述氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的含有量為15質(zhì)量份以上且225質(zhì)量份以下。
4.如權(quán)利要求1所述的粘合劑，其中，相對于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，上述硅酮微粒的含有量為0. 1質(zhì)量份以上且100質(zhì)量份以下，上述氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物的含有量為20質(zhì)量份以上且200質(zhì)量份以下。
5.如權(quán)利要求1所述的粘合劑，其中，上述硅酮微粒是在硅酮橡膠球狀微粒上覆蓋聚有機倍半硅氧烷樹脂而成的。
6.如權(quán)利要求1所述的粘合劑，其還含有硅酮接枝聚合物。
7.如權(quán)利要求6所述的粘合劑，其中，相對于上述(甲基)丙烯酸酯聚合物100質(zhì)量份，上述硅酮接枝聚合物的含有量為0. 05質(zhì)量份以上且12. 5質(zhì)量份以下。
8.一種粘合片，其包含基材膜，以及在上述基材膜上涂敷了權(quán)利要求1所述的粘合劑的粘合劑層。
9.如權(quán)利要求8所述的粘合片，其中，其用于電子元件的固定。
10.如權(quán)利要求8所述的粘合片，其中，在上述粘合劑層上層積有裸片貼裝膜。
11.一種電子部件的制造方法，其包括在權(quán)利要求10所述的粘合片的裸片貼裝膜表面貼合晶片的晶片貼合工序；將貼合于上述粘合片上的上述晶片切割成裸芯片的切割工序；在切割工序后剝離上述裸片貼裝膜與上述粘合劑層，再一并拾取上述裸芯片和上述裸片貼裝膜的拾取工序。
12.一種電子元件的制造方法，其包括對芯片的背面整面涂敷糊狀粘接劑的涂敷工序；通過加熱上述糊狀粘接劑使其半固化成片狀來形成粘接劑半固化層的半固化工序；貼合上述粘接劑半固化層與權(quán)利要求8所述的粘合片的粘合劑層的粘合片貼合工序；上述粘合片貼合工序后，將上述晶片切割成裸芯片的切割工序；上述切割工序之后，將上述粘接劑半固化層與上述粘合劑層剝離，一并拾取上述裸芯片與上述粘接劑半固化層的拾取工序。
全文摘要
現(xiàn)有的粘合片，作為層積有裸片貼裝膜的粘合片，在切割晶片使其裸芯片化后進行拾取時，有時裸片貼裝膜會從裸芯片脫落。本發(fā)明提供一種粘合劑，其包含(甲基)丙烯酸酯聚合物、具有4個以上乙烯基的氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物、以及硅氧烷接枝聚合物。另外，本發(fā)明還提供一種電子元件的制造方法，其包含在粘合片裸片貼裝膜表面貼合晶片的晶片貼合工序；將貼合于上述粘合片上的上述晶片切割成裸芯片的切割工序；在切割工序后剝離上述裸片貼裝膜與上述粘合劑層，再一并拾取上述裸芯片和上述裸片貼裝膜的拾取工序。
文檔編號C09J183/04GK102421865SQ20108002041
公開日2012年4月18日 申請日期2010年5月10日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月12日
發(fā)明者河田曉, 齊藤岳史 申請人:電氣化學工業(yè)株式會社