專利名稱：其上沉積有薄金屬膜和防指紋透明涂層的聚合物基底及相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有沉積于其上的薄金屬膜和沉積在該薄金屬膜上的顯示理想外觀和防指紋特性的透明涂層的聚合物基底以及相關(guān)的涂布基底的方法。
背景技術(shù)：
聚合物基底對于多種應(yīng)用是理想的，諸如消費者電子設(shè)備(包括，例如，移動電話、個人數(shù)碼助手、智能手機、個人計算機、數(shù)碼攝像機等)等等。通常出于美觀的原因，有時需要為這樣的聚合物基底賦予金屬化外觀。為做到這點，有時將薄金屬膜沉積到基底上，隨后沉積可包含一個或多個涂料層的保護性涂層體系。在某些應(yīng)用中，諸如當(dāng)將涂層施加到通常由人操縱的物品(諸如消費者電子設(shè)備)上時，可能需要具有對指紋污染有抵抗力的涂層。同樣地，通常需要這樣的涂層顯示疏油性(與非水性有機物質(zhì)不相容)。另外，用于制造前述物品的許多基底材料諸如塑料對熱的應(yīng)用能夠是敏感的。因此，需要熱來固化的涂料組合物可能不適用。出于這種原因以及環(huán)境利益和減少能量使用，在這樣的應(yīng)用中，尤其是當(dāng)涂料組合物對輻射透明時，諸如在使用透明面漆的情況中，可以理想地采用輻射固化涂料，諸如通過曝露于紫外(“UV”)輻射來固化的那些。因此，可以理想·地提供具有沉積在其上的薄金屬膜和沉積在該薄金屬膜上的具有理想外觀和防指紋特性的透明涂層的聚合物基底，同時采用輻射固化的透明涂層。

發(fā)明內(nèi)容
在某些方面，本發(fā)明涉及涂布聚合物基底的方法。所述方法包括將透明輻射固化成膜組合物沉積到已沉積在所述聚合物基底上的薄金屬膜上，其中所述透明輻射固化成膜組合物包括含氟輻射固化化合物。在其它方面，本發(fā)明涉及聚合物基底，其包括沉積在該基底的至少一部分上的薄金屬膜和沉積在該薄金屬膜上的透明面漆(topcoat)，其中所述透明面漆包括輻射固化組合物，所述輻射固化組合物包括含氟輻射固化化合物。
具體實施例方式為以下詳細描述的目的，應(yīng)理解除非特別表明相反，本發(fā)明可采取多種可替代的變化和步驟順序。另外，除了任何操作實施例或另外指明之外，說明書和權(quán)利要求書中所用的表明例如成分數(shù)量的所有數(shù)字應(yīng)被理解為在所有情況中用術(shù)語“約”修飾。因此，除非表明相反，以下說明書和所附權(quán)利要求中闡述的數(shù)值參數(shù)都是可取決于要通過本發(fā)明獲得的理想特性而變的近似值。至多，而且并非試圖將等價原則的應(yīng)用限制到權(quán)利要求的范圍，每個數(shù)值參數(shù)應(yīng)至少被解釋為根據(jù)所報告的顯著點的數(shù)字，并且通過應(yīng)用一般舍入技術(shù)。盡管闡述本發(fā)明的寬范圍的數(shù)值范圍和參數(shù)是近似值，具體實施例中闡述的數(shù)值被盡可能精確地報告。然而，任何數(shù)值固有地包含某些因在其各自的測試測量結(jié)果中發(fā)現(xiàn)的標(biāo)準差異所必然導(dǎo)致的誤差。同樣，應(yīng)理解本文所述的任何數(shù)值范圍意圖包含其中所包含的所有子范圍。例如，“I到10”的范圍意圖包含在所述最小值I和所述最大值10之間(以及包含這二者)的所有子范圍，也就是說，具有等于或大于I的最小值以及等于或小于10的最大值的所有子范圍。在本申請中，除非另外明確闡明，單數(shù)的使用包括復(fù)數(shù)且復(fù)數(shù)涵蓋單數(shù)。而且，在本發(fā)明中，除非另外明 確闡明，“或”的使用表示“和/或”，即使“和/或”在某些情況中被明確使用。如所表明地，本發(fā)明的某些實施方式涉及涂布聚合物基底的方法。適合用于本發(fā)明中的聚合物基底的例子包括但不限于由聚苯乙烯、聚酰胺、聚酯、聚乙烯、聚丙烯、三聚氰胺樹脂、聚丙烯酸酯、聚丙烯腈、聚氨酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯吡咯烷酮及相應(yīng)的共聚物和嵌段共聚物、可生物降解的聚合物以及天然聚合物(諸如明膠)構(gòu)成的基底。在某些實施方式中，基底包括聚酰胺，諸如增強聚酰胺基底。如本文所用的，術(shù)語“聚酰胺基底”是指由包含下式的重復(fù)單元的聚合物構(gòu)成的基
底
權(quán)利要求
1.一種涂布聚合物基底的方法，包括將透明輻射固化成膜組合物沉積到已沉積在所述聚合物基底上的薄金屬膜上，其中所述透明輻射固化成膜組合物包括含氟輻射固化化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述薄金屬膜的厚度至少為0.2毫微米且不多于5,000毫微米。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述薄金屬膜的厚度至少為10毫微米且不多于1,000毫微米。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述薄金屬膜包括選自鋁、鎳、銅、鉻、不銹鋼、錫的金屬，和/或前述任何金屬的合金。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述薄金屬膜通過真空金屬化工藝沉積。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述透明輻射固化成膜組合物包括含有聚氨酯(甲基)丙烯酸酯的輻射固化化合物。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氟輻射固化化合物由如下通式代表: (Ra) x-W-(Rf)y 其中: (i)每個Ra獨立地代表輻射固化部分； ( )每個Rf獨立地代表氟化部分； (iii)x至少是2; (iv)y至少是I;和 (v)W是連接Ra和Rf的基團。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氟輻射固化化合物包括全氟型聚合物。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述含氟輻射固化化合物包括全氟聚醚和每分子一個或多個可聚合不飽和基團。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述含氟輻射固化化合物由如下通式代表:
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中m+ η = 3。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中R包括一個或多個氨基甲酸酯基團。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述透明輻射固化成膜組合物還包括無機顆粒。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述無機顆粒包括無機氧化物顆粒。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述無機氧化物顆粒包括二氧化硅。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述無機顆粒用氟硅烷進行表面處理。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述氟硅烷由如下通式代表: (Sy)r-W-(Rf)s 其中:(a)每個Sy獨立地代表可水解硅烷部分；(b) Rf是F或氟化物部分；(c) r至少是l;(d)s至少是I;和(e) W是單鍵或連接基團。
18.—種聚合物基底，包括沉積在所述基底的至少一部分上的薄金屬膜和沉積在所述薄金屬膜上的透明面漆，其中所述透明面漆包括包含輻射固化組合物，所述輻射固化組合物包括含氟輻射固 化化合物。
全文摘要
本發(fā)明公開了涂布聚合物基底的方法。所述方法包括(a)將薄金屬膜沉積到聚合物基底上，和(b)將透明輻射固化成膜組合物沉積到薄金屬膜上，其中所述透明輻射固化成膜組合物包括含氟輻射固化化合物。
文檔編號B05D5/06GK103249498SQ201180059049
公開日2013年8月14日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月10日
發(fā)明者D.C.馬丁, K.A.休姆伯特, B.K.雷里克 申請人:Ppg俄亥俄工業(yè)股份有限公司