專利名稱：半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜及用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜和生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。所述半導(dǎo)體背面用膜用于保護半導(dǎo)體元件如半導(dǎo)體芯片的背面和用于增強其強度。
背景技術(shù)：
近來，日益要求半導(dǎo)體器件及其封裝的薄型化和小型化。因此，作為半導(dǎo)體器件及其封裝，已經(jīng)廣泛地利用其中通過倒裝芯片接合將半導(dǎo)體元件例如半導(dǎo)體芯片安裝(倒裝芯片連接)于基板上的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。在此類倒裝芯片連接中，將半導(dǎo)體芯片以該半導(dǎo)體芯片的電路面與基板的電極形成面相對的形式固定至基板。在此類半導(dǎo)體器件等中，可以存在半導(dǎo)體芯片的背面用保護膜保護以防止半導(dǎo)體芯片損壞等的情況(參見，專利文獻1至2)。然而，為采用上述保護膜保護半導(dǎo)體芯片的背面，必須新增加將保護膜粘附至在切割步驟中得到的半導(dǎo)體芯片背面的步驟。結(jié)果，步驟數(shù)量增加，這導(dǎo)致生產(chǎn)成本等升高。專利文獻1 JP-A-2008-166451專利文獻2 JP-A-2008-006386為嘗試降低生產(chǎn)成本，本發(fā)明人開發(fā)了半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，并基于其提交了專利申請(在本申請?zhí)峤粫r尚未公開以供公眾查閱)。這類半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜要求保證在切割步驟中半導(dǎo)體背面用膜對半導(dǎo)體晶片良好的粘合力。另一方面，要求支持半導(dǎo)體背面用膜的切割帶滿足對環(huán)框良好的保持力，對半導(dǎo)體背面用膜良好的粘附以防止通過切割而各片化的半導(dǎo)體芯片的飛散，和通過防止切割期間產(chǎn)生的切割屑粘貼至具有粘附至其的半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體芯片的低污染。此外，在切割步驟的下一步驟的拾取步驟中，還要求支持半導(dǎo)體背面用膜的切割帶即使在拾取步驟中在延伸時也不會產(chǎn)生基材的破裂、破損或塑性變形等，并還顯示良好的剝離性，以使得切割后的半導(dǎo)體芯片能夠與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶分離。然而，以平衡的方式實現(xiàn)這些特性卻并非易事。特別是近來出于獲得高容量的目的，半導(dǎo)體芯片的厚度減少和面積增大，使切割帶難以滿足各種要求。即，切割帶幾乎不能對對應(yīng)于諸多要求特性的單獨功能均作出響應(yīng)，從而不能以平衡的方式發(fā)揮所述要求的特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的在于提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其即使當半導(dǎo)體晶片薄時，也能保證在以下特征之間的優(yōu)良平衡在切割薄工件期間的保持力，使通過切割得到的半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用膜一起分離時的剝離性，和使得切割屑免于粘貼至分離的具有半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體芯片的低污染，另外可防止器件芯片因切割期間半導(dǎo)體背面用膜剝離導(dǎo)致的污染；以及本發(fā)明提供通過使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜制造半導(dǎo)體器件的方法。
作為為解決上述問題而進行的深入研究的結(jié)果，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當采用以下結(jié)構(gòu)時可提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其以平衡的方式結(jié)合了切割時的保持力和低污染與拾取時的易于剝離性。基于該發(fā)現(xiàn)，完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明提供半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜(以下稱作“集成帶”)，其包括包含依次堆疊的基材層、第一壓敏粘合劑層和第二壓敏粘合層的切割帶，和在切割帶的第二壓敏粘合劑層上堆疊的半導(dǎo)體背面用膜，其中第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合劑層間的剝離強度Y大于第二壓敏粘合劑層與半導(dǎo)體背面用膜間的剝離強度X，和其中剝離強度χ為 0. 01-0. 2N/20mm，和剝離強度 Y 為 0. 2_10N/20mm。在上述集成膜中，采用包含不同壓敏粘合力的層的雙層結(jié)構(gòu)作為壓敏粘合劑層， 第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合劑層間的剝離強度Y大于第二壓敏粘合劑層與半導(dǎo)體背面用膜間的剝離強度X，并將剝離強度X和Y設(shè)定在預(yù)定范圍內(nèi)。這里，如果采用作為具有大剝離強度的層的單層作為壓敏粘合劑層，則切割時半導(dǎo)體晶片的保持力是足夠的，但壓敏粘合劑層與半導(dǎo)體背面用膜間的剝離強度變?yōu)檫^高，由此劣化拾取性。另一方面，如果采用作為具有小剝離強度的層的單層作為壓敏粘合劑層，則拾取性良好，但在切割時半導(dǎo)體晶片的保持力下降，這會使得芯片飛散，半導(dǎo)體背面用膜從壓敏粘合劑層分離(剝離)， 剝離部分與刮板間過度摩擦或振動，和因過度摩擦或振動導(dǎo)致的半導(dǎo)體芯片污染。在上述集成膜中，分步設(shè)定各層的剝離強度，以使得第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合層間的剝離強度Y大于第二壓敏粘合層與半導(dǎo)體背面用膜間的剝離強度X，從而可以平衡的方式發(fā)揮切割時的保持力和抗污染性以及拾取時的易于剝離性。此外，在上述集成膜中，將剝離強度X設(shè)定為0. 01-0. 2N/20mm,以使得不僅能夠充分保證切割時的保持力，而且不允許切割期間半導(dǎo)體背面用膜的剝離，使其能夠充分防止半導(dǎo)體芯片污染，同時可增強拾取時的易于剝離性。另外，在上述集成膜中，將剝離強度Y設(shè)定為0. 2-10N/20mm,以使得能夠增強切割時對切割環(huán)的粘附，和不僅能夠充分保證半導(dǎo)體晶片的保持力，而且能夠防止因第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合劑層間的分離導(dǎo)致的第二壓敏粘合層的壓敏粘合劑轉(zhuǎn)移(粘合劑殘余)至半導(dǎo)體背面用膜。剝離強度Y與剝離強度X之比(Y/X)優(yōu)選為3-500。當該比例為3-500時，剝離強度Y與剝離強度X可變?yōu)樘幱陬愃频某潭壬?。因此，不僅能夠防止第二壓敏粘合劑層與半導(dǎo)體背面用膜間的分離，而且還能防止第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合劑層間的分離， 所述分離會導(dǎo)致第二壓敏粘合劑層對于半導(dǎo)體背面用膜的粘合劑殘余。另外，可防止因相對過小的剝離強度X導(dǎo)致的半導(dǎo)體背面用膜在切割期間發(fā)生剝離，和防止導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的污染。優(yōu)選第一壓敏粘合劑層的厚度為 ομπι以上。在此情況下，可增強第一壓敏粘合劑層對環(huán)框的緊密粘合性。第二壓敏粘合劑層優(yōu)選由紫外線固化型壓敏粘合劑形成。由于該結(jié)構(gòu)，可具體地并容易地獲得本發(fā)明中限定的剝離強度X和Y的關(guān)系。本發(fā)明還提供采用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上，切割半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片，將半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層分離，并倒裝芯片連接半導(dǎo)體芯片至被粘物上。在上述方法中，將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至半導(dǎo)體晶片的背面，從而不需要僅粘附半導(dǎo)體背面用膜的步驟(半導(dǎo)體背面用膜的粘附步驟)。此外，在半導(dǎo)體晶片切割或拾取通過切割形成的半導(dǎo)體芯片期間，采用半導(dǎo)體背面用膜保護半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片背面，從而可防止損壞等。此外，由于集成膜的使用，可容易并有效地實施切割步驟和拾取步驟。反過來，可以提高的生產(chǎn)率生產(chǎn)倒裝芯片半導(dǎo)體器件。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，一體化形成倒裝芯片半導(dǎo)體背面用膜和切割帶，由此集成膜還可用于切割半導(dǎo)體晶片以生產(chǎn)半導(dǎo)體元件的切割步驟中和后續(xù)拾取步驟中。結(jié)果，不需要僅粘附半導(dǎo)體背面用膜的步驟(半導(dǎo)體背面用膜的粘附步驟)。此外，將壓敏粘合劑層配置為包含不同壓敏粘合力的層的兩層結(jié)構(gòu)，各半導(dǎo)體背面用膜與第二壓敏粘合劑層間的剝離強度以及第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合劑層間的剝離強度均設(shè)定為預(yù)定關(guān)系，以使得能夠同時實現(xiàn)在后續(xù)切割步驟中增強的半導(dǎo)體晶片的保持力和半導(dǎo)體芯片的低污染，以及在拾取步驟中的易于剝離性，這兩個步驟可簡便并有效地實施。 另外，將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體晶片的背面或通過切割形成的半導(dǎo)體元件的背面上，從而可有效保護半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體元件，并抑制或防止半導(dǎo)體元件的損壞。此外，將半導(dǎo)體元件結(jié)合于基板等上后，半導(dǎo)體背面用膜不僅能發(fā)揮保護半導(dǎo)體元件背面的功能， 而且還表現(xiàn)出良好的激光標識性，和可增強半導(dǎo)體元件的判別等。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法，由于使用了上述集成膜，可充分發(fā)揮切割步驟中半導(dǎo)體晶片的保持力，和可防止因半導(dǎo)體表面用膜剝離導(dǎo)致的半導(dǎo)體芯片污染。此外， 在拾取時，可容易地實施半導(dǎo)體芯片和半導(dǎo)體背面用膜的一體化分離，同時，可防止第二壓敏粘合劑層對于半導(dǎo)體背面用膜的粘合劑殘余(粘合劑轉(zhuǎn)移)。以此方式，根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)方法，可良好地平衡切割步驟和拾取步驟中需要的矛盾功能(這通常難以實現(xiàn))，并可有效地生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。此外，將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至半導(dǎo)體晶片的背面，從而不需要僅粘附半導(dǎo)體背面用膜的步驟。另外，在切割半導(dǎo)體晶片或拾取由切割形成的半導(dǎo)體芯片期間，采用半導(dǎo)體背面用膜保護半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片背面，從而可防止損壞等。 基于這些原因，可有效地生產(chǎn)具有良好激光標識性和對半導(dǎo)體晶片的良好的粘合性的倒裝芯片半導(dǎo)體器件同時提高生產(chǎn)率。


圖1為顯示本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的截面示意圖。圖2A-2D為顯示采用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜來生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法的一個實施方案的截面示意圖。附圖標記說明1 半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜2 半導(dǎo)體背面用膜3 切割帶31 基材32壓敏粘合劑層32a第一壓敏粘合劑層
32b第二壓敏粘合劑層33對應(yīng)于半導(dǎo)體晶片粘合部分的部分4 半導(dǎo)體晶片5 半導(dǎo)體芯片51在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)壬闲纬傻耐箟K6 被粘物61粘合至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料
具體實施例方式參考圖1描述本發(fā)明的實施方案，但本發(fā)明不限于這些實施方案。圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的一個實施方案的截面示意圖。此外，在本說明書的圖中，未給出對說明不必要的部分，存在放大、縮小等顯示的部分，以使得易于說明。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)如圖1所示，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1 (以下有時也稱作“集成膜”、“切割帶集成半導(dǎo)體背面保護膜”、“具有切割帶的半導(dǎo)體背面用膜”或“具有切割帶的半導(dǎo)體背面保護膜”)包括含有在基材31上的壓敏粘合劑層32的切割帶3，和在壓敏粘合劑層上設(shè)置的半導(dǎo)體背面用膜2 (以下有時稱作“半導(dǎo)體背面保護膜”)。壓敏粘合劑層32自基材31側(cè)包括第一壓敏粘合劑層3 和第二壓敏粘合劑層32b (以下，第一壓敏粘合劑層和第二壓敏粘合劑層有時統(tǒng)稱為壓敏粘合劑層)。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜可具有圖1所示的結(jié)構(gòu)，其中第二壓敏粘合劑層32b在大于對應(yīng)于半導(dǎo)體背面用膜2的粘合部分的部分33，并小于切割帶3的壓敏粘合劑層32上的第一壓敏粘合劑層3 的全部表面的部分上形成，可以具有其中第二壓敏粘合劑層32b僅在對應(yīng)于半導(dǎo)體背面用膜2的粘合部分的部分33中形成的結(jié)構(gòu)，或可具有其中在第一壓敏粘合劑層3 的全部表面上形成第二壓敏粘合劑層32b的結(jié)構(gòu)。此外， 半導(dǎo)體背面用膜2的表面(粘貼至晶片背面的側(cè)上的表面)可采用隔離膜等保護，直至所述膜粘貼至晶片背面。在本發(fā)明的集成膜1中，壓敏粘合劑層32作為包含第一壓敏粘合劑層3 和第二壓敏粘合劑層32b的兩層結(jié)構(gòu)形成，將第一壓敏粘合劑層3 與第二壓敏粘合劑層32b間的剝離強度Y，設(shè)定為大于第二壓敏粘合劑層32b與半導(dǎo)體背面用膜2間的剝離強度X。如果采用作為具有大剝離強度的層的單層作為壓敏粘合劑層，則切割時半導(dǎo)體晶片的保持力足夠，但壓敏粘合劑層與半導(dǎo)體背面用膜間的剝離強度變?yōu)檫^高，由此劣化拾取性。另一方面，如果采用作為具有小剝離強度的層的單層作為壓敏粘合劑層，則拾取性良好，但切割時半導(dǎo)體晶片的保持力下降，這會使得芯片飛散，半導(dǎo)體背面用膜從壓敏粘合劑層上分離 (剝離)，剝離部分與刮板間過度摩擦或振動，和因過度摩擦或振動導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片污染。 在上述集成膜中，分步設(shè)定各層的剝離強度，以使得第一壓敏粘合劑層3 與第二壓敏粘合劑層32b間的剝離強度Y大于第二壓敏粘合劑層32b與半導(dǎo)體背面用膜2間的剝離強度 X，從而可以平衡的方式發(fā)揮切割時的保持力和抗污染性，以及拾取時的易于剝離性。剝離強度X 為 0. 01-0. 2N/20mm，優(yōu)選 0. 02-0. 18N/20mm，更優(yōu)選 0. 04-0. 15N/20mm。 采用在該范圍內(nèi)的剝離強度X，不僅能夠充分保證切割時的保持力，而且不允許切割期間半導(dǎo)體背面用膜的剝離，使得能夠充分防止半導(dǎo)體芯片污染，同時可增強拾取時的易于剝離性。剝離強度Y 為 0. 2-10N/20mm,優(yōu)選 0. 3_8N/20mm，更優(yōu)選 0. 5_6N/20mm。采用在該范圍內(nèi)的剝離強度Y，能夠增強切割時對環(huán)框的緊密粘合性，不僅能夠充分保證半導(dǎo)體晶片的保持力，而且還能防止第二壓敏粘合劑層的壓敏粘合劑因第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合劑層間分離而轉(zhuǎn)移(粘合劑殘余)至半導(dǎo)體背面用膜。對剝離強度Y與剝離強度X之比(Y/X)沒有特別限制，只要能夠得到本發(fā)明的效果即可，但該比例優(yōu)選3-500，更優(yōu)選4-400，還更優(yōu)選5-300。采用該范圍內(nèi)的比例，剝離強度Y與剝離強度X可變?yōu)樘幱谙嗨瞥潭壬?。因此，不僅可防止第二壓敏粘合劑層與半導(dǎo)體背面用膜間的分離，而且可防止第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合劑層間的分離，所述分離會導(dǎo)致粘合劑殘余等由第二壓敏粘合劑層至半導(dǎo)體背面用膜。另外，可防止因相對過小的剝離強度X導(dǎo)致的半導(dǎo)體背面用膜在切割期間發(fā)生剝離，和防止導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片的污染。本發(fā)明中限定的剝離強度X與Y的關(guān)系可通過常規(guī)已知方法調(diào)節(jié)。其實例包括通過采用活性能量射線如紫外線固化的壓敏粘合劑來調(diào)節(jié)第一和第二壓敏粘合劑層之一或其兩者的固化度的方法，通過改變用于壓敏粘合劑層的壓敏粘合劑的組成來調(diào)節(jié)壓敏粘合力(模量)的方法，應(yīng)用能夠調(diào)節(jié)對壓敏粘合劑層表面的剝離性的表面處理或?qū)拥姆椒?，及其組合。這些方法中，考慮到易于調(diào)節(jié)剝離強度，優(yōu)選通過采用活性能量射線固化的壓敏粘合劑來調(diào)節(jié)固化度的方法。(半導(dǎo)體背面用膜)半導(dǎo)體背面用膜2具有膜形狀。半導(dǎo)體背面用膜2在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜作為產(chǎn)物的實施方案中通常處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))，且可在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜粘貼至半導(dǎo)體晶片之后熱固化。優(yōu)選地，半導(dǎo)體背面用膜2至少由熱固性樹脂形成，更優(yōu)選至少由熱固性樹脂和熱塑性樹脂形成。當半導(dǎo)體背面用膜2至少由熱固性樹脂形成時，所述膜可有效地顯示其粘合功能。熱塑性樹脂的實例包括天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱固性聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂如6-尼龍和6，6-尼龍、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、 飽和聚酯樹脂如PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)或PBT (聚對苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亞胺樹脂或氟樹脂。所述熱塑性樹脂可單獨或兩種以上組合采用。這些熱塑性樹脂中，特別優(yōu)選包含少量離子雜質(zhì)，具有高耐熱性并能夠保證半導(dǎo)體元件可靠性的丙烯酸類樹脂。對丙烯酸類樹脂沒有特別限制，其實例包括含有一種或兩種以上具有30以下個碳原子，優(yōu)選4-18個碳原子，更優(yōu)選6-10個碳原子，特別是8或9個碳原子的直鏈或支化烷基的甲基丙烯酸或丙烯酸的酯作為組分的聚合物。即，在本發(fā)明中，丙烯酸類樹脂具有寬泛的含義，其還包括甲基丙烯酸酯。烷基的實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，形成丙烯酸類樹脂的其它單體(除烷基為具有30個以下碳原子的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的單體)沒有特別限制，其實例包括含羧基單體，如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸；酸酐單體，如馬來酸酐和衣康酸酐；含羥基單體，如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸 2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯和甲基丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己)酯；含磺酸基的單體，例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸； 和含磷酸基單體，如2-羥乙基丙烯?；姿狨?。就此而言，(甲基)丙烯酸意指丙烯酸和/ 或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯酰意指丙烯酰和/或甲基丙烯酰等，其適用于整篇說明書中。此外，除環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂以外，熱固性樹脂的實例還包括氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、硅酮樹脂和熱固性聚酰亞胺樹脂。熱固性樹脂可單獨或兩種以上組合使用。作為熱固性樹脂，僅包含少量腐蝕半導(dǎo)體元件的離子雜質(zhì)的環(huán)氧樹脂是適當?shù)?。此外，適當使用酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂的固化劑。對環(huán)氧樹脂沒有特別限制，可使用例如雙官能環(huán)氧樹脂或多官能環(huán)氧樹脂，如雙酚A型環(huán)氧樹脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、雙酚S型環(huán)氧樹脂、溴化雙酚A型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚 A型環(huán)氧樹脂、雙酚AF型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、萘型環(huán)氧樹脂、芴型環(huán)氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂和四苯酚乙烷型環(huán)氧樹脂或環(huán)氧樹脂如乙內(nèi)酰脲型環(huán)氧樹脂、三縮水甘油基異氰脲酸酯型環(huán)氧樹脂或縮水甘油基胺型環(huán)氧樹脂。作為環(huán)氧樹脂，在上述列舉的那些中，優(yōu)選酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三羥基苯甲烷型環(huán)氧樹脂和四苯酚乙烷型環(huán)氧樹脂。這是因為這些環(huán)氧樹脂與作為固化劑的酚醛樹脂具有高反應(yīng)性，并且耐熱性等優(yōu)異。此外，上述酚醛樹脂起到環(huán)氧樹脂固化劑的作用，其實例包括酚醛清漆型酚醛樹脂，例如苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂和壬基苯酚酚醛清漆樹脂；甲階型酚醛樹脂；和聚氧化苯乙烯，例如聚對氧化苯乙烯。所述酚醛樹脂可單獨或兩種以上組合使用。這些酚醛樹脂中，特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹脂和苯酚芳烷基樹脂。這是因為能夠改進半導(dǎo)體器件的連接可靠性。環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的混合比優(yōu)選使得例如酚醛樹脂中的羥基為0. 5至2. 0當量，基于每當量環(huán)氧樹脂組分中的環(huán)氧基團。更優(yōu)選0.8至1.2當量。S卩，當混合比變?yōu)樵谠摲秶鈺r，固化反應(yīng)不能充分進行，環(huán)氧樹脂固化產(chǎn)物的特性趨于劣化。熱固性樹脂的含量優(yōu)選為相對半導(dǎo)體背面用膜2中全部樹脂組分為5重量％ -90 重量％，更優(yōu)選10重量％ -85重量％，甚至更優(yōu)選15重量％ -80重量％。當含量為5重量％以上時，則可容易地將熱固性收縮控制為2體積％以上。另外，在熱固化所述包封樹脂中，可將半導(dǎo)體背面用膜2充分熱固化，以能夠確實粘合并固定至半導(dǎo)體元件背面上，以給出不存在剝離失效的倒裝芯片型半導(dǎo)體器件。另一方面，當含量為90重量％以下時，則可防止所述封裝(PKG，倒裝芯片型半導(dǎo)體器件)翹曲。沒有特別限定，用于環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的熱固化促進催化劑可從已知的熱固化促進催化劑中適當?shù)剡x擇。本文中，可將一種或多種熱固化促進催化劑單獨或組合使用。作為熱固化促進催化劑，可使用例如胺類固化促進催化劑、磷類固化促進催化劑、咪唑類固化促進催化劑、硼類固化促進催化劑或磷-硼類固化促進催化劑。半導(dǎo)體背面用膜特別適當由包含環(huán)氧樹脂和酚醛樹脂的樹脂組合物，或包含環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂和丙烯酸類樹脂的樹脂組合物形成。由于這些樹脂僅含少量離子雜質(zhì)并具有高耐熱性，從而可保證半導(dǎo)體元件的可靠性。半導(dǎo)體背面用膜2對半導(dǎo)體晶片背面(非電路形成面)具有粘合性(緊密粘合性)是重要的。半導(dǎo)體背面用膜2可例如由包含環(huán)氧樹脂作為熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成。在其中半導(dǎo)體背面用膜2預(yù)先固化至一定程度的情況下，在其制備中，優(yōu)選添加能夠與作為交聯(lián)劑的聚合物分子鏈末端的官能團等反應(yīng)的多官能化合物。從而，可增強高溫下的粘合劑特性，和可實現(xiàn)膜耐熱性的改進。半導(dǎo)體背面用膜對半導(dǎo)體晶片的粘合力(23°C，180度剝離角，300mm/min剝離速率)優(yōu)選在0. 5N/20mm-15N/20mm，更優(yōu)選0. 7N/20mm-10N/20mm的范圍內(nèi)。當粘合力為至少 0. 5N/20mm時，則所述膜可以優(yōu)異的粘合性粘貼至半導(dǎo)體晶片和半導(dǎo)體元件，并且免于膜溶脹等粘合失效。另外，在半導(dǎo)體晶片切割中，可防止芯片飛散。另一方面，當粘合力為至多 15N/20mm時，則便于從切割帶剝離。對交聯(lián)劑沒有特別限制，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，而且還可提及脲類交聯(lián)劑、 金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等。作為交聯(lián)劑，異氰酸酯類交聯(lián)劑或環(huán)氧類交聯(lián)劑是適當?shù)?。所述交?lián)劑可單獨或以兩種以上組合的方式使用。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括低級脂肪族多異氰酸酯，如1，2-亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯，如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化亞甲苯基二異氰酸酯和氫化亞二甲苯基二異氰酸酯；和芳香族多異氰酸酯，如2，4-亞甲苯基二異氰酸酯、2，6-亞甲苯基二異氰酸酯、4，4’ - 二苯基甲烷二異氰酸酯和亞二甲苯基二異氰酸酯。另外，還可使用三羥甲基丙烷/亞甲苯基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL，，，由 Nippon Polyurethane Industry Co. ,Ltd.制造]等。此外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實例包括N，N，N’，N’ -四縮水甘油基-間-二甲苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3_雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油基酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S- 二縮水甘油醚以及分子中具有兩個或多個環(huán)氧基的環(huán)氧類樹脂。對交聯(lián)劑的使用量沒有特別限制，可取決于交聯(lián)度適當?shù)剡x擇。具體地說，優(yōu)選基于100重量份聚合物組分(特別地，在分子鏈末端具有官能團的聚合物)，交聯(lián)劑的使用量通常為7重量份以下(例如0. 05-7重量份)。當基于100重量份聚合物組分，交聯(lián)劑的量大于7重量份時，粘合力下降，從而該情況是不優(yōu)選的?；诟倪M內(nèi)聚力的觀點，基于100重量份聚合物組分，交聯(lián)劑的量優(yōu)選0.05重量份以上。在本發(fā)明中，還可通過電子束或紫外光等照射實施交聯(lián)處理，代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用。優(yōu)選將半導(dǎo)體背面用膜著色。從而，可顯示優(yōu)異的激光標識性和優(yōu)異的外觀性，且變得能夠使半導(dǎo)體器件具有增值的外觀性。如上所述，由于半導(dǎo)體背面用著色膜具有優(yōu)異的標識性，因此可利用各種標識法如印刷法和激光標識法，通過半導(dǎo)體背面用膜實施標識， 以賦予各種信息如文字信息和圖形信息至半導(dǎo)體元件或使用半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件的非電路側(cè)的面上。特別地，通過控制著色的顏色，變得能夠觀察通過優(yōu)良可視性地標識而賦予的信息(例如，文字信息和圖形信息)。此外，當將半導(dǎo)體背面用膜著色時，切割帶和半導(dǎo)體背面用膜可容易地彼此區(qū)分，因而可提高加工性等。另外，例如，作為半導(dǎo)體器件，可以通過使用不同的顏色分類其產(chǎn)物。在將半導(dǎo)體背面用膜著色的情況(該膜既不是無色的也不是透明的情況)下，通過著色顯示的顏色沒有特別限定，但例如優(yōu)選暗色如黑色、藍色或紅色，黑色是特別適合的。在本實施方案中，暗色基本上是指在L*a*b*顏色空間中定義的L*為60以下 (0-60)，優(yōu)選50以下(0-50)，更優(yōu)選40以下(0-40)的暗色。此外，黑色基本上是指在L*a*b*顏色空間中定義的L*為35以下(0_35)，優(yōu)選30 以下(0-30)，更優(yōu)選25以下(0-2 的黑色系顏色。就此而言，在黑色中，在L*a*b*顏色空間中定義的各a*和b*可根據(jù)L*值適當?shù)剡x擇。例如，a*和b*兩者均在優(yōu)選-10 10， 更優(yōu)選-5 5，進一步優(yōu)選-3 3 (特別為0或約0)的范圍內(nèi)。在本實施方案中，在L*a*b*顏色空間中定義的L*、a*和b*可通過采用色差儀(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差儀)的測量來確定。L*a*b*顏色空間為由國際照明委員會(Commission Internationale de 1，Eclairage) (CIE)在 1976 年建議的顏色空間，是指稱作CIE 1976顏色空間的顏色空間。此外，顏色空間定義于日本工業(yè)標準(Japanese Industrial Standards)的 JIS Z8729 中。在半導(dǎo)體背面用膜著色時，可根據(jù)目標顏色使用著色劑(著色試劑)。作為這類著色劑，可適當?shù)厥褂酶鞣N暗色著色劑，如黑色著色劑、藍色著色劑和紅色著色劑，并且黑色著色劑是更合適的。所述著色劑可以是任意顏料和染料。著色劑可單獨或兩種以上組合使用。就此而言，作為染料，可使用任意形式的染料，如酸性染料、反應(yīng)性染料、直接染料、分散染料和陽離子染料。此外，還關(guān)于顏料，對其形式?jīng)]有特別限制，可在已知顏料中適當?shù)剡x擇和使用。特別地，當使用染料作為著色劑時，染料變?yōu)樘幱谕ㄟ^溶解于半導(dǎo)體背面用膜中而均勻或幾乎均勻分散的狀態(tài)下，從而可容易地生產(chǎn)具有均勻或幾乎均勻的著色密度的半導(dǎo)體背面用膜(結(jié)果，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜)。因此，當使用染料作為著色劑時，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜可具有均勻或幾乎均勻的著色密度，并可增強標識性和外觀性。對黑色著色劑沒有特別限制，可例如適當?shù)剡x自無機黑色顏料和黑色染料。此外， 黑色著色劑可以是其中混合了青色著色劑(藍-綠著色劑)、品紅著色劑(紅-紫著色劑) 和黃色著色劑(黃色著色劑)的著色劑混合物。所述黑色著色劑可單獨或兩種以上組合使用。當然，黑色著色劑可與除黑色以外顏色的著色劑組合使用。
黑色著色劑的具體實例包括炭黑(如爐黑、槽黑、乙炔黑、熱裂炭黑或燈黑)、石墨、氧化銅、二氧化錳、偶氮型顏料(如偶氮甲堿偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、鈦黑、花青黑、活性炭、鐵素體(如非磁性鐵素體或磁性鐵素體)、磁鐵礦、氧化鉻、氧化鐵、二硫化鉬、鉻配合物、復(fù)合氧化物型黑色顏料和蒽醌型有機黑色顏料。在本發(fā)明中，作為黑色著色劑，還可使用黑色染料，如C. I溶劑黑3、7、22、27、29、 34、43、70，C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、 109、110、119、154和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色顏料，如C. I.顏料黑1、7等。作為這類黑色著色劑，例如可商購獲得商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名 “Oil Black HBB”、商品名 “Oil Black 803”、商品名 “Oil Black 860”、 商品名 “Oil Black5970”、商品名 “Oil Black 5906”和商品名 “Oil Black 5905” 等(由 Orient Chemical Industries Co. , Ltd.制造)。除黑色著色劑以外的著色劑實例包括青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑。 青色著色劑的實例包括青色染料，如C. I.溶劑藍25、36、60、70、93、95 ；C. I.酸性藍6和45 ； 青色顏料，如 C. I.顏料藍 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、 22、25、56、60、63、65、66 ；C. I.甕藍 4、60 ；和 C. I.顏料綠 7。此外，在品紅色著色劑中，品紅色染料的實例包括C. I.溶劑紅1、3、8、23、對、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散紅 9 ；C. I.溶劑紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.堿性紅 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.堿性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品紅色著色劑中，品紅色顏料的實例包括C. I.顏料紅1、2、3、4、5、6、7、8、9、
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C. I.顏料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.甕紅 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黃色著色劑的實例包括黃色染料，如C. I.溶劑黃19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黃色顏料，如 C. I.顏料橙 31、43 ；C. I.顏料黃 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.甕黃 1、3 和 20。各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑可分別單獨或兩種以上組合使用。就此而言，在使用各種著色劑如青色著色劑、品紅色著色劑和黃色著色劑的兩種以上的情況下，對這些著色劑的混合比(或共混比)沒有特別限制，可根據(jù)各著色劑的種類和目標顏色等適當?shù)剡x擇。在著色半導(dǎo)體背面用膜2的情況下，對著色形式?jīng)]有特別限制。半導(dǎo)體背面用膜可以是例如添加有著色劑的單層膜狀制品。此外，該膜可為至少將至少由熱固性樹脂組分形成的樹脂層與著色劑層層壓的層壓膜。就此而言，在半導(dǎo)體背面用膜2為樹脂層和著色劑層的層壓膜的情況下，以層壓形式的半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選具有樹脂層/著色劑層/樹脂層的層壓形式。在此情況下，在著色劑層兩側(cè)的兩個樹脂層可以是具有相同組成的樹脂層，或可以是具有不同組成的樹脂層。向半導(dǎo)體背面用膜2中，可根據(jù)需要適當?shù)毓不炱渌砑觿?。其它添加劑的實例除了填料、阻燃劑、硅烷偶?lián)劑和離子捕集劑之外，還包括增量劑、防老劑、抗氧化劑和表面活性劑。填料可以是任意無機填料和有機填料，但無機填料是適當?shù)?。通過共混填料如無機填料，可實現(xiàn)賦予半導(dǎo)體背面用膜以導(dǎo)電性、改進導(dǎo)熱性和控制彈性模量等。就此而言， 半導(dǎo)體背面用膜2可以是導(dǎo)電性或非導(dǎo)電性的。無機填料的實例包括由以下組成的各種無機粉末二氧化硅、粘土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、陶瓷如碳化硅和氮化硅、金屬或合金如鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀，和焊料及碳等。填料可以單獨使用或以兩種以上的組合使用。特別地，填料適當?shù)貫槎趸?，更適當?shù)貫槿廴诙趸琛o機填料的平均粒徑優(yōu)選在0. 1 μ m-80 μ m范圍內(nèi)。無機填料的平均粒徑可通過激光衍射型粒度分布測量設(shè)備測量。填料(特別是無機填料)的共混量基于100重量份有機樹脂組分，優(yōu)選為80重量份以下(0重量份-80重量份)，更優(yōu)選0重量份-70重量份。阻燃劑的實例包括三氧化銻、五氧化銻和溴化環(huán)氧樹脂。阻燃劑可單獨或兩種以上組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的實例包括β_(3，4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、Y-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-環(huán)氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶聯(lián)劑可單獨或兩種以上組合使用。離子捕捉劑的實例包括水滑石和氫氧化鉍。離子捕捉劑可單獨或兩種以上組合使用。半導(dǎo)體背面用膜2例如可通過利用包括以下步驟的常規(guī)使用方法形成將熱固性樹脂例如環(huán)氧樹脂和如果必要的熱塑性樹脂如丙烯酸類樹脂以及任選的溶劑和其它添加劑混合從而制備樹脂組合物，接著將其成形為膜狀層。具體地，作為半導(dǎo)體背面用膜的膜狀層(粘合劑層)例如能夠通過以下方法形成包括將樹脂組合物施涂至切割帶的壓敏粘合劑層32上的方法；或包括將樹脂組合物施涂至適當?shù)母綦x膜(例如，剝離紙)上以形成樹脂層(或粘合劑層)，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至壓敏粘合劑層32上的方法；等等。就此而言，樹脂組合物可為溶液或分散液。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹脂組分如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的情況下，在將半導(dǎo)體背面用膜施用至半導(dǎo)體晶片之前的階段，該膜處于熱固性樹脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)。在該情況下，在將其施用至半導(dǎo)體晶片之后(具體地，通常，在當包封材料在倒裝芯片結(jié)合步驟中固化時)，半導(dǎo)體背面用膜中的熱固性樹脂組分完全或幾乎完全固化。如上所述，由于即使當半導(dǎo)體背面用膜2包含熱固性樹脂組分時，該膜也處于熱固性樹脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分數(shù)沒有特別限定， 但例如適當?shù)剡x自50重量％以下(0-50重量％)，優(yōu)選30重量％以下(0-30重量％)和特別優(yōu)選10重量％以下(0-10重量％)的范圍內(nèi)。半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分數(shù)可通過以下測量方法測量。<凝膠分數(shù)測量法>從半導(dǎo)體背面用膜2取樣約0. Ig樣品，并精確稱重(樣品重量)，將樣品包裹于網(wǎng)型片(mesh-type sheet)中后，將其在室溫下浸入約50mL甲苯中1周。此后，從甲苯中取出溶劑不溶物(網(wǎng)型片中的內(nèi)容物)，并在130°C下干燥約2小時，稱重干燥后的溶劑不溶物(浸漬和干燥后的重量)，然后根據(jù)以下表達式(a)計算凝膠分數(shù)(重量％ )。凝膠分數(shù)(重量％)=[(浸漬和干燥后的重量)/(樣品重量)]X100 (a)半導(dǎo)體背面用膜的凝膠分數(shù)能夠通過樹脂組分的種類和含量、交聯(lián)劑的種類和含量以及除此之外的加熱溫度和加熱時間等來控制。在本發(fā)明中，在半導(dǎo)體背面用膜為由包含熱固性樹脂如環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成的膜狀制品的情況下，可有效地表現(xiàn)出對半導(dǎo)體晶片的緊密粘合性。此外，由于在半導(dǎo)體晶片的切割步驟中使用切割水，半導(dǎo)體背面用膜吸收水分，從而在一些情況下具有常規(guī)狀態(tài)以上的水分含量。當在仍維持此類高水分含量下進行倒裝芯片接合時，水蒸氣殘留在半導(dǎo)體背面用膜和半導(dǎo)體晶片或其加工體(半導(dǎo)體)之間的粘合界面處，并且在一些情況下產(chǎn)生浮起。因此，通過構(gòu)成半導(dǎo)體背面用膜為將具有高透濕性的芯材料設(shè)置于其各表面上的構(gòu)造，水蒸氣擴散，由此可以避免此類問題。從該觀點，其中半導(dǎo)體背面用膜形成于芯材料的一面或兩面的多層結(jié)構(gòu)可用作半導(dǎo)體背面用膜。芯材料的實例包括膜(例如，聚酰亞胺膜、聚酯膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜等)、用玻璃纖維或塑料無紡纖維增強的樹脂基板、硅基板和玻璃基板。對半導(dǎo)體背面用膜2的厚度(在層壓膜的情況下的總厚度)沒有特別限制，但可例如在約2 μ m-200 μ m范圍內(nèi)適當?shù)剡x擇。此外，厚度優(yōu)選約4 μ m-160 μ m,更優(yōu)選約 6 μ m-100 μ m,特另U優(yōu)選約 10 μ m-80 μ m。半導(dǎo)體背面用膜2在23°C下在未固化狀態(tài)時的拉伸貯能彈性模量優(yōu)選為IGPa以上(例如，lGPa-50GPa)，更優(yōu)選2GPa以上，特別地3GPa以上是適合的。當該拉伸貯能彈性模量為IGPa以上時，當在將半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶的壓敏粘合劑層 32剝離之后將半導(dǎo)體背面用膜2放置在支承體上并進行輸送等時，能夠有效地抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜粘貼至支承體。就此而言，支承體例如為載帶中的頂帶和底帶等。如上所述，在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成的情況下，熱固性樹脂組分通常處于未固化或部分固化的狀態(tài)，因此半導(dǎo)體背面用膜在23°C下的拉伸貯能彈性模量為處于熱固性樹脂組分未固化或部分固化的狀態(tài)的在23°C下的拉伸貯能彈性模量。這里，半導(dǎo)體背面用膜2可為單層或?qū)訅憾鄠€層的層壓膜。在層壓膜的情況下， 作為處于未固化狀態(tài)下的整個層壓膜的拉伸貯能彈性模量充分地為IGPa以上(例如 lGPa-50GPa)。此外，未固化狀態(tài)下的半導(dǎo)體背面用膜的拉伸貯能彈性模量(23°C )可通過適當?shù)卦O(shè)定樹脂組分(熱塑性樹脂和/或熱固性樹脂)的種類和含量，或填料如二氧化硅填料的種類和含量來控制。在半導(dǎo)體背面用膜2為層壓多個層的層壓膜情況下(在半導(dǎo)體背面用膜具有層壓層形式的情況下)，作為層壓層形式，例如可列舉由晶片粘合劑層和激光標識層構(gòu)成的層壓形式。此外，在晶片粘合劑層與激光標識層之間，可設(shè)置其它層(中間層、遮光層、補強層、著色層、基材層、電磁波屏蔽層、導(dǎo)熱層、壓敏粘合劑層等)。就此而言， 晶片粘合劑層為對晶片表現(xiàn)出優(yōu)異的緊密粘合性(粘合性)的層和與晶片背面接觸的層。 另一方面，激光標識層為表現(xiàn)出優(yōu)異的激光標識性的層，和在半導(dǎo)體芯片背面的激光標識時使用的層。拉伸貯能彈性模量通過以下確定制備不層壓至切割帶3上的處于未固化狀態(tài)的半導(dǎo)體背面用膜2，并使用由Geometries Co.，Ltd.制造的動態(tài)粘彈性測量設(shè)備〃 Solid Analyzer RS A2〃，在預(yù)定溫度(23°C )下，在氮氣氣氛下，在樣品寬度為10mm、樣品長度為 22. 5mm、樣品厚度為0. 2mm、頻率為IHz和升溫速率為10°C /分鐘的條件下，以拉伸模式測量彈性模量，并將測量的彈性模量作為獲得的拉伸貯能彈性模量的值。優(yōu)選地，在其至少一個表面上采用隔離膜(剝離襯墊)保護半導(dǎo)體背面用膜2。例如，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，在半導(dǎo)體背面用膜的至少一個表面上設(shè)置隔離膜。 另一方面，在未集成切割帶的半導(dǎo)體背面用膜中，可在半導(dǎo)體背面用膜的一個或兩個表面上設(shè)置隔離膜。所述隔離膜具有作為保護半導(dǎo)體背面保護膜直至其實際使用的保護材料的功能。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，所述隔離膜能夠進一步用作在當將半導(dǎo)體背面用膜2轉(zhuǎn)移至在切割帶的基材上的壓敏粘合劑層32時的支承基材。當將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上時，剝離隔離膜。作為隔離膜，也可使用聚乙烯或聚丙烯的膜、以及其表面用脫模劑例如氟類脫模劑或長鏈烷基丙烯酸酯類脫模劑涂布的塑料膜(例如，聚對苯二甲酸乙二酯)或紙等。隔離膜可通過常規(guī)已知的方法形成。此外，隔離膜的厚度等沒有特別限定。在半導(dǎo)體背面用膜2未層壓切割帶3的情況下，可將半導(dǎo)體背面用膜2與在其兩側(cè)上具有剝離層的一個隔離膜一起卷繞成其中膜2用在其兩表面上具有剝離層的隔離膜保護的卷形物(roll)；或者膜2可以用在其至少一個表面上具有剝離層的隔離膜保護。此外，在半導(dǎo)體背面用膜2中對于可見光的透光率(可見光透過率，波長400 至800nm)不特別限制，但是，例如，優(yōu)選在20%以下(0至20%)，更優(yōu)選10%以下(0至 10%)，特別優(yōu)選5%以下(0至5%)的范圍內(nèi)。當半導(dǎo)體背面用膜2具有大于20%的可見光透過率時，關(guān)注光的透過率可能不利地影響半導(dǎo)體元件。可見光透過率(％ )能夠通過半導(dǎo)體背面用膜2的樹脂組分的種類和含量、著色劑(例如顏料或染料)的種類和含量，和無機填料的含量等來控制。半導(dǎo)體背面用膜2的可見光透過率(％ )可如下測定。即，制備本身具有厚度(平均厚度)為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2。然后，將半導(dǎo)體背面用膜2用具有波長為400至 800nm的可見光在規(guī)定強度下照射[設(shè)備由Siimadzu Corporation制造的可見光產(chǎn)生設(shè)備[商品名"ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER"]，并測量透過的可見光的強度。此外， 可基于可見光透過半導(dǎo)體背面用膜2前后的強度變化來確定可見光透過率(％ )。就此而言，也可以從厚度不是20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的可見光透過率(％ ；波長400至SOOnm) 的值推導(dǎo)出厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的可見光透過率(％ ；波長400至SOOnm)。 在本發(fā)明中，在厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜2的情況下測定可見光透過率(％ )，但根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜不限于厚度為20 μ m的半導(dǎo)體背面用膜。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，更優(yōu)選具有較低吸濕率的半導(dǎo)體背面用膜。具體地， 吸濕率優(yōu)選1重量％以下，更優(yōu)選0. 8重量％以下。通過將吸濕率調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標識性。此外，例如，在再流步驟(reflow step)中能夠抑制或防止半導(dǎo)體背面用膜2和半導(dǎo)體元件之間空隙的產(chǎn)生。吸濕率為由將半導(dǎo)體背面用膜2在溫度85°C和濕度85% RH的環(huán)境下靜置168小時前后的重量變化計算的值。在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹脂的樹脂組合物形成的情況下，吸濕率是指當將熱固化后的膜在溫度85°C和濕度 85% RH的環(huán)境下靜置168小時時獲得的值。此外，吸濕率例如可通過改變無機填料的添加量來調(diào)整。此外，作為半導(dǎo)體背面用膜2，更優(yōu)選具有較小比例的揮發(fā)性物質(zhì)的半導(dǎo)體背面用膜。具體地，熱處理后半導(dǎo)體背面用膜2的重量減少的比例(重量減少率)優(yōu)選為1重量％以下，更優(yōu)選0.8重量％以下。熱處理的條件為加熱溫度為250°C，加熱時間為1小時。通過將重量減少率調(diào)整至1重量％以下，能夠提高激光標識性。此外，例如，在再流步驟中能夠抑制或防止倒裝芯片型半導(dǎo)體器件中裂紋的產(chǎn)生。重量減少率例如可通過添加能夠在無鉛焊料再流時減少裂紋產(chǎn)生的無機物質(zhì)來調(diào)整。在半導(dǎo)體背面用膜2由包含熱固性樹脂組分的樹脂組合物形成的情況下，重量減少率為當將熱固化后的半導(dǎo)體背面用膜在溫度250°C和加熱時間為1小時的條件下加熱時獲得的值。(切割帶)通過在基材31上形成壓敏粘合劑層32，制成切割帶3。壓敏粘合劑層32包括在基材31上形成的第一壓敏粘合劑層32a，和在第一壓敏粘合劑層3 上形成的第二壓敏粘合劑層32b。由此，如果切割帶3具有堆疊基材31和壓敏粘合劑層32的結(jié)構(gòu)，則其可以是充分的。(基材)基材(支承基材)可用作壓敏粘合劑層等的支承材料。基材31優(yōu)選具有放射線透過性。作為基材31，例如，可使用合適的薄材料，例如紙類基材如紙；纖維類基材如織物、無紡布、氈和網(wǎng)；金屬類基材如金屬箔和金屬板；塑料基材如塑料膜和片；橡膠類基材如橡膠片；發(fā)泡體(foamed body)如發(fā)泡片；及其層壓體[特別地，塑料基材與其它基材的層壓體， 塑料膜(或片)彼此的層壓體等]。在本發(fā)明中，作為基材，可適合使用塑料基材如塑料膜和片。此類塑料材料的原料實例包括烯烴類樹脂(olefinic resins)如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作為單體組分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物，和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)，交替)共聚物；聚酯如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸類樹脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPQ ；酰胺類樹脂如聚酰胺(尼龍)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)； 聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亞胺；聚醚酰亞胺；聚偏二氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纖維素類樹脂；硅酮樹脂；和氟化樹脂。此外，用于基材31的材料包括聚合物如前述樹脂的交聯(lián)材料。塑料膜可在不拉伸的情況下使用或者需要時可在進行單軸或雙軸拉伸處理后使用。根據(jù)通過拉伸處理等賦予熱收縮性的樹脂片，在切割后通過基材31的熱收縮減小壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2之間的粘合面積，因而能夠使半導(dǎo)體芯片的回收容易。為了提高與鄰接層的緊密粘合性和保持性等，可在基材31的表面上實施常規(guī)使用的表面處理，例如化學(xué)或物理處理如鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高壓電擊或電離輻射處理，或用底漆劑(imdercoating agent)例如稍后提及的壓敏粘合劑物質(zhì)的涂布處理。作為基材31，可適當選擇和使用相同種類或不同種類的材料，需要時，可將幾種材料共混并使用。此外，為了賦予基材31以抗靜電能力，可在基材31上形成由金屬、合金或其氧化物組成的厚度為約30至500埃的導(dǎo)電性物質(zhì)的氣相沉積層?；?1可為單層或其兩層以上的多層?；?1的厚度(在層壓層的情況下為總厚度)沒有特別限定，可依賴于強度、屈撓性及預(yù)期的用途等適當選擇。例如，厚度通常為1000 μ m以下(例如1 μ m至1000 μ m)， 優(yōu)選10 μ m至500 μ m，進一步優(yōu)選20 μ m至300 μ m，特別優(yōu)選約30 μ m至200 μ m，但不限于此。此外，在不損害本發(fā)明的優(yōu)點等的范圍內(nèi)，基材31可包含各種添加劑(著色劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、阻燃劑等)。(壓敏粘合劑層)構(gòu)成壓敏粘合劑層32的第一壓敏粘合劑層3 和第二壓敏粘合劑層32b均由壓敏粘合劑形成，并具有壓敏粘合性。壓敏粘合劑可由已知壓敏粘合劑中適當?shù)剡x擇，而沒有特別限制，只要其滿足剝離強度X和Y之間的關(guān)系即可。具體地，作為壓敏粘合劑，例如具有上述特性的那些可適當?shù)剡x自已知的壓敏粘合劑，如丙烯酸類壓敏粘合劑、橡膠類壓敏粘合劑、乙烯基烷基醚類壓敏粘合劑、硅酮類壓敏粘合劑、聚酯類壓敏粘合劑、聚酰胺類壓敏粘合劑、聚氨酯類壓敏粘合劑、氟類壓敏粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物類壓敏粘合劑， 和通過向上述壓敏粘合劑中混入熔點不大于200°C的熱熔性樹脂制備的蠕變特性改進的壓敏粘合劑(例如參見 JP-A 56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040，在此引入作為參考)，并用于這里。作為壓敏粘合劑，這里還可使用的是照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)和熱膨脹性壓敏粘合劑。這里可單獨或組合使用一種或多種這類壓敏粘合劑。(第一壓敏粘合劑層)作為第一壓敏粘合劑層用壓敏粘合劑，這里優(yōu)選使用的是丙烯酸類壓敏粘合劑和橡膠類壓敏粘合劑，更優(yōu)選丙烯酸類壓敏粘合劑。丙烯酸類壓敏粘合劑包括以一種或多種 (甲基)丙烯酸烷基酯作為單體組分的丙烯酸類聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎(chǔ)聚合物的那些。丙烯酸類壓敏粘合劑用的(甲基)丙烯酸烷基酯包括例如(甲基)丙烯酸甲酯、 (甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、 (甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯、 (甲基)丙烯酸二十烷酯等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯，優(yōu)選具有4-18個碳原子的烷基的那些。在(甲基)丙烯酸烷基酯中，烷基可以是線性或支化的?；诟倪M內(nèi)聚力、耐熱性和交聯(lián)性的目的，若期望，丙烯酸類聚合物可包含與上述 (甲基)丙烯酸烷基酯可聚合的其它單體組分(可共聚合單體組分)對應(yīng)的單元。可共聚合單體組分包括例如含羧基單體，如(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸；含酸酐基單體，如馬來酸酐、衣康酸酐； 含羥基單體，如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯；含磺酸基的單體，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基單體，如2-羥乙基丙烯?；姿狨?；(N-取代)酰胺單體，如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酰胺、 N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯單體，如(甲基)丙烯酸氨乙酯、(甲基)丙烯酸N，N_ 二甲基氨乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯單體，如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯單體，如丙烯腈、甲基丙烯腈；含環(huán)氧基的丙烯酸類單體，如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；苯乙烯單體，如苯乙烯、α -甲基苯乙烯；乙烯基酯單體，如醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯；烯烴單體，如異戊二烯、丁二烯、異丁烯；乙烯基醚單體，如乙烯基醚；含氮單體，如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基碳酰胺、N-乙烯基己內(nèi)酰胺；馬來酰亞胺單體，如N-環(huán)己基馬來酰亞胺、N-異丙基馬來酰亞胺、N-月桂基馬來酰亞胺、N-苯基馬來酰亞胺；衣康酰亞胺單體，如N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亞胺、N-環(huán)己基衣康酰亞胺、N-月桂基衣康酰亞胺；琥珀酰亞胺單體，如Ν-(甲基)丙烯酰氧基甲撐琥珀酰亞胺、Ν-(甲基)丙烯酰氧基-6-氧雜六亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯酰氧基-8-氧雜亞辛基琥珀酰亞胺；二醇類丙烯酸酯單體，如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、 聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯；具有雜環(huán)、鹵素原子或硅原子等的丙烯酸酯單體，例如四氫糠基(甲基)丙烯酸酯、 含氟(甲基)丙烯酸酯、硅酮(甲基)丙烯酸酯；多官能單體，例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二 (甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、 氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯等?？蓡为毣蚪M合使用一種或多種這些可共聚合單體組分?？捎糜诒景l(fā)明的照射固化型壓敏粘合劑(或能量射線固化型壓敏粘合劑)(組合物)包括例如內(nèi)部型照射固化型壓敏粘合劑，其包括作為基礎(chǔ)聚合物的在聚合物側(cè)鏈、主鏈或主鏈末端中具有自由基反應(yīng)性碳-碳雙鍵的聚合物；和可通過在壓敏粘合劑中混入UV 固化型單體組分或低聚物組分制備的照射固化型壓敏粘合劑。這里還可使用的熱膨脹性壓敏粘合劑，其包括例如含有壓敏粘合劑和發(fā)泡劑(特別是熱膨脹微球)的那些。在本發(fā)明中，第一壓敏粘合劑層3 可在不損害本發(fā)明優(yōu)點的范圍內(nèi)，包含多種添加劑(如，增粘劑、著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑、交聯(lián)劑等)。對交聯(lián)劑沒有特別限制，可使用已知的交聯(lián)劑。具體地，作為交聯(lián)劑，不僅可提及異氰酸酯類交聯(lián)劑、環(huán)氧類交聯(lián)劑、三聚氰胺類交聯(lián)劑和過氧化物類交聯(lián)劑，而且還可提及脲類交聯(lián)劑、金屬醇鹽類交聯(lián)劑、金屬螯合物類交聯(lián)劑、金屬鹽類交聯(lián)劑、碳二亞胺類交聯(lián)劑、噁唑啉類交聯(lián)劑、氮丙啶類交聯(lián)劑和胺類交聯(lián)劑等，異氰酸酯類交聯(lián)劑和環(huán)氧類交聯(lián)劑是適當?shù)摹＝宦?lián)劑可單獨或兩種以上組合使用。此外，對交聯(lián)劑的用量沒有特別限制。異氰酸酯類交聯(lián)劑的實例包括低級脂肪族多異氰酸酯，例如1，2-亞乙基二異氰酸酯、1，4_亞丁基二異氰酸酯和1，6_六亞甲基二異氰酸酯；脂環(huán)族多異氰酸酯例如亞環(huán)戊基二異氰酸酯、亞環(huán)己基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯和氫化苯二甲撐二異氰酸酯；芳香族多異氰酸酯例如2，4-甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、 4,4' -二苯甲烷二異氰酸酯和苯二甲撐二異氰酸酯。另外，也使用三羥甲基丙烷/甲苯二異氰酸酯三聚體加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]和三羥甲基丙烷/六亞甲基二異氰酸酯三聚體加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由NipponPolyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。另外，環(huán)氧類交聯(lián)劑的實例包括 N，N，N’，N’ -四縮水甘油基-間-二甲苯二胺、二縮水甘油基苯胺、1，3-雙(N，N-縮水甘油基氨甲基)環(huán)己烷、1，6_己二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、山梨糖醇多縮水甘油醚、甘油多縮水甘油醚、季戊四醇多縮水甘油醚、聚甘油多縮水甘油醚、脫水山梨糖醇多縮水甘油醚、三羥甲基丙烷多縮水甘油醚、己二酸二縮水甘油基酯、鄰苯二甲酸二縮水甘油酯、三縮水甘油基三(2-羥乙基)異氰脲酸酯、間苯二酚二縮水甘油醚和雙酚-S-二縮水甘油醚以及分子中具有兩個或多個環(huán)氧基的環(huán)氧類樹脂。代替使用交聯(lián)劑或與交聯(lián)劑一起使用，第一壓敏粘合劑層3 可以通過采用電子射線或UV射線的照射來交聯(lián)。第一壓敏粘合劑層3 的厚度沒有特別限制，例如為約5-300 μ m (優(yōu)選5-200 μ m， 更優(yōu)選5-100 μ m,還更優(yōu)選7-50 μ m)。當?shù)谝粔好粽澈蟿?2a的厚度在上述范圍內(nèi)時， 可發(fā)揮適當?shù)膲好粽澈狭?。第一壓敏粘合劑? 可作為單層或多層形成。(第二壓敏粘合劑層)第二壓敏粘合劑層32b優(yōu)選由紫外線固化型的壓敏粘合劑組成，以便于調(diào)節(jié)剝離強度X和剝離強度Y間的關(guān)系。紫外線固化型壓敏粘合劑可通過采用紫外線的照射提高其交聯(lián)度，以容易地降低其壓敏粘合力。通過采用紫外線來照射由紫外線固化型壓敏粘合劑組成的第二壓敏粘合劑層，可實現(xiàn)從半導(dǎo)體背面用膜上的容易分離性?；诶绮捎贸兯蛴袡C溶劑如醇清潔或清洗厭污性電子組件如半導(dǎo)體晶片的觀點，第二壓敏粘合劑層32b優(yōu)選采用丙烯酸類聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類壓敏粘合劑。對丙烯酸類聚合物沒有特別限制，但優(yōu)選由包含50重量％以上的CH2 = CHC00R(其中，R為具有6-10個碳原子的烷基)所示的丙烯酸酯和1_30重量％的含羥基單體，以及不含有含羧基單體的單體組合物形成的丙烯酰聚合物(以下有時稱作“丙烯酰聚合物A”)。作為壓敏粘合劑層32b，優(yōu)選使用包含作為基礎(chǔ)聚合物或聚合物主組分的丙烯酰聚合物A的壓敏粘合劑。在丙烯酰聚合物A中，如上所述，使用由化學(xué)式CH2 = CHCOOR(其中，R為具有6-10個碳原子的烷基)所示的丙烯酸烷基酯(烷基丙烯酸酯)(有時稱作“丙烯酸C6-10烷基酯”或C6-10烷基丙烯酸酯)作為主要單體組分。對于丙烯酸烷基酯，如果使用具有小于6個碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯作為主要單體組分，則剝離強度變得過小，有時損害了拾取性，而如果使用具有超過10個碳原子的烷基的丙烯酸烷基酯作為主要單體組分，則降低了對半導(dǎo)體背面用膜的粘合或粘附，從而切割期間可發(fā)生芯片飛散。
丙烯酸C6-C10烷基酯的具體實例包括丙烯酸己酯、丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸異壬酯、丙烯酸癸酯和丙烯酸異癸酯。丙烯酸C6-C10烷基酯優(yōu)選具有8-9個碳數(shù)的烷基的丙烯酸烷基酯，更優(yōu)選丙烯酸2-乙基己酯或丙烯酸異辛酯。丙烯酸C6-10烷基酯之一可單獨或兩種以上組合使用。丙烯酸C6-10烷基酯的含量優(yōu)選50重量％以上，更優(yōu)選70_90重量％，基于丙烯酰聚合物A的單體組分總量。如果基于單體組分總量，丙烯酸C6-10烷基酯含量小于50重量％，則剝離強度變得過大，并損害了拾取性。作為丙烯酰聚合物A，可使用除丙烯酸C6-10烷基酯以外的丙烯酸酯作為單體組分。除丙烯酸C6-10烷基酯以外的丙烯酸烷基酯(下文中有時稱作“其它丙烯酸烷基酯”) 以外，所述丙烯酸酯的實例還包括含芳環(huán)的丙烯酸酯(例如丙烯酸芳基酯如丙烯酸苯酯)， 和含脂環(huán)烴基的丙烯酸酯(例如丙烯酸環(huán)烷酯，例如丙烯酸環(huán)戊酯和丙烯酸環(huán)己酯，以及丙烯酸異冰片酯)。其中，優(yōu)選其它丙烯酸烷基酯和丙烯酸環(huán)烷酯，更優(yōu)選其它丙烯酸烷基酯?？蓡为毷褂眠@些丙烯酸酯中的一種，或其兩種以上組合使用。這類其它丙烯酸烷基酯的實例包括具有碳數(shù)5以下的烷基的丙烯酸烷基酯，例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸仲丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸戊酯和丙烯酸異戊酯；和具有11以上(優(yōu)選11-30)碳數(shù)的烷基的丙烯酸烷基酯，例如丙烯酸十一烷酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸十三烷酯、丙烯酸十四烷酯、丙烯酸十六烷酯、丙烯酸十八烷酯和丙烯酸二十烷酯。在丙烯酸烷基酯如丙烯酸C6-10烷基酯中，構(gòu)成酯部分的烷基可以是線性或支化形式的烷基。在本發(fā)明中，丙烯酰聚合物A包括與丙烯酸C6-10烷基酯可共聚合的含羥基單體。 含羥基單體的實例包括(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸 10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯和(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯。 可單獨使用這些含羥基單體中的一種，或可兩種以上組合使用。含羥基單體的含量優(yōu)選為1-30重量％，更優(yōu)選3-10重量％，基于丙烯酰聚合物 A的單體組分總量。如果基于單體組分總量，含羥基單體的含量小于上述下限，則壓敏粘合劑的內(nèi)聚力下降，并損害了拾取性，而如果基于單體組分總量，含羥基單體含量超過上述上限，則壓敏粘合劑極性升高，從而顯示與半導(dǎo)體背面用膜的高相互作用，從而損害了拾取性。如果期望，丙烯酰聚合物A可包含對應(yīng)于與丙烯酸C6-10烷基酯可共聚合的另一單體組分或含羥基單體(有時稱作“另一可共聚合單體組分”)的單元。然而，在本發(fā)明中， 優(yōu)選不使用含羧基單體。如果使用含羧基單體，則羧基與半導(dǎo)體背面用膜的環(huán)氧樹脂中的環(huán)氧基反應(yīng)，這會導(dǎo)致第二壓敏粘合劑層對半導(dǎo)體背面用膜的粘附增加，從而損害兩部分之間的易于剝離性。這類含羧基單體的實例包括丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和巴豆酸。另一可共聚合單體的實例包括甲基丙烯酸酯，如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯和甲基丙烯酸叔丁酯；酸酐單體，如馬來酸酐和衣康酸酐；含磺酸基單體，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺酸丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基單體，如2-羥乙基丙烯?；姿狨?；苯乙烯基單體，如苯乙烯、乙烯基甲苯和α -甲基苯乙烯；烯烴或二烯，如乙烯、丁二烯、異戊二烯和異丁烯；含鹵原子單體，如氯乙烯；含氟原子單體如含氟(甲基)丙烯酸酯；丙烯酰胺和丙烯腈。對于另一可共聚合單體組分，可使用一種組分或兩種以上組分。該可共聚合單體的用量基于丙烯酰聚合物A的全部單體組分，優(yōu)選為40重量％以下。丙烯酰聚合物A通過聚合選自上述那些的一種單體或兩種以上單體的混合物得到。聚合可在任意體系中實施，所述體系例如溶液聚合(如自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合)、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合和光聚合(例如紫外(UV)聚合)?；诜乐?jié)崈舭雽?dǎo)體芯片污染的觀點，優(yōu)選小分子量物質(zhì)含量少?；诖嗽颍＞酆衔顰的重均分子量優(yōu)選為350，000-1, 000, 000,更優(yōu)選約450，000-800, 000。此外， 采用基于聚苯乙烯的凝膠滲透色譜值，確定重均分子量和數(shù)均分子量。在第二壓敏粘合劑層中，為提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分子量，可適當?shù)夭捎猛獠拷宦?lián)劑。用于外交聯(lián)法的具體方式包括添加所謂交聯(lián)劑如多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物和三聚氰胺基交聯(lián)劑，并引起反應(yīng)的方法。在使用外部交聯(lián)劑的情況下，其用量通過與待交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物平衡，并進一步通過作為壓敏粘合劑的用途/應(yīng)用，適當?shù)卮_定。通常，將外部交聯(lián)劑以基于每100重量份基礎(chǔ)聚合物為約10 重量份以下，優(yōu)選0. 1-8重量份的比例共混。此外，若期望，除上述組分外，還可在壓敏粘合劑中使用各種常規(guī)已知的添加劑，例如增粘劑和防老劑?？晒不煊谧贤饩€固化型壓敏粘合劑中的紫外線固化型單體組分實例包括聚氨酯低聚物、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1，4_ 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。此外，紫外線固化型低聚物組分包括各種低聚物，例如聚氨酯類、聚醚類、聚酯類、 聚碳酸酯類和聚丁二烯類低聚物，并優(yōu)選分子量約100-30,00的低聚物。紫外線固化型單體組分或低聚物組分的共混量可根據(jù)第二壓敏粘合劑層的類型，通過考慮能夠降低第二壓敏粘合劑層的壓敏粘合強度的量適當?shù)卮_定。共混量通常基于每100重量份基礎(chǔ)聚合物如構(gòu)成壓敏粘合劑的丙烯酰聚合物，為例如5-500重量份，優(yōu)選約40-150重量份。如上所述，除其中添加了紫外線固化型單體或低聚物組分的添加型紫外線固化型壓敏粘合劑以外，紫外線固化型壓敏粘合劑包括采用在聚合物側(cè)鏈或主鏈或主鏈末端處具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)部型紫外線固化型壓敏粘合劑。內(nèi)部型紫外線固化型壓敏粘合劑是優(yōu)選的，因為不需要包含作為低分子量組分的低聚物組分等，或者如果包含，其含量低且可形成具有穩(wěn)定層結(jié)構(gòu)的第二壓敏粘合劑層，而不會使低聚物組分等隨著老化遷移至壓敏粘合劑中。作為具有碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物，可使用具有碳-碳雙鍵和具有壓敏粘合性的那些，而沒有特別限制。所述基礎(chǔ)聚合物優(yōu)選基本構(gòu)架為丙烯酸類聚合物的聚合物。作為基本構(gòu)架的丙烯酸類聚合物包括上述丙烯酸類聚合物。對將碳-碳雙鍵引入丙烯酸類聚合物的方法沒有特別限制，可采用各種方法，但基于分子設(shè)計的觀點，其易于將碳-碳雙鍵引入聚合側(cè)鏈中。其實例包括預(yù)先使含官能團單體與丙烯酸類聚合物共聚，然后實施縮合或加成反應(yīng)，以熔合或添加具有能夠與上述官能團反應(yīng)的另一官能團并具有碳-碳雙鍵的化合物，同時保持碳-碳雙鍵的紫外線固化性的方法。能夠縮合或加成反應(yīng)的官能團組合的實例包括羧酸基和環(huán)氧基、羧酸基和氮丙啶基以及羥基和異氰酸酯基。官能團的這些組合中，基于反應(yīng)追蹤的便捷性考慮，優(yōu)選羥基和異氰酸酯基的組合。只要所述官能團組合為能夠生成具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的組合即可，所述官能團可存在于丙烯酸類聚合物的側(cè)鏈或上述化合物中，但在上述優(yōu)選組合的情況下，優(yōu)選丙烯酸類聚合物具有羥基，和所述化合物具有異氰酸酯基。在此情況下， 具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物實例包括甲基丙烯?；惽杷狨?、2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯和間-異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯。此外，作為丙烯酸類聚合物，使用其中具有共聚的上述含羥基單體或醚類化合物的丙烯酸類聚合物，所述醚類基化合物例如為2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚和二甘醇單乙烯基醚。作為內(nèi)部型紫外線固化型壓敏粘合劑，可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，但也可共混上述紫外線固化型單體組分或低聚物組分至不損害其性質(zhì)的程度。紫外線固化型低聚物組分等的含量通常為30重量份以下，優(yōu)選0-10 重量份，基于每100重量份基礎(chǔ)聚合物。在采用紫外線等固化紫外線固化型壓敏粘合劑的情況下，其中包含光聚合引發(fā)劑。光聚合引發(fā)劑的實例包括α-酮醇基化合物，例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α -羥基-α，α ’-二甲基苯乙酮、2_甲基_2_羥基苯丙酮和1_羥基環(huán)己基苯酮；苯乙酮基化合物，例如甲氧基苯乙酮、2，2_ 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2_ 二乙氧基苯乙酮和2-甲基-1-[4-(甲基磺酸)苯基]-2-嗎啉代丙烷-1 ；苯偶姻醚類化合物如苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚和茴香偶姻甲基醚；縮酮類基化合物，例如芐基二甲基縮酮；芳香族磺酰氯類化合物如2-萘磺酰氯；光活性肟基化合物，例如1-苯酮-1，1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟；二苯甲酮基化合物，例如二苯甲酮、苯甲?；郊姿岷?，3 ’ - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；噻噸酮基化合物，例如噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4_ 二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4_ 二氯噻噸酮、2，4_ 二乙基噻噸酮和2，4_ 二異丙基噻噸酮；樟腦醌；鹵代酮；酰基氧化磷；和酰基膦酸鹽。光聚合引發(fā)劑的共混量例如基于每100重量份基礎(chǔ)聚合物，為約0. 05-20重量份，所述基礎(chǔ)聚合物例如為構(gòu)成第二壓敏粘合劑層中壓敏粘合劑的丙烯酸類聚合物。紫外線固化型壓敏粘合劑的其它實例包括在JP-A-60-196956中公開的丙烯酸類壓敏粘合劑(其在此并入作為參考)，其包括具有兩個或多個不飽和鍵的可加成聚合化合物、可光聚合化合物如含環(huán)氧基的烷氧基硅烷和光聚合引發(fā)劑如羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺和鐺鹽類化合物。在用紫外線照射時發(fā)生的通過氧的固化抑制的情況下，優(yōu)選將氧氣(空氣)從紫外線固化型的第二壓敏粘合劑層32b的表面阻隔。其方法的實例包括采用隔離膜覆蓋第二壓敏粘合劑層32b表面的方法，和在氮氣氣氛下采用紫外線等實施照射的方法。對第二壓敏粘合劑層的厚度沒有特別限制，但基于防止芯片切割面碎裂、固定/ 保持半導(dǎo)體背面用膜和減少切割屑的觀點，厚度優(yōu)選10-100μπι，更優(yōu)選15-80μπι，還更優(yōu)選20-50 μ m的數(shù)量級。此外，第二壓敏粘合劑層可以是單層或多層。關(guān)于第二壓敏粘合劑層的模量，23-150°C下的模量優(yōu)選為5X104-lX101QPa。第二壓敏粘合劑層的模量根據(jù)動態(tài)粘彈性測量設(shè)備“ARES”測量，所述測量裝置由!Geometries Co.，Ltd.制造，樣品厚度約1. 5mm，采用7. 9mm直徑平行板夾具在IHz頻率的剪切模式下， 升溫速率5°C/min，0. 變形(23°C )或0· 3% (150°C )，并視為在23°C或150°C下得到的剪切貯能模量G’的值。此外，在其上形成半導(dǎo)體背面用膜2的第二壓敏粘合劑層32b表面(特別地，在接觸半導(dǎo)體背面用膜2位點處的表面)的表面自由能優(yōu)選為30mJ/m2以下(例如l_30mj/ m2)，更優(yōu)選15-30mJ/m2，更優(yōu)選20_28mJ/m2。如果第二壓敏粘合劑層32b的表面自由能超過30mJ/m2，則第二壓敏粘合劑層32b與半導(dǎo)體背面用膜2間的粘合增強，會損害拾取性。此外，如在本發(fā)明中使用的，第二壓敏粘合劑層的表面自由能是指通過以下測定的表面自由能(Ys)測量滴加在第二壓敏粘合劑層表面上的各水和亞甲基碘的接觸角[Θ (rad)]，并求解作為采用測量值得到的并列線性方程的兩個方程和以下方程 (Ia)-(Ic),所述值在文獻中作為接觸角測量液的表面自由能值{水[分散組分(YLd) 21. 8 (mj/m2)，極性組分(Y Lp) 51. 0 (mj/m2)]，亞甲基碘[分散組分(Y Ld) 49. 5 (mj/m2)，極性組分(YLp) :1.3(mJ/m2)]}而被知曉。Ys= Y Sd+ Y sp (Ia)yL= γ Ld+ γ Lp (Ib)(1+cos θ ) y L = 2 ( γ sd γ Ld) 1/2+2 ( y sp y Lp)1/2 (Ic)在式(Ia)-(Ic)中，符號表示如下含義θ 通過滴加水或亞甲基碘測量的接觸角(rad)，y s 第二壓敏粘合劑層的表面自由能(mj/m2)，y sd 第二壓敏粘合劑層的表面自由能中的分散組分(mj/m2)，y sp 第二壓敏粘合劑層中表面自由能的極性組分(mj/m2)，y L 水或亞甲基碘的表面自由能(mj/m2)，Y Ld:水或亞甲基碘的表面自由能中的分散組分(mj/m2)，和y Lp 水或亞甲基碘的表面自由能中的極性組分(mj/m2)。在第二壓敏粘合劑層表面的水或亞甲基碘的接觸角測量中，將約IyL水(蒸餾水)或亞甲基碘液滴在JIS Z 8703中描述的測試場所環(huán)境中(溫度23士2°C，濕度 50士5% RH)，滴加至第二壓敏粘合劑層表面上，滴加后30秒，采用表面接觸角儀“CA-X”(由 FACE制造)通過三點法測量接觸角。在本發(fā)明中，在不損害本發(fā)明效果的范圍內(nèi)，第二壓敏粘合劑層可包含多種添加劑(例如著色劑、增稠劑、增量劑、填料、增粘劑、增塑劑、防老劑、抗氧化劑、表面活性劑和交聯(lián)劑)。各第一壓敏粘合劑層3 和第二壓敏粘合劑層32b均可例如通過將壓敏粘合劑與溶劑(若需要)以及其它添加劑混合，然后將混合物成形為片狀層的常規(guī)采用的方法形成。具體地說，例如在形成第一壓敏粘合劑層3 的情況下，第一壓敏粘合劑層3 可例如通過在基材31上涂覆包含壓敏粘合劑和視需要的溶劑以及其它添加劑的混合物的方法形成，或通過在適當?shù)母綦x膜(剝離紙)上涂覆上述混合物，以形成第一壓敏粘合劑層32a，然后將其轉(zhuǎn)移(轉(zhuǎn)換)至基材31上的方法形成。第二壓敏粘合劑層32b也可按照第一壓敏粘合劑層32a的形成方法形成。在采用紫外線實施照射以形成第二壓敏粘合劑層32b的情況下，對照射條件沒有特別限制，只要能夠獲得期望的剝離強度X即可，但照射劑量優(yōu)選為 50-1，000mj/cm2，更優(yōu)選 100-500mJ/cm2。此外，在本發(fā)明中，可使半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1具有抗靜電功能。由于該構(gòu)造，能夠防止電路由于以下原因?qū)е碌膿舸┯捎谠谄湔澈蠒r和剝離時靜電能的產(chǎn)生或由于半導(dǎo)體晶片等通過靜電能的帶電。賦予抗靜電功能可通過適當?shù)姆绞饺缫韵路椒ㄟM行 添加抗靜電劑或?qū)щ娦晕镔|(zhì)至基材31、壓敏粘合劑層32和半導(dǎo)體背面用膜2的方法，或在基材31上設(shè)置由電荷轉(zhuǎn)移配合物(complex)組成的導(dǎo)電層或金屬膜等的方法。作為這些方法，優(yōu)選難以產(chǎn)生具有改變半導(dǎo)體晶片品質(zhì)風險的雜質(zhì)離子的方法。為了賦予導(dǎo)電性和改進導(dǎo)熱性等的目的而共混的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電性填料)的實例包括銀、鋁、金、銅、鎳或?qū)щ娦院辖鸬鹊那蛐巍⑨樞位虮∑谓饘俜勰?；金屬氧化物如氧化鋁；無定形炭黑和石墨。然而，從不具有漏電性的觀點，半導(dǎo)體背面用膜2優(yōu)選非導(dǎo)電性的。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可以以卷繞成卷形物(roll)的形式形成或可以以將片材(膜)層壓的形式形成。例如，在膜具有卷繞成卷形物的形式的情況下，根據(jù)需要，以通過隔離膜保護半導(dǎo)體背面用膜2和切割帶3的狀態(tài)將膜卷繞成卷形物，由此可制備膜作為處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。就此而言，處于卷繞成卷形物狀態(tài)或形式的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可由基材31、在基材31的一個表面上形成的壓敏粘合劑層32、在壓敏粘合劑層32上形成的半導(dǎo)體背面用膜2，和在基材31的另一表面上形成的可剝離處理層(后表面處理層)構(gòu)成。此外，半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的厚度(半導(dǎo)體背面用膜厚度和包含基材31和壓敏粘合劑層32的切割帶厚度的總厚度)可例如選自8μπι-1，500μπι，優(yōu)選 20 μ m-850 μ m,更優(yōu)選 31 μ m-500 μ m,特另Ij優(yōu)選 47 μ m-330 μ m。就此而言，在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1中，通過控制半導(dǎo)體背面用膜2的厚度與切割帶3的壓敏粘合劑層32的厚度的比或半導(dǎo)體背面用膜2的厚度與切割帶的厚度(基材31和壓敏粘合劑層32的總厚度)的比，能夠改進切割步驟時的切割性、拾取步驟時的拾取性等并且從半導(dǎo)體晶片的切割步驟至半導(dǎo)體芯片的倒裝芯片接合步驟均能夠有效利用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。(半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法)描述根據(jù)本實施方案的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)方法，同時作為實例， 采用圖1所示的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。首先，基材31可通過常規(guī)已知的成膜方法形成。成膜方法的實例包括壓延成膜法、在有機溶劑中的流延法、在嚴格密閉體系中的膨脹擠出法、T-模擠出法、共擠出法和干法層壓法。接著，在基材31上涂覆壓敏粘合劑組合物并干燥(若需要，加熱交聯(lián))，以形成第一壓敏粘合劑層32a。涂覆體系的實例包括輥涂、絲網(wǎng)涂布(screen coating)和凹版涂布 (gravure coating)。此外，壓敏粘合劑組合物可直接涂覆于基材31上，以在基材31上形成第一壓敏粘合劑層32a，或通過在具有剝離處理表面的剝離紙等上涂覆壓敏粘合劑組合物形成第一壓敏粘合劑層3 后，將第一壓敏粘合劑層層3 轉(zhuǎn)移至基材31上。通過重復(fù)相同步驟，在第一壓敏粘合劑層3 上形成第二壓敏粘合劑層32b，從而可生產(chǎn)具有在基材31上形成的壓敏粘合劑層32的切割帶3。另一方面，可將形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料涂覆在剝離板上，以形成干燥后具有預(yù)定厚度的涂層，然后在預(yù)定條件下干燥(任選地在需要熱固化的情況下加熱，和干燥)，以形成涂層。將涂層轉(zhuǎn)移至壓敏粘合劑層32 (第二壓敏粘合劑層32b)上，從而在壓敏粘合劑層32上形成半導(dǎo)體背面用膜2。還可將半導(dǎo)體背面用膜2通過直接將形成半導(dǎo)體背面用膜2的形成材料涂覆于壓敏粘合劑層32上，然后在預(yù)定條件下干燥(任選地在需要熱固化的情況下將其加熱，和將其干燥)，在壓敏粘合劑層32上形成。根據(jù)上述方法，可得到本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1。在形成半導(dǎo)體背面用膜2時需要熱固化的情況下，將熱固化實施至涂層可部分固化程度是重要的，但優(yōu)選涂層未熱固化。本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可在包含倒裝芯片連接步驟的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中適當?shù)厥褂谩＜?，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可在倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中使用，從而在將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜2粘貼至半導(dǎo)體芯片背面的條件或形式下，生產(chǎn)倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件。因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1可用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(在將半導(dǎo)體芯片通過倒裝芯片接合法固定于被粘物如基材的狀態(tài)或形式下的半導(dǎo)體器件)。與半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1類似，半導(dǎo)體背面用膜2也可用于倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件(在將半導(dǎo)體芯片以倒裝芯片接合法固定于被粘物如基材的狀態(tài)或形式下的半導(dǎo)體器件)。(半導(dǎo)體晶片)對半導(dǎo)體晶片沒有特別限制，只要其為已知或通常使用的半導(dǎo)體晶片即可，并可在由各種材料制成的半導(dǎo)體晶片中適當?shù)剡x擇和使用。在本發(fā)明中，作為半導(dǎo)體晶片，可適當?shù)厥褂霉杈?半導(dǎo)體器件的制造方法)以下通過參考圖2A-2D，描述根據(jù)本實施方案的半導(dǎo)體器件的制造方法。圖2A-2D 為顯示當使用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1時的半導(dǎo)體器件制造方法的示意性截面圖。在圖2A-2D中，為簡便，將第一壓敏粘合劑層和第二壓敏粘合劑層共同顯示為壓敏粘合劑層。半導(dǎo)體器件的制造方法可通過采用上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1生產(chǎn)半導(dǎo)體器件。具體地，所述制造方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至上述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上的步驟，切割半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片的步驟，將半導(dǎo)體芯片與半導(dǎo)體背面用膜一起從切割帶的壓敏粘合劑層分離的步驟，和將半導(dǎo)體芯片倒裝芯片連接至被粘物上的步驟。(安裝步驟)首先，如圖2A所示，將任選地設(shè)置于半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體背面用膜2上的隔離膜適當?shù)貏冸x，和將半導(dǎo)體晶片4粘貼至通過粘附和保持而固定的半導(dǎo)體背面用膜2上(安裝步驟)。此時，半導(dǎo)體背面用膜2處于未固化狀態(tài)(包括半固化狀態(tài))。 另外，將半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘貼至半導(dǎo)體晶片4的背面。半導(dǎo)體晶片4的背面是指與電路面相對的面(也稱作非電路面、非電極形成面等)。對粘貼方法沒有特別限制， 但優(yōu)選壓接法。壓接通常在用加壓裝置如加壓輥加壓的同時進行。
對將半導(dǎo)體晶片粘貼至半導(dǎo)體背面用膜的條件沒有特別限制，但優(yōu)選在25-100°C 溫度和0. 05-lMPa壓力的I-IOOmm/秒速率下實施。(切割步驟)接著，如圖2B所示，切割半導(dǎo)體晶片4。從而，將半導(dǎo)體晶片4切斷成規(guī)定尺寸并個體化(成形為小片)，以生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片5。例如，所述切割根據(jù)常規(guī)方法從半導(dǎo)體晶片 4的電路面?zhèn)冗M行。此外，本步驟可采取例如形成到達半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的切口(slit)的稱作完全切斷的切斷方法。用于本步驟的切割設(shè)備沒有特別限定，可使用常規(guī)已知的設(shè)備。此外，由于半導(dǎo)體晶片4通過具有半導(dǎo)體背面用膜的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1粘合并固定，因此可抑制芯片破裂和芯片飛散，以及還可抑制半導(dǎo)體晶片4破損。就此而言，當半導(dǎo)體背面用膜2由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物形成時，即使當將其通過切割切斷時，也抑制或防止在切斷面處產(chǎn)生粘合劑從半導(dǎo)體背面用膜的壓敏粘合劑層擠出。結(jié)果，可抑制或防止切斷面自身的再粘貼(粘連(blocking))，從而可更加方便地進行以下要描述的拾取。對于采用切割刀實施切割的深度，在半導(dǎo)體晶片完全切斷的情況下，切割優(yōu)選實施至第二壓敏粘合劑層32b的深度。如果切割實施至超過第二壓敏粘合劑層32b的深度， 則切割時產(chǎn)生毛須或毛刺，并可導(dǎo)致器件芯片污染。在半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1擴展的情況下，擴展可使用常規(guī)已知的擴展設(shè)備進行。所述擴展設(shè)備具有能夠推動半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1向下通過切割環(huán)的環(huán)形外環(huán)，和直徑小于外環(huán)并支撐半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的內(nèi)環(huán)。由于該擴展步驟，可以防止相鄰的半導(dǎo)體芯片在以下要描述的拾取步驟中通過彼此接觸而損壞。(拾取步驟)為了收集粘合并固定至半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的半導(dǎo)體芯片5，如圖2C所示進行半導(dǎo)體芯片5的拾取，以將半導(dǎo)體芯片5與半導(dǎo)體背面用膜2 —起從切割帶3剝離。 拾取方法沒有特別限定，可采用常規(guī)已知的各種方法。例如，可提及包括用針狀物從半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1的基材31側(cè)向上推動各半導(dǎo)體芯片5，并用拾取設(shè)備拾取推起的半導(dǎo)體芯片5的方法。就此而言，拾取的半導(dǎo)體芯片5的背面用半導(dǎo)體背面用膜2保護。(倒裝芯片連接步驟)如圖2D所示，拾取的半導(dǎo)體芯片5通過倒裝芯片接合法(倒裝芯片安裝法)固定于被粘物6如基板。具體地，以半導(dǎo)體芯片5的電路面(也稱為正面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被粘物6相對的形式，根據(jù)常規(guī)方式將半導(dǎo)體芯片5固定至被粘物6。例如，使在半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)刃纬傻耐箟K51與粘貼至被粘物6的連接墊的連結(jié)用導(dǎo)電性材料61 (如焊料)接觸，并在加壓下熔融導(dǎo)電性材料61，由此能夠確保半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的電連接，并能夠?qū)雽?dǎo)體芯片5固定于被粘物6上(倒裝芯片接合步驟)。 在此情況下，在半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間形成間隙并且間隙之間的距離通常為約30 μ m 至300 μ m。就此而言，在將半導(dǎo)體芯片5倒裝芯片接合至被粘物6時，重要的是將半導(dǎo)體芯片5和被粘物6的相對面以及間隙洗滌，然后將包封材料(如包封樹脂)填充入間隙中以進行包封。作為被粘物6，可使用各種基板如引線框和電路板(如布線電路板)?；宓牟牧蠜]有特別限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的實例包括環(huán)氧基板、雙馬來酰亞胺三嗪基板和聚酰亞胺基板。在倒裝芯片接合步驟中，凸塊和導(dǎo)電性材料的材料沒有特別限定，其實例包括焊料(合金)如錫-鉛系金屬材料、錫-銀系金屬材料、錫-銀-銅系金屬材料、錫-鋅系金屬材料和錫-鋅-鉍系金屬材料，以及金系金屬材料和銅系金屬材料。此外，在倒裝芯片接合步驟中，將導(dǎo)電性材料熔融以連接半導(dǎo)體芯片5的電路面?zhèn)忍幍耐箟K和在被粘物6表面上的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料熔融時的溫度通常為約 2600C (例如，250°C至300°C)。通過用環(huán)氧樹脂等形成半導(dǎo)體背面用膜，可使本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜具有能夠承受在倒裝芯片接合步驟中的高溫的耐熱性。在本步驟中，優(yōu)選洗滌半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的相對面(電極形成面)以及間隙。在洗滌時使用的洗滌液沒有特別限定，其實例包括有機洗滌液和水性洗滌液。在本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜中的半導(dǎo)體背面用膜具有對洗滌液的耐溶劑性，并且對這些洗滌液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各種洗滌液作為該洗滌液，并可通過任何常規(guī)方法而無需任何特別的洗滌液實現(xiàn)該洗滌。接下來，進行包封步驟以包封倒裝芯片結(jié)合的半導(dǎo)體芯片5和被粘物6之間的間隙。包封步驟使用包封樹脂進行。在此情況下的包封條件不特別限制，但包封樹脂的固化通常在175°C下進行60秒至90秒。然而，在本發(fā)明中，不限于此，例如，固化可在165至185°C 的溫度下進行幾分鐘。通過該步驟中的熱處理，不僅包封樹脂而且半導(dǎo)體背面用膜2也可同時熱固化。因此，采用熱固化步驟，固化并收縮了包封樹脂和半導(dǎo)體背面用膜2兩者。結(jié)果，可通過半導(dǎo)體背面用膜2的固化收縮消除或減輕因包封樹脂固化收縮產(chǎn)生的對半導(dǎo)體芯片5給予的應(yīng)力。此外，在此步驟中，可將半導(dǎo)體背面用膜2完全或幾乎完全熱固化，并可以優(yōu)異的緊密粘合性粘貼至半導(dǎo)體元件的背面。進一步地，即使所述膜處于未固化狀態(tài)， 也可將根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用膜2與包封材料一起在包封步驟中熱固化，從而無需新增加半導(dǎo)體背面用膜2的熱固化步驟。包封材料沒有特別限定，只要該材料為具有絕緣性的樹脂(絕緣樹脂)即可，可在已知包封材料如包封樹脂中適當選擇和使用。包封樹脂優(yōu)選具有彈性的絕緣樹脂。包封樹脂的實例包括含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物。作為環(huán)氧樹脂，可提及以上示例的環(huán)氧樹脂。此外，由包含環(huán)氧樹脂的樹脂組合物組成的包封樹脂除了環(huán)氧樹脂之外還可包含除了環(huán)氧樹脂之外的熱固性樹脂(如酚醛樹脂)或熱塑性樹脂。此外，還可利用酚醛樹脂作為環(huán)氧樹脂用固化劑，作為此類酚醛樹脂，可提及以上示例的酚醛樹脂。根據(jù)使用半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1和半導(dǎo)體背面用膜制造的半導(dǎo)體器件(倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件)，將半導(dǎo)體背面用膜粘貼至半導(dǎo)體芯片背面，因此，可以優(yōu)良的可見度實施激光標識。特別地，即使當標識方法是激光標識法時，激光標識也能夠以優(yōu)良的對比度實施，并可以觀察通過具有良好可見度的激光標識實施的各種信息(例如文字信息和圖形信息)。在激光標識時，可利用已知激光標識設(shè)備。此外，作為激光器，可以利用各種激光器如氣體激光器、固態(tài)激光器和液體激光器。具體地，作為氣體激光器，可利用任何已知的氣體激光器而沒有特別限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和準分子激光器(ArF 激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是適合的。作為固態(tài)激光器，可利用任何已知的固態(tài)激光器而沒有特別限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和YVO4激光器是適合的。
由于使用本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜1或半導(dǎo)體背面用膜2生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件為通過倒裝芯片安裝法安裝的半導(dǎo)體器件，所以該器件與通過模片接合安裝法安裝的半導(dǎo)體器件相比具有薄型化和小型化的形狀。因此，可適當采用半導(dǎo)體器件作為各種電子器件和電子部件或其材料和構(gòu)件。具體地，作為利用本發(fā)明的倒裝芯片安裝的半導(dǎo)體器件的電子器件，可提及所謂的“移動電話”和“PHS”，小型計算機[例如，所謂的“PDA” (手持終端)，所謂的“筆記本尺寸的個人計算機”，所謂的“Net Book (商標)，，和所謂的“可穿戴計算機”等]，具有“移動電話”和計算機集成形式的小型電子器件，所謂的“Digital Camera(商標)”，所謂的“數(shù)碼攝像機”，小型電視機，小尺寸游戲機，小型數(shù)字音頻播放機， 所謂的“電子記事本”，所謂的“電子詞典”，用于所謂的“電子書”的電子器件終端和移動電子器件(可攜帶電子器件)如小尺寸數(shù)字型手表等。不必說，也可提及除了移動器件之外的電子器件(固定型電子器件等)，例如所謂的“桌面?zhèn)€人計算機”、薄型電視機、用于記錄和復(fù)制的電子器件(硬盤記錄機(hard disk recorders)、DVD播放機等)、投影儀和微型機等。另外，電子部件或用于電子器件和電子部件的材料和構(gòu)件沒有特別限制，其實例包括用于所謂“CPU”的部件和用于各種記憶器件(所謂的“存儲器”、硬盤等)的構(gòu)件。
實施例以下將示意性地詳細闡述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，除非超出其主旨，否則本發(fā)明不限于以下實施例。此外，除非另外說明，否則各實施例中的份數(shù)為重量標準。(實施例1)<第二壓敏粘合劑層的生產(chǎn)>將80份丙烯酸2-乙基己酯QEHA)、20份丙烯酸2_羥乙酯(HEA)和65份甲苯， 裝入具有冷凝管、氮氣導(dǎo)入管、溫度計和攪拌裝置的反應(yīng)容器中，在氮氣流中于ere下實施聚合工藝6小時，以得到丙烯酸類聚合物XI。此外，添加基于100份丙烯酸類聚合物Xl為24. 1份(基于HEA為90mol % )的 2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯(MOI)，在空氣流中于50°C下實施加成反應(yīng)工藝48小時， 得到丙烯酸類聚合物Yl。隨后，添加基于100份丙烯酸類聚合物Yl為3份多異氰酸酯化合物(“C0L0NATE L”商品名，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.生產(chǎn))，和5份光聚合引發(fā)劑 (“IRUGACURE 651”，商品名，由Ciba Specialty Chemical生產(chǎn))，從而制備壓敏粘合劑溶液。將上述制備的壓敏粘合劑溶液涂覆于50 μ m厚PET膜的硅酮處理的表面上，并在 80°C下通過加熱交聯(lián)3分鐘，以形成厚度30 μ m的活性能量射線固化型壓敏粘合劑層，然后采用紫外(UV)照射裝置(“UM-810”，商品名(由Nitto Seiki Co.，Ltd.制造))在300mJ/ cm2紫外照射積分光量下，采用紫外線照射，以生產(chǎn)第二壓敏粘合劑層A。<半導(dǎo)體背面用膜的生產(chǎn)>基于100份主要組分為丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯的丙烯酸酯類聚合物 ("PARACR0N W-197CM”，商品名，由 NegamiChemical Industrial Co.，Ltd.制造)，將 113 份環(huán)氧樹脂("EPIC0TE 1004”，商品名，由JER生產(chǎn)),121份酚醛樹脂("MILEX XLC-4L，，， 商品名，由Mitsui Chemical, Inc.生產(chǎn))、246份球狀二氧化硅(“S0-25R”，商品名，由Admatechs Co.，Ltd.生產(chǎn))和 3 份染料("OIL BLACK BS”，商品名，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.生產(chǎn))，溶解于甲乙酮中，以制備具有23. 6重量％固含量的粘合劑組合物溶液。將該粘合劑組合物溶液施涂至作為可剝離襯墊(隔離膜)的已進行硅酮剝離處理的由具有厚度50 μ m的聚對苯二甲酸乙二酯膜組成的可剝離處理膜上，然后在130°C下干燥2分鐘，以生產(chǎn)具有20 μ m厚度(平均厚度)的半導(dǎo)體背面用膜A。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)>作為基材層和第一壓敏粘合劑層，使用S_400X(商品名，由Nitto Denko Corporation制造)，和將切成315mm直徑的第二壓敏粘合劑層A在常溫下粘貼至第一壓敏粘合劑層。在40°C下對其粘貼切成330mm直徑的半導(dǎo)體背面用膜A，以完全覆蓋第二壓敏粘合劑層A，從而生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜A。(實施例2)在實施例2中，除了將基材和第一壓敏粘合劑層變?yōu)镃B_700(商品名，由Nitto Denko Corporation制造)以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜B。(實施例3)在實施例3中，除了將基材和第一壓敏粘合劑層變?yōu)镸-4001(商品名，由Nitto Denko Corporation制造)以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜C。(實施例4)在實施例4中，除了將基材和第一壓敏粘合劑層變?yōu)镠R-4011 (商品名，由Nitto Denko Corporation制造)以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜D。(實施例5)在實施例5中，除了將基材和第一壓敏粘合劑層變?yōu)閂-8S(商品名，由Nitto Denko Corporation制造)以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜E。(實施例6)在實施例6中，除了將基材和第一壓敏粘合劑層變?yōu)閁E-1088J(商品名，由Nitto Denko Corporation制造)以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜F。(實施例7)在實施例7中，除了將基材和第一壓敏粘合劑層變?yōu)閁B-2130E(商品名，由Nitto Denko Corporation制造)以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜G。(實施例8)<第二壓敏粘合劑層的生產(chǎn)>將80份丙烯酸2-乙基己酯QEHA)、20份丙烯酸2_羥乙酯(HEA)和65份甲苯， 裝入具有冷凝管、氮氣導(dǎo)入管、溫度計和攪拌裝置的反應(yīng)容器中，在氮氣流中于ere下實施聚合工藝6小時，得到丙烯酸類聚合物X2?；?00份丙烯酸類聚合物X2，對其添加24. 1份(基于HEA為90mol % )的2_甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯(MOI)，在空氣流中于50°C下實施加成反應(yīng)工藝48小時，以得到丙烯酸類聚合物Y2。隨后，基于100份丙烯酸類聚合物Y2，添加8份多異氰酸酯化合物(“C0L0NATE L”，商品名，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.生產(chǎn))，和5份光聚合引發(fā)劑 (“IRUGACURE651”，商品名，由Ciba Specialty Chemical生產(chǎn))，以制備壓敏粘合劑溶液。將上述制備的壓敏粘合劑溶液涂覆于50 μ m厚的PET膜的硅酮處理表面上，并在 80°C下加熱交聯(lián)3分鐘，以形成厚度30 μ m的活性能量射線固化型壓敏粘合劑層，然后采用紫外(UV)照射裝置(“UM-810”，商品名(Nitto Seiki Co.，Ltd.制))在 300mJ/cm2 紫外照射積分光量下，采用紫外線照射，以生產(chǎn)第二壓敏粘合劑層B。<半導(dǎo)體背面用膜的生產(chǎn)>采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用膜。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)>作為基材層和第一壓敏粘合劑層，使用S-400X (商品名，由Nitto Denko Corporation制造)，和將切成315mm直徑的第二壓敏粘合劑層B在常溫下粘貼至第一壓敏粘合劑層上。在40°C下對其粘附切成330mm直徑的半導(dǎo)體背面用膜A，以完全覆蓋第二壓敏粘合劑層B，從而生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜H。(實施例9)<第二壓敏粘合劑層的生產(chǎn)>將80份丙烯酸2-乙基己酯QEHA)、20份丙烯酸2_羥乙酯(HEA)和65份甲苯， 裝入具有冷凝管、氮氣導(dǎo)入管、溫度計和攪拌裝置的反應(yīng)容器中，在氮氣流中于ere下實施聚合工藝6小時，以得到丙烯酸類聚合物X3。此外，基于100份丙烯酸類聚合物X3，添加24. 1份(基于HEA為90mol % )的2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯(MOI)，在空氣流中于50°C下實施加成反應(yīng)工藝48小時，以得到丙烯酸類聚合物Y3。隨后，基于100份丙烯酸類聚合物TO，添加5份多異氰酸酯化合物(“C0L0NATE L”商品名，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.生產(chǎn))，和5份光聚合引發(fā)劑 (“IRUGACURE651”，商品名，由Ciba Specialty Chemicals生產(chǎn))，以制備壓敏粘合劑溶液。將上述制備的壓敏粘合劑溶液涂覆于50 μ m厚的PET膜的硅酮處理表面上，并在 80°C下加熱交聯(lián)3分鐘，以形成厚度30 μ m的活性能量射線固化型壓敏粘合劑層，從而生產(chǎn)第二壓敏粘合劑層C。<半導(dǎo)體背面用膜的生產(chǎn)>采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用膜。<半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的生產(chǎn)>作為基材層和第一壓敏粘合劑層，使用S-400X (商品名，Nitto Denko Corporation制)，和將切成315mm直徑的壓敏粘合劑層C在常溫下粘貼至第一壓敏粘合劑層上。在40°C下對其粘附切成330mm直徑的粘合劑層A以完全覆蓋第二壓敏粘合劑層C， 然后采用紫外(UV)照射裝置(“UM-810”，商品名(Nitto Seiki Co.，Ltd.制))在300mJ/cm2紫外照射積分光量下，采用紫外線照射，以半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜I。(比較例1)在比較例1中，除了將第二壓敏粘合劑層位置變?yōu)镺PP膜(FBS-6，商品名，由 Futamura Chemical Co. ,Ltd.生產(chǎn))以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜J。(比較例2)在比較例2中，除了將第二壓敏粘合劑層位置變?yōu)楣柰幚淼腜E膜(40RL-02，商品名，由Oji Specialty Paper生產(chǎn))以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜K。這里，將硅酮處理的PE膜的處理表面粘貼至半導(dǎo)體背面用膜的表面。(比較例3)在比較例3中，除了將基材和第一壓敏粘合劑層變?yōu)镽-100 (商品名，由Nitto Denko Corporation生產(chǎn))以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜L。(比較例4)在比較例4中，除了將基材和第一壓敏粘合劑層變?yōu)镽_300(商品名，由Nitto Denko Corporation生產(chǎn))以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜M。(比較例5)在比較例5中，除了將基材和第一壓敏粘合劑層換為NlOO(商品名，由Nitto Denko Corporation生產(chǎn))以外，采用與實施例1相同的方式生產(chǎn)半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜N。采用實施例1-9和比較例1-5得到的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，實施以下評估。 結(jié)果示于下表1和2。<第二壓敏粘合劑層與半導(dǎo)體背面用膜間剝離強度的測量>將生產(chǎn)的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜切成100X20mm尺寸。然后，通過將帶 (BT-315，商品名，由Nitto Denko Corporation生產(chǎn))在常溫下粘貼至半導(dǎo)體背面用膜來增強半導(dǎo)體背面用膜。然后將第二壓敏粘合劑層和半導(dǎo)體背面用膜夾入夾具，采用張力試驗儀(AGS-J，商品名，由Shimadzu Corporation制造)讀取當以300mm/min剝離速率和 180°剝離角分離第二壓敏粘合劑層和半導(dǎo)體背面用膜時的力(最大負荷，單位N/20mm)。<第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合劑層間剝離強度的測量>從生產(chǎn)的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜上除去半導(dǎo)體背面用膜，并將切割帶切成 100X20mm尺寸。然后，通過將帶(BT-315，商品名，由Nitto Denko Corporation生產(chǎn))在常溫下粘貼至第二壓敏粘合劑層表面來增強第二壓敏粘合劑層。然后將第一壓敏粘合劑層和第二壓敏粘合劑層夾入夾具，采用張力試驗儀(AGS-J，商品名，由aiimadzu Corporation 制造)讀取當以300mm/min剝離速率和180°剝離角分離第一壓敏粘合劑層和第二壓敏粘合劑層時的力(最大負荷，單位N/20mm)。<SUS和第一壓敏粘合劑層間剝離強度的測量>從生產(chǎn)的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜上除去第二壓敏粘合劑層和半導(dǎo)體背面用膜，將殘余物切成100X 20mm尺寸，并在常溫下采用2kg輥粘貼至SUS304BA板上。然后，將第一壓敏粘合劑層和SUS304BA板夾入夾具，采用張力試驗儀(AGS-J，商品名，Shimadzu Corporation制)讀取當以300mm/min剝離速率和180°剝離角分離第一壓敏粘合劑層和 SUS時的力(最大負荷，單位N/20mm)。<切割時芯片污染/拾取性的評估方法>采用實施例和比較例的各半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，通過以下方式實際切割半導(dǎo)體晶片，評估切割時的芯片污染，然后，評估拾取性，從而實施對各半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的芯片污染和拾取性能評估。采用具有通過使Si鏡面晶片(直徑12英寸，厚度0. 6mm)實施背面拋光處理制備的厚度0. 050mm的鏡面晶片作為工件。從半導(dǎo)體背面切割帶集成膜上去除隔離膜后，將鏡面晶片(工件)在70°C通過輥的壓接下通過壓接粘貼至半導(dǎo)體背面用膜上，并進一步進行切割。通過完全切斷實施切割，以提供IOmm見方的芯片尺寸。這里，半導(dǎo)體晶片的研磨條件、粘附條件、切割條件和拾取條件如下。(半導(dǎo)體晶片磨削條件)磨削設(shè)備“DGP-8760”，商品名，由DISCO Corporation 制造半導(dǎo)體晶片直徑12英寸(將背面磨削成0.050-0. 6mm厚度)(粘貼條件)粘貼設(shè)備“MA-3000II”，商品名，由Nitto Seiki Co.，Ltd.制造粘貼速率10mm/min粘貼壓力0.I5MPa粘貼時的階段溫度40°C(切割條件)切割設(shè)備“DFD-6361”，商品名，由DISCO Corporation 制造切割環(huán)“2-12-1”(由 DISCO Corporation 制造)切割速率30mm/秒切割刀Zl :"NBC-ZH2030-SE 27HCDD，，，由 DISCO Corporation 制造切割刀轉(zhuǎn)速Zl 40, OOOrpmZl刀高度晶片高度的一半Z2 :"NBC-ZH1030-SE 27HCBB，，，由 DISCO Corporation 制造切割刀的轉(zhuǎn)速Z2 45, OOOrpmZ2刀的高度第二壓敏粘合劑層的中央切割方法階梯切割
芯片尺寸10. Omm見方(拾取條件)拾取裝置‘‘SPA-300，，，商品名，由Shinkawa Ltd.制造針狀物的數(shù)量5針狀物的種類F0.7、15°、101、350μπι
拾取速率5mm/秒拾取時間1,000毫秒拾取高度(針狀物的推起量)達至650 μ m的任意高度(切割時芯片污染的評估/判斷)通過顯微鏡觀察經(jīng)拾取收集的各20片芯片的四角，當粘貼至芯片側(cè)面的毛刺或毛須數(shù)量為0時，將樣品評為A，當為1-10個時評為B，為11以上時評為C。(拾取性的評估/判斷)評估針狀物的拾取量，作為能夠拾取芯片的拾取高度。當針狀物拾取高度為 0-600 μ m時，將樣品評為A，和拾取高度超過600 μ m或不能拾取芯片時評為B。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括包含依次堆疊的基材層、第一壓敏粘合劑層和第二壓敏粘合劑層的切割帶，和堆疊在所述切割帶的所述第二壓敏粘合劑層上的半導(dǎo)體背面用膜，其中所述第一壓敏粘合劑層與所述第二壓敏粘合劑層之間的剝離強度Y大于所述第二壓敏粘合劑層與所述半導(dǎo)體背面用膜之間的剝離強度X，和其中所述剝離強度X為0. 01-0. 2N/20mm，和所述剝離強度Y為0. 2_10N/20mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述剝離強度Y與所述剝離強度X之比(Y/X)為3-500。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述第二壓敏粘合劑層具有10 μ m以上的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述第二壓敏粘合劑層具有10 μ m以上的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述第二壓敏粘合劑層由紫外線固化型壓敏粘合劑形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述第二壓敏粘合劑層由紫外線固化型壓敏粘合劑形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述第二壓敏粘合劑層由紫外線固化型壓敏粘合劑形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其中所述第二壓敏粘合劑層由紫外線固化型壓敏粘合劑形成。
9.一種使用根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項所述的半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括將半導(dǎo)體晶片粘貼至所述半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜的半導(dǎo)體背面用膜上，切割所述半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片，將所述半導(dǎo)體芯片與所述半導(dǎo)體背面用膜一起從所述切割帶的壓敏粘合劑層分離，和將所述半導(dǎo)體芯片倒裝芯片連接至被粘物上。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜及用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體背面用切割帶集成膜，其包括包含依次堆疊的基材層、第一壓敏粘合劑層和第二壓敏粘合劑層的切割帶，和堆疊在切割帶的第二壓敏粘合劑層上的半導(dǎo)體背面用膜，其中第一壓敏粘合劑層與第二壓敏粘合劑層之間的剝離強度Y大于第二壓敏粘合劑層與半導(dǎo)體背面用膜間的剝離強度X，和其中剝離強度X為0.01-0.2N/20mm，和剝離強度Y為0.2-10N/20mm。
文檔編號C09J7/02GK102373019SQ20111021696
公開日2012年3月14日 申請日期2011年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月29日
發(fā)明者志賀豪士, 淺井文輝, 高本尚英 申請人:日東電工株式會社