專利名稱：蝕刻液組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于三重膜的蝕刻液組合物、使用所述蝕刻液組合物形成用于平板顯示裝置的陣列基板的制造方法、以及利用該方法制造的用于平板顯示裝置的陣列基板；其中所述用于三重膜的蝕刻液組合物可以對平板顯示裝置構(gòu)成組分中含h、Al及Mo的含銅像素電極、含鋁源/漏極電極、及含鉬緩沖膜進(jìn)行統(tǒng)ー蝕刻。
背景技術(shù)：
平板顯示裝置中，在基板上形成金屬配線的過程通常包括以下エ序?yàn)R射形成金屬膜；在金屬膜上涂覆、曝光、顯影光致抗蝕劑，從而在選擇性區(qū)域形成光致抗蝕劑；及對金屬膜進(jìn)行蝕刻。另外，還包括個(gè)別單位エ序前后的洗凈エ序等。這種蝕刻エ序是指將光致抗蝕劑用作掩膜，以在選擇性區(qū)域殘留金屬膜的エ序。通常采用的蝕刻エ序?yàn)槭褂玫入x子等的干式蝕刻、或使用蝕刻液的濕式蝕刻。另ー方面，在平板顯示裝置中，主要使用以銅為主成分的透明傳導(dǎo)膜作為像素電扱。并且，主要使用鋁膜或鋁合金膜，尤其是主要使用Al-La-X (X = Mg.Zn.In.Ca.Te.Sr, Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Mo、Pt、及C所組成的組中的ー種或兩種以上)形態(tài)的鋁合金膜作為源/漏極電扱。并且，在源/漏極電極的上/下層，主要使用鉬膜或以鉬為主成分的合金膜作為起緩沖作用的緩沖膜。以往，為了對平板顯示裝置的像素電極、源/漏極電極及緩沖膜進(jìn)行蝕刻，須對各電極使用不同的蝕刻液組合物。例如，專利文獻(xiàn)1(大韓民國注冊專利第10-0502796號說明書)中公開了ー種作為像素電極的銅錫氧化物用蝕刻液。另外，專利文獻(xiàn)2 (大韓民國公開專利第10-2006-0066349號說明書)中公開了ー種作為源/漏極電極的由鋁、鎳、添加金屬組成的用于單ー金屬合金膜的蝕刻液組合物。但是，如果為了對像素電極、源/漏極電極及緩沖膜分別進(jìn)行蝕刻而使用互不相同的蝕刻液組合物，則使蝕刻エ序變得復(fù)雜，且存在非經(jīng)濟(jì)性缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種用于含h、Al及Mo的三重膜的蝕刻液組合物，從而可以對含像素電極、源/漏極電極及緩沖膜的三重膜進(jìn)行統(tǒng)一濕式蝕刻。另外，本發(fā)明的目的還在于提供ー種具有均勻蝕刻特性的用于含h、Al及Mo的三重膜的蝕刻液組合物。另外，本發(fā)明的目的還在于提供ー種使用所述蝕刻液組合物的平板顯示裝置陣列基板的制造方法、及利用該方法制造的平板顯示裝置陣列基板。技術(shù)方案一種用于含銅錫氧化物(ITO)、Al及Mo的三重膜的蝕刻液組合物，所述蝕刻液組合物包含相對于所述組合物總重量的45 70重量％的磷酸、2 10重量％的硝酸、5 25重量％的醋酸、0. 01 3重量％的含氟化合物、0. 1 5重量％的磷酸鹽及剰余的水。另外，一種用于平板顯示裝置的陣列基板的制造方法，所述方法包括使用所述蝕刻液組合物，對含ΙΤ0、Α1及Mo的三重膜進(jìn)行蝕刻。另外，一種用于平板顯示裝置的陣列基板，所述陣列基板包括使用所述蝕刻液組合物形成的像素電極、源/漏極電極、及緩沖膜。在上述內(nèi)容中，用于平板顯示裝置的陣列基板可以是薄膜晶體管(TFT)陣列基板。有益效果本發(fā)明蝕刻液組合物可以對三重膜進(jìn)行統(tǒng)ー蝕刻，所述三重膜由以下三種膜組成以銅為主成分用作像素電極的透明傳導(dǎo)膜；作為源/漏極電極使用的鋁或鋁合金膜，尤 ^Mi Al-La-X(Χ 自由 Mg、Zn、In、Ca, Te、Sr, Cr、Co、Mo、Nb、Ta, W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、 Mo、Pt及C所組成的組中的ー種或兩種以上)形態(tài)的鋁合金膜；起緩沖作用的鉬膜或以鉬為主成分的合金膜。并且，本發(fā)明蝕刻液組合物從根本上解決了金屬膜上層卷曲的現(xiàn)象，從而顯示了均勻的蝕刻特性。


圖1為使用實(shí)施例2的蝕刻液組合物蝕刻的ITO/Al-La-Ni/Mo三重膜的蝕刻剖面的照片；圖2為顯示使用實(shí)施例2的蝕刻液組合物蝕刻的ITO/Al-La-Ni/Mo三重膜的有無殘?jiān)恼掌?；圖3為使用比較例1的蝕刻液組合物蝕刻的ITO/Al-La-Ni/Mo三重膜的下層Mo 的蝕刻剖面的照片；圖4為圖3在剝離后的照片； 圖5為使用比較例2的蝕刻液組合物蝕刻的ITO/Al-La-Ni/Mo三重膜的上層ITO 的蝕刻剖面的照片；圖6為使用比較例2的蝕刻液組合物蝕刻的ITO/Al-La-Ni/Mo三重膜的下層Mo 的蝕刻剖面的照片。
具體實(shí)施例方式下面，針對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明用于含ΙΤ0、Al及Mo的三重膜的蝕刻液組合物包含磷酸、硝酸、醋酸、含氟化合物、磷酸鹽及剰余的水。本發(fā)明蝕刻液組合物中包含的磷酸是主氧化劑，其中磷酸的量可以為相對于組合物總重量的45 70重量％、更優(yōu)選為50 60重量％。只要滿足所述范圍，即可對含鉬金屬膜或含鋁金屬膜進(jìn)行蝕刻，且容易調(diào)節(jié)蝕刻速度，以實(shí)現(xiàn)均勻的蝕刻特性。本發(fā)明蝕刻液組合物中包含的硝酸是輔助氧化劑，其中硝酸的量可以為相對于組合物總重量的2 10重量％、更優(yōu)選為3 9重量％。只要滿足所述范圍，即可與所述磷酸一起對含鉬金屬膜與含鋁金屬膜進(jìn)行蝕刻，且容易調(diào)節(jié)蝕刻速度、側(cè)面蝕刻及錐形角。本發(fā)明蝕刻液組合物中包含的醋酸是調(diào)節(jié)反應(yīng)速度的緩沖劑，其中醋酸的量可以為相對于組合物總重量的5 25重量％、更優(yōu)選為10 20重量％。只要滿足所述范圍即可適當(dāng)調(diào)節(jié)反應(yīng)速度，從而提高蝕刻速度。本發(fā)明蝕刻液組合物中包含含氟化合物，其中含氟化合物的量可以為相對于組合物總重量的0. 01 3重量％、更優(yōu)選為0. 05 1重量％。只要含氟化合物的量在所述范圍中，即可對含氧化鋁的金屬膜、含鉬金屬膜、含h金屬膜進(jìn)行蝕刻。所述含氟化合物是可離解氟離子或多原子氟離子的化合物。所述含氟化合物優(yōu)選為選自由氟化銨、氟化鈉、氟化磷酸、重氟化銨、重氟化鈉及重氟化磷酸所組成的組中的一種或兩種。本發(fā)明蝕刻液組合物中包含的磷酸鹽是含鉬金屬膜、及含鋁金屬膜的蝕刻速度調(diào)節(jié)劑，其中磷酸鹽的量可以為相對于組合物總重量的0. 1 5重量％、更優(yōu)選為0. 5 3重量％。只要磷酸鹽的量在所述范圍中，就容易調(diào)節(jié)含鉬金屬膜及含鋁金屬膜的蝕刻速度，從而實(shí)現(xiàn)均勻的蝕刻特性。所述磷酸鹽例如可以是磷酸銨鹽、磷酸堿金屬鹽、磷酸堿土金屬鹽等。具體例如 粦酸 3L ニ 安(Ammonium hydrogen phospnate)ヽ 粦酸ニ'里鐘(,potassium dihydrogen phosphate)等?？梢詥为?dú)使用其中ー種、或混合兩種以上使用。本發(fā)明蝕刻液組合物中包含的水是指去離子水、半導(dǎo)體エ序用水，優(yōu)選使用 ΙδΜΩ/cm以上的水。蝕刻液組合物中包含所述水，以使本發(fā)明蝕刻液組合物總重量達(dá)到 100%。本發(fā)明蝕刻液組合物除所述組分外，還可以包含選自由蝕刻調(diào)節(jié)劑、界面活性剤、 金屬離子密封劑及防腐劑所組成的組中的ー種或兩種以上。在本發(fā)明中，所述含ΙΤ0、Al及Mo的三重膜，可以為具有由ITO膜、含鋁金屬膜及含鉬金屬膜組成的三重膜。所述含鋁金屬膜優(yōu)選為鋁膜或鋁合金膜。所述鋁合金膜用 Al-La-X 來表示，X 優(yōu)選為選自由 Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、 Fe、Si、Mo、Pt及C所組成的組中的ー種或兩種以上。本發(fā)明對由以下三種膜組成的三重膜更為有效以銅為主成分并用作像素電極的透明傳導(dǎo)膜(即ΙΤ0)；源/漏極電極使用的鋁或鋁合金膜，尤其是Al-La-X(X=選自由Mg、 Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、Ni、Nd、Sn、Fe、Si、Mo、Pt 及 C 所組成的組中的一種或兩種以上)形態(tài)的鋁合金膜；起緩沖作用的鉬膜或以鉬為主成分的合金膜。下面，基于實(shí)施例及試驗(yàn)例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一歩的詳細(xì)說明。但本發(fā)明的范圍并不限定于下述實(shí)施例及試驗(yàn)例。實(shí)施例1-實(shí)施例5、比較例1-比較例3 蝕刻液組合物的制造以下述表1所述的組分及組成比制造180kg蝕刻液組合物。
權(quán)利要求
1.一種用于含ΙΤ0、Α1及Mo的三重膜的蝕刻液組合物，其特征在干，所述蝕刻液組合物包含相對于所述組合物總重量的45 70重量％的磷酸、2 10重量％的硝酸、5 25重量％的醋酸、0. 01 3重量％的含氟化合物、0. 1 5重量％的磷酸鹽、及剰余的水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于含ΙΤ0、Al及Mo的三重膜的蝕刻液組合物，其特征在干，所述含氟化合物為選自由氟化銨、氟化鈉、氟化磷酸、氟化氫銨、ニ氟氫化鈉及ニ氟化磷酸所組成的組中的ー種或兩種以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于含ΙΤ0、Α1及Mo的三重膜的蝕刻液組合物，其特征在干， 所述磷酸鹽為選自由磷酸氫ニ銨及磷酸ニ氫鉀所組成的組中的ー種或兩種以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于含ΙΤ0、Α1及Mo的三重膜的蝕刻液組合物，其特征在干， 所述含ΙΤ0、Α1及Mo的三重膜是包含ITO膜、含鋁金屬膜及含鉬金屬膜的三重膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于含ΙΤ0、Α1及Mo的三重膜的蝕刻液組合物，其特征在干， 所述含鋁金屬膜是鋁膜或鋁合金膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于含ΙΤ0、Α1及Mo的三重膜的蝕刻液組合物，其特征在干， 所述鋁合金膜用 Al-La-X 來表示，X 為選自由 Mg、Zn、In、Ca、Te、Sr、Cr、Co、Mo、Nb、Ta、W、 Ni、Nd、Sn、!^e、Si、Mo、Pt及C所組成的組中的ー種或兩種以上。
7.一種用于平板顯示裝置的陣列基板的制造方法，其特征在干，所述方法包括使用權(quán)利要求1所述的蝕刻液組合物，對含ΙΤ0、Α1及Mo的三重膜進(jìn)行蝕刻。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于平板顯示裝置的陣列基板的制造方法，其特征在干，所述用于平板顯示裝置的陣列基板是薄膜晶體管陣列基板。
9.一種用于平板顯示裝置的陣列基板，其特征在干，所述陣列基板包括使用權(quán)利要求 1所述的蝕刻液組合物形成的像素電極、源/漏極電扱、以及緩沖膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于平板顯示裝置的陣列基板，其特征在干，所述用于平板顯示裝置的陣列基板是薄膜晶體管陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于含In、Al及Mo的三重膜的蝕刻液組合物，所述蝕刻液組合物包含相對于所述組合物總重量的45～70重量％的磷酸、2～10重量％的硝酸、5～25重量％的醋酸、0.01～3重量％的含氟化合物、0.1～5重量％的磷酸鹽及剩余的水。
文檔編號C09K13/08GK102597162SQ201080049609
公開日2012年7月18日 申請日期2010年10月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
發(fā)明者權(quán)五柄, 李昔準(zhǔn), 梁承宰 申請人:東友Fine-Chem股份有限公司