專利名稱：粘合片以及電子部件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及粘合片以及使用了粘合片的電子部件的制造方法。
背景技術：
電子部件一般是由如下方法制造而成將粘合片貼合在一枚半導體晶圓或者電路基板材料上形成了多個電路圖案的電子部件集合體的背面(電路圖案非形成面)，將電子部件集合體切割成單個芯片，拾取芯片，將芯片用接合劑固定于引線框等。通常，切割是在將電子部件集合體與粘合片貼合固定后進行的，已公開了一種以丙烯酸酯共聚物為主要成分的紫外線固化型粘合劑作為所述粘合片的粘合劑的技術(參考專利文獻1、2)。使用紫外線固化型粘合劑，通過在拾取工序之前照射紫外線，能夠使粘合劑固化，從而降低粘合力，使其容易拾取。
專利文獻I :日本國專利申請公開公報“特開2009-147251號公報”專利文獻2 :日本國專利申請公開公報“特開2009-256458號公報”

發(fā)明內(nèi)容
伴隨著半導體部件的高度集成化，都希望芯片越來越薄。因此，上述電子部件的制造方法中，在切割電子部件集合體之前，進行背面磨削工序，即對電子部件集合體的背面用磨削機進行磨削使其變薄的加工工序成為主流。但是，進行了背面磨削工序的情況下，在切割后會出現(xiàn)從粘合片上拾取芯片時成功率降低的問題。經(jīng)過發(fā)明人深入研究發(fā)現(xiàn)，電子部件集合體的表面上因大氣中的氧等而自然形成了氧化膜，而經(jīng)背面磨削工序，將這層氧化膜除去后，貼合主要成分為丙烯酸酯共聚物的紫外線固化型粘合劑時，粘合劑中的羥基以及羧基與電子部件集合體的磨削面發(fā)生反應，即使進行紫外線照射，也不能充分降低粘合力。氧化膜雖然隨保存時的溫度和濕度有所不同，但是一旦被除去，至少需要2、3天才能再生。因此，用通常的制造流水線進行加工時，在氧化膜再生之前進行貼合到粘合片以及切割的工序，導致拾取性降低。鑒于上述情況，本發(fā)明發(fā)現(xiàn)，通過使構成粘合片的粘合層為特定組分，則即使是切割工序之前進行了背面磨削工序的情況下，也能夠在拾取時容易地進行粘合片與芯片之間的剝離，因此，能夠容易地進行切割后芯片的拾取操作，從而完成了本發(fā)明。也就是說，本發(fā)明涉及下述粘合片以及使用所述粘合片的電子部件制造方法。(I) 一種粘合片，具有基膜，以及在基膜上層疊的紫外線固化型粘合劑，紫外線固化型粘合劑含有重量平均分子量100萬以上的丙烯酸酯共聚物100質(zhì)量份、具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯20-200質(zhì)量份、異氰酸酯固化劑0. 1-10質(zhì)量份，丙烯酸酯共聚物進行共聚時的單體中，具有羥基或羧基其中之一，或二者都有的單體的含量為0質(zhì)量％以上0. I質(zhì)量％以下。(2)如上述(I)所述的粘合片，具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯為聚
氨酯丙烯酸酯。
(3)如上述(I)或(2)所述的粘合片，其基膜為離聚物樹脂。(4) 一種電子部件的制造方法，包括背面磨削工序，磨削電子部件集合體的電路圖案非形成面；貼合工序，背面磨削工序之后在電子部件集合體的磨削面上貼合(I)至(3)中任意一項所述的粘合片；切割工序，貼合工序之后將電子部件集合體芯片化，切割為單個電子部件；紫外線照射工序，切割工序之后對粘合片進行紫外線照射；拾取工序，紫外線照射工序之后拾取電子部件。使用本發(fā)明的粘合片，在電子部件制造方法中，即使在粘合到粘合片之前進行了電子部件集合體的背面磨削的情況下，也能夠抑制芯片拾取成功率的降低。
具體實施例方式〈用語說明〉 本說明書中，“份”以及“％”，只要不進行特別的說明，均為質(zhì)量基準。本說明書中，(甲基)丙烯?；潜；图谆；目偡Q。(甲基)丙烯酸等含有(甲基)的化合物等同樣是名稱中含有“甲基”的化合物和名稱中不含“甲基”的化合物的總稱。光聚合性丙烯酸酯的官能團數(shù)是指I個丙烯酸酯分子中的乙烯基數(shù)量?！凑澈掀嫡澈掀?，具有基膜以及在基膜一側面上層疊的紫外線固化型粘合劑?！椿ぁ祷さ脑臑?，能夠承受半導體晶圓的切割的原材，可以列舉出聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯薄膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、熱塑性烯烴類彈性體、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯類共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、以及通過金屬離子使乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯_(甲基)丙烯酸_(甲基)丙烯酸酯共聚物等交聯(lián)而成的離聚物樹脂的單體、上述物質(zhì)的混合物、共聚物或多層薄膜?；さ脑?，在上述樹脂中，優(yōu)選離聚物樹脂。離聚物樹脂中，如果使用如下離聚物樹脂，則能夠抑制切割時晶須狀切削屑的產(chǎn)生，因此優(yōu)選之。該離聚物樹脂是通過Na+、K+、Zn2+等金屬離子使含有乙烯單元、(甲基)丙烯酸單元及(甲基)丙烯酸烷基酯單元的共聚物交聯(lián)而成的離聚物樹脂?；ぬ貏e優(yōu)選熔體流動速度為0. 5-6. 0g/10分鐘(JIS K7210、210°C )，基膜特別優(yōu)選熔點為80-98°C，基膜特別優(yōu)選含有Zn2+離子。基膜的成型方法，可以列舉出壓延成型法、T模擠出法、吹塑法及流延法，優(yōu)選基膜的厚度精度良好的T模擠出法。出于防止基膜疊加的目的，優(yōu)選涂布或加入防止疊加劑或潤滑劑，或在薄膜表面實施平均表面粗糙度(輪廓算術平均偏差)(Ra) 5 Pm以下的紋理加工。此外，還優(yōu)選在基膜上，涂布或加入防靜電劑從而抑制靜電故障，實施電暈放電或中介涂層等處理從而提高與粘合劑的密合度?；さ暮穸葍?yōu)選為30 ii m以上，為防止拾取工序中在拉伸粘合片時粘合片發(fā)生破裂，基膜的厚度進一步優(yōu)選為60 y m以上。基膜的厚度優(yōu)選為300 u m以下，為了維持拾取工序中拉伸粘合片時的高拉伸性能，基膜的厚度進一步優(yōu)選為200iim以下。<紫外線固化型粘合劑>
紫外線固化型粘合劑含有重量平均分子量100萬以上的丙烯酸酯共聚物100質(zhì)量份、具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯20-200質(zhì)量份、異氰酸酯固化劑0. 1-10質(zhì)量份。丙烯酸酯共聚物進行共聚時的單體中，混合有0. I質(zhì)量％以下的具有羥基或羧基其中之一或二者都有的單體。<丙烯酸酯共聚物>紫外線固化型粘合劑中，重量平均分子量100萬以上的丙烯酸酯共聚物為聚合了(甲基)丙稀酸燒基酷和(甲基)丙稀酸燒氧基 燒基酷的物質(zhì)，或者上述物質(zhì)進一步與其它能夠共聚的單體共同形成的共聚物。作為丙烯酸酯共聚物的聚合所使用的(甲基)丙烯酸烷基酯以及(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯，可以列舉出，例如(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環(huán)戊酯、(甲基)丙烯酸芐酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基甲酯和(甲基)丙烯酸乙氧基正丙酯的單體或上述物質(zhì)的混合物。這其中，丙烯酸甲氧基甲酯、丙烯酸乙氧基甲酯、丙烯酸-2-甲氧基乙酯、丙烯酸-2-乙氧基乙酯、丙烯酸-2-丙氧基乙酯、丙烯酸-2- 丁氧基乙酯、丙烯酸-2-甲氧基丙酯、丙烯酸-3-甲氧基丙酯、丙烯酸-2-乙氧基丙酯、丙烯酸-3-乙氧基丙酯、丙烯酸-2-甲氧基丁酯、丙烯酸-3-甲氧基丁酯、丙烯酸-4-甲氧基丁酯、丙烯酸-2-乙氧基丁酯、丙烯酸-3-乙氧基丁酯、丙烯酸-4-乙氧基丁酯，其中使用丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸-2-甲氧基乙酯時，能夠平衡紫外線固化型粘合劑的耐油性和抗寒性。作為其他能夠共聚的單體，可以列舉出含有帶羥基的官能團的單體，以及含有帶羧基的官能團的單體。作為含有帶羥基的官能團的單體，可以列舉，例如，(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯及(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、2-羥基乙烯醚。作為含有帶羧基的官能團的單體，可以列舉，例如，(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐、衣康酸、富馬酸、丙烯酰胺N-乙醇酸和肉桂酸等。丙烯酸酯共聚物必須為，丙烯酸酯共聚物進行共聚時的單體中，具有羥基或羧基其中之一，或二者都有的單體為0質(zhì)量％以上、0. I質(zhì)量％以下。只要具有羥基或羧基其中之一，或二者都有的單體為0. I質(zhì)量％以下，對于經(jīng)背面磨削工序去除了氧化膜的電子部件集合體而言，也能夠確保芯片的拾取性良好。丙烯酸酯共聚物的重量平均分子量必須在100萬以上。降低重量平均分子量，切割時容易發(fā)生紫外線固化型粘合劑沾到芯片側面的現(xiàn)象。重量平均分子量為，通過凝膠滲透色譜法測量出的，用聚苯乙烯換算的平均分子量的值。(具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯)具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯，經(jīng)紫外線照射，與紫外線聚合引發(fā)劑反應形成三維網(wǎng)狀結構，從而使粘合劑固化，降低粘合力。
之所以限定碳-碳雙鍵的數(shù)量在3個以上，是為了即使經(jīng)紫外線照射后一段時間后，也不會發(fā)生粘合力增加和拾取不良的現(xiàn)象。碳-碳雙鍵的數(shù)量在3個以上時，往往經(jīng)過紫外線照射形成的三維網(wǎng)狀結構隨時間的變化不大。具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯的數(shù)均分子量，優(yōu)選3000以下。具有3個以上不飽和鍵的丙烯酸酯的數(shù)均分子量很高時，與被貼附體的整合性不好，切割工序時，往往產(chǎn)生電子部件飛散，即芯片飛散的現(xiàn)象。所述數(shù)均分子量為，通過凝膠滲透色譜法測量出的，用聚苯乙烯換算的值作為數(shù)均分子量。作為具有3個以上碳-碳雙鍵的丙烯酸酯，可以列舉出，例如，三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯低聚物、聚酯丙烯酸酯低聚物、聚氨酯丙烯酸酯低聚物，其中，優(yōu)選聚氨酯丙烯酸酯低聚物。具有3個以上碳-碳雙鍵的丙烯酸酯，相對于(甲基)丙烯酸酯共聚物100質(zhì)量 份，其混合量優(yōu)選20 200質(zhì)量份。此混合比過小時，往往使得紫外線照射后的紫外線固化型粘合劑的固化不充分而導致拾取不良，此混合比過大時，切割時往往使粘合劑沾到芯片側面。(異氰酸酯固化劑)異氰酸酯固化劑，用于設定紫外線照射前粘合片的初期粘合力，具體來說，是有多個異氰酸酯基的化合物。作為具有多個異氰酸酯基的化合物，可以列舉出，例如，2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3-二甲苯二異氰酸酯、1，4-二甲苯二異氰酸酯、二苯甲烷-4，4’ - 二異氰酸酯、二苯甲烷_2，4’ - 二異氰酸酯、3-甲基二苯甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷-4，4’-二異氰酸酯、二環(huán)己基甲烷-2，4’ - 二異氰酸酯、賴氨酸異氰酸酯、亞苯基二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、環(huán)己烷二異氰酸酯、三羥甲基丙烷加成物，與水反應了的縮二脲類化合物，或具有異氰脲酸酯環(huán)的三聚體，以上化合物不僅可為單體，也可為混合物。異氰酸酯固化劑的混合量，相對于(甲基)丙烯酸酯共聚物100質(zhì)量份，為0. 1-10質(zhì)量份。此混合比過小時,切割時往往使粘合劑沾到芯片側面,此混合比過大時,往往會使粘合劑固化從而容易發(fā)生切割時芯片飛散的現(xiàn)象。(其他成分)在紫外線固化型粘合劑中，對上述混合組成不產(chǎn)生技術上不良影響的范圍內(nèi)，可以添加增粘樹脂、光聚合引發(fā)劑、熱聚合抑制劑、填充劑、抗老化劑、柔軟劑、穩(wěn)定劑、或者著色劑等。關于光聚合引發(fā)劑，雖然并不限定于此，可以相對于(甲基)丙烯酸酯共聚物100質(zhì)量份為0. 5 10質(zhì)量份。<粘合片的制造方法>在基膜上層壓形成紫外線固化型粘合劑層的方法，可以列舉出，用涂布機直接涂布的方法，將二者貼合在一起的方法，或者印刷的方法。關于用涂布機直接涂布的方法，可以列舉出凹版涂布機、逗號涂布機、棒式涂布機、刮刀涂布機或輥式涂布機。關于貼合方法有，在進行了硅酮處理的剝離薄膜上涂布粘合劑后，貼合到基膜上的方法。關于印刷方法有，通過凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷、膠版印刷或絲網(wǎng)印刷等在基膜上印刷粘合劑的方法。粘合片中紫外線固化型粘合劑的厚度，雖然沒有特別限定，但優(yōu)選干燥后的厚度為 I 100 Ii m?！措娮硬考闹圃旆椒ā惦娮硬考闹圃旆椒ǎū趁婺ハ鞴ば?，磨削電子部件集合體的背面(電路圖案非形成面)；貼合工序，背面磨削工序之后在電子部件集合體的磨削面上貼合上述粘合片；切割工序，貼合工序之后將電子部件集合體芯片化，切割為單個電子部件；紫外線照射工序，切割工序之后對粘合片進行紫外線照射；拾取工序，紫外線照射工序之后拾取電子部件。電子部件集合體為，在半導體晶圓或電路基板材料上形成了電路圖案的電子部件集合體。 磨削電子部件集合體的背面使之變薄的背面磨削工序，一般為，將厚度為625 iim至775 u m的電子部件集合體磨薄成厚度為200 y m至50 y m的工序。貼合工序為，向進行了磨削的電子部件集合體的背面貼合粘合片的粘合劑塗布面，將電子部件集合體固定在粘合片上的工序。切割工序為，將粘合片上粘貼的電子部件集合體用旋轉(zhuǎn)圓形刀片切割成單個電子部件的方法。因為電子部件也叫芯片，這一過程也被稱為芯片化。紫外線照射工序為，通過對粘合片進行紫外線照射，使光聚合引發(fā)劑與具有不飽和鍵的紫外線聚合化合物發(fā)生反應，使之形成三維網(wǎng)狀結構，由此使粘合劑固化，降低其粘合力。紫外線光源有、紫外光燈、低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵化物燈或準分子燈。紫外線的照射光量，一般優(yōu)選5mJ/cm2以上lOOOmJ/cm2以下。紫外線的照射光量過少時，往往引起紫外線固化型粘合劑固化不充分，使得拾取性降低，紫外線的照射光量過多時，往往引起固化過快，使得拾取前電子部件從粘合片上剝離。拾取工序中，根據(jù)需要，有拉伸粘合片，從粘合片一側用針將芯片推起，用真空筒或真空鑷子等吸附的拾取方法。實施例以下將列舉實施例以及對比例，對本發(fā)明進行進一步的說明，但本發(fā)明并不限于下述實施例。[粘合片]使用以下所述基膜和紫外線固化型粘合劑，制造了實施例及對比例中的各種粘合片。< 基膜 >基膜為，乙烯一甲基丙烯酸一甲基丙烯酸烷基酯共聚物的Zn鹽為主體的離聚物樹脂，具體采用了，熔體流動速度為1.5g/10分鐘(JISK7210，210°C )、熔點為96°C、含有Zn2+離子的薄膜，產(chǎn)品名為Himilanl650(注冊商標，三井 杜邦聚化工公司DUP0NT-MITSUIPOLYCHEMICALS CO.，LTD)，厚度為 100 y m。<紫外線固化型粘合劑>如下所述，紫外線固化型粘合劑為，混合有(甲基)丙烯酸酯共聚物100質(zhì)量份、具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯20-200質(zhì)量份、異氰酸酯固化劑0. 1-10質(zhì)量份和光聚合引發(fā)劑3質(zhì)量份的物質(zhì)。將紫外線固化型粘合劑涂布在基膜上，使粘合片上粘合劑糊的厚度為10 Pm?！?甲基)丙烯酸酯共聚物〕A :丙烯酸正丁酯30質(zhì)量％、丙烯酸乙酯50質(zhì)量％、丙烯酸_2_甲氧基乙酯20質(zhì)量％的共聚物，Tg=-38. 54°C、重量平均分子量130萬B :丙烯酸正丁酯30質(zhì)量％、丙烯酸乙酯50質(zhì)量％、丙烯酸-2-甲氧基乙酯20質(zhì)量％的共聚物，Tg=-38. 54°C、重量平均分子量90萬C :丙烯酸正丁酯30質(zhì)量％、丙烯酸乙酯50質(zhì)量％、丙烯酸-2-甲氧基乙酯19. 95質(zhì)量％、丙烯酸-2-羥基乙酯0. 05質(zhì)量％的共聚物，Tg=-38. 52°C、重量平均分子量130萬(含有羥基的單體0.05質(zhì)量％) D :丙烯酸正丁酯30質(zhì)量％、丙烯酸乙酯50質(zhì)量％、丙烯酸_2_甲氧基乙酯19. 8質(zhì)量％、丙烯酸-2-羥基乙酯0. 2質(zhì)量％的共聚物，Tg=-38. 47°C、重量平均分子量130萬(含有羥基的單體0.2質(zhì)量％)E :丙烯酸正丁酯30質(zhì)量％、丙烯酸乙酯50質(zhì)量％、丙烯酸_2_甲氧基乙酯19. 8質(zhì)量％、丙烯酸0. 2質(zhì)量％的共聚物，Tg=-38. 33°C、重量平均分子量130萬(含有羧基的單體0.2質(zhì)量％)F :丙烯酸正丁酯30質(zhì)量％、丙烯酸乙酯50質(zhì)量％、丙烯酸_2_甲氧基乙酯19. 92質(zhì)量％、丙烯酸0. 04質(zhì)量％、丙烯酸-2-羥基乙酯0. 04質(zhì)量％的共聚物，Tg=-38. 48°C、重量平均分子量130萬(含有羥基的單體0.04質(zhì)量％、含有羧基的單體0. 04質(zhì)量％)〔具有碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯〕G :由異佛爾酮二異氰酸酯與季戊四醇三丙烯酸酯合成的聚氨酯丙烯酸酯(碳-碳雙鍵6個)H :三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(碳-碳雙鍵3個)I :由異佛爾酮二異氰酸酯與丙烯酸-2-羥基乙酯合成的聚氨酯丙烯酸酯(碳-碳雙鍵2個)(異氰酸酯固化劑〕亞甲基二異氰酸酯與二醇的反應生成物(日本聚氨酯工業(yè)株式會社制CORONATE2067)(光聚合引發(fā)劑〕芐基二甲基縮酮〈粘合片的評價〉通過以下工序(1)-(5)，在使用上述粘合片將形成了電路圖案的電子部件集合體固定在硅晶圓上，切割為單個電子部件(芯片)，拾取電子部件過程中，對芯片飛散(芯片保持性)、拾取性、以及殘留渣漿進行評價。(I)背面磨削工序
作為電子部件集合體，使用形成了多個電路圖案的8英寸的硅晶圓。對該硅晶圓 進行背面磨削，直至其厚度為100 ym。
(2)貼合工序背面磨削工序后I小時內(nèi)將粘合片貼在電子部件集合體的磨削面上。(3)切割工序貼合工序后將電子部件集合體芯片化為單個電子部件的切割工序中，從電子部件集合體的上表面到底面，進行穿透切割，向粘合片的切入量為30 ym。芯片化時，在其上表面的大小為IOmmX 10mm。切割裝置使用了 DISCO公司制DAD341。切割刀片使用DISCO公司制NBC-ZH2050-27HEEE。切割刀片形狀為，外徑55. 56mm、刃寬35iim、內(nèi)徑19. 05mm，切割刀片轉(zhuǎn)數(shù)為40，OOOrpm、切割刀片推進速度為80mm/秒、切割時的切削水流溫度為25°C、切削水量為I. OL/分鐘。(4)紫外線照射工序切割工序后向粘合片照射紫外線的紫外線照射工序中，作為紫外線的光源，采用 高壓水銀燈，紫外線照射光量為150mJ/cm2。(5)拾取工序紫外線照射工序后拾取電子部件的拾取工序中，從粘合片一側將被芯片化的電子部件用針銷推起后，用真空筒將芯片吸附，從粘合片上取出芯片。拾取裝置使用canon-machinery公司制CAP-300II。此時針銷形狀為250 u mR、針銷數(shù)為5、針銷推起高度為0. 5mm、拉伸量為8mm?！残酒w散〕芯片飛散用切割工序后粘合片上保持的電子部件的殘存率來評價。優(yōu)芯片殘存率為95%以上。良芯片殘存率為90%以上小于95%。差芯片殘存率為小于90%。良以上為合格?！彩叭⌒浴呈叭⌒杂帽趁婺ハ鞴ば蚝驣小時以內(nèi)貼上切割膠帶，此后進行切割/UV照射，實施拾取工序時拾取成功的芯片的比例來評價。優(yōu)拾取成功率為95%以上。良拾取成功率為90%以上小于95%。差拾取成功率為小于90%。良以上為合格?！矚埩粼鼭{〕殘留渣漿用拾取工序后目測電子部件側面確認存在粘合劑的芯片所占比例來評價。優(yōu)粘合劑存在比例為小于5%。良粘合劑存在比例為5%以上小于10%。差粘合劑存在比例為10%以上。良以上為合格。表I顯示了紫外線固化型粘合劑的組成以及評價結果。表I中，“含有官能團的單體”為，含有羥基或者羧基的其中之一，或二者都有的單體，數(shù)字表示具有該官能團的單體
權利要求
1.ー種粘合片，具有基膜，以及在基膜上層疊的紫外線固化型粘合劑，其特征在于，紫外線固化型粘合劑含有重量平均分子量100萬以上的丙烯酸酯共聚物100質(zhì)量份、具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯20-200質(zhì)量份、異氰酸酯固化劑O. 1-10質(zhì)量份，丙烯酸酯共聚物進行共聚時的單體中，具有羥基或羧基其中之一，或二者都有的単體的含量為O質(zhì)量％以上O. I質(zhì)量％以下。
2.如權利要求I所述的粘合片，其特征在干，具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯為聚氨酯丙烯酸酷。
3.如權利要求I或2所述的粘合片，其特征在于，基膜為離聚物樹脂。
4.一種電子部件的制造方法，其特征在于，包括背面磨削エ序，對電子部件集合體的電路圖案非形成面進行磨削；貼合エ序，背面磨削エ序之后在電子部件集合體的磨削面上貼合權利要求I至3中任意一項所述的粘合片；切割エ序，貼合エ序之后將電子部件集合體芯片化，切割為單個電子部件；紫外線照射エ序，切割エ序之后對粘合片進行紫外線照射；拾取エ序，紫外線照射エ序之后拾取電子部件。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有基膜以及在基膜上層疊紫外線固化型粘合劑的粘合片。紫外線固化型粘合劑含有重量平均分子量100萬以上的丙烯酸酯共聚物100質(zhì)量份、具有3個以上碳-碳雙鍵的光聚合性丙烯酸酯20-200質(zhì)量份和異氰酸酯固化劑0.1-10質(zhì)量份。丙烯酸酯共聚物進行共聚時的單體中，混合有0.1質(zhì)量%以下的具有羥基或羧基其中之一或二者都有的單體。
文檔編號C09J133/06GK102712830SQ201080058000
公開日2012年10月3日 申請日期2010年10月29日 優(yōu)先權日2009年12月21日
發(fā)明者高津知道 申請人:電氣化學工業(yè)株式會社