專利名稱：發(fā)光元件、發(fā)光裝置、顯示裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光元件、發(fā)光裝置、顯示裝置和電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光元件(即有機EL元件)是具有在陽極和陰極間插入至少1層發(fā)光性有機層作為發(fā)光層的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。對于這種發(fā)光元件，通過在陰極和陽極之間施加電場，將電子從陰極側(cè)注入到發(fā)光層內(nèi)的同時空穴從陽極側(cè)注入到發(fā)光層內(nèi)，在發(fā)光層中電子和空穴再次結(jié)合而生成激子，在該激子返回基態(tài)時，對應(yīng)量的能量作為光被釋放出。在這種發(fā)光元件中，通常為了提高空穴的注入性、輸送性，在陽極和發(fā)光層之間設(shè)空穴注入層和空穴輸送層(例如，參照日本專利第36M909號公報)。另外，在這種發(fā)光元件中，通過調(diào)節(jié)空穴輸送層的HOMO(最高占有軌道)和 LUMO(最低空軌道)的大小，用空穴輸送層阻擋來自陰極側(cè)(發(fā)光層側(cè))的電子，將電子和空穴封閉在發(fā)光層內(nèi)，可實現(xiàn)發(fā)光效率的提高。但是，在以往的發(fā)光元件中，存在以下問題空穴輸送層不能充分阻擋來自陰極側(cè)的電子，隨著長期使用，透過空穴輸送層的電子使空穴輸送層、空穴注入層劣化。由于隨著電流密度增大，空穴輸送層阻擋電子的功能(電子阻擋效果)因能帶彎曲效果(band bending effect)而下降，所以該問題變得顯著。因此，在需要高密度電流的高亮度的發(fā)光元件中，無法實現(xiàn)長壽命化。另外，為了提高電子阻擋效果，考慮將HOMO和LUMO的能隙大的材料用于空穴輸送層，但這在現(xiàn)實中難以實現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供發(fā)光效率優(yōu)異并且即使用高電流密度的電流驅(qū)動時也能實現(xiàn)長壽命化的發(fā)光元件，具備該發(fā)光元件的發(fā)光裝置、顯示裝置以及電子設(shè)備。該目的通過下述本發(fā)明而達成。本發(fā)明的發(fā)光元件特征在于，具有陽極，陰極，設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間的、通過在所述陽極和所述陰極之間通電而發(fā)光的發(fā)光層，與所述陽極和所述發(fā)光層相接地設(shè)置在所述陽極和所述發(fā)光層之間的有機層；所述有機層具有輸送空穴的第1功能和防止從所述發(fā)光層侵入的電子滯留在所述有機層中的第2功能。依照這樣的本發(fā)明的發(fā)光元件，有機層通過具有輸送空穴的第1功能而能夠從陽極向發(fā)光層有效率地輸送空穴。因此，可以提高發(fā)光元件的發(fā)光效率。特別地，在本發(fā)明的發(fā)光元件中，因為有機層具有防止從發(fā)光層侵入的電子滯留在有機層中的第2功能，所以即使電子從發(fā)光層侵入(注入)有機層內(nèi)，也可防止(阻止) 電子滯留在有機層中。結(jié)果能夠防止有機層因電子而劣化。因此，即使用高電流密度的電流驅(qū)動時，也能實現(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層通過所述第1功能來發(fā)揮阻擋電子的功能。由此，有機層既可以由陽極向發(fā)光層輸送空穴又可以阻擋來自發(fā)光層的電子。因此，可以有效率地將電子和空穴封閉在發(fā)光層中、提高發(fā)光效率。即使有機層像這樣地具有阻擋電子的功能，在以高電流密度驅(qū)動時，有時有機層也不能完全阻擋電子，結(jié)果電子侵入(注入)到有機層中。即使是這種情況，也因為在本發(fā)明的發(fā)光元件中有機層具有防止電子滯留在有機層中的第2功能，所以可以利用有機層將未被完全阻擋而侵入有機層內(nèi)的電子從有機層中排除(例如，通過、中和(消滅))。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層含有胺系材料，由此發(fā)揮所述第1功能。胺系材料的空穴輸送性優(yōu)異。因此，含有胺系材料的有機層能夠快速地將來自陽極的電子向發(fā)光層輸送，即能夠很好地發(fā)揮第1功能。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層整體含有具有電子輸送性的電子輸送性材料，由此發(fā)揮所述第2功能。此時，因為有機層整體含有電子輸送性材料并且分別與陽極和發(fā)光層相接，所以即使電子由發(fā)光層侵入(注入)有機層內(nèi)，有機層也能夠快速地向陽極側(cè)輸送該電子并使其通過。由此，可更確切地發(fā)揮防止電子滯留在有機層中的第2功能，結(jié)果能夠防止有機層因電子而劣化。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)以高電流密度的電流驅(qū)動時發(fā)光元件進一步的長壽命化。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述電子輸送性材料是并苯系材料。并苯系材料的電子輸送性優(yōu)異。因此，含有并苯系材料的有機層能夠快速地將來自發(fā)光層的電子輸送到陽極。另外，并苯系材料對電子的耐性優(yōu)異，所以能夠防止或抑制電子導(dǎo)致的有機層劣化。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述并苯系材料由蒽系材料和萘并萘系材料中的至少一方構(gòu)成。這種并苯系材料具有優(yōu)異的電子輸送性，并且能夠較簡單地以高品質(zhì)的膜質(zhì)進行成膜。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層中的所述電子輸送性材料的含量是 30wt% 70wt%。由此，能夠使有機層的電子輸送性和空穴輸送性的平衡適當(dāng)。另外，當(dāng)有機層具有電子阻擋性時，能夠使有機層的電子阻擋性和電子輸送性的平衡適當(dāng)。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層由混合有并苯系材料和胺系材料的混合材料構(gòu)成，由此發(fā)揮所述第1功能和第2功能。由此，可以比較簡單地將有機層的空穴輸送性和電子輸送性的平衡調(diào)整到適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層具有與所述陽極相接地設(shè)置在所述陽極和所述發(fā)光層之間的、含有空穴注入性材料而構(gòu)成的空穴注入層，與所述空穴注入層和所述發(fā)光層這兩層相接地設(shè)置在所述空穴注入層和所述發(fā)光層之間的、含有空穴輸送性材料而構(gòu)成的空穴輸送層，在所述空穴注入層和所述空穴輸送層中分別包含所述電子輸送性材料。由此，既可以使來自陽極的空穴注入性和空穴輸送性良好，又可以防止因電子導(dǎo)致的空穴注入層和空穴輸送層的劣化。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層具有與所述陽極和所述發(fā)光層這兩層相接地設(shè)置在所述陽極和所述發(fā)光層之間的、含有空穴注入性材料而構(gòu)成的空穴注入層，所述電子輸送性材料包含在所述空穴注入層中。由此，既可以使來自陽極的空穴注入性良好，又可以防止因電子導(dǎo)致的空穴注入層的劣化。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層具有與所述陽極和所述發(fā)光層這兩層相接地設(shè)置在所述陽極和所述發(fā)光層之間的、含有空穴輸送性材料而構(gòu)成的空穴輸送層，所述電子輸送性材料包含在所述空穴輸送層中。由此，既可以使來自陽極的空穴輸送性良好，又可以防止因電子導(dǎo)致的空穴輸送層的劣化。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層的平均厚度是20nm lOOnm。由此，既可以抑制驅(qū)動電壓，又可以防止因電子導(dǎo)致的有機層的劣化。另外，在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層含有具有電子俘獲性的電子俘獲性材料，由此發(fā)揮所述第2功能。此時，電子俘獲性材料能夠捕捉來自發(fā)光層的電子，使其中和(消滅)。由此能夠更確切地發(fā)揮防止電子滯留在有機層中的第2功能，結(jié)果能夠防止有機層因電子而劣化。 因此，能夠?qū)崿F(xiàn)以高電流密度的電流驅(qū)動時發(fā)光元件進一步的長壽命化。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述電子俘獲性材料為并苯系材料。并苯系材料具有適度的電子俘獲性。因此，能夠抑制發(fā)光元件的高驅(qū)動電壓化。另外，并苯系材料對電子和空穴的耐性優(yōu)異。因此，能夠防止有機層因電子和空穴而劣化，實現(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。進而，并苯系材料因為本身難以發(fā)光，所以能夠防止對發(fā)光元件的發(fā)光光譜產(chǎn)生不良影響。優(yōu)選所述有機層具有包含空穴輸送性材料和所述電子俘獲性材料的電子中和層。此時，在有機層厚度方向的中途，電子中和層能夠使來自發(fā)光層的電子中和(消滅)。由此，能夠進一步確切地發(fā)揮防止電子滯留在有機層中的第2功能。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述電子中和層所含有的所述空穴輸送性材料含有胺系材料。胺系材料的空穴輸送性優(yōu)異。因此，含有胺系材料的電子中和層能夠快速地將來自陽極的空穴向發(fā)光層輸送。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述電子中和層由混合有并苯系材料和胺系材料的混合材料構(gòu)成。由此，可比較簡單地將電子中和層的空穴輸送性和電子俘獲性的平衡調(diào)整到適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述并苯系材料是蒽系材料。這樣的并苯系材料具有適度的電子俘獲性，并且能夠比較簡單地以高品質(zhì)的膜質(zhì)成膜。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述發(fā)光層含有并四苯衍生物作為主體材料、含有二茚并茈衍生物系衍生物作為客體材料。由此，能夠使發(fā)光層有效率地發(fā)出紅色光。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述電子中和層中的所述電子俘獲性材料的含量為 30wt% 70wt%。由此，即能夠抑制發(fā)光元件的驅(qū)動電壓，又能夠使電子中和層的電子俘獲性適度。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述電子中和層的平均厚度為20nm 60nm。由此，即能夠抑制發(fā)光元件的驅(qū)動電壓，又能夠使電子中和層的電子俘獲性適度。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層進一步具有設(shè)置在所述陽極與所述發(fā)光層之間的空穴注入層和設(shè)置在所述空穴注入層與所述發(fā)光層之間的空穴輸送層，并且所述電子中和層與所述發(fā)光層相接地設(shè)置在所述空穴輸送層與所述發(fā)光層之間。此時，能夠防止相對于電子中和層處于陽極側(cè)的其他層(例如空穴注入層、空穴輸送層)因電子而劣化。因此，即使在以高電流密度的電流驅(qū)動時，也能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。另外，能夠提高來自陽極的空穴注入性，并且能夠?qū)⒃摽昭ㄓ行实叵螂娮又泻蛯虞斔?。結(jié)果能夠提高發(fā)光元件的發(fā)光效率。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述有機層進一步具有設(shè)置在所述陽極與所述發(fā)光層之間的空穴注入層和設(shè)置在所述空穴注入層與所述發(fā)光層之間的空穴輸送層，所述電子中和層與所述空穴注入層和所述空穴輸送層這兩層相接地設(shè)置在所述空穴注入層與所述空穴輸送層之間。此時，能夠防止相對于電子中和層設(shè)置在陽極側(cè)的空穴注入層因電子而劣化。因此，即使在以高電流密度的電流驅(qū)動時，也能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。另外，通過電子中和層分別與空穴注入層和空穴輸送層相接，能夠使電子中和層的空穴輸送性優(yōu)異。另外， 電子中和層能夠快速地中和(消滅)侵入到空穴輸送層中的電子。在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選所述空穴輸送層具有阻擋電子的功能。由此，空穴輸送層既能夠從電子中和層向發(fā)光層輸送空穴，又能夠阻擋來自發(fā)光層的電子。因此，能夠有效率地將電子和空穴封閉在發(fā)光層中，提高發(fā)光效率。本發(fā)明的發(fā)光裝置特征在于，具備本發(fā)明的發(fā)光元件。這種發(fā)光裝置由于具備長壽命的發(fā)光元件，所以可靠性優(yōu)異。本發(fā)明的顯示裝置特征在于，具備本發(fā)明的發(fā)光裝置。這種顯示裝置能夠長期顯示高品質(zhì)的圖像，同時可靠性優(yōu)異。本發(fā)明的電子設(shè)備特征在于，具備本發(fā)明的顯示裝置。這種電子設(shè)備的可靠性優(yōu)異。


圖1是模式地表示本發(fā)明的第1實施方式的發(fā)光元件的截面圖。圖2是模式地表示本發(fā)明的第2實施方式的發(fā)光元件的截面圖。圖3是模式地表示本發(fā)明的第3實施方式的發(fā)光元件的截面圖。
圖4是模式地表示本發(fā)明的第4實施方式的發(fā)光元件的截面圖。圖5是模式地表示本發(fā)明的第5實施方式的發(fā)光元件的截面圖。圖6是表示適用本發(fā)明顯示裝置的顯示器裝置的實施方式的縱截面圖。圖7是表示適用本發(fā)明電子設(shè)備的移動型(或筆記本型)個人電腦的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖8是表示適用本發(fā)明電子設(shè)備的手機(也包括PHS)的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖9是表示適用本發(fā)明電子設(shè)備的數(shù)碼相機的結(jié)構(gòu)的立體圖。
具體實施例方式以下，參考附圖所示的優(yōu)選實施方式說明本發(fā)明的發(fā)光元件、發(fā)光裝置、顯示裝置和電子設(shè)備。<第1實施方式>圖1是模式地表示本發(fā)明的第1實施方式的發(fā)光元件的截面圖。應(yīng)予說明，以下， 為了便于說明，以圖1中的上側(cè)為“上”、下側(cè)為“下”進行說明。圖1所示的發(fā)光元件(電致發(fā)光元件)1是陽極3、空穴注入層4、空穴輸送層5、發(fā)光層6、電子輸送層7、電子注入層8、陰極9按照該順序?qū)盈B而成的。即，在發(fā)光元件1中， 在陽極3和陰極9之間插入層疊體14，層疊體14是空穴注入層4、空穴輸送層5、發(fā)光層6、 電子輸送層7、電子注入層8以該順序從陽極3側(cè)向陰極9側(cè)層疊而成的。應(yīng)予說明，本實施方式中，由空穴注入層4和空穴輸送層5組成的層疊體構(gòu)成了具有由陽極3向發(fā)光層6 輸送空穴的功能的有機層0。接著，發(fā)光元件1整體設(shè)置在基板2上，并且用密封部件10密封。在這種發(fā)光元件1中，通過對陽極3和陰極9施加驅(qū)動電壓，電子從陰極9側(cè)供給 (注入)到發(fā)光層6中，空穴從陽極3側(cè)供給(注入)到發(fā)光層6中。于是，在發(fā)光層6中， 空穴和電子再次結(jié)合，由在該再次結(jié)合時釋放的能量生成激子(exciton)，在激子返回基態(tài)時釋放(發(fā)出)能量(熒光、磷光)。由此，發(fā)光元件1發(fā)光。此時，在發(fā)光元件1中，由空穴注入層4和空穴輸送層5組成的層疊體(有機層0) 能夠發(fā)揮從陽極3向發(fā)光層6有效率地輸送空穴的第1功能。因此，可以提高發(fā)光元件1 的發(fā)光效率。特別是在發(fā)光元件1中，如后詳述，因為由空穴注入層4和空穴輸送層5組成的層疊體(有機層0)含有電子輸送性材料且分別與陽極3和發(fā)光層6相接，所以即使電子由發(fā)光層6侵入(注入)空穴輸送層5內(nèi)，空穴注入層4和空穴輸送層5也能向陽極3側(cè)快速地輸送該電子使其通過。由此，可發(fā)揮防止電子滯留在空穴注入層4和空穴輸送層5中的第2功能，結(jié)果可防止空穴注入層4和空穴輸送層5因電子而劣化。因此，即使在以高電流密度的電流進行驅(qū)動的情況下，也可以實現(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化?；?是支撐陽極3的部件。因為本實施方式的發(fā)光元件1是從基板2側(cè)發(fā)出光的結(jié)構(gòu)(底部發(fā)光型)，所以基板2和陽極3各自實質(zhì)上是透明的(無色透明、著色透明或半透明)。作為基板2的構(gòu)成材料，例如可舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、環(huán)烯烴聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚芳酯之類樹脂材料；石英玻璃、鈉玻璃之類玻璃材料等，可以使用它們中的1種或組合2種以上使用。該基板2的平均厚度沒有特別限定，但優(yōu)選是0. 1 30mm左右，更優(yōu)選是0. 1 IOmm左右。應(yīng)予說明，發(fā)光元件1是從基板2的相反側(cè)發(fā)出光的結(jié)構(gòu)(頂部發(fā)光型)時，透明基板和不透明基板均可用作基板2。作為不透明基板，例如可舉出由氧化鋁之類陶瓷材料構(gòu)成的基板、在不銹鋼之類金屬基板的表面形成氧化膜(絕緣膜)的基板、由樹脂材料構(gòu)成的基板等。另外，在這種發(fā)光元件1中，陽極3和陰極9間的距離(S卩，層疊體14的平均厚度)優(yōu)選是150 300nm，更優(yōu)選是150 250nm，進一步優(yōu)選是160 200nm。由此，可以簡單且確實地實現(xiàn)發(fā)光元件1的低驅(qū)動電壓化。以下，順次說明構(gòu)成發(fā)光元件1的各部分。[陽極]陽極3是介由后述的構(gòu)成有機層0的空穴注入層4和空穴輸送層5將空穴注入到發(fā)光層6中的電極。作為該陽極3的構(gòu)成材料，優(yōu)選使用功函數(shù)大、導(dǎo)電性優(yōu)異的材料。作為陽極3的構(gòu)成材料，例如可舉出ITO(氧化銦錫，Indium Tin Oxide)、ΙΖ0(氧化銦鋅，Indium Zinc Oxide)、In303、Sn02、含有 Sb 的 SnO2、含有 Al 的 ZnO 等氧化物；Au,Pt, Ag、Cu或含有它們的合金等，可以使用它們中的1種或組合2種以上使用。特別優(yōu)選陽極3由ITO構(gòu)成。ITO是具有透明性且功函數(shù)大、導(dǎo)電性優(yōu)異的材料。 由此，可以由陽極3向空穴注入層4有效率地注入空穴。另外，陽極3的有機層0中空穴注入層4側(cè)的表面(在圖1中為上面)優(yōu)選實施等離子體處理。由此，可以提高陽極3和空穴注入層4的接合面的化學(xué)和機械的穩(wěn)定性。結(jié)果可以提高由陽極3向空穴注入層4的空穴注入性。應(yīng)予說明，對于該等離子體處理，在后述的發(fā)光元件1的制造方法的說明中進行詳述。這種陽極3的平均厚度沒有特別限定，但優(yōu)選是10 200nm左右，更優(yōu)選是50 150nm左右。[陰極]另一方面，陰極9是介由后述的電子注入層8將電子注入到電子輸送層7中的電極。作為該陰極9的構(gòu)成材料，優(yōu)選使用功函數(shù)小的材料。作為陰極9的構(gòu)成材料，例如可舉出Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、k、Y、Yb、Ag、 Cu、Al、Cs、Rb或含有它們的合金等，可以使用它們中的1種或組合2種以上(例如，多層的層疊體、多種的混合層等)使用。特別是在使用合金作為陰極9的構(gòu)成材料時，優(yōu)選使用含有Ag、Al、Cu等穩(wěn)定的金屬元素的合金，具體而言是MgAg、AlLi、CuLi等合金。通過使用該合金作為陰極9的構(gòu)成材料，可以實現(xiàn)陰極9的電子注入效率和穩(wěn)定性的提高。該陰極9的平均厚度沒有特別限定，但優(yōu)選是100 IOOOOnm左右，更優(yōu)選是 100 500nm左右。應(yīng)予說明，因為本實施方式的發(fā)光元件1是底部發(fā)光型，所以對陰極9不特別要求透光性。[空穴注入層]
其中，作為空穴注入層4所含的空穴注入性材料，從空穴注入性和空穴輸送性優(yōu)異的觀點看，優(yōu)選使用胺系材料，更優(yōu)選使用二氨基苯衍生物，聯(lián)苯胺衍生物(具有聯(lián)苯胺骨架的材料)，分子內(nèi)具有“二氨基苯”單元和“聯(lián)苯胺”單元兩者的三胺系化合物、四胺系化合物。該空穴注入層4的平均厚度沒有特別限定，但優(yōu)選是5 90nm左右，更優(yōu)選是 10 70nm左右。(空穴輸送層)空穴輸送層5具有將從陽極3介由空穴注入層4而注入的空穴輸送到發(fā)光層6的功能(即具有空穴輸送性)。另外，如后詳述，空穴輸送層5也有輸送電子的功能。該空穴輸送層5包含具有空穴輸送性的材料(即空穴輸送性材料)和具有電子輸送性的材料(即電子輸送性材料)而構(gòu)成。應(yīng)予說明，對于空穴輸送層5所含的電子輸送性材料，與空穴注入層4所含的電子輸送性材料的說明一同在后詳述。在該空穴輸送層5所含的空穴輸送性材料中，可以單獨或組合使用各種ρ型高分子材料、各種P型低分子材料，例如可舉出下式(2)表示的N，N’ - 二(1-萘基)_N，N’ - 二苯基 _1，1，-聯(lián)苯 _4，4，- 二胺(NPD)、N，N，- 二苯基-N，N，-雙(3-甲基苯基)-1，1，-聯(lián)苯-4，4’_ 二胺(TPD)等四芳基聯(lián)苯胺衍生物，四芳基二氨基芴化合物或其衍生物(胺系化合物)等，可以使用它們中的1種或組合2種以上使用。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光元件，其特征在于，具有陽極，陰極，設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間的、通過在所述陽極和所述陰極之間通電而發(fā)光的發(fā)光層，和與所述陽極和所述發(fā)光層相接地設(shè)置在所述陽極和所述發(fā)光層之間的有機層；所述有機層具有輸送空穴的第1功能和防止從所述發(fā)光層侵入的電子滯留在所述有機層中的第2功能。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層通過所述第1功能發(fā)揮阻擋電子的功能。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層含有胺系材料，由此發(fā)揮所述第1 功能。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層整體包含具有電子輸送性的電子輸送性材料，由此發(fā)揮所述第2功能。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其中，所述電子輸送性材料是并苯系材料。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光元件，其中，所述并苯系材料由蒽系材料和萘并萘系材料中的至少一方構(gòu)成。
7.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層中的所述電子輸送性材料的含量是 30wt% 70wt%。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層由混合有并苯系材料和胺系材料的混合材料構(gòu)成，由此發(fā)揮所述第1功能和所述第2功能。
9.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層具有與所述陽極相接地設(shè)置在所述陽極和所述發(fā)光層之間的、含有空穴注入性材料而構(gòu)成的空穴注入層，與所述空穴注入層和所述發(fā)光層這兩層相接地設(shè)置在所述空穴注入層和所述發(fā)光層之間的、含有空穴輸送性材料而構(gòu)成的空穴輸送層，在所述空穴注入層和所述空穴輸送層中分別包含所述電子輸送性材料。
10.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層具有與所述陽極和所述發(fā)光層這兩層相接地設(shè)置在所述陽極和所述發(fā)光層之間的、含有空穴注入性材料而構(gòu)成的空穴注入層，所述電子輸送性材料包含在所述空穴注入層中。
11.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層具有與所述陽極和所述發(fā)光層這兩層相接地設(shè)置在所述陽極和所述發(fā)光層之間的、含有空穴輸送性材料而構(gòu)成的空穴輸送層，所述電子輸送性材料包含在所述空穴輸送層中。
12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層包含具有電子俘獲性的電子俘獲性材料，由此發(fā)揮所述第2功能。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光元件，其中，所述電子俘獲性材料是并苯系材料。
14.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層具有含有空穴輸送性材料和所述電子俘獲性材料的電子中和層。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層進一步具有設(shè)置在所述陽極與所述發(fā)光層之間的空穴注入層、設(shè)置在所述空穴注入層與所述發(fā)光層之間的空穴輸送層，所述電子中和層與所述發(fā)光層相接地設(shè)置在所述空穴輸送層與所述發(fā)光層之間。
16.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件，其中，所述有機層進一步具有設(shè)置在所述陽極與所述發(fā)光層之間的空穴注入層和設(shè)置在所述空穴注入層與所述發(fā)光層之間的空穴輸送層，所述電子中和層與所述空穴注入層和所述空穴輸送層這兩層相接地設(shè)置在所述空穴注入層與所述空穴輸送層之間。
17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光元件，其中，所述空穴輸送層具有阻擋電子的功能。
18.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件。
19.一種顯示裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求18所述的發(fā)光裝置。
20.一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求19所述的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明的發(fā)光元件具有陽極，陰極，設(shè)置在陽極與陰極之間的、通過在陽極與陰極之間通電而發(fā)光的發(fā)光層，與陽極和發(fā)光層相接地設(shè)置于陽極與發(fā)光層之間的有機層；所述有機層具有輸送空穴的第1功能和防止從所述發(fā)光層侵入的電子滯留于所述有機層中的第2功能。
文檔編號C09K11/06GK102386341SQ20111026330
公開日2012年3月21日 申請日期2011年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月6日
發(fā)明者山本英利, 白鳥幸也, 藤田徹司 申請人:精工愛普生株式會社