專利名稱：一種白光電致發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種白光電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
1987年，美國(guó)Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達(dá)到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為I. 511m/W、壽命大于100小時(shí)。
OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。發(fā)光材料是影響發(fā)光效率的最重要的因素，發(fā)光材料可以分為熒光材料和磷光材料，熒光材料由于三線態(tài)躍遷受阻，因此，只能通過(guò)單線態(tài)的輻射失活而發(fā)光，三線態(tài)激子與單線態(tài)激子的比例約為3 I ;而由于熒光材料只有25%的激子可以有效的利用，剩下的75%都通過(guò)非輻射衰減，能量以熱的形式釋放，使器件溫度升高，從而減少器件的壽命，而磷光材料則由于金屬原子自身較強(qiáng)的自旋耦合作用，因此，使得原來(lái)不可能的三線態(tài)躍遷成為可能，因此，發(fā)光效率大大提高，目前綠光磷光材料和紅光磷光材料的發(fā)光效率都比較好，材料穩(wěn)定性較高，而藍(lán)光磷光材料的壽命和穩(wěn)定性都不太好，制約了藍(lán)光的發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容
基于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供ー種白光電致發(fā)光器件。本發(fā)明的技術(shù)方案如下—種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其中，所述發(fā)光層為復(fù)合層結(jié)構(gòu)，該復(fù)合層結(jié)構(gòu)依次為紅光磷光發(fā)光層/第一間隔層/藍(lán)光發(fā)光層/第二間隔層/綠光磷光發(fā)光層；所述紅光磷光發(fā)光層與制備在所述電子阻擋層表面，所述空穴阻擋層制備在所述綠光磷光發(fā)光層表面。在上述白光電致發(fā)光器件中基底和導(dǎo)電層可以采用ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底，ITO為導(dǎo)電層；陰極層的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、鎂銀鎂(Mg Ag)合金或金(Au)中的任ー種；紅光磷光發(fā)光層的材料為紅光材料(如，ニ(2-甲基-ニ苯基喹喔啉)(こ酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、ニ(I-苯基異喹啉)(こ酰丙酮)合銥(Ir (piq)2 (acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3))摻雜到鈹配合物中所組成的任一混合物；第一間隔層和第二間隔層的材料為空穴傳輸材料，分別為2-丁基-9，10-ニ-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' - ニ(3-甲基苯基)-N，N' -ニ苯基-4，4'-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、4，4' A"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N,N/ -(I-萘基)-N，N' -ニ苯基-4，4’-聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)中的至少ー種；藍(lán)光發(fā)光層的材料為藍(lán)光材料(如,花(Perylene)、ニ萘嵌苯衍生物、三苯胺ニ苯こ烯衍生物、三苯胺連萘基こ烯衍生物或苯こ烯衍生物)與空穴傳輸材料(如，2-丁基-9，10-ニ-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' - ニ(3-甲基苯基)-N，N' -ニ苯基-4，4'-聯(lián)苯ニ胺(Tro)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N,N/ -(I-萘基)-N，N' -ニ苯基-4，4’-聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc))摻雜組成的混合物中的任ー種；綠光磷光發(fā)光層的材料為藍(lán)光材料(如，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)或こ酰丙酮酸ニ(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2 (acac)))分別摻雜到鈹配合物中所組成的任一混合物；其中，鈹配合物材料為吩基吡啶鈹(B印p2)、10_羥基苯并喹啉鈹(BeBq2)、8_羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2_甲基_8_羥基喹啉鈹(BeMQ2)、8_羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7_丙基_8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任ー種。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，用藍(lán)光發(fā)光材料與紅光、綠光磷光材料的發(fā)光層，具有如下優(yōu)點(diǎn)I、分別在紅光磷光發(fā)光層、藍(lán)光發(fā)光層、綠光磷光發(fā)光層之間插入第一和第二間隔層來(lái)阻擋熒光層中單線態(tài)擴(kuò)散到磷光層中，保證熒光材料的發(fā)射；同時(shí)，又可以使發(fā)光材料的三線態(tài)激子可以擴(kuò)散到磷光層中輻射躍遷發(fā)光，提高了發(fā)光效率；2、第一、ニ間隔層將空穴限制在藍(lán)光發(fā)光層中，使藍(lán)光發(fā)光層對(duì)其進(jìn)行充分的捕獲，限制激子的發(fā)光區(qū)域，將光譜窄化，穩(wěn)定發(fā)光光色；3、紅光、綠光磷光發(fā)光層分別置于藍(lán)光發(fā)光層的兩側(cè)，可以使藍(lán)光三線態(tài)能量得到充分的捕獲，進(jìn)ー步提高發(fā)光效率。


圖I為本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)施例I的白光電致發(fā)光器件能級(jí)圖；圖3為實(shí)施例I的白光電致發(fā)光器件與參比白光電致發(fā)光器件的亮度電壓圖。
具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供的ー種白光電致發(fā)光器件，如圖I所示，其結(jié)構(gòu)依次為基底11/導(dǎo)電層12/空穴注入層13/空穴傳輸層14/電子阻擋層15/發(fā)光層16/空穴阻擋層17/電子傳輸層18/電子注入層19/陰極層20 ;其中，所述發(fā)光層為復(fù)合層結(jié)構(gòu)，該復(fù)合層結(jié)構(gòu)依次為紅光磷光發(fā)光層161/第一間隔層162/藍(lán)光發(fā)光層163/第二間隔層164/綠光磷光發(fā)光層165 ;紅光磷光發(fā)光層161與制備在電子阻擋層15表面，空穴阻擋層17制備在綠光磷光發(fā)光層165表面；也就是白光電致發(fā)光器件整體結(jié)構(gòu)為基底11/導(dǎo)電層12/空穴注入層13/空穴傳輸層14/電子阻擋層15/紅光磷光發(fā)光層161/第一間隔層162/藍(lán)光發(fā)光層163/第二間隔層164/綠光磷光發(fā)光層165/空穴阻擋層17/電子傳輸層18/電子注入層19/陰極層20。在上述白光電致發(fā)光器件中，每一有機(jī)功能層均采用蒸鍍技術(shù)進(jìn)行制備基底和導(dǎo)電層可以采用ITO(氧化銦錫)玻璃，其中，玻璃為基底11，ITO為導(dǎo)電層12 ；陰極層20的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)、鎂銀鎂(Mg Ag)合金或金(Au)中的任ー種，優(yōu)選Al ;該陰極層的厚度為20-200nm，優(yōu)選厚度為150nm ；
紅光磷光發(fā)光層的材料為紅光材料(如，ニ(2-甲基-ニ苯基喹喔啉)(こ酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))、ニ(I-苯基異喹啉)(こ酰丙酮)合銥(Ir (piq)2(acac))或三(I-苯基-異喹啉)合銥(Ir(Piq)3))分別摻雜到鈹配合物中所組成的任一混合物；其中，紅光磷光發(fā)光層中，紅光材料的摻雜比例為0. 5% _5%，該紅光磷光發(fā)光層厚度為5-15nm ；第一間隔層和第二間隔層的材料分別為2-丁基-9，10-ニ-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' - ニ(3-甲基苯基)-N，N' -ニ苯基-4，4'-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N' _(1_ 萘基)-N，N' -ニ苯基-4，4’ -聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc)中的至少ー種；其中，第一、ニ間隔層的厚度分別為I-IOnm;藍(lán)光發(fā)光層的材料為藍(lán)光材料(如，Perylene (茈)、ニ萘嵌苯衍生物(TBPe)、三苯胺ニ苯こ烯衍生物(DPAVBi或DPAVB)、三苯胺連萘基こ烯衍生物(BDAVBi)或苯こ烯衍生物(BCzVB或BCzVBi))與空穴傳輸材料(如，2-丁基-9，10-ニ-(2-萘基)蒽(TBADN)、N，N' - ニ(3-甲基苯基)-N，N' -ニ苯基-4，4'-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4' - ニ(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N' _(1_ 萘基)-N，N' -ニ苯基-4，4’-聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅(CuPc))摻雜組成的混合物中的任ー種；其中，藍(lán)光材料的摻雜比例為5% -20%，藍(lán)光發(fā)光層厚度為5-15nm ；綠光磷光發(fā)光層的材料為綠光材料(如，三(2-苯基卩比唳)合銥(Ir(ppy)3)或こ酰丙酮酸ニ(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy)2 (acac)))分別摻雜到鈹配合物中所組成的任一混合物；其中，綠光材料的摻雜比例為5% -10%，該綠光磷光發(fā)光層厚度為5-15nm ；空穴注入層的材料為三氧化鑰(MoO3)、三氧化鎢(WO3)、V0X或五氧化ニ釩(V2O5)中的任ー種，優(yōu)選為MoO3 ;其中，空穴注入層厚度為5-40nm，優(yōu)選厚度為5nm ；空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為N，N’ - ニ(3-甲基苯基)-N，N’ - ニ苯基-4，4’-聯(lián)苯ニ胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N，- (I-萘基)-N，N，-ニ苯基-4，4’-聯(lián)苯ニ胺(NPB)、1，3，5-三苯基苯(TDAPB)或酞菁銅CuPc中的任ー種，空穴傳輸層和電子阻擋層的厚度分別為5-80nm ;其中，空穴傳輸層優(yōu)選NPB，優(yōu)選厚度為40nm，電子阻擋層優(yōu)選為T(mén)CTA，優(yōu)選厚度為5nm ；電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基_1，3，4-噁ニ唑(PBD)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-ニ(I-萘基)-1，3，4_ ニ唑(BND)、4，7_ ニ苯基-1,10-菲羅啉(Bphen) ,1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)。其中，空穴阻擋層厚度為3-10nm，優(yōu)選厚度為5nm，空穴阻擋層的材料優(yōu)選為T(mén)PBi ;電子傳輸層厚度為40-80nm,優(yōu)選厚度為60nm,電子傳輸層的材料優(yōu)選為Bphen ；電子注入層的材料為Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF中的任ー種，電子注入層的厚度0. 5-5nm ;對(duì)于該注入層的材料，也可采用Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF與電子傳輸材料(如，2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-I，3，4-噁ニ唑(PBD)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、2，5-ニ(ト萘基)-1，3，4-ニ唑(BND)、4，7_ ニ苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)、N_芳基苯并咪唑(TPBI)或喹喔啉衍生物(TPQ)中的任ー種)摻雜組成的混合物中的任ー種,摻雜比例為20-60%，此時(shí)的電子注入層厚度為20-60nm ;就摻雜混合物材料而言，優(yōu)選Bphen: CsN3,優(yōu)選摻雜比例為20%，此時(shí)電子注入層厚度優(yōu)選為40nm ；其中，上述鈹配合物材料為吩基吡啶鈹(B印p2)、10_羥基苯并喹啉鈹(BeBq2)、8-羥基喹啉鈹(BeqQ2)、2_甲基-8_羥基喹啉鈹(BeMQ2)、8_羥基喹啉鈹(BeQ2)、或7_丙基-8羥基喹啉鈹(BePrQ2)中的任ー種。
本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，用相對(duì)穩(wěn)定，性能較好藍(lán)光發(fā)光材料與紅光、綠光磷光材料制備的發(fā)光層，由于三線態(tài)激子的擴(kuò)散長(zhǎng)度為IOOnm,單線態(tài)的擴(kuò)散長(zhǎng)度為5nm,為了使熒光材料單線態(tài)激子在熒光層中充分的進(jìn)行Forster能量轉(zhuǎn)移，且分別在紅光磷光發(fā)光層、藍(lán)光發(fā)光層、綠光磷光發(fā)光層之間插入第一和第二間隔層來(lái)阻擋突光層中單線態(tài)擴(kuò)散到磷光層中，保證熒光材料的發(fā)射；同時(shí)，又可以使發(fā)光材料的三線態(tài)激子可以擴(kuò)散到磷光層中輻射躍遷發(fā)光，提高了發(fā)光效率；同時(shí)，又可以使藍(lán)光發(fā)光層的三線態(tài)激子可以擴(kuò)散到紅光、綠光磷光發(fā)光層中輻射躍遷發(fā)光，使藍(lán)光發(fā)光層中的75%三線態(tài)激子充分得到利用，而第一二間隔層又是量子阱結(jié)構(gòu)，可以將空穴限制在里面，使藍(lán)光發(fā)光層對(duì)其進(jìn)行充分的捕獲，限制激子的發(fā)光區(qū)域，將光譜窄化，穩(wěn)定發(fā)光光色，提高了發(fā)光效率，而紅光、綠光磷光發(fā)光層分別置于熒光層的兩側(cè)，可以使藍(lán)光三線態(tài)能量得到充分的捕獲，進(jìn)ー步提高發(fā)光效率。下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例作進(jìn)ー步詳細(xì)說(shuō)明。實(shí)施例Iー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/ITO/MoOノNPB/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA/TBADN: BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen :CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為0. 5%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體為T(mén)BADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。圖I為該實(shí)施例白光電致發(fā)光器件能級(jí)圖；其中，該器件結(jié)構(gòu)為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/B印p2:Ir(MDQ)2 (acac)/TCTA/TBADN:BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。圖2是該實(shí)施例的白光電致發(fā)光器件與參比白光電致發(fā)光器件的亮度電壓圖；其中，該實(shí)施例的白光電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA/TBADN: BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen :CsN3/A ；參比白光電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)ITO基底/Mo03/NPB/TCTA/B印p2 = Ir(MDQ)2(acac)/TBADN: BCzVBi/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。由圖2中可以看出，在IOV時(shí)，實(shí)施例I的量子阱器件亮度為4449cd/cm2，而沒(méi)有量子阱的標(biāo)準(zhǔn)器件亮度為2537cd/cm2，這說(shuō)明，當(dāng)加入間隔層之后，電子和空穴的復(fù)合幾率得到提高，同吋，熒光的三線態(tài)得到擴(kuò)散，到達(dá)兩側(cè)磷光層之后被磷光材料捕獲，因此，發(fā)光 效率得到提升，器件的亮度得到了増大。實(shí)施例2ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/W03/TPD/TCTA/BeBq2: Ir (piq) 2 (acac) /TPD/TPD: BCzVB/TPD/BeBq2: Ir (ppy) 2 (acac) /TAZ/TPBI /Cs2CO3/Al。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (piq)2(acac),摻雜主體為BeBq2,紅光材料摻雜比例為5%,厚度為5nm ;第一間隔層的材料為T(mén)PD，厚度為IOnm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為BCzVB，主體為T(mén)PD，藍(lán)光材料摻雜比例為20%，厚度為20nm ;第二層間隔層的材料為T(mén)PD，厚度為IOnm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir(ppy)2(acac)，摻雜主體為BeBq2，綠光材料摻雜比例為5%，厚度為15nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(WO3)的厚度為40nm，空穴傳輸層(TH))的厚度為20nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TAZ)的厚度為IOnm ;電子傳輸層(TPBI)的厚度為80nm;電子注入層(Cs2CO3)的厚度為20nm ;陰極層采用Al層，其厚度為20nm。實(shí)施例3ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V0x/TDAPB/NPB/BeqQ2: Ir (piq) 3/NPB/TCTA: TBPe/TDAPB/BeMQ2: Ir (ppy) 3/BND/TPQ/LiF/Al。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (piq)2(acac),摻雜主體為BeqQ2,紅光材料摻雜比例為4%,厚度15nm ;第一間隔層的材料為NPB，厚度為Inm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為T(mén)BPe，主體為T(mén)CTA，藍(lán)光材料摻雜比例為15%，厚度為15nm ;第二層間隔層的材料為T(mén)DAPB，厚度為Inm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為BeMQ2，綠光材料摻雜比例為6%，厚度為7nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(VOx)的厚度為10nm，空穴傳輸層(TDAPB)的厚度為80nm;電子阻擋層(NPB)的厚度為80nm ;空穴阻擋層(BND)的厚度為3nm;電子傳輸層(TPQ)的厚度為40nm;電子注入層(LiF)的厚度為60nm ;陰極層采用Al層，其厚度為200nm。實(shí)施例4ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/CuPc/Tro/BeqQ2: Ir (piq) 3/NPB/CBP: DPAVB/CuPc/BeQ2: Ir (ppy) 2 (acac) /TPQ/TPBI/CsF/Al。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (piq)2 (acac)，摻雜主體為BePrQ2,紅光材料摻雜比例為3%，厚度為12nm ;第一間隔層的材料為NPB，厚度為8nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體為CBP，藍(lán)光材料摻雜比例為20%，厚度為5nm ;第二層間隔層的材料為CuPc，厚度為6nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為BeQ2，綠光材料摻雜比例為4%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(V2O5)的厚度為30nm，空穴傳輸層(CuPc)的厚度為IOnm ;電子阻擋層(TH))的厚度為60nm ;空穴阻擋層(TPQ)的厚度為8nm ;電子傳輸層(TPBI)的厚度為50nm ;電子注入層(CsF)的厚度為50nm ;陰極層采用Al層，其厚度為lOOnm。實(shí)施例5 ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/CuPc/Tro/BeqQ2: Ir (piq) 3/NPB/NPB:茈 /CuPc/BeQ2: Ir (ppy) 2 (acac) /TPQ/TPBI/CaF2Ag0關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (piq) 2 (acac)，摻雜主體為BePrQ2,紅光材料摻雜比例為4. 5 %，厚度為13nm ;第ー間隔層的材料為NPB，厚度為6nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為茈，主體為NPB，藍(lán)光材料摻雜比例為8%，厚度為12nm ;第二層間隔層的材料為CuPc，厚度為3nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為BeQ2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為9nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(V2O5)的厚度為15nm，空穴傳輸層(CuPc)的厚度為50nm;電子阻擋層(TH))的厚度為20nm ;空穴阻擋層(TPQ)的厚度為6nm;電子傳輸層(TPBI)的厚度為70nm;電子注入層(CaF2)的厚度為30nm ;陰極層采用Ag層，其厚度為60nmo實(shí)施例6ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/V205/CuPc/Tro/BeqQ2: Ir (piq) 3/NPB/CuPc: DPAVB/CuPc/BeQ2: Ir (ppy) 2 (acac) /TPQ/TPBI/CsN3/Mg。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (piq)2 (acac)，摻雜主體為BePrQ2，紅光材料摻雜比例為0. 5%，厚度為3nm ;第一間隔層的材料為NPB，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體為CuPc，藍(lán)光材料摻雜比例為5%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為CuPc，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為BeQ2，綠光材料摻雜比例為10%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(V2O5)的厚度為25nm，空穴傳輸層(CuPc)的厚度為55nm ;電子阻擋層(TPD)的厚度為35nm ;空穴阻擋層(TPQ)的厚度為8nm ;電子傳輸層(TPBI)的厚度為55nm;電子注入層(CsN3)的厚度為25nm ;陰極層采用Mg層，其厚度為80nm。實(shí)施例7ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/ITO/MoOノNPB/TPD/BeBq2: Ir (MDQ) 2 (acac) /TCTA/TBADN: BCzVBi/CBP/BeBq2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/MgF2/Mg_Ag
口 -Wl O關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為BeBq2,紅光材料摻雜比例為0. 5%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為T(mén)PD，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體為T(mén)BADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為CBP，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為BeBq2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(MgF2)的厚度為40nm ;陰極層采用Mg-Ag合金層,其厚度為160nm。
實(shí)施例8ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2 :Ir(MDQ)2 (acac)/TCTA/TBADN:茈 /TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/NaF/Au。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為0. 5%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為5nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為Perylene (茈)，主體為T(mén)BADN，藍(lán)光材料摻雜比例為5%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為5nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir(ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ；電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(NaF)的厚度為40nm ;陰極層采用Au層，其厚度為180nm。實(shí)施例9—種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/B印p2: Ir (piq)2 (acac)/TCTA/TBADN:BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (piq) 2 (acac),摻雜主體為Bepp2,紅光材料摻雜比例為0. 5%,厚度為7nm ;第一間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為15nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體為T(mén)BADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為15nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)2 (acac)摻雜主體為B印p2綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ；電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層，其厚度為90nm。實(shí)施例10ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo 03/NPB/NPB/Bepp2 :Ir(MDQ)2 (acac)/TCTA/TBADN: DPAVBi/CBP/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為0. 5%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為NPB，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為DPAVBi，主體為T(mén)BADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為CBP，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為130nm。實(shí)施例11—種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2 :Ir(MDQ)2 (acac)/CBP/CBP: DPAVB/TPD/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ) 2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為0. 5%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為CBP，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為DPAVB，主體為CBP，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為T(mén)PD，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為70nm。實(shí)施例12ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ)2 (acac)/CBP/TBADN:CBP/TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為0. 5%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為CBP，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為CBP，主體為T(mén)BADN，藍(lán)光材料摻雜比例為10%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為40nm。
實(shí)施例13ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA/TBADN: BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen :CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為0. 5%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體為T(mén)BADN藍(lán)光材料摻雜比例為5%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。實(shí)施例14ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac)/TCTA/TBADN: BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen :CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為5%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體為T(mén)BADN，藍(lán)光材料摻雜比例為20%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為10%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。實(shí)施例15ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/ITO/MoOノNPB/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ) 2 (acac) /TCTA/CBP: BCzVBi/TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/Al。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為3%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體為CBP，藍(lán)光材料摻雜比例為5%，厚度為IOnm ;第二層間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir(ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為8%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。實(shí)施例16ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為 玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ)2 (acac)/TCTA/TBADN :TBPe/TCTA/Bepp2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3/A1。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為2. 5%，厚度為7nm ;第一間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為IOnm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為T(mén)BPe，主體為T(mén)BADN，藍(lán)光材料摻雜比例為6%，厚度為15nm ;第二層間隔層的材料為T(mén)CTA，厚度為IOnm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。實(shí)施例17ー種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為玻璃/IT0/Mo03/NPB/TCTA/Bepp2: Ir (MDQ)2(acac)/TPD/TPD: BCzVBi/TPD/B印p2: Ir (ppy) 3/TPBi/Bphen/Bphen: CsN3Al。關(guān)于該實(shí)施例中的白光電致發(fā)光器件，按其結(jié)構(gòu)，并采用蒸鍍技術(shù)，依次對(duì)各有機(jī)功能層進(jìn)行蒸鍍制備；其中，發(fā)光層的復(fù)合結(jié)構(gòu)中紅光磷光發(fā)光層的紅光材料為Ir (MDQ)2 (acac)，摻雜主體為B印p2，紅光材料摻雜比例為2%，厚度為Ilnm ;第一間隔層的材料為T(mén)PD，厚度為2nm ;藍(lán)光熒光層的藍(lán)光材料為BCzVBi，主體為T(mén)PD，藍(lán)光材料摻雜比例為9%，厚度為Ilnm ;第二層間隔層的材料為T(mén)PD，厚度為2nm ;綠光磷光發(fā)光層的綠光材料為Ir (ppy)3，摻雜主體為B印p2，綠光材料摻雜比例為7%，厚度為10nm。白光電致發(fā)光器件的其他有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)，如，空穴注入層(MoO3)的厚度為5nm，空穴傳輸層(NPB)的厚度為5nm ;電子阻擋層(TCTA)的厚度為5nm ;空穴阻擋層(TPBi)的厚度為5nm ;電子傳輸層(Bphen)的厚度為60nm ;電子注入層(Bphen:CsN3)的厚度為40nm ;陰極層采用Al層,其厚度為150nm。應(yīng)當(dāng)理解的是，上述針對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例的表述較為詳細(xì)，并不能因此而認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明專利保護(hù)范圍的限制，本發(fā)明的專利保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其特征在于，所述發(fā)光層為復(fù)合層結(jié)構(gòu)，該復(fù)合層結(jié)構(gòu)依次為紅光磷光發(fā)光層/第一間隔層/藍(lán)光發(fā)光層/第二間隔層/綠光磷光發(fā)光層；所述紅光磷光發(fā)光層與制備在所述電子阻擋層表面，所述空穴阻擋層制備在所述綠光磷光發(fā)光層表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述紅光磷光發(fā)光層的材料為二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、二(I-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥、或者三(I-苯基-異喹啉)合銥分別摻雜到鈹配合物中所組成的任一混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一間隔層和第二間隔層的材料分別為2-丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' -二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N' -(I-萘基)_N，N' - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、或者1，3，5-三苯基苯或酞菁銅中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述藍(lán)光發(fā)光層的材料為茈、二萘嵌苯衍生物、三苯胺二苯乙烯衍生物、三苯胺連萘基乙烯衍生物或苯乙烯衍生物與2-丁基-9，10-二-(2-萘基)蒽、N，N' -二(3-甲基苯基)-N，N' - 二苯基 _4，4'-聯(lián)苯二胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4' -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N' _(1_萘基)-N，N' - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、或者1，3，5-三苯基苯或酞菁銅摻雜組成的混合物中的任一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述綠光磷光發(fā)光層的材 料為三(2-苯基吡啶)合銥或乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥分別摻雜到鈹配合物中所組成的任一混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或5所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述鈹配合物材料為吩基吡啶鈹、10-羥基苯并喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、2-甲基-8-羥基喹啉鈹、8-羥基喹啉鈹、或7-丙基-8羥基喹啉鈹中的任一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鑰、三氧化鶴、VOx或五氧化二fL中的任一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層和電子阻擋層的材料分別為N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’_ 二苯基-4，4’_聯(lián)苯二胺、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(、N，N，-(1-萘基)4，N，- 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、I，3，5-三苯基苯或酞菁銅中的任一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層和空穴阻擋層的材料分別為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、2，5- 二(I-萘基)-1，3，4- 二唑、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或喹喔啉衍生物中的任一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的白光電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料為Cs2C03、CsN3> LiF、CsF、CaF2、MgF2 或者 NaF 中的任一種。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種白光電致發(fā)光器件，其結(jié)構(gòu)依次為基底/導(dǎo)電層/空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層/發(fā)光層/空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層/陰極層；其中，發(fā)光層為復(fù)合層結(jié)構(gòu)，該復(fù)合層結(jié)構(gòu)依次為紅光磷光發(fā)光層/第一間隔層/藍(lán)光發(fā)光層/第二間隔層/綠光磷光發(fā)光層；紅光磷光發(fā)光層與制備在電子阻擋層表面，空穴阻擋層制備在綠光磷光發(fā)光層表面。本發(fā)明的白光電致發(fā)光器件，用藍(lán)光發(fā)光材料與紅光、綠光磷光材料的發(fā)光層，紅光、綠光磷光發(fā)光層分別置于藍(lán)光發(fā)光層的兩側(cè)，可以使藍(lán)光三線態(tài)能量得到充分的捕獲，進(jìn)一步提高發(fā)光效率。
文檔編號(hào)C09K11/06GK102651452SQ20111004502
公開(kāi)日2012年8月29日 申請(qǐng)日期2011年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月24日
發(fā)明者周明杰, 王平, 陳吉星, 黃輝 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司