專利名稱：液處理裝置、液處理方法和存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及向基板供給處理液，對基板進(jìn)行液處理的液處理裝置、液處理方法和存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造工序的光刻工序中，向作為基板的半導(dǎo)體晶片(以下，稱為晶片)的表面供給抗蝕劑等的各種各樣的處理液。在進(jìn)行該光刻工序的涂覆、顯影裝置上設(shè)置有供給各處理液的液處理裝置。作為液處理裝置的一例，有抗蝕劑涂覆裝置。該抗蝕劑涂覆裝置例如具備用于涂覆抗蝕劑的涂覆處理部，該涂覆處理部具備保持晶片的保持部和包圍上述保持部所保持的晶片的側(cè)周、防止抗蝕劑的飛散的罩等。為了提高生產(chǎn)率，上述涂覆處理部在抗蝕劑涂覆裝置上設(shè)置多個(gè)，在各涂覆處理部上能夠同時(shí)對晶片進(jìn)行處理。為了減少成本和空間，有多個(gè)涂覆處理部共用供給抗蝕劑的噴嘴的情況。這種情況下，支撐在臂上的噴嘴，在橫向排列的罩上，沿該罩的排列方向移動(dòng)，向罩內(nèi)的各晶片供給抗蝕劑。例如，專利文獻(xiàn)1中記載了這樣的抗蝕劑涂覆裝置。此外，近年來，隨著半導(dǎo)體制品的多品種化，使用各種各樣種類的抗蝕劑。因此，存在構(gòu)成為在上述臂上安裝供給各種不同種類的抗蝕劑的噴嘴，使各噴嘴一起移動(dòng)的情況。 但是，如果是這種結(jié)構(gòu)，則在維修一個(gè)噴嘴的情況下，所有的噴嘴都移動(dòng)到涂覆處理部的外部設(shè)置的待機(jī)區(qū)域，使停止處理。但是，存在這樣進(jìn)行一個(gè)噴嘴的維修期間，其他的噴嘴進(jìn)行晶片的處理，以提高生產(chǎn)率的要求。專利文獻(xiàn)2中，記載了如下液處理裝置，其包括在多個(gè)罩的排列方向延伸的導(dǎo)軌；具有沿著導(dǎo)軌的長度方向移動(dòng)的基部和多個(gè)噴嘴的噴嘴待機(jī)部；和在與基部的移動(dòng)方向正交的方向進(jìn)退的臂。該液處理裝置，向各罩的面前側(cè)導(dǎo)引基部和噴嘴待機(jī)部使其移動(dòng)， 并且上述臂的前端部從噴嘴待機(jī)部接受噴嘴，向罩上方移動(dòng)，進(jìn)行處理。但是，為了使得噴嘴待機(jī)部和基部向罩的面前側(cè)移動(dòng)，必須以靠在各罩的面前側(cè)的方式設(shè)置上述導(dǎo)軌，因此具有增大裝置的設(shè)置面積的問題。此外，上述專利文獻(xiàn)1中，3個(gè)罩設(shè)置為直線狀。處理晶片時(shí)，從一端向另一端的罩跨過中間的罩移動(dòng)，但是，處理噴嘴通過該罩上方時(shí)，處理液從處理噴嘴滴到上述晶片，有可能發(fā)生缺陷。結(jié)果，有可能造成成品率下降。專利文獻(xiàn)1日本特開2010-04518專利文獻(xiàn)2日本特開2010-34210(圖1和圖8)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明考慮到上述事實(shí)而提出的，其目的在于提供一種液處理裝置，其能夠?qū)宓奶幚碇胁皇褂玫奶幚韲娮爝M(jìn)行維修，提高生產(chǎn)率并且實(shí)現(xiàn)省空間化得技術(shù)。本發(fā)明的液處理裝置包括
彼此在左右方向設(shè)置，用于水平配置各個(gè)基板，并通過來自噴嘴的處理液進(jìn)行處理的第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域相對于這些第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的并列設(shè)置在后方側(cè)，并圍繞鉛直軸轉(zhuǎn)動(dòng)自如的轉(zhuǎn)動(dòng)基體；在上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的外側(cè)以待機(jī)狀態(tài)設(shè)置在上述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上， 被上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域所共用，用于向基板供給各種不同的處理液的多個(gè)處理噴嘴；設(shè)置在轉(zhuǎn)動(dòng)基體上并且具備進(jìn)退自如的噴嘴保持部，通過上述噴嘴保持部保持從多個(gè)處理噴嘴中選擇的處理噴嘴，并向從上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中選擇的處理區(qū)域輸送的噴嘴輸送機(jī)構(gòu)；和使得轉(zhuǎn)動(dòng)基體旋轉(zhuǎn)，以相對于上述轉(zhuǎn)動(dòng)基體，使從上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中選擇的處理區(qū)域與噴嘴保持部的進(jìn)退方向的前方側(cè)相對的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部。本發(fā)明的液處理方法包括在彼此在左右方向設(shè)置的、用于通過來自噴嘴的處理液進(jìn)行處理的第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域水平配置各個(gè)基板的工序；使相對于這些第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的并列設(shè)置在后方側(cè)的轉(zhuǎn)動(dòng)基體圍繞鉛直軸轉(zhuǎn)動(dòng)的工序；使上述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上設(shè)置的、被上述第一處理區(qū)域和上述第二處理區(qū)域共用的多個(gè)處理噴嘴在上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的外側(cè)待機(jī)的工序；從各處理噴嘴向基板供給各種不同的處理液的工序；設(shè)置在上述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上并且具備進(jìn)退自如的噴嘴保持部，由上述噴嘴保持部保持從多個(gè)處理噴嘴中選擇的處理噴嘴的工序；通過噴嘴輸送機(jī)構(gòu)將噴嘴保持部輸送到從上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中選擇的處理區(qū)域的工序；通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部使轉(zhuǎn)動(dòng)基體轉(zhuǎn)動(dòng)，以相對于上述轉(zhuǎn)動(dòng)基體，使從上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中選擇的處理區(qū)域與噴嘴保持部的進(jìn)退方向的前方側(cè)相對的工序。本發(fā)明的存儲介質(zhì)存儲對基板進(jìn)行液處理的液處理裝置中使用的計(jì)算機(jī)程序，上述計(jì)算機(jī)程序用于實(shí)施上述液處理方法。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，包括在第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的外側(cè)以待機(jī)狀態(tài)設(shè)置在轉(zhuǎn)動(dòng)基體上的、被上述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域所共用的多個(gè)處理噴嘴；和設(shè)置在上述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上并對各處理區(qū)域自由進(jìn)退的噴嘴保持部，將選擇的處理噴嘴向各處理區(qū)域輸送，因此能夠?qū)υ诨逄幚碇胁皇褂玫奶幚韲娮爝M(jìn)行維修。因此，能夠抑制生產(chǎn)率降低。此外，沒有必要設(shè)置跨過各處理區(qū)域?qū)娮毂３植窟M(jìn)行引導(dǎo)的導(dǎo)引部件，能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的省空間化。例如，本裝置具有2個(gè)涂覆處理部，通過對應(yīng)于期望的生產(chǎn)率設(shè)置多個(gè)這樣結(jié)構(gòu)的裝置，噴嘴輸送部件沒有必要跨過涂覆處理部移動(dòng)。因此，能夠抑制從處理噴嘴向基板上滴下液體，抑制降低成品率。


圖1為本發(fā)明實(shí)施方式的抗蝕劑涂覆裝置的俯視圖。圖2為上述抗蝕劑涂覆裝置的立體圖。圖3為上述抗蝕劑涂覆裝置的涂覆處理部的縱截側(cè)視圖。圖4為上述抗蝕劑涂覆裝置的抗蝕劑供給部的側(cè)視圖。圖5為上述抗蝕劑供給部的主視圖。圖6為圖4的A-A箭頭方向截面圖。圖7為構(gòu)成上述抗蝕劑供給部的臂和臂保持部的立體圖。圖8為抗蝕劑供給噴嘴和調(diào)溫水供給部的縱截側(cè)視圖。圖9為上述抗蝕劑供給噴嘴的立體圖。圖10為上述調(diào)溫水供給部的橫截俯視圖。圖11為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的動(dòng)作的作用圖。圖12為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的動(dòng)作的作用圖。圖13為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的動(dòng)作的作用圖。圖14為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的動(dòng)作的作用圖。圖15為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的動(dòng)作的作用圖。圖16為表示上述抗蝕劑涂覆裝置的動(dòng)作的作用圖。圖17為表示交接抗蝕劑供給噴嘴的狀態(tài)的說明圖。圖18為表示交接抗蝕劑供給噴嘴的狀態(tài)的說明圖。圖19為表示交接抗蝕劑供給噴嘴的狀態(tài)的說明圖。圖20為表示進(jìn)行維修的狀態(tài)的說明圖。圖21為表示進(jìn)行維修的狀態(tài)的說明圖。圖22為其他的實(shí)施方式的抗蝕劑涂覆裝置的俯視圖。圖23為其他的實(shí)施方式的抗蝕劑涂覆裝置的俯視圖。圖M為其他的實(shí)施方式的抗蝕劑涂覆裝置的概略俯視圖。圖25為其他的實(shí)施方式的抗蝕劑涂覆裝置的概略俯視圖。符號說明1抗蝕劑涂覆裝置IlAUlB涂覆處理部12旋轉(zhuǎn)卡盤15 罩20基板輸送機(jī)構(gòu)21 筐體31轉(zhuǎn)動(dòng)臺32 基臺42水平移動(dòng)部60 臂61臂保持部68噴嘴保持部82純水供給噴嘴
83稀釋劑供給噴嘴91噴嘴待機(jī)部151控制部
具體實(shí)施例方式參照為俯視圖、立體圖的圖1、圖2對作為本發(fā)明的液處理裝置的實(shí)施方式的抗蝕劑涂覆裝置1進(jìn)行說明?？刮g劑涂覆裝置1包括2個(gè)涂覆處理部11和抗蝕劑供給部3，將作為基板的晶片W從前段的處理裝置輸送到上述涂覆處理部11。此外，抗蝕劑涂覆裝置1 具備包圍2個(gè)涂覆處理部11和抗蝕劑供給部3的筐體21，筐體21的側(cè)壁上設(shè)置2個(gè)輸送口 19。基板輸送機(jī)構(gòu)20通過這些輸送口 19，進(jìn)入筐體21內(nèi)，能夠與涂覆處理部11之間交接晶片W。涂覆處理部IlAUlB彼此橫向排列，具有相同結(jié)構(gòu)。為了說明方便，從抗蝕劑供給部3觀察，左右的涂覆處理部為11A、11B。參照表示涂覆處理部IlA的縱截側(cè)面的圖3進(jìn)行說明。涂覆處理部11具備旋轉(zhuǎn)卡盤12和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)13。旋轉(zhuǎn)卡盤12構(gòu)成吸附晶片 W的背面中央部以水平保持的基板保持部。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)13通過旋轉(zhuǎn)軸14與旋轉(zhuǎn)卡盤12 連接，通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)13，旋轉(zhuǎn)卡盤12以保持晶片W的狀態(tài)圍繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)。在旋轉(zhuǎn)卡盤12的周圍設(shè)置有包圍該旋轉(zhuǎn)卡盤12上的晶片W的側(cè)周的罩15。罩 15內(nèi)形成晶片W的處理區(qū)域。罩15的上方側(cè)形成開口部10，罩15的底部側(cè)設(shè)置有例如構(gòu)成凹部狀的受液部16。該受液部16上設(shè)置排液口 17。此外，在受液部16設(shè)置有立起的排氣管18，能夠?qū)φ?5內(nèi)的處理氣氛進(jìn)行排氣。圖23為構(gòu)成為升降自如的升降銷，在罩15內(nèi)設(shè)置3個(gè)(圖3為了方便僅表示2 個(gè))。對應(yīng)于向抗蝕劑涂覆裝置1上輸送晶片W的基板輸送機(jī)構(gòu)20的動(dòng)作，升降機(jī)構(gòu)M使升降銷23升降，在上述基板輸送機(jī)構(gòu)20和旋轉(zhuǎn)卡盤12之間交接晶片W。接著，參照圖4的側(cè)視圖和圖5的主視圖說明抗蝕劑供給部3?？刮g劑供給部3設(shè)置在從涂覆處理部IlAUlB間向筐體21的里側(cè)的位置。具備扁平的圓形的轉(zhuǎn)動(dòng)基體31，在轉(zhuǎn)動(dòng)基體31上設(shè)置方板狀的基臺32。轉(zhuǎn)動(dòng)基體31的內(nèi)部設(shè)置從動(dòng)輪33，該從動(dòng)輪33固定在轉(zhuǎn)動(dòng)基體31上。在轉(zhuǎn)動(dòng)基體31的附近設(shè)置主動(dòng)輪34，主動(dòng)輪34與構(gòu)成轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部的電動(dòng)機(jī)35的輸出軸連接。主動(dòng)輪34和從動(dòng)輪33上卷掛著帶36，電動(dòng)機(jī)35對主動(dòng)輪34旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，使得帶36轉(zhuǎn)動(dòng)，由此，使從動(dòng)輪33轉(zhuǎn)動(dòng)。與從動(dòng)輪33的轉(zhuǎn)動(dòng)聯(lián)動(dòng)的轉(zhuǎn)動(dòng)基體31， 與基臺32 —起圍繞鉛直軸轉(zhuǎn)動(dòng)。轉(zhuǎn)動(dòng)基體31的轉(zhuǎn)動(dòng)中心和涂覆處理部IlA的旋轉(zhuǎn)卡盤12 的轉(zhuǎn)動(dòng)中心的距離，與轉(zhuǎn)動(dòng)基體31的轉(zhuǎn)動(dòng)中心和涂覆處理部IlB的旋轉(zhuǎn)卡盤12的轉(zhuǎn)動(dòng)中心的距離相互相等。朝向涂覆處理部11側(cè)為前方側(cè)，在基臺32的后方側(cè)設(shè)置橫向延伸的導(dǎo)引部件41， 導(dǎo)引部件41上設(shè)置水平移動(dòng)部42?；_32的后端，在導(dǎo)引部件41的伸長方向設(shè)置主動(dòng)輪 44和從動(dòng)輪43，主動(dòng)輪44與電動(dòng)機(jī)45的輸出軸連接。主動(dòng)輪44和從動(dòng)輪43上卷掛著帶 46，帶46上與上述水平移動(dòng)部42連接。電動(dòng)機(jī)45對主動(dòng)輪44進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)，帶46轉(zhuǎn)動(dòng)。 隨著帶46的動(dòng)作，水平移動(dòng)部42被導(dǎo)引部件41引導(dǎo)，沿水平方向移動(dòng)。圖6為圖4的A-A箭頭向截面圖。如這些圖4和圖6所示，從水平移動(dòng)部42向著前方伸出支撐臺47，在支撐臺47上設(shè)置有主動(dòng)輪48和對該主動(dòng)輪48進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)49。此外，在水平移動(dòng)部42上設(shè)置向上方延伸的支柱51，在該支柱51上設(shè)置支撐部件52。 在支撐部件52上設(shè)置從動(dòng)輪53，在主動(dòng)輪48和從動(dòng)輪53上卷掛帶M。從動(dòng)輪53與在鉛直軸方向延伸的滾珠絲杠陽連接，滾珠絲杠55與位于支撐部件52上方的支撐部件56螺
I=I ο支撐部件56與后述的臂保持部61連接，臂保持部61與以上下方向延伸的方式設(shè)置在圖4所示的支柱51的引導(dǎo)件57連接。通過電動(dòng)機(jī)49旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)主動(dòng)輪48時(shí)，從動(dòng)輪 53與滾珠絲杠55 —起圍繞軸轉(zhuǎn)動(dòng)，臂保持部61沿著引導(dǎo)件57升降。下面，對臂保持部61進(jìn)行說明。臂保持部61形成上側(cè)和前方側(cè)開口的方形的箱狀，前后構(gòu)成為長尺的形狀。圖7表示臂保持部61的縱截側(cè)面，如該圖7所示，臂保持部61 的內(nèi)側(cè)側(cè)面的前后分別設(shè)置主動(dòng)輪62、從動(dòng)輪63。主動(dòng)輪62與設(shè)置在臂保持部61的側(cè)方的電動(dòng)機(jī)64的輸出軸連接。主動(dòng)輪62和從動(dòng)輪63上卷掛帶65。此外，在臂保持部61的底部設(shè)置導(dǎo)引部件66。臂保持部61內(nèi)設(shè)置構(gòu)成噴嘴輸送機(jī)構(gòu)并在前后方向較長的臂60。臂60的側(cè)方設(shè)置與上述帶65連接的連接部60a。圖中60b為與導(dǎo)引部件66卡合的卡合部。由電動(dòng)機(jī)64 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)主動(dòng)輪62，使帶65轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，臂60由導(dǎo)引部件66引導(dǎo)，以與水平移動(dòng)部42的移動(dòng)方向正交的方式前后移動(dòng)。臂60的背面的前端側(cè)設(shè)置方形塊狀的流路形成部件67，在流路形成部件67的下方設(shè)置圓柱形的噴嘴保持部68。噴嘴保持部68表示在粗的箭頭之前。臂60的前端設(shè)置前處理用噴嘴保持部81，在前處理用噴嘴保持部81的下方，在水平移動(dòng)部42的移動(dòng)方向設(shè)置純水供給噴嘴82和稀釋液供給噴嘴83。這些噴嘴82、83向下方開口。圖8中表示上述流路形成部件67和噴嘴保持部68的縱截側(cè)視圖。在流路形成部件67中形成空氣流路69，空氣流路69的上游側(cè)連接配管71。配管71的上游側(cè)分支、通過閥VI、V2，與空氣供給源72、排氣單元73連接。對于該配管71，在圖8以外的圖中為了方便省略圖示。噴嘴保持部68形成為中空，其內(nèi)部空間74連接上述空氣流路69的下游。噴嘴保持部68的側(cè)周設(shè)置孔部75。在孔部75設(shè)置突片76，該突片76對應(yīng)于內(nèi)部空間74的壓力在噴嘴保持部68的側(cè)周突出沒入。返回圖3和圖4繼續(xù)說明。轉(zhuǎn)動(dòng)基體31的前方側(cè)從上依次疊層設(shè)置方形塊狀的噴嘴待機(jī)部91和調(diào)溫水供給端口 92。噴嘴待機(jī)部91具備在上方側(cè)開口的11個(gè)孔部，孔部沿上述水平移動(dòng)部42的移動(dòng)方向排列。這些孔部作為后述的抗蝕劑供給噴嘴101的待機(jī)區(qū)域93而構(gòu)成。如圖4所示，待機(jī)區(qū)域93與流路94連接。在該流路94的上游側(cè)通過配管95與上述稀釋劑供給源87連接。配管95上存在閥V5。在待機(jī)區(qū)域93的下側(cè)設(shè)置立起的筒部96，筒部96內(nèi)連接廢液路徑97。向流路94 供給的稀釋劑，與筒部96的外壁沖突，達(dá)到筒部96上，供給到在待機(jī)區(qū)域93待機(jī)的抗蝕劑供給噴嘴101。由此，上述抗蝕劑供給噴嘴101的噴嘴主體部103被清洗。此外，后述的虛擬分配時(shí)從抗蝕劑供給噴嘴101供給的抗蝕劑供給筒部96內(nèi)，成為廢液。參照圖8對抗蝕劑供給噴嘴101進(jìn)行說明。抗蝕劑供給噴嘴101例如設(shè)置11個(gè)， 分別供給不同種類的抗蝕劑?？刮g劑供給噴嘴101具備方形的支撐部102、噴嘴主體部103。 噴嘴主體部103設(shè)置在支撐部102的下方，在下方側(cè)具備開口部104。
支撐部102上設(shè)置與上述開口部104連接的抗蝕劑流路105。形成調(diào)溫水供給路徑106，以包圍該抗蝕劑流路105。調(diào)溫水供給路徑106從抗蝕劑流路105的上游側(cè)向下游側(cè)形成，在該下游側(cè)折返，折返的流路是在調(diào)溫水供給路徑106的外側(cè)向著該供給路106的上游側(cè)形成。該折返流路為調(diào)溫水排出路徑107。各抗蝕劑供給噴嘴101的抗蝕劑流路105上連接具有可撓性的抗蝕劑供給管108 的一端。如圖3所示，抗蝕劑供給管108的另一端與存儲各個(gè)不同的抗蝕劑的抗蝕劑供給源 109連接。圖中的111，是抗蝕劑供給系統(tǒng)，包括設(shè)置在各抗蝕劑供給管108的氣動(dòng)閥112。 從后述的控制部151向該抗蝕劑供給系統(tǒng)111發(fā)送信號，使各氣動(dòng)閥112獨(dú)立開閉。由此， 控制各抗蝕劑供給噴嘴101的抗蝕劑的供給和切斷。返回圖8，支撐部102的上方側(cè)形成上側(cè)開口的凹部121，在凹部121的側(cè)周面在橫方向形成凹部122。上述噴嘴保持部68進(jìn)入凹部121，從該噴嘴保持部68突出的突片76 與凹部121卡合。由此，如圖9所示，抗蝕劑供給噴嘴101通過噴嘴保持部68保持在臂60 上。接著，參照該調(diào)溫水供給端口 92的縱截側(cè)面的圖8和表示橫截平面的圖10對調(diào)溫水供給端口 92進(jìn)行說明。在調(diào)溫水供給端口 92前后并列設(shè)置供給調(diào)溫水的供給空間131 和排出調(diào)溫水的排出空間132，各空間131、132由隔壁134分開。上述抗蝕劑供給管108前后貫通這些供給空間131和排出空間132。供給空間131和排出空間132上分別連接調(diào)溫水流通管133的一端和另一端，調(diào)溫水流通管133上設(shè)置泵130和例如由熱交換器構(gòu)成的調(diào)溫部135。此外，設(shè)置有包圍上述抗蝕劑供給管108的第一外管136、和包圍該第一外管136 的第二外管137。第一外管136從上述隔壁134向抗蝕劑供給噴嘴101的支撐部102延伸， 第二外管137從調(diào)溫水供給端口 92的外壁向上述支撐部102延伸。第一外管136和第二外管137構(gòu)成為具有可撓性?？刮g劑供給管108和第一外管136的間隙，構(gòu)成為調(diào)溫水供給路徑138。該調(diào)溫水供給路138的調(diào)溫水供給端口 92側(cè)與供給空間131連接，抗蝕劑供給噴嘴101側(cè)與調(diào)溫水供給路徑106連接。第一外管136和第二外管137的間隙構(gòu)成調(diào)溫水排出路徑139。調(diào)溫水排出路徑139的調(diào)溫水供給端口 92側(cè)與排出空間132連接，調(diào)溫水供給路徑138的抗蝕劑供給噴嘴101側(cè)與調(diào)溫水排出路徑107連接。即，通過這些配管、供給路徑和排出路徑形成調(diào)溫水循環(huán)路徑，在調(diào)溫部135調(diào)節(jié)了溫度的調(diào)溫水，通過泵130依次流過配管133 —供給空間131 —調(diào)溫水供給路徑138 —調(diào)溫水供給路徑106 —調(diào)溫水排出路徑107 —調(diào)溫水排出路徑139—排出空間132，從排出空間132流入調(diào)溫水流通管133。在調(diào)溫部135再次調(diào)節(jié)溫度。由此，流過抗蝕劑供給管108的抗蝕劑被調(diào)整為規(guī)定的溫度。如圖10所示，調(diào)溫水供給端口 92的調(diào)溫水的流路為對應(yīng)于各抗蝕劑供給管108 分叉的多歧管的結(jié)構(gòu)。供給空間131、排出空間132由各抗蝕劑供給管108共用，供給到供給空間131的調(diào)溫水被供給到各抗蝕劑供給管108周圍形成的調(diào)溫水供給路徑138。圖10 中箭頭表示調(diào)溫水的流路。雖然省略了圖示，但上述純水供給噴嘴82和稀釋劑供給噴嘴83，與抗蝕劑供給噴嘴101同樣，在純水和稀釋劑的流路的外側(cè)形成調(diào)溫水的供給路徑和排出路徑。此外，如圖 3所示，設(shè)置純水供給源86、與純水供給噴嘴82連接的配管84、稀釋劑供給源87、與稀釋劑供給噴嘴83連接的配管85。在這些配管84、85的外側(cè)，與抗蝕劑供給管108同樣也形成調(diào)溫水供給路徑，在其外側(cè)形成與上述供給路徑連接的調(diào)溫水排出路徑。圖4中的84a、85a 為形成上述調(diào)溫水排出路徑，而設(shè)置在配管84、85外側(cè)的外管。86a為外管8如、8如的連接器。圖中V3、V4為設(shè)置在上述配管84、85中的閥。圖3以外的各圖中，省略配管84、85的上游側(cè)的圖示。如圖1和圖4所示，在2個(gè)罩15、15之間設(shè)置虛擬分配部141。虛擬分配部141構(gòu)成為上側(cè)開口的接受盤形狀，其內(nèi)部構(gòu)成虛擬分配區(qū)域142。虛擬分配部141在抗蝕劑涂覆裝置1不進(jìn)行晶片W的處理的待機(jī)狀態(tài)時(shí)，使純水供給噴嘴82和稀釋劑供給噴嘴83位于該虛擬分配部141的上方，在定期進(jìn)行虛擬分配的情況下使用。虛擬分配區(qū)域142與排液管143連接，在虛擬分配區(qū)域142，從純水供給噴嘴82和稀釋劑供給噴嘴83噴出的各處理液經(jīng)由排液管143進(jìn)行排液。在該抗蝕劑涂覆裝置1上設(shè)置例如計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部151?？刂撇?51具備程序、存儲器、CPU構(gòu)成的數(shù)據(jù)處理部等，上述程序中寫入命令(各步驟)，以從控制部151向抗蝕劑涂覆裝置1的各部輸送控制信號，控制各電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)、閥的開關(guān)動(dòng)作和升降銷的升降等，進(jìn)行后述的各處理工序。該程序(包括處理參數(shù)的輸入操作或顯示相關(guān)的程序) 存儲于計(jì)算機(jī)存儲介質(zhì)，例如軟盤、光盤、硬盤、MO (光磁盤)、存儲卡等的存儲介質(zhì)，安裝在控制部151上。上述存儲器中將晶片W的批次的ID與提高抗蝕劑的濡性用的前處理(前濕潤) 中使用的噴嘴、使用的抗蝕劑供給噴嘴101相互對應(yīng)地進(jìn)行存儲。此外，在存儲器中存儲對每個(gè)抗蝕劑供給噴嘴101進(jìn)行虛擬分配的時(shí)間和進(jìn)行清洗處理的時(shí)間。虛擬分配是在抗蝕劑供給噴嘴101在噴嘴待機(jī)部91待機(jī)時(shí)，噴出抗蝕劑，除去抗蝕劑供給噴嘴101內(nèi)或抗蝕劑供給管108內(nèi)舊的抗蝕劑的動(dòng)作。上述清洗處理是在抗蝕劑供給噴嘴101在噴嘴待機(jī)部 91待機(jī)時(shí)，在待機(jī)區(qū)域93對抗蝕劑供給噴嘴101清洗的動(dòng)作。接著，參照圖11 圖16，說明通過該抗蝕劑涂覆裝置1，在晶片W上涂覆抗蝕劑的工序。此外，適當(dāng)?shù)貐⒄毡硎颈?0的側(cè)面的圖17 圖19。在本例中，通過基板輸送機(jī)構(gòu) 20，按照涂覆處理部IlAUlB的順序交替輸送晶片W。此外，在本例中，晶片W設(shè)定為通過純水供給噴嘴82進(jìn)行預(yù)濕潤。首先，在處理前一批的晶片W之前，純水供給噴嘴82在虛擬分配部141進(jìn)行虛擬分配(圖11 (a))。然后，開始用于處理晶片W的動(dòng)作。使臂60的上升、后退和水平移動(dòng)，如圖17所示，噴嘴保持部68移動(dòng)到對輸送給涂覆處理部IlA的晶片W進(jìn)行處理的抗蝕劑供給噴嘴101上方(圖11(b))。然后，臂60下降，如圖18所示，噴嘴保持部68進(jìn)入抗蝕劑供給噴嘴101的凹部121，突片76與設(shè)置在凹部121上的凹部122卡合。由此，噴嘴保持部68保持該抗蝕劑供給噴嘴101。臂60保持著上述抗蝕劑供給噴嘴101并上升，其后，使轉(zhuǎn)動(dòng)基體31轉(zhuǎn)動(dòng)，臂60的前端朝向涂覆處理部IlA0并且，該臂60的上升中和轉(zhuǎn)動(dòng)基體31的轉(zhuǎn)動(dòng)中，不通過水平移動(dòng)部42使臂60進(jìn)行橫方向的移動(dòng)。如果臂60朝向涂覆處理部11A，則如圖19所示，使臂 60前進(jìn)，直到其前端位于涂覆處理部IlA中的罩15的開口部10的外邊緣上方而停止(圖 12 (c))。此時(shí)，如圖中的虛線所示，使臂60位于使得旋轉(zhuǎn)卡盤12的中心P和進(jìn)行預(yù)濕潤的純水供給噴嘴82的軸與臂60的進(jìn)退方向偏移的位置。為了方便，該位置稱為臂60的處理準(zhǔn)備位置。
通過基板輸送機(jī)構(gòu)20將晶片W輸送到涂覆處理部11A，通過該基板輸送機(jī)構(gòu)20和升降銷23的協(xié)同作業(yè)，晶片W以相互的中心一致的方式交接到在旋轉(zhuǎn)卡盤12上。接著，臂 60前進(jìn)，純水供給噴嘴82位于晶片W的中心上方(圖12(d))。晶片W圍繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)，并且從純水供給噴嘴82向晶片W的中心部供給純水。供給的純水向晶片W的周邊部擴(kuò)散，提高晶片W的表面的抗蝕劑的濡濕性。如果停止供給純水，則使轉(zhuǎn)動(dòng)基體31轉(zhuǎn)動(dòng)，其后，臂60前進(jìn)，保持在臂60上的抗蝕劑供給噴嘴101位于晶片W的中心上方(圖13(e))從抗蝕劑供給噴嘴101將抗蝕劑供給晶片W的中心部。被供給的抗蝕劑，向晶片W的周邊部擴(kuò)散，在晶片W的整個(gè)表面涂覆抗蝕劑。如果停止供給抗蝕劑，則使該臂60后退，以使臂60的前端退出到罩15外(圖 13(f))。接著，使轉(zhuǎn)動(dòng)基體31轉(zhuǎn)動(dòng)，以使臂60的前端朝向涂覆處理部11B，臂60的前端停止在該涂覆處理部IlB的罩15的開口部10的外緣中的處理準(zhǔn)備位置(圖14(g))。此時(shí)， 也與在涂覆處理部IlA進(jìn)行處理同樣，臂60位于使得旋轉(zhuǎn)卡盤12的中心P和進(jìn)行預(yù)濕潤的純水供給噴嘴82的軸與臂60的進(jìn)退方向偏離的位置。以下，與在涂覆處理部IlA中進(jìn)行處理的情況相同，如果晶片W搬入涂覆處理部 11B，則使臂60前進(jìn)(圖14(h))，向晶片W上依次進(jìn)行預(yù)濕潤、抗蝕劑涂覆處理。在涂覆處理部IlB并行這些預(yù)濕潤、抗蝕劑涂覆處理，在涂覆處理部11A，依次進(jìn)行晶片W的旋轉(zhuǎn)停止，由基板輸送機(jī)構(gòu)20和升降銷23將晶片W搬出罩15外。這樣，在涂覆處理部IlAUlB反復(fù)進(jìn)行晶片W的處理。如果對一批中最后的晶片 W進(jìn)行處理，則臂60從罩15的外緣上繼續(xù)后退，該臂60的前端的噴嘴保持部68位于噴嘴待機(jī)部91上方時(shí)，上述后退動(dòng)作停止(圖15(i))。然后，使臂60下降，所保持的抗蝕劑供給噴嘴101返回噴嘴待機(jī)部91時(shí)，噴嘴保持部68對抗蝕劑供給噴嘴101的保持進(jìn)行解除。 接著，使臂60上升后，在橫方向移動(dòng)，上述噴嘴保持部68位于處理下一個(gè)批次的抗蝕劑供給噴嘴101上方時(shí)，停止向上述橫方向的移動(dòng)(圖15(j))。其后，使臂60下降，如上所述， 保持抗蝕劑供給噴嘴101，與前一批次的處理時(shí)同樣，移動(dòng)到處理準(zhǔn)備位置，繼續(xù)進(jìn)行處理 (圖 16(k))。晶片W的處理中，每經(jīng)過對各抗蝕劑供給噴嘴所設(shè)定的時(shí)間，在噴嘴待機(jī)部91抗蝕劑供給噴嘴101進(jìn)行噴出抗蝕劑的虛擬分配。圖20表示進(jìn)行該虛擬分配的狀態(tài)。，對于清洗處理也與虛擬分配同樣，每經(jīng)過規(guī)定的時(shí)間就進(jìn)行。圖21表示向待機(jī)區(qū)域93供給稀釋劑，對抗蝕劑供給噴嘴101進(jìn)行清洗的狀態(tài)?？刮g劑供給噴嘴101保持在臂60上時(shí)，到達(dá)執(zhí)行虛擬分配的時(shí)刻或進(jìn)行清洗處理的時(shí)刻的情況下，例如，現(xiàn)在處理中的批次的處理結(jié)束，返回噴嘴待機(jī)部91，進(jìn)行虛擬分配或清洗處理。根據(jù)該抗蝕劑涂覆裝置1，通過臂60保持抗蝕劑供給噴嘴101，對晶片W進(jìn)行處理。與該晶片W的處理并行，對于在噴嘴待機(jī)部91待機(jī)的抗蝕劑供給噴嘴101，能夠進(jìn)行虛擬分配或清洗處理等的維修。因此，能夠抑制維修帶來的抗蝕劑涂覆裝置1的生產(chǎn)率的降低。此外，與晶片W的處理并行，能夠?qū)⒃趪娮齑龣C(jī)部91待機(jī)的抗蝕劑供給噴嘴101的上游側(cè)的抗蝕劑供給源109中存儲的抗蝕劑更換稱其他種類的抗蝕劑，并且繼續(xù)從抗蝕劑供給噴嘴101噴出抗蝕劑，除去該噴嘴101和抗蝕劑供給管108中殘留的舊的抗蝕劑。這樣， 能夠抑制更換抗蝕劑時(shí)的生產(chǎn)率的降低。
此外，抗蝕劑涂覆裝置1使轉(zhuǎn)動(dòng)基體31轉(zhuǎn)動(dòng)，使臂60朝向各涂覆處理部11A、11B， 并使設(shè)置在轉(zhuǎn)動(dòng)基體31上的噴嘴待機(jī)部91移動(dòng)。由此，臂60從噴嘴待機(jī)部91接受抗蝕劑供給噴嘴101，并且能夠移動(dòng)到涂覆處理部IlAUlB上的處理位置。因此，不必為了使臂 60和噴嘴待機(jī)部91移動(dòng)到各涂覆處理部11A、1IB上方，而跨過涂覆處理部11A、1IB設(shè)置導(dǎo)引件，因此能夠抑制抗蝕劑涂覆裝置1的設(shè)置面積變大。此外，因?yàn)槿绱伺帕?個(gè)罩，使抗蝕劑供給噴嘴101在其之間移動(dòng)，所以例如在進(jìn)行抗蝕劑涂覆后、抗蝕劑供給噴嘴101不需要跨過進(jìn)行干燥等的晶片W的上方。因此，能夠抑制處理液從抗蝕劑供給噴嘴101、純水供給噴嘴82和稀釋劑供給噴嘴83滴落處理中的晶片W上，因此能夠抑制成品率降低。此外，在本例中，直到向罩15內(nèi)輸送晶片W，臂60的前端在罩15的開口部10的外緣停止，純水供給噴嘴82的純水的噴出位置從旋轉(zhuǎn)卡盤12的中心與臂60的前進(jìn)方向偏離。晶片W搬入罩15內(nèi)時(shí)，使臂60前進(jìn)，進(jìn)行預(yù)濕潤。因此，能夠迅速開始晶片W的處理， 能夠?qū)崿F(xiàn)生產(chǎn)率的提高。在不進(jìn)行預(yù)濕潤的情況下，代替純水供給噴嘴82，抗蝕劑供給噴嘴 101在相同的位置待機(jī)，能夠迅速對晶片W進(jìn)行處理。進(jìn)而，上述例子中，臂60相對于涂覆處理部IlAUlB進(jìn)退時(shí)，臂60不進(jìn)行向抗蝕劑供給噴嘴101的排列方向的移動(dòng)，因此能夠防止與保持在臂60上的抗蝕劑供給噴嘴101連接的外管137相對于該外管137的伸長方向傾斜移動(dòng)。因此，能夠抑制與保持在臂60上的抗蝕劑供給噴嘴101連接的外管137與其他的外管137或裝置1的結(jié)構(gòu)物摩擦而劣化，或產(chǎn)生顆粒。此外，上述例子中，從各抗蝕劑供給噴嘴101供給不同的化合物的抗蝕劑，也可以供給相同的化合物構(gòu)成的抗蝕劑而各個(gè)的溫度不同的抗蝕劑。從各處理噴嘴供給的“不同的處理液”是指，包括液體的種類不同的情況、和液體的種類相同但溫度不同的情況等。此外，上述實(shí)施方式中，對抗蝕劑供給裝置進(jìn)行說明，但本發(fā)明，能夠適用于對于2 個(gè)罩，從各個(gè)噴嘴供給多種處理液，進(jìn)行液處理的裝置和方法。具體而言，能夠適用于清洗、 蝕刻等的基板表面處理裝置和基板表面處理方法。并且，在上述例子中，在相同的筐體21內(nèi)設(shè)置2個(gè)涂覆處理部IlAUlB和1個(gè)抗蝕劑供給部3，但是，例如也可以如圖22的結(jié)構(gòu)。在該例中，在筐體21內(nèi)還設(shè)置與涂覆處理部IlAUlB同樣結(jié)構(gòu)的涂覆處理部11C、11D，在筐體21內(nèi)，涂覆處理部IlA IlD直線排列?？刮g劑供給部3設(shè)置2個(gè)，一個(gè)抗蝕劑供給部3的轉(zhuǎn)動(dòng)基體31離開涂覆處理部11A、 IlB等距離設(shè)置，另一個(gè)抗蝕劑供給部31的轉(zhuǎn)動(dòng)基體3離開涂覆處理部IlCUlD等距離設(shè)置。例如，與在各涂覆處理部IlA IlD上方通過涂覆處理部IlA IlD共用的抗蝕劑供給噴嘴101的結(jié)構(gòu)相比，不會有抗蝕劑供給噴嘴101跨過處理晶片W中的罩，向其他罩移動(dòng)的現(xiàn)象，因此，能夠抑制在上述晶片W上落下抗蝕劑而引起的成品率的下降。圖23表示其他的抗蝕劑涂覆裝置的例子。在該抗蝕劑涂覆裝置中，由隔壁164將涂覆處理部IlA的周圍的空間161、涂覆處理部IlB的周圍的空間162、抗蝕劑供給部3的周圍的空間163彼此分開?？臻g161和空間163之間形成開口部165，空間162和空間163 之間形成開口部166。各開口部165、166上分別設(shè)置自由開閉這些開口部165、166的擋板 167、168。涂覆處理部IlA中進(jìn)行晶片W的處理時(shí)，開口部165的擋板167打開，臂60進(jìn)入空間161。此外，涂覆處理部IlB中進(jìn)行晶片W的處理時(shí)，開口部166的擋板168打開，臂 60進(jìn)入空間162。
除了如此進(jìn)行涂覆處理部IlAUlB的處理的情況之外，擋板167、168分別關(guān)閉。由此，抑制涂覆處理部IlAUlB中的一方的氣氛流入另一方的氣氛。這樣的結(jié)構(gòu)，對于一個(gè)涂覆處理部的罩的氣氛流入另一個(gè)涂覆處理部的罩而在另一個(gè)涂覆處理部的處理受到影響的情況是有效的。例如，在涂覆處理部IlAUlB使用不同的抗蝕劑，各抗蝕劑成分相互起化學(xué)反應(yīng)變質(zhì)的情況下，使用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠更可靠抑制成品率降低。上述實(shí)施方式中，通過純水進(jìn)行預(yù)濕潤，但是使用稀釋劑的情況也與使用純水的情況相同，向晶片W的中心供給該稀釋劑。此外，作為預(yù)濕潤使用的處理液，也可以使用稀釋劑和水的混合液，這種情況下，例如在預(yù)濕潤用的處理液的供給源86、87中代替稀釋劑和水而存儲上述混合液，能夠從噴嘴82、83向晶片W供給。此外，稀釋劑和水中的任一方先從噴嘴噴出，接著，另一方從上述噴嘴噴向晶片W也可以。進(jìn)而，也可以將稀釋劑和水同時(shí)向晶片W的中心供給，將噴嘴82、83安裝在噴嘴保持部81上使得這些的混合液能夠供給到晶片W。如圖M所示，臂60也可以構(gòu)成為多關(guān)節(jié)臂。但是，如上述各例那樣，臂60構(gòu)成為由各導(dǎo)引部件引導(dǎo)，在抗蝕劑供給噴嘴101的配置方向水平移動(dòng)，并且從朝向各罩15的位置前進(jìn)移動(dòng)，由此，能夠有效使得裝置的制造成本降低。此外，如圖25所示，也可以在臂60的前進(jìn)方向配置抗蝕劑供給噴嘴101。在旋轉(zhuǎn)卡盤12的轉(zhuǎn)動(dòng)中心P和轉(zhuǎn)動(dòng)基體的轉(zhuǎn)動(dòng)中心Q的連接線上配置抗蝕劑供給噴嘴101。此外，預(yù)濕潤用的純水供給噴嘴82也可以位于該線上。這種情況下，臂只進(jìn)行升降動(dòng)作、前進(jìn)動(dòng)作，就能夠?qū)⒖刮g劑供給噴嘴101輸送到晶片W上方，進(jìn)行處理。因此，可以不設(shè)置臂60 的水平移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所以能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本的降低。
權(quán)利要求
1.一種液處理裝置，其特征在于，包括第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域，彼此在左右方向設(shè)置，用于水平配置各個(gè)基板，并通過來自噴嘴的處理液進(jìn)行處理；轉(zhuǎn)動(dòng)基體，相對于這些第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的并列，設(shè)置在后方側(cè)，并圍繞鉛直軸轉(zhuǎn)動(dòng)自如；多個(gè)處理噴嘴，在所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的外側(cè)以待機(jī)狀態(tài)設(shè)置在所述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上，被所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域所共用，并且用于向基板供給各種不同的處理液；噴嘴輸送機(jī)構(gòu)，其設(shè)置在所述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上并且具備自由進(jìn)退的噴嘴保持部，通過所述噴嘴保持部保持從多個(gè)處理噴嘴中選擇的處理噴嘴，并向從所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中選擇的處理區(qū)域輸送；和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部，使轉(zhuǎn)動(dòng)基體轉(zhuǎn)動(dòng)，以相對于所述轉(zhuǎn)動(dòng)基體，使從所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中選擇的處理區(qū)域與噴嘴保持部的進(jìn)退方向的前方側(cè)相對。
2.如權(quán)利要求1所述的液處理裝置，其特征在于所述第一處理區(qū)域的基板保持區(qū)域的中心和所述第二處理區(qū)域的基板保持區(qū)域的中心各自到轉(zhuǎn)動(dòng)基體的轉(zhuǎn)動(dòng)中心的距離相等。
3.如權(quán)利要求1或2所述的液處理裝置，其特征在于 所述轉(zhuǎn)動(dòng)基體具備使得所述處理噴嘴待機(jī)的待機(jī)部。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的液處理裝置，其特征在于 設(shè)置有控制所述噴嘴保持部的動(dòng)作的控制部，第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域設(shè)置在上側(cè)開口的罩內(nèi)，所述控制部執(zhí)行直到基板被輸送到所述罩內(nèi)，使保持處理噴嘴的噴嘴保持部移動(dòng)到該罩的開口部的外緣之后，在該外緣停止的步驟，和將基板輸送到罩內(nèi)后，使噴嘴保持部向所述基板上方移動(dòng)的步驟。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的液處理裝置，其特征在于 所述多個(gè)處理噴嘴在與噴嘴保持部的進(jìn)退方向正交的方向排列，所述噴嘴保持部構(gòu)成為，以能夠移動(dòng)到對應(yīng)于所選擇的處理噴嘴的位置的方式，在多個(gè)處理噴嘴的排列方向移動(dòng)自如。
6.如權(quán)利要求5所述的液處理裝置，其特征在于設(shè)置有控制所述噴嘴保持部和轉(zhuǎn)動(dòng)基體的動(dòng)作的控制部， 所述控制部執(zhí)行使噴嘴保持部在多個(gè)處理噴嘴的排列方向移動(dòng)，將處理噴嘴交接到噴嘴保持部的步驟；使轉(zhuǎn)動(dòng)基體轉(zhuǎn)動(dòng)，以使所述第一處理區(qū)域或所述第二處理區(qū)域位于保持處理噴嘴的噴嘴保持部的進(jìn)行方向的步驟；和使所述噴嘴保持部向第一處理區(qū)域或第二處理區(qū)域前進(jìn)的步驟。
7.一種液處理方法，其特征在于，包括在彼此在左右方向設(shè)置，并用于通過來自噴嘴的處理液進(jìn)行處理的第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域水平配置各個(gè)基板的工序；使得相對于這些第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的并列而設(shè)置在后方側(cè)的轉(zhuǎn)動(dòng)基體圍繞鉛直軸轉(zhuǎn)動(dòng)的工序；使設(shè)置在所述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上的、被所述第一處理區(qū)域和所述第二處理區(qū)域共用的多個(gè)處理噴嘴在所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的外側(cè)待機(jī)的工序； 從各處理噴嘴向基板供給各種不同的處理液的工序；設(shè)置在所述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上并且具備進(jìn)退自如的噴嘴保持部，由所述噴嘴保持部保持從多個(gè)處理噴嘴中選擇的處理噴嘴的工序；通過噴嘴輸送機(jī)構(gòu)將噴嘴保持部輸送到從所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中選擇的處理區(qū)域的工序；通過轉(zhuǎn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)部使轉(zhuǎn)動(dòng)基體旋轉(zhuǎn)，以相對于所述轉(zhuǎn)動(dòng)基體使從所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中選擇的處理區(qū)域與噴嘴保持部的進(jìn)退方向的前方側(cè)相對的工序。
8.如權(quán)利要求7所述的液處理方法，其特征在于第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域設(shè)置在上側(cè)開口的罩內(nèi)， 所述液處理方法具備直到基板輸送到所述罩內(nèi)，使保持處理噴嘴的噴嘴保持部移動(dòng)到該罩的開口部的外緣的工序；使噴嘴保持部停止在該開口部的外緣的工序；和將基板輸送到罩內(nèi)后，使噴嘴保持部向所述基板上方移動(dòng)的工序。
9.如權(quán)利要求7或8所述的液處理方法，其特征在于 多個(gè)處理噴嘴在與噴嘴保持部正交的方向排列， 所述液處理方法具備使噴嘴保持部在多個(gè)處理噴嘴的排列方向移動(dòng)的工序； 噴嘴保持部接受處理噴嘴的工序；使轉(zhuǎn)動(dòng)基體轉(zhuǎn)動(dòng)，以使所述第一處理區(qū)域或所述第二處理區(qū)域位于保持有噴嘴的噴嘴保持部的進(jìn)行方向的工序；和使接受有處理噴嘴的噴嘴保持部前進(jìn)至第一處理區(qū)域或所述第二處理區(qū)域的工序。
10.一種存儲介質(zhì)，其特征在于其存儲有對基板進(jìn)行液處理的液處理裝置所使用的計(jì)算機(jī)程序， 所述計(jì)算機(jī)程序是用于實(shí)施權(quán)利要求7 9中的任一項(xiàng)所述的液處理方法的程序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液處理裝置，其能夠?qū)逄幚碇胁皇褂玫奶幚韲娮爝M(jìn)行維修，能夠?qū)崿F(xiàn)提高生產(chǎn)率和省空間化。該液處理裝置包括圍繞鉛直軸自由旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)動(dòng)基體；在第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域的外側(cè)以待機(jī)狀態(tài)設(shè)置在所述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上，并被所述第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域所共用，用于向基板供給各種不同的處理液的多個(gè)處理噴嘴；設(shè)置在所述轉(zhuǎn)動(dòng)基體上并且具備進(jìn)退自如的噴嘴保持部，通過所述噴嘴保持部保持從多個(gè)處理噴嘴中選擇的處理噴嘴，并輸送到從第一處理區(qū)域和第二處理區(qū)域中選擇的處理區(qū)域的噴嘴輸送機(jī)構(gòu)，在待機(jī)部對待機(jī)的處理噴嘴進(jìn)行維修。
文檔編號B05C11/10GK102386066SQ20111026401
公開日2012年3月21日 申請日期2011年9月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月1日
發(fā)明者瀧口靖史, 稻田博一, 笹川典彥 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社