專利名稱：：聚合物和聚合方法聚合物和聚合方法
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體聚合物是公知的，并在多種電子器件中具有廣泛的用途，包括在發(fā)光二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管和光伏器件中作為電荷傳輸或電致發(fā)光材料。半導(dǎo)體聚合物是包含沿著聚合物骨架的離域π電子的共軛聚合物。該離域η電子體系在聚合物上賦予半導(dǎo)電性能，但是與常規(guī)半導(dǎo)體不同的是，半導(dǎo)體聚合物的無(wú)定形鏈形貌提供了鏈段的能量的不均勻的展寬，并導(dǎo)致跳躍型傳輸。半導(dǎo)體聚合物可以用作電致發(fā)光聚合物。當(dāng)被注入空穴和電子時(shí)，該傳輸特征使得能夠在聚合物中發(fā)生電荷的結(jié)合。這又產(chǎn)生單線態(tài)激子，其衰變導(dǎo)致發(fā)光。存在生產(chǎn)半導(dǎo)體聚合物的多種已知方式，其實(shí)例包括記載于例如WO00/53656中的Suzuki聚合以及記載于例如Τ.Yamamoto“ElectricallyConductingAndThermallyStableπ-ConjugatedPoly(arylene)sPreparedbyOrganometallicProcesses",ProgressinPolymerScience1993，17，1153-1205中的Yamamoto聚合。這些聚合技術(shù)均通過(guò)“金屬插入”來(lái)進(jìn)行，其中金屬配合物催化劑的金屬原子插入單體的離去基團(tuán)和芳基之間。在Yamatomo聚合的情況下，使用鎳配合物催化劑；在Suzuki聚合的情況下，使用鈀配合物催化劑。例如，在通過(guò)Yamatomo聚合的線性聚合物的合成中，使用具有兩個(gè)反應(yīng)性鹵素基團(tuán)的單體。類似地，根據(jù)Suzuki聚合方法，至少一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)是硼衍生物基團(tuán)例如硼酸或硼酸酯，另一個(gè)反應(yīng)性基團(tuán)是鹵素。優(yōu)選的鹵素是氯、溴和碘，最優(yōu)選溴。作為鹵化物的替代，能夠參與金屬插入的其它離去基團(tuán)包括甲苯磺酸酯、甲磺酸酯和三氟甲磺酸酯基團(tuán)。結(jié)果，在聚合物的每個(gè)末端，以及聚合物的任何側(cè)鏈的末端，將存在僅在一端聚合的單體單元。該單體的相反端將包含離去基團(tuán)，所述相反端顧名思義要么是聚合物的末端，要么是聚合物的側(cè)鏈的末端。這些反應(yīng)性離去基團(tuán)可對(duì)器件性能有害，因此希望使用稱為封端的工藝將它們替代，其中，如US5，777，070中所述，側(cè)鏈或聚合物末端的離去基團(tuán)被苯基替代。特別是，如例如Adv.Mater.1999，11(8)，671-675中所記載，通過(guò)將離去基團(tuán)用電荷傳輸結(jié)構(gòu)部分替代，可以提高半導(dǎo)體聚合物的效率而不影響聚合物鏈的電子性能。
發(fā)明內(nèi)容第一方面，本發(fā)明提供用于將半導(dǎo)體聚合物封端的方法，其中所述方法包括將所述聚合物的至少一個(gè)末端的端基用封端化合物替代；并且所述封端化合物是非電荷傳輸性的并且包含至少兩個(gè)環(huán)。任選地，所述聚合物包含電荷傳輸重復(fù)單元。任選地，所述聚合物包含多個(gè)單體，其中至少一個(gè)單體是碳-氫(hydro-carbon)單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子。任選地，所述方法進(jìn)一步包括所述多個(gè)單體的聚合以形成所述聚合物，其中所述聚合物在金屬催化劑的存在下形成。任選地，所述金屬催化劑是鈀催化劑。任選地，該聚合物的分子量至少部分地通過(guò)使用過(guò)量的溴化單體進(jìn)行控制。任選地，所述多個(gè)單體包含至少兩組不同的單體，其中所述第一組單體包含一個(gè)或多個(gè)碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，并且其中所述第二組單體包含一個(gè)或多個(gè)單體，所述一個(gè)或多個(gè)單體包含相對(duì)于所述第一組單體而言較少量的未成對(duì)價(jià)電子。任選地，所述第一組單體比所述第二組單體聚合得更慢。任選地，具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子的所述原子或基團(tuán)包含至少一個(gè)胺基團(tuán)。任選地，所述封端化合物不包含氮原子。任選地，所述封端基團(tuán)為烴。任選地，所述封端基團(tuán)為不飽和烴。任選地，該封端基團(tuán)包含至少3個(gè)環(huán)。任選地，該封端基團(tuán)包含一個(gè)或多個(gè)芴基團(tuán)，并且任選地包含多個(gè)芴基團(tuán)。第二方面，本發(fā)明提供用于形成聚合物的方法，該方法包括多個(gè)單體的聚合，其中所述多個(gè)單體的至少之一是下列之一或兩者電荷傳輸單元；以及碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，并且其中所述多個(gè)單體的至少之一在所述單體的一端包含封端化合物，所述封端化合物防止在所述端的聚合，其中所述封端化合物是非電荷傳輸性的并包含至少兩個(gè)環(huán)。任選地，所述碳-氫單體的至少之一在所述單體的一端包含封端化合物，在所述碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，所述封端化合物防止在所述端的聚合，其中所述封端化合物是非電荷傳輸性的并包含至少兩個(gè)環(huán)。任選地，所述聚合在金屬催化劑的存在下發(fā)生。任選地，所述金屬催化劑是鈀催化劑。任選地，該聚合物的分子量至少部分地通過(guò)使用過(guò)量的溴化單體進(jìn)行控制。任選地，所述多個(gè)單體包含至少兩組不同的單體，其中所述第一組單體包含一個(gè)或多個(gè)碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，所述第二組單體包含一個(gè)或多個(gè)單體，所述一個(gè)或多個(gè)單體包含相對(duì)于所述第一組單體而言較少量的未成對(duì)價(jià)電子；并且所述一個(gè)或多個(gè)碳-氫單體的至少之一在所述單體的一端包含封端化合物，在所述碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，所述封端化合物防止在所述端的聚合，其中所述封端化合物是非電荷傳輸性的并包含至少兩個(gè)環(huán)。任選地，所述第一組單體比所述第二組單體聚合得更慢。任選地，具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子的所述原子或基團(tuán)包含至少一個(gè)胺基團(tuán)。任選地，所述封端化合物不包含氮原子。任選地，所述封端基團(tuán)為烴。任選地，所述封端基團(tuán)為不飽和烴。第三方面，本發(fā)明提供半導(dǎo)體聚合物，其中所述聚合物包含多個(gè)已聚合的單體；其中所述多個(gè)已聚合的單體的至少之一是以下之一或兩者電荷傳輸單元；以及碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子；所述聚合物的至少一個(gè)末端的端基為封端化合物，并且并且所述封端化合物是非電荷傳輸性的并包含至少兩個(gè)環(huán)。任選地，所述多個(gè)單體包含至少兩組不同的單體，其中所述第一組單體為一個(gè)或多個(gè)碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，并且其中所述第二組單體為一個(gè)或多個(gè)單體，所述一個(gè)或多個(gè)單體包含相對(duì)于所述第一組單體而言較少量的未成對(duì)價(jià)電子。任選地，具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子的所述原子或基團(tuán)包含至少一個(gè)胺基團(tuán)。第四方面，本發(fā)明提供膜，該膜包含根據(jù)本發(fā)明第三方面的聚合物。第五方面，本發(fā)明提供電子器件，該電子器件包含根據(jù)本發(fā)明第四方面的聚合物。任選地，所述器件為發(fā)光二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管或光伏器件。任選地，所述器件為發(fā)光二極管。圖1示出通過(guò)在Suzuki聚合中使用過(guò)量的溴化單體所產(chǎn)生的低分子量聚合物的降低的效率。圖2示出通過(guò)在Suzuki聚合中使用過(guò)量的溴化單體所產(chǎn)生的低分子量聚合物的降低的壽命。圖3提供根據(jù)本發(fā)明的電致發(fā)光器件。具體實(shí)施例方式已出人意料地發(fā)現(xiàn)，使用包含至少兩個(gè)環(huán)并且是非電荷傳輸性的封端化合物在半導(dǎo)體聚合物中產(chǎn)生更一致的電荷平衡，并提供在聚合物的效率和壽命兩方面的提升。不希望受制于任何具體機(jī)理，據(jù)信這些益處是由于以下原因而獲得的封端結(jié)構(gòu)部分的至少兩個(gè)環(huán)保證富電子單體與聚合物的末端和/或聚合物的側(cè)鏈的末端進(jìn)一步遠(yuǎn)離，并且由于封端結(jié)構(gòu)部分是非電荷傳輸性的，獲得富電子基團(tuán)的電子的更有利的離域。本文中使用的術(shù)語(yǔ)“非電荷傳輸性”指的是，與用苯基封端的相同聚合物相比，不提高聚合物的電子、空穴(即電荷缺失例如電子缺失)和離子的遷移率。這排除電荷傳輸性的封端基團(tuán)，以及能夠通過(guò)質(zhì)子化、分裂、蛋白質(zhì)分解、光解或其它方式轉(zhuǎn)變成電荷傳輸性基團(tuán)的封端基團(tuán)。例如，非電荷傳輸性的封端基團(tuán)將不包含胺基團(tuán)。富電子單體，例如包含至少一個(gè)胺基團(tuán)的單體，可以有利地用于在聚合物中提供空穴傳輸。衍生自這些單體的重復(fù)單元也可以用于提供發(fā)光。然而，這些單體在用于形成半導(dǎo)體聚合物的聚合反應(yīng)中比缺電子單體反應(yīng)得更慢。如本文中所使用，富電子單體是碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子。這導(dǎo)致不同的單體以不同的速率納入聚合物中，富電子單體比缺電子單體納入得更慢。因此，向著聚合物的末端，存在富電子聚合物的更高濃度。如果通過(guò)在Suzuki聚合中使用過(guò)量的溴化單體來(lái)控制(或者至少部分地控制)聚合物的分子量，則該效果是明顯的，因?yàn)榈头肿恿烤酆衔?即具有250，000或更低的Mw)的提高的末端數(shù)量導(dǎo)致更大比例的富電子單體位于聚合物末端方向。導(dǎo)致的聚合物的效率和壽命損失分別表示在圖1和2中，其中A是使用11的二酯二溴化物之比生產(chǎn)的對(duì)照聚合物，B是使用0.981的二酯二溴化物之比生產(chǎn)的低分子量聚合物。不希望受制于任何理論，據(jù)信富電子基團(tuán)的該分布對(duì)材料的壽命和效率兩者均是有害的。據(jù)信通過(guò)提供上述封端基團(tuán)，聚合物的穩(wěn)定性得到提高，因?yàn)殚L(zhǎng)的封端基團(tuán)與常規(guī)的苯基封端基團(tuán)相比使富電子基團(tuán)進(jìn)一步遠(yuǎn)離聚合物末端。在由于聚合速率以外的原因富電子單體將朝著聚合物主鏈或支鏈的末端納入的情況下，也會(huì)獲得本發(fā)明提供的益處，例如在使用相對(duì)于缺電子單體而言更大百分比的富電子單體的情況下，或者僅僅是因?yàn)閰⑴c聚合反應(yīng)的機(jī)會(huì)。共軛聚合物(熒光和/或電荷傳輸)用于本發(fā)明的合適的電致發(fā)光[和/或電荷傳輸]聚合物包括通過(guò)金屬插入聚合形成的聚亞芳基類。聚合物由多個(gè)單體的聚合形成。單體與其它單體化學(xué)結(jié)合以形成鏈。這樣，每個(gè)單體可以被視為具有至少兩“端”，即單體可以與另一單體化學(xué)結(jié)合的位置。通過(guò)將單體的每一端與其它單體化學(xué)結(jié)合，形成單體的鏈，產(chǎn)生聚合物。單體可以具有多于兩個(gè)這樣的位置，如果這樣，可以產(chǎn)生具有支鏈的聚合物。以這種方式產(chǎn)生的聚合物將在聚合物鏈的每一端具有僅在一端聚合的單體。該聚合物的未聚合的另一端是聚合物的末端，存在于單體的未聚合端(即聚合物的末端)的基團(tuán)為端基。類似地，在存在支鏈的情況下，每個(gè)支鏈將在鏈端包含僅在一端聚合的單體，存在于未聚合端的基團(tuán)為端基。根據(jù)使用的聚合方法，這樣的端基可以包含離去基團(tuán)。當(dāng)將相同類型的單體聚合時(shí)(無(wú)論是否與其它類型的單體一起)，形成包含重復(fù)單元的聚合物。聚合物優(yōu)選包含選自亞芳基重復(fù)單元的重復(fù)單元，如例如Adv.Mater.200012(23)1737-1750及其參考文獻(xiàn)中所公開(kāi)。示例性的第一重復(fù)單元包括公開(kāi)于J.Appl.Phys.1996,79,934中的1，4_亞苯基重復(fù)單元；公開(kāi)于EP0842208中的芴重復(fù)單元；公開(kāi)于例如Macromolecules2000，33(6)，2016-2020中的茚并芴重復(fù)單元；以及公開(kāi)于例如EP0707020中的螺芴重復(fù)單元。這些重復(fù)單元中的每一個(gè)任選地被取代。取代基的實(shí)例包括增溶基團(tuán)例如C1,烷基或烷氧基；吸電子基團(tuán)例如氟、硝基或氰基；以及用于提高聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的(Tg)的取代基。特別優(yōu)選的聚合物包括任選取代的2，7-聯(lián)芴，最優(yōu)選式I的重復(fù)單元權(quán)利要求1.用于將半導(dǎo)體聚合物封端的方法，其中所述方法包括將所述聚合物的至少一個(gè)末端的端基用封端化合物替代；并且所述封端化合物是非電荷傳輸性的并且包含至少兩個(gè)環(huán)。2.權(quán)利要求1所述的方法，其中該封端化合物由具有下式的結(jié)構(gòu)單元組成或者包括具有下式的結(jié)構(gòu)單元(Ar)n-X其中各個(gè)Ar獨(dú)立地表示芳基或雜芳基；X表示包含硼衍生物基團(tuán)或者鹵素的離去基團(tuán)；并且η為2或更大。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的方法，其中所述聚合物包含電荷傳輸重復(fù)單元。4.根據(jù)以上任一權(quán)利要求的方法，其中所述聚合物包含多個(gè)單體，其中至少一個(gè)單體是碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子。5.根據(jù)以上任一權(quán)利要求的方法，其中所述方法進(jìn)一步包括所述多個(gè)單體的聚合以形成所述聚合物，其中所述聚合物在金屬催化劑的存在下形成。6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中該聚合物的分子量至少部分地通過(guò)使用過(guò)量的溴化單體進(jìn)行控制。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)的方法，其中所述多個(gè)單體包含至少兩組不同的單體，其中所述第一組單體包含一個(gè)或多個(gè)碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，并且其中所述第二組單體包含一個(gè)或多個(gè)單體，所述一個(gè)或多個(gè)單體包含相對(duì)于所述第一組單體而言較少量的未成對(duì)價(jià)電子。8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述第一組單體比所述第二組單體聚合得更慢。9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)的方法，其中具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子的所述原子或基團(tuán)包含至少一個(gè)胺基團(tuán)。10.根據(jù)權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)的方法，其中所述封端化合物不包含氮原子。11.根據(jù)權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)的方法，其中所述封端基團(tuán)為烴。12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，其中所述封端基團(tuán)為不飽和烴。13.根據(jù)以上任一權(quán)利要求的方法，其中該封端基團(tuán)包含至少3個(gè)環(huán)。14.根據(jù)以上任一權(quán)利要求的方法，其中該封端基團(tuán)包含一個(gè)或多個(gè)芴基團(tuán)。15.用于形成聚合物的方法，該方法包括多個(gè)單體的聚合，其中所述多個(gè)單體的至少之一是下列之一或兩者電荷傳輸單元；以及碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，并且其中所述多個(gè)單體的至少之一在所述單體的一端包含封端化合物，所述封端化合物防止在所述端的聚合，其中所述封端化合物是非電荷傳輸性的并包含至少兩個(gè)環(huán)。16.權(quán)利要求15所述的用于形成聚合物的方法，其中該封端化合物由具有下式的結(jié)構(gòu)單元組成或者包括具有下式的結(jié)構(gòu)單元(Ar)n-X其中各個(gè)Ar獨(dú)立地表示芳基或雜芳基；X表示包含硼衍生物基團(tuán)或者鹵素的離去基團(tuán)；并且η為2或更大。17.根據(jù)權(quán)利要求15或16的方法，其中所述碳-氫單體的至少之一在所述單體的一端包含封端化合物，在所述碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，所述封端化合物防止在所述端的聚合，其中所述封端化合物是非電荷傳輸性的并包含至少兩個(gè)環(huán)。18.根據(jù)權(quán)利要求15至17任一項(xiàng)的方法，其中所述聚合在金屬催化劑的存在下發(fā)生。19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中該聚合物的分子量至少部分地通過(guò)使用過(guò)量的溴化單體進(jìn)行控制。20.根據(jù)權(quán)利要求15-19任一項(xiàng)的方法，其中所述多個(gè)單體包含至少兩組不同的單體，其中所述第一組單體包含所述一個(gè)或多個(gè)碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，所述第二組單體包含一個(gè)或多個(gè)單體，所述一個(gè)或多個(gè)單體包含相對(duì)于所述第一組單體而言較少量的未成對(duì)價(jià)電子；并且所述一個(gè)或多個(gè)碳-氫單體的至少之一在所述單體的一端包含封端化合物，在所述碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，所述封端化合物防止在所述端的聚合，其中所述封端化合物是非電荷傳輸性的并包含至少兩個(gè)環(huán)。21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中所述第一組單體比所述第二組彈體聚合得更慢。22.根據(jù)權(quán)利要求15-21任一項(xiàng)的方法，其中具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子的所述原子或基團(tuán)包含至少一個(gè)胺基團(tuán)。23.根據(jù)權(quán)利要求15-22任一項(xiàng)的方法，其中所述封端化合物不包含氮原子。24.根據(jù)權(quán)利要求15-23任一項(xiàng)的方法，其中所述封端基團(tuán)為烴。25.根據(jù)權(quán)利要求M的方法，其中所述封端基團(tuán)為不飽和烴。26.半導(dǎo)體聚合物，其中所述聚合物包含多個(gè)已聚合的單體；其中所述多個(gè)已聚合的單體的至少之一是以下之一或兩者電荷傳輸單元；以及碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子；所述聚合物的至少一個(gè)末端的端基為封端化合物，并且并且所述封端化合物是非電荷傳輸性的并包含至少兩個(gè)環(huán)。27.權(quán)利要求沈所述的半導(dǎo)體聚合物，其中該封端化合物由具有下式的結(jié)構(gòu)單元組成或者包括具有下式的結(jié)構(gòu)單元(Ar)n-X其中各個(gè)Ar獨(dú)立地表示芳基或雜芳基；X表示包含硼衍生物基團(tuán)或者鹵素的離去基團(tuán)；并且η為2或更大。28.根據(jù)權(quán)利要求沈或27的半導(dǎo)體聚合物，其中所述多個(gè)單體包含至少兩組不同的單體，其中所述第一組單體為一個(gè)或多個(gè)碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，并且其中所述第二組單體為一個(gè)或多個(gè)單體，所述一個(gè)或多個(gè)單體包含相對(duì)于所述第一組單體而言較少量的未成對(duì)價(jià)電子。29.根據(jù)權(quán)利要求沈至觀任一項(xiàng)的半導(dǎo)體聚合物，其中具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子的所述原子或基團(tuán)包含至少一個(gè)胺基團(tuán)。30.膜，其包含權(quán)利要求沈至四任一項(xiàng)的聚合物。31.電子器件，其包含權(quán)利要求沈至四任一項(xiàng)的聚合物。32.根據(jù)權(quán)利要求30的電子器件，其中所述器件為發(fā)光二極管。全文摘要用于形成聚合物的方法，該方法包括多個(gè)單體的聚合，其中所述多個(gè)單體的至少之一是下列之一或兩者電荷傳輸單元；以及碳-氫單體，在該碳-氫單體中至少一個(gè)碳原子已被一個(gè)原子或基團(tuán)取代，所述原子或基團(tuán)具有比它所取代的碳原子更大量的未成對(duì)價(jià)電子，并且其中所述多個(gè)單體的至少之一在所述單體的一端包含封端化合物，所述封端化合物防止在所述端的聚合，其中所述封端化合物是非電荷傳輸性的并包含至少兩個(gè)環(huán)。該封端化合物優(yōu)選地由具有下式的結(jié)構(gòu)單元組成或者包括具有下式的結(jié)構(gòu)單元(Ar)n-X其中各個(gè)Ar獨(dú)立地表示芳基或雜芳基；X表示包含硼衍生物基團(tuán)或者鹵素的離去基團(tuán)；并且n為2或更大。文檔編號(hào)C09K11/06GK102574990SQ201080021154公開(kāi)日2012年7月11日申請(qǐng)日期2010年4月15日優(yōu)先權(quán)日2009年4月16日發(fā)明者M(jìn)·麥基爾南,T·龐茲申請(qǐng)人:住友化學(xué)株式會(huì)社,劍橋顯示技術(shù)有限公司