專利名稱：涂敷膜形成方法和涂敷膜形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種從狹縫狀的噴出口向基板噴出處理液并形成規(guī)定膜厚的涂敷膜的涂敷膜形成方法和涂敷膜形成裝置。
背景技術(shù)：
例如，在FPD(平板顯示器FLAT PANEL DISPLAY)的制造過程中，利用所謂的光刻工序形成電路圖案。在該光刻工序中，在基板等基板上形成規(guī)定的膜之后，涂敷作為處理液的光致抗 蝕劑(以下稱為抗蝕劑)，形成抗蝕劑膜(感光膜)。然后，與電路圖案相對應(yīng)地曝光上述抗蝕劑膜，對曝光后的上述抗蝕劑膜進(jìn)行顯影處理，形成圖案。在這樣的光刻工序中，作為向基板涂敷抗蝕劑液而在基板上形成抗蝕劑膜的方法，例如，如專利文獻(xiàn)I中公開的那樣，存在一種從狹縫狀的噴嘴噴出口以帶狀噴出抗蝕劑液并將抗蝕劑液涂敷到基板上的方法。利用圖14簡單地說明以往的使用該方法的抗蝕劑涂敷裝置。圖14所示的抗蝕劑涂敷裝置200包括長條的載置臺201，基板G在該載置臺201之上被輸送；抗蝕劑供給噴嘴202，其配置在該載置臺201的上方；基板輸送部件203，其用于沿載置臺201的長度方向(X方向)輸送基板G。在抗蝕劑供給噴嘴202上設(shè)有具有在基板的寬度方向(Y方向)上延伸的細(xì)小間隙的狹縫狀的噴出口 202a，抗蝕劑液供給源204借助泵205供給的抗蝕劑液從噴出口 202a噴出。另外，該基板輸送部件203包括一對軌道203a，其沿載置臺201鋪設(shè)在載置臺201的左右兩側(cè)；一對滑動件203b，其能夠沿軌道203a移動；基板保持部203c，其分別設(shè)在該滑動件203b上，并分別從下方吸附保持基板G的角部。S卩，基板G的四角被基板保持部203c保持，該滑動件203b沿軌道203a移動，從而使基板G在載置臺201上移動。另外，在圖14所示的結(jié)構(gòu)中，基板G處于懸浮在載置臺201上的狀態(tài)，使得基板G的下表面不與載置臺201接觸。具體而言，在載置臺201的上表面設(shè)有用于噴出氣體的多個氣孔201a，借助從上述氣孔201a噴出的氣流抬起基板G的下表面。在這樣構(gòu)成的抗蝕劑涂敷裝置中，在要對基板G涂敷形成抗蝕劑膜的情況下，利用基板輸送部件203在載置臺201上開始輸送基板G。另外，在基板G的前端部到達(dá)抗蝕劑供給噴嘴202的下方時，暫時停止輸送基板G。然后，在使噴嘴202的噴出口 202a與基板G前端對位的狀態(tài)下，從噴出口 202a開始噴出抗蝕劑液，并且再次開始輸送基板G。由此，在基板G上呈膜狀涂敷抗蝕劑液。另外，在基板G的后端達(dá)到噴嘴202的下方時，停止從噴出口 202a噴出抗蝕劑液，并且停止輸送基板G，在基板G上形成規(guī)定膜厚的抗蝕劑膜。另外，在如圖14所示的抗蝕劑涂敷裝置200中，如上所述，在噴嘴頂端的噴出口202a從基板G的前端到后端相對于基板G進(jìn)行掃描的期間，抗蝕劑液從噴出口 202a噴出。在該涂敷期間，基板G從停止?fàn)顟B(tài)加速到規(guī)定速度，并被以恒定速度輸送之后停止。另一方面，對于向噴嘴202供給抗蝕劑液的泵205，其泵內(nèi)壓上升到規(guī)定值，并維持上述規(guī)定值的壓力直到涂敷期間結(jié)束，之后進(jìn)行減壓。在此，在上述基板G的移動速度及泵內(nèi)壓恒定時，從噴嘴噴出口 202a穩(wěn)定地噴出恒定流量的抗蝕劑液，并形成恒定的膜厚。但是，存在以下問題，S卩，在涂敷開始時，即使基板G的輸送開始(加速時)的時機(jī)與泵205的啟動(泵內(nèi)壓的上升)的時機(jī)為同時且始終成正比例關(guān)系，抗蝕劑膜在基板G的前端部也達(dá)不到希望的膜厚，基板G的有效面積(產(chǎn)品能夠使用的區(qū)域)變小。產(chǎn)生上述問題的原因在于在對基板G進(jìn)行涂敷動作(基板G與泵的動作)之前，在噴嘴噴出口 202a上附著有啟動加注(priming)處理后的抗蝕劑液的堆積部(以下稱為液珠(bead))，該少量的抗蝕劑液在涂敷開始部對抗蝕劑膜的膜厚有影響。為了解決上述問題，以往，利用如下述的方法多次進(jìn)行了以實際的涂敷處理為標(biāo)準(zhǔn)的試驗用涂敷處理在涂敷動作中，每次對用于控制噴嘴202的噴出壓力的時間特性的 噴出壓力控制波形及用于控制基板移動速度的時間特性的基板移動速度控制波形中的至少一個進(jìn)行改變或修正。然后，確定其中能得到膜厚均勻性最好的抗蝕劑膜的噴出壓力控制波形及基板移動速度控制波形的組合，并且將所確定的該噴出壓力控制波形及基板移動速度控制波形分別用作實際的涂敷處理過程中的噴出壓力控制及基板移動速度控制。專利文獻(xiàn)I :日本特開2005-243670號公報但是，對于如上述那樣重復(fù)多次的試驗用涂敷處理并利用試誤法(try anderror)得到涂敷處理的最佳條件的方法，存在如下問題不僅要求現(xiàn)場的操作者有很好的熟練程度和很長的工作時間，而且由于為了進(jìn)行試驗用的涂敷處理而使用許多基板，因此在實施時存在系統(tǒng)上的繁雜性和成本上升。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述那樣的現(xiàn)有技術(shù)的問題點而做成的，其提供從狹縫狀的噴出口向基板噴出處理液并形成涂敷膜的涂敷膜形成方法和涂敷膜形成裝置，在該涂敷膜形成方法中，無論噴嘴噴出口的液珠的量及來自噴嘴噴出口的噴出壓力的變化如何，都不依賴于現(xiàn)場操作者的熟練程度就能夠形成穩(wěn)定的膜厚，能夠使形成在基板上的涂敷膜的有效面積擴(kuò)大。為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種涂敷膜形成方法，在狹縫狀的噴嘴噴出口上形成處理液的液珠，并且從上述噴出口向在上述噴出口的下方相對于該噴出口進(jìn)行移動的基板噴出處理液，或者從相對于該基板進(jìn)行移動的上述噴出口向該基板噴出處理液，在上述基板上形成規(guī)定膜厚的涂敷膜，該涂敷膜形成方法的特征在于，若將規(guī)定的經(jīng)過時間Ts的起始時和結(jié)束時的上述液珠的量的差設(shè)為A B，將在規(guī)定的經(jīng)過時間Ts的期間內(nèi)從上述噴出口噴出的處理液的噴出液量設(shè)為Q，將處理液在基板上干燥固化的部分的濃度設(shè)為P，將上述噴嘴噴出口的在基板寬度方向上的尺寸設(shè)為L，將經(jīng)過時間Ts中的上述基板的移動速度或相對移動速度設(shè)為V，則利用式(I)規(guī)定經(jīng)過時間Ts中的推定膜厚Th,
該涂敷膜形成方法包括以下步驟將目標(biāo)膜厚代入到上述式(I)中作為推定膜厚Th，并將上述基板的移動速度或相對移動速度V設(shè)為變量，從而每隔經(jīng)過時間Ts求出上述基板的移動速度或相對移動速度V ;根據(jù)每隔經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的移動速度V來控制上述基板相對于上述噴嘴噴出口的移動速度，或者根據(jù)每隔經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的相對移動速度V來控制上述噴嘴噴出口相對于上述基板的相對移動速度，式I Th = ( A B+Q) 3 / (Ts V L) (I)。 在用于這樣計算推定膜厚Th的上述式(I)中，通過將目標(biāo)膜厚值作為推定膜厚Th代入，并將作為式中的參數(shù)的基板的移動速度或相對移動速度V設(shè)為變量，從而能夠每隔經(jīng)過時間Ts求出所需的基板的移動速度或相對移動速度V。S卩，通過根據(jù)所求出的基板的移動速度或上述相對移動速度V來進(jìn)行基板輸送控制，能夠使涂敷形成的實際的涂敷膜的膜厚與目標(biāo)值大致相同。因而，不論噴嘴噴出口的液珠的量及來自噴嘴噴出口的噴出壓力的變化如何，都不依賴于現(xiàn)場操作者的熟練程度就能夠僅利用基板的移動速度或相對移動速度的控制使涂敷膜的膜厚成為希望的膜厚。由此，即使在噴出壓力上升的涂敷開始時，也能夠穩(wěn)定地進(jìn)行膜厚控制，能夠使形成在基板上涂敷膜的有效面積(產(chǎn)品能夠使用的區(qū)域)擴(kuò)大。為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種涂敷膜形成裝置，其包括具有在基板的寬度方向上較長的狹縫狀的噴出口的噴嘴，對于在上述噴嘴的下方沿著基板輸送路徑移動的上述基板，從上述噴嘴的噴出口噴出處理液，或者從相對于該基板進(jìn)行移動的上述噴出口向該基板噴出處理液，形成規(guī)定的涂敷膜，其特征在于，該涂敷膜形成裝置包括啟動加注部件，其用于在上述噴嘴噴出口形成處理液的液珠；基板輸送部件，其用于使上述基板輸送路徑上的上述基板相對于上述噴嘴相對移動；存儲部件，其存儲有至少對上述基板相對于上述噴嘴噴出口的移動速度或相對移動速度進(jìn)行控制的程序；控制部件，其利用計算機(jī)執(zhí)行上述程序，利用上述基板輸送部件控制上述基板的移動速度或相對移動速度，將規(guī)定的經(jīng)過時間Ts的起始時和結(jié)束時的上述液珠的量的差設(shè)為A B，將規(guī)定的經(jīng)過時間Ts期間內(nèi)來自上述噴出口的處理液的噴出液量設(shè)為Q，將處理液在基板上干燥固化的部分到的濃度設(shè)為P，將上述噴嘴噴出口在基板寬度方向上的尺寸設(shè)為L，將經(jīng)過時間Ts內(nèi)的上述基板的移動速度或相對移動速度設(shè)為V，在上述存儲部件中存儲用于規(guī)定經(jīng)過時間Ts內(nèi)的推定膜厚Th的式(I),通過利用上述計算機(jī)執(zhí)行上述程序，上述控制部件將目標(biāo)膜厚代入到上述式(I)中作為推定膜厚Th，并將上述基板的移動速度或相對移動速度V設(shè)為變量，從而每隔經(jīng)過時間Ts求出上述基板的移動速度或相對移動速度V，上述控制部件根據(jù)每隔上述經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的移動速度V來控制上述基板相對于上述噴嘴噴出口的移動速度，或者根據(jù)每隔上述經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的相對移動速度V來控制上述噴嘴噴出口相對于上述基板的相對移動速度，Th = ( A B+Q) 3 / (Ts V L)…(I)。
采用這樣的結(jié)構(gòu)，將目標(biāo)膜厚值代入到用于計算推定膜厚Th的上述式(I)中作為推定膜厚Th，將作為式中的參數(shù)的基板的移動速度或相對移動速度V設(shè)為變量，由此，每隔經(jīng)過時間Ts求出所需的基板的移動速度或相對移動速度V。S卩，通過按照求出的上述基板的移動速度或相對移動速度V進(jìn)行基板輸送控制，能夠使涂敷形成的實際的涂敷膜的膜厚與目標(biāo)值大致相同。因而，不論噴嘴噴出口的液珠的量和來自噴嘴噴出口的噴出壓力的變化如何，都不依賴于現(xiàn)場操作者的熟練程度就能夠僅利用基板的移動速度或相對移動速度的控制使涂敷膜的膜厚成為希望的膜厚。由此，即使在噴出壓力上升的涂敷開始時，也能夠穩(wěn)定地進(jìn)行膜厚控制，能夠使形成在基板上的涂敷膜的有效面積(產(chǎn)品能夠利用的區(qū)域)擴(kuò)大。采用本發(fā)明，能夠得到從狹縫狀的噴出口向基板噴出處理液并形成涂敷膜的涂敷膜形成方法和涂敷膜形成裝置，在該涂敷膜形成方法中，無論噴嘴噴出口的液珠的量及來自噴嘴噴出口的噴出壓力的變化如何，都不依賴于現(xiàn)場操作者的熟練程度就能夠形成穩(wěn)定的膜厚，能夠使形成在基板上的涂敷膜的有效面積擴(kuò)大。


圖I是表示本發(fā)明的一個實施方式的整體概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是圖I的A-A向視剖視圖。圖3是表示圖I所具有的抗蝕劑供給部件的結(jié)構(gòu)的框圖。圖4是表示圖I的控制部能夠執(zhí)行的模擬程序的結(jié)構(gòu)的框圖。圖5的(a)是用于說明膜厚推定式的側(cè)視圖，圖5的(b)是用于說明膜厚推定式的俯視圖。圖6是表示圖4的參數(shù)識別部的動作的流程的流程圖。圖7是表示包括圖4的調(diào)諧部的動作在內(nèi)的涂敷處理工序的流程的流程圖。圖8的(a) 圖8的(e)是用于說明本發(fā)明的一個實施方式的動作的剖視圖。圖9是利用控制部10進(jìn)行涂敷膜的膜厚管理時的的功能框圖。圖10是表示進(jìn)行涂敷膜的膜厚管理時的處理的流程的流程圖。圖11是表示推定膜厚與基板上涂敷位置之間的關(guān)系的圖表。圖12是表示主膜厚(作為目標(biāo)的膜厚)與基板上涂敷位置之間的關(guān)系的圖表。圖13是表示推定膜厚與主膜厚的差值和基板上涂敷位置之間的關(guān)系的圖表。圖14是用于說明以往的涂敷處理單元的概略結(jié)構(gòu)的立體圖。
具體實施例方式以下，根據(jù)

本發(fā)明的涂敷膜形成方法的一個實施方式。另外，在該實施方式中，以在一邊使作為基板的基板懸浮輸送、一邊在對上述基板進(jìn)行作為處理液的抗蝕劑液的涂敷處理的抗蝕劑液涂敷處理單元中實施本發(fā)明的涂敷膜形成方法的情況為例子來進(jìn)行說明。圖I是用于實施本發(fā)明的涂敷膜形成方法的抗蝕劑涂敷單元(涂敷膜形成裝置)的俯視圖，圖2是圖I的A-A向視剖視圖。如圖I和圖2所示，該抗蝕劑涂敷處理單元I具有用于將基板G單張地一張張地懸浮輸送的懸浮輸送載置臺2，用于水平地輸送基板G。懸浮輸送載置臺2沿基板輸送方向(X方向)依次配置有基板輸入部2A、涂敷處理部2B、基板輸出部2C。如圖I所示，在基板輸入部2A及基板輸出部2C的上表面上，在X方向和Y方向上隔開恒定的間隔地設(shè)有多個氣體噴出口 2a，借助來自氣體噴出口 2a的非活性氣體的噴出所產(chǎn)生的壓力負(fù)荷使基板G懸浮。另外，在涂敷處理部2B的上表面上，在X方向和Y方向上隔開恒定的間隔地交替設(shè)有多個氣體噴出口 2a和氣體吸氣口 2b。而且，在該涂敷處理部2B中，通過使來自氣體噴出口 2a的非活性氣體的噴出量和氣體吸氣口 2b的吸氣量之間的壓力負(fù)荷恒定，使基板G以更接近載置臺的狀態(tài)懸浮。另外，在懸浮輸送載置臺2的寬度方向(Y方向)上的左右側(cè)方設(shè)有在X方向上平行延伸的一對導(dǎo)軌5。在該一對導(dǎo)軌5上設(shè)有以能夠在基板輸送方向(X方向)上移動的方式安裝的滑動件6，在各滑動件6的前端部及后端部分別設(shè)有用于從下方吸附保持基板G的單側(cè)的兩角的基板保持部7。另外，由上述一對導(dǎo)軌5和滑動件6等構(gòu)成了基板輸送部件。
如圖2所示，各基板保持部7具有能夠通過進(jìn)行吸引動作來對基板G的下表面進(jìn)行吸附的吸附構(gòu)件7a和用于使吸附構(gòu)件7a進(jìn)行升降移動的升降驅(qū)動部7b。另外，在吸附構(gòu)件7a上連接有吸引泵(未圖示)，對與基板G的接觸的接觸區(qū)域的空氣進(jìn)行吸引而接近真空狀態(tài)，從而使吸附構(gòu)件7a吸附在基板G上。另外，借助輸送驅(qū)動部8來控制滑動件6的移動的開始、停止以及移動速度，輸送驅(qū)動部8的動作被具有計算機(jī)的控制部10 (控制部件)控制。另外，上述升降驅(qū)動部7b和上述吸引泵的驅(qū)動也被控制部10控制。另外,如圖I和圖2所不,在懸浮輸送載置臺2上設(shè)有用于向基板G噴出抗蝕劑液的噴嘴11。噴嘴11形成為在Y方向上較長的、例如大致長方體形狀，并形成得比基板G的Y方向的寬度長。如圖2所示，在噴嘴11的下端部形成有在懸浮輸送載置臺2的寬度方向上較長的狹縫狀的噴出口 11a，從抗蝕劑液供給源30向該噴嘴11供給抗蝕劑液。另外，如圖I所示，噴嘴11安裝在門形或倒3字形的框架12上，例如，噴嘴11在具有滾珠絲杠機(jī)構(gòu)的噴嘴升降部13的驅(qū)動下能夠在Z方向上進(jìn)行升降移動。圖3是表示抗蝕劑液供給源30的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖3所示，抗蝕劑液供給源30包括容器(bottle) 20，其用于貯存抗蝕劑液R ;抗蝕劑泵22，其能夠從該容器20經(jīng)由吸入管21填充至少I次涂敷處理所需的量(I張基板的量)的抗蝕劑液R。在進(jìn)行涂敷處理時，利用抗蝕劑泵22經(jīng)由抗蝕劑液供給管23向噴嘴11壓送抗蝕劑液R，并從噴嘴11將抗蝕劑液R噴出到基板G上。另外，在吸入管21的中途，例如設(shè)有由氣動閥構(gòu)成的開閉閥24，從而能夠使吸入管21中的抗蝕劑液R的流動ON (全開導(dǎo)通)或OFF (截斷)。另外，在抗蝕劑液供給管23的中途，例如設(shè)有由氣動閥構(gòu)成的開閉閥25，從而能夠使抗蝕劑液供給管23中的抗蝕劑液R的流動ON(全開導(dǎo)通)或OFF (截斷)。并且，在抗蝕劑液供給管23上安裝有壓力傳感器26。該壓力傳感器26例如由表壓計構(gòu)成，以大氣壓為基準(zhǔn)測量傳感器安裝位置上的抗蝕劑供給管23內(nèi)的抗蝕劑液R的壓力，并將以表壓顯示壓力測定值的電信號輸出。該壓力傳感器26的輸出被供給到控制器10而用于反饋控制
坐寸o另外，泵22例如由注射泵構(gòu)成，包括具有泵室的泵主體22a、用于任意改變泵室的容積的柱塞22b和用于使該柱塞22b往復(fù)運(yùn)動的泵驅(qū)動部22c。另外，在該抗蝕劑涂敷單元I中，在控制部10所具有的存儲部件IOa的存儲介質(zhì)中存儲有(計算機(jī)可執(zhí)行的)模擬程序P，該模擬程序P用于根據(jù)來自噴嘴11的抗蝕劑液R的噴出壓力和基板G的移動速度來推定涂敷膜厚度。存儲介質(zhì)可以是硬盤等固定的介質(zhì)，也可以是⑶-ROM、DVD等可移動的介質(zhì)。如圖4所示，該模擬程序P包括參數(shù)識別部35和調(diào)諧部36。參數(shù)識別部35是用于對根據(jù)作為處理液的抗蝕劑液的種類、基板G的種類等每一批量的處理條件(以下稱為制程程序)所決定的固有的參數(shù)(以下稱為制程程序固有參數(shù))進(jìn)行識別的程序，具體而言，參數(shù)識別部35是用于對噴嘴11的噴出口 Ila中的初始帶入抗蝕劑量Btl和表示抗蝕劑液R從噴出口 Ila附著到基板面上時的附著度的 基板附著系數(shù)U進(jìn)行識別的程序。另外，上述初始帶入抗蝕劑量Btl是將由啟動加注部件(未圖示)進(jìn)行啟動加注處理之后附著于噴嘴噴出口 Ila的抗蝕劑液R的堆積部(以下稱為液珠)的液量和為了使上述液珠到達(dá)基板面而噴出的抗蝕劑液量相加后的量。另外，在該參數(shù)識別部35中，為了識別上述制程程序固有參數(shù)(B。和iO而使用下述的膜厚推定式(I)和液珠的量推定式(2)，該膜厚推定式(I)用于每隔經(jīng)過時間Ts對在涂敷處理工序中形成的抗蝕劑膜的膜厚進(jìn)行推定，該液珠的量推定式(2)用于每隔經(jīng)過時間Ts對在噴嘴頂端形成的液珠的量進(jìn)行推定。具體而言，識別由下述式(I)求出的推定膜厚Th與涂敷形成的抗蝕劑膜的實際膜厚相同的制程程序固有參數(shù)(Bc^ u )。式(I)Thn = (Bn_rBn+Q) 3 / ( A Xn L) (Ia)= (Brri-Br^P a Ts) ^ / (Ts V L)...(lb)式(2)Bn = Bn_!+q Ts-Blri u A Xn L ... (2a)= Blri+P a Ts-Blri U *Ts*V*L ... (2b)另外，在上述式(I)、⑵中，Th是膜厚，B是噴嘴頂端的液珠的量，Q是在經(jīng)過時間Ts期間內(nèi)從噴嘴噴出口 Ila噴出的抗蝕劑液量，q是由噴出壓力P乘以流量/壓力轉(zhuǎn)換系數(shù)a求得的從噴嘴噴出口 Ila噴出的抗蝕劑流量，P是噴出到基板上而干燥固化的部分的抗蝕劑濃度，AX是基板移動量(基板移動速度V (基板G的相對移動速度)與經(jīng)過時間Ts的乘積)，L是噴嘴噴出口 Ila的寬度尺寸(在基板寬度方向上的尺寸)。另外，n是I以上的整數(shù)。S卩，在式⑴中，如圖5的(a)和圖5的(b)示意地所示，在經(jīng)過時間Ts期間涂敷的抗蝕劑膜的膜厚Th是將經(jīng)過時間Ts起始時和結(jié)束時的液珠的量的差A(yù)B= (Blri-Bn)與新噴出的量Q的和(圖5的陰影部分)中的干燥固化的體積除以在經(jīng)過時間Ts期間內(nèi)涂敷的涂敷面積(AXn L)之后得到的值。另外，在式(2)中，噴嘴頂端的液珠的量^(圖5的(a)的交叉陰影部分)是將之前的液珠的量Blri與新噴出的量Q的和減去已附著在基板G上的量(Bn-1 -U-AXn-L)之后得到的量。另外，調(diào)諧部36是用于使用上述式⑴和式⑵、并根據(jù)作為目標(biāo)的膜厚值求出所需的基板移動速度V的程序。在該程序中，使用在參數(shù)識別部35中識別的制程程序固有參數(shù)等作為上述式(I)的參數(shù)，并將推定膜厚Th固定在目標(biāo)膜厚值，將基板移動速度V設(shè)為變量，從而求得所需的基板移動速度V。在對基板G進(jìn)行涂敷處理的工序中執(zhí)行該調(diào)諧部36的程序，由此，控制部10每隔經(jīng)過時間Ts就能夠得到所需的基板移動速度V。S卩、控制部10控制輸送驅(qū)動部8，以便以所得到的基板移動速度來輸送基板G，從而能夠使實際膜厚等于作為目標(biāo)的膜厚值。接著，使用圖6的流程說明所述模擬程序P中的參數(shù)識別部35的動作，即對識別制程程序固有參數(shù)的工序進(jìn)行說明。 在抗蝕劑涂敷單元I中，作為其準(zhǔn)備工序，如上所述，通過執(zhí)行參數(shù)識別部35，進(jìn)行對基于制程程序決定的固有的參數(shù)(初始帶入抗蝕劑量B0、基板附著系數(shù)y)進(jìn)行識別的作業(yè)。在該工序中，能夠通過至少對I張基板G進(jìn)行抗蝕劑液R的涂敷處理來識別上述參數(shù)。S卩、首先設(shè)定規(guī)定的噴出壓力P及規(guī)定的基板移動速度V，并執(zhí)行對I張基板G進(jìn)行的抗蝕劑液R的涂敷處理(圖6的步驟SI)。通過進(jìn)行該涂敷處理，噴出壓力P和基板移動速度V的每隔經(jīng)過時間Ts的反饋數(shù)據(jù)(圖6的步驟S2)被收集到控制部10中。另外，形成在基板上的抗蝕劑膜的膜厚(作為實際膜厚)被輸入到控制部10中。控制部10在上述式(2b)中將兩個制程程序固有參數(shù)(初始帶入抗蝕劑量B0、基板附著系數(shù)U)設(shè)定為規(guī)定的假定值，而且作為其他的參數(shù)，設(shè)定上述流量/壓力轉(zhuǎn)換系數(shù)a、噴嘴噴出口 Ila的寬度尺寸L和經(jīng)過時間Ts的值。然后，根據(jù)所收集到的上述噴出壓力P和基板移動速度V算出每隔經(jīng)過時間Ts的液珠的量Bn (圖6的步驟S3)。在算出液珠的量Bn時，控制部10在上述式(Ib)中對抗蝕劑液R在基板上干燥固化的部分的濃度P、上述液珠的量Bn、噴嘴噴出口 Ila的寬度尺寸L和經(jīng)過時間Ts的值進(jìn)行設(shè)定，并根據(jù)所收集到的上述噴出壓力P和基板移動速度V來計算每隔經(jīng)過時間Ts的推定膜厚Th (圖6的步驟S4)。接著，對涂敷在基板上的抗蝕劑膜的實際厚度與在步驟4中計算出的推定膜厚Th進(jìn)行比較(圖6的步驟S5)，在兩者不同的情況下，對上述制程程序固有參數(shù)(B。、u )的假定值分別以規(guī)定的變動幅度進(jìn)行變更(圖6的步驟S6)。然后，再次計算步驟SI的推定膜厚Th，并與實際膜厚進(jìn)行比較(圖6的步驟S5)這樣，反復(fù)進(jìn)行步驟S6和步驟S3 S5的處理直至實際膜厚與推定膜厚Th相同，在實際膜厚與推定膜厚Th相同時所設(shè)定的初始帶入抗蝕劑量Btl及基板附著系數(shù)y被識別為制程程序固有參數(shù)(圖6的步驟S7)。另外，在上述流程中，將噴出壓力P的值代入到用于求出推定膜厚Th的式(Ib)及用于求出液珠的量Bn的式(2b)中而進(jìn)行運(yùn)算，但是，也可以將噴出壓力P與規(guī)定的流量/壓力轉(zhuǎn)換系數(shù)a相乘來求出噴出流量q，并將噴出流量q的值代入到式(Ia)和式(2a)中。接著，按照圖7的流程及圖8的狀態(tài)遷移圖(表示對基板G進(jìn)行涂敷處理的進(jìn)展的側(cè)視圖)來說明使用了上述調(diào)諧部36的處理的涂敷處理工序。首先，作為向調(diào)諧部36輸入的輸入?yún)?shù)(代入到上述式(Ib)和(2b)中的參數(shù))，利用參數(shù)識別部35的處理所識別的初始帶入抗蝕劑量Btl及基板附著系數(shù)y被設(shè)定為制程程序固有參數(shù)。另外，上述流量/壓力轉(zhuǎn)換系數(shù)a、噴嘴噴出口 Ila的寬度尺寸L和抗蝕劑固體部分的濃度P被設(shè)定為其它參數(shù)。并且，設(shè)定作為目標(biāo)的膜厚值(圖7的步驟Stl)。另外，基板G被輸入到懸浮輸送載置臺2的基板輸入部2A上，在基板G的四角被基板保持部7保持時，利用輸送驅(qū)動部8使滑動件6沿導(dǎo)軌5在輸送方向(X方向)上移動。如圖8的(a)所示，基板G的前端到達(dá)被配置在涂敷處理部2B的上方的噴嘴11的正下方時，暫時停止基板輸送(圖7的步驟St2)。另外，在該時刻，在噴嘴11的噴出口 Ila上，利用已經(jīng)實施的啟動加注處理呈液珠狀形成有規(guī)定量的抗蝕劑液R。接著，噴嘴11被噴嘴升降部13降下，使噴嘴11的頂端的噴出口 Ila接近基板前端面上。然后，通過噴出規(guī)定量的抗蝕劑液R，使抗蝕劑液R到達(dá)基板G上，如圖8的(b)所 示，噴出口 Ila與基板G的上表面處于被抗蝕劑液R連接起來的狀態(tài)(圖7的步驟St3)。另外，此處，噴嘴噴出口 Ila上附著的液珠的量與設(shè)定的上述初始帶入抗蝕劑量Btl大致相
坐寸o接著，控制部10控制輸送驅(qū)動部8，以便以規(guī)定的初始速度開始輸送基板G，并控制泵驅(qū)動部22c，利用規(guī)定的初始壓力值使抗蝕劑液R從噴嘴噴出口 Ila噴出(圖7的步驟St4)。此處，在控制部10中收集來自壓力傳感器26的噴出壓力的反饋值P和指示輸送驅(qū)動部8的移動速度V的數(shù)據(jù)，通過執(zhí)行調(diào)諧部36，每隔經(jīng)過時間Ts計算用于使實際膜厚與目標(biāo)膜厚變得相等的基板移動速度V(圖7的步驟St5)。具體而言，在上述膜厚推定式(Ib)中，將目標(biāo)膜厚值設(shè)為膜厚Th并將基板移動速度V設(shè)為變量。另外，作為參數(shù)，將初始帶入抗蝕劑量Btl、基板附著系數(shù)U、流量/壓力轉(zhuǎn)換系數(shù)a、噴嘴噴出口 Ila的寬度尺寸L和抗蝕劑固體部分的濃度P帶入上述式(Ib)和(2b)中。然后，根據(jù)每隔經(jīng)過時間Ts所取得的作為反饋數(shù)據(jù)的噴出壓力P來計算所需的基板移動速度V。在求出基板移動速度V時，控制部10控制輸送驅(qū)動部8，以便以該基板移動速度V輸送基板，如圖8的(c)所示，繼續(xù)對基板G進(jìn)行涂敷處理(圖7的步驟St6)。此處，由于每隔經(jīng)過時間Ts反復(fù)計算涂敷處理過程中的步驟St5中的基板移動速度V (圖7的步驟St7)，因此，涂敷在基板G上的抗蝕劑膜的膜厚與目標(biāo)膜厚值大致相同。如圖8的(d)所示，在利用輸送驅(qū)動部8輸送的基板G的后端到達(dá)噴嘴11的正下方時(圖7的步驟St8、St9)，控制部10使基板輸送停止并使來自噴出口 Ila的抗蝕劑液R的噴出停止(圖7的步驟StlO)。然后，如圖8的(e)所示，控制部10利用噴嘴升降部13使噴嘴11上升，抗蝕劑液R的涂敷處理結(jié)束(圖7的步驟Stll)。如上上述，采用本發(fā)明的實施方式，在用于計算推定膜厚Th的上述膜厚推定式(Ia)和(Ib)中，將目標(biāo)膜厚值代入來作為推定膜厚Th，并將作為式中參數(shù)的基板移動速度V設(shè)為變量，從而每隔經(jīng)過時間Ts求出所需的基板移動速度V。S卩，在控制部10中，通過根據(jù)求出的上述基板移動速度V來控制輸送驅(qū)動部8，能夠使涂敷形成的實際的抗蝕劑膜的膜厚與目標(biāo)值大致相同。因而，無論噴嘴噴出口的液珠的量及噴嘴噴出口的噴出壓力的變化如何，都不依賴于現(xiàn)場操作者的熟練程度就能夠僅通過控制基板的相對移動速度使涂敷膜的膜厚成為希望的膜厚。由此，即使在噴出壓力上升的涂敷開始時也能夠穩(wěn)定地進(jìn)行膜厚控制，從而能夠使形成在基板上涂敷膜的有效面積(產(chǎn)品能夠使用的區(qū)域)擴(kuò)大。另外，在上述實施方式中，噴嘴11的噴出口 Ila的在基板輸送方向上的位置(X方向的位置)是固定的，在其下方輸送基板G，求出基板移動速度V而對基板輸送進(jìn)行控制。但是，在本發(fā)明的涂敷膜形成方法中，并不限定于該結(jié)構(gòu)，也可以是使基板G相對于噴嘴11進(jìn)行相對移動的結(jié)構(gòu)。例如，也可以使噴嘴11 一邊對靜止的基板G進(jìn)行掃描一邊進(jìn)行涂敷處理。那種情況下，只要將上述實施方式中的基板移動速度V設(shè)為基板G的相對移動速度V(噴嘴移動速度)即可。另外，在上述實施方式之外，還可以通過進(jìn)行后述那樣的控制來進(jìn)行涂敷膜的膜厚管理。利用圖9 圖13說明該膜厚管理。另外，圖9是利用控制部10進(jìn)行涂敷膜的膜厚管理時的功能框圖，圖10是表示圖9所示的處理的流程的流程圖。另外，圖11是表示推定膜厚與基板上涂敷位置之間的關(guān)系的圖表，圖12是表示主膜厚與基板上涂敷位置之間 的關(guān)系的圖表。另外，圖13是表示推定膜厚與主膜厚的差值和基板上涂敷位置之間的關(guān)系的圖表。首先，如在上述實施方式中說明的那樣，利用控制部10確定基板移動速度V的值和噴出壓力P的值，開始基板G的涂敷處理。然后，收集在基板G上涂敷抗蝕劑液時的實際的基板移動速度V和噴出壓力P的反饋數(shù)據(jù)，每隔經(jīng)過時間Ts存儲到存儲部件10a(圖10的步驟Stpl)。接著，利用存儲在上述存儲部件IOa中的基板移動速度V和噴出壓力P，并基于上述式(I)、式(2)，如圖9所示，對形成在基板G上的涂敷膜的膜厚(推定膜厚Th)進(jìn)行計算(圖10的步驟Stp2)。另外，計算出的該推定膜厚Th例如能夠以圖11所示那樣的圖表進(jìn)行表示。另外，如圖9所示，對預(yù)先存儲在存儲部件IOa中的主膜厚MTh(作為目標(biāo)的規(guī)定的膜厚)與上述推定膜厚Th的差e進(jìn)行計算(圖10的步驟Stp3)。另外，主膜厚MTh是指實際上在基板上形成涂敷膜、且涂敷狀態(tài)良好時的涂敷膜厚。該主膜厚MTh例如能夠以圖12所示那樣的圖表進(jìn)行表示。另外，上述膜厚的差e例如能夠以圖13所示那樣的圖表進(jìn)行表示。接著，控制部10利用圖9所示的判斷器IOB對上述膜厚的差e與規(guī)定的判斷閾值JT進(jìn)行比較(圖10的步驟Stp4)，在差e始終小于上述判斷閾值JT的情況下，將涂敷在基板G上的涂敷膜判斷為合格品(圖10的步驟Stp5)。另一方面，在差e大于上述判斷閾值JT的情況下，將涂敷在基板G上的涂敷膜為判斷不合格品(圖10的步驟Stp6)。另外，在涂敷膜為不合格品的情況下，控制部10通過對基板移動速度V的值和噴出壓力P的值例如分別加上或者減去與上述差e相對應(yīng)的規(guī)定值而進(jìn)行校正(圖10的步驟 Stp7)。然后，在之后進(jìn)行的對基板G進(jìn)行的涂敷處理過程中，采用校正后的基板移動速度V和噴出壓力P進(jìn)行涂敷處理(圖10的步驟StpS)，返回到步驟Stpl的處理。通過這樣按照圖10所示的流程的處理進(jìn)行控制，能夠更穩(wěn)定地管理涂敷膜厚。
另外，在上述的實施方式中，以在FPD用的基板G上涂敷光致抗蝕劑的情況為例進(jìn)行了說明，但不限定于此，本發(fā)明也能夠應(yīng)用于涂敷其他的處理液的情況、在其他的基板、例如半導(dǎo)體晶圓上形成涂敷膜的情況。附圖標(biāo)記說明I、抗蝕劑涂敷處理單元；11、噴嘴；lla、噴嘴噴出口 ；30、抗蝕劑供給源；B、液珠； G、基板(基板)R、抗蝕劑液(處理液)。
權(quán)利要求
1.一種涂敷膜形成方法，其中，在狹縫狀的噴嘴噴出口上形成處理液的液珠，并且從上述噴出口向在上述噴出口的下方相對于該噴出口進(jìn)行移動的基板噴出處理液，或者從相對于該基板進(jìn)行移動的上述噴出口向該基板噴出處理液，在上述基板上形成規(guī)定膜厚的涂敷膜， 該涂敷膜形成方法的特征在于， 若將規(guī)定的經(jīng)過時間Ts的起始時和結(jié)束時的上述液珠的量的差設(shè)為△ B，將在規(guī)定的經(jīng)過時間Ts的期間內(nèi)從上述噴出口噴出的處理液的噴出液量設(shè)為Q，將處理液在基板上干燥固化的部分的濃度設(shè)為β，將上述噴嘴噴出口的在基板寬度方向上的尺寸設(shè)為L，將經(jīng)過時間Ts中的上述基板的移動速度或相對移動速度設(shè)為V，則利用式(I)規(guī)定經(jīng)過時間Ts中的推定膜厚Th, 該涂敷膜形成方法包括以下步驟 將目標(biāo)膜厚代入到上述式(I)中作為推定膜厚Th，并將上述基板的移動速度或相對移動速度V設(shè)為變量，從而每隔經(jīng)過時間Ts求出上述基板的移動速度或相對移動速度V ； 根據(jù)每隔經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的移動速度V來控制上述基板相對于上述噴嘴噴出口的移動速度，或者根據(jù)每隔經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的相對移動速度V來控制上述噴嘴噴出口相對于上述基板的相對移動速度，Th = (ΔB+Q) · β /(Ts · V · L)…(I)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的涂敷膜形成方法，其特征在于， 若將上述液珠的量設(shè)為Βη，將經(jīng)過時間Ts起始時的液珠的量設(shè)為Blri，將用于表示從上述噴嘴噴出口噴出的處理液附著在上述基板上時的附著度的基板附著系數(shù)設(shè)為μ，則利用式(2)規(guī)定上述液珠的量Βη， 根據(jù)式(2)設(shè)定式(I)的經(jīng)過時間Ts起始時和結(jié)束時的上述液珠的量的差ΛΒ =Bn-Blri,Bn = Bn^1+Q-Bn^1 · μ · Ts · V · L · · ·⑵ 其中，η是I以上的整數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的涂敷膜形成方法，其特征在于， 在將目標(biāo)厚度代入到上述式(I)中作為推定膜厚、并將上述基板的移動速度或相對移動速度V設(shè)為變量、從而每隔經(jīng)過時間Ts求出上述基板的移動速度或相對移動速度V的步驟之前，執(zhí)行以下步驟 以規(guī)定的噴出壓力P將處理液噴出到上述基板上，并使上述基板以規(guī)定的移動速度V相對于上述噴嘴噴出口移動，或者使上述噴嘴噴出口以規(guī)定的相對移動速度V相對于上述基板移動； 收集上述噴出壓力P和上述基板的移動速度或相對移動速度V的每隔經(jīng)過時間Ts的反饋數(shù)據(jù)； 將所收集的上述噴出壓力P乘以規(guī)定的系數(shù)，每隔經(jīng)過時間Ts計算來自上述噴出口的噴出液量Q ； 在上述式(2)中，對上述液珠的量的初始值Btl和基板附著系數(shù)μ分別設(shè)定規(guī)定的假定值，并且對上述噴嘴噴出口的基板寬度方向的尺寸L和經(jīng)過時間Ts進(jìn)行設(shè)定，每隔經(jīng)過時間Ts根據(jù)所計算出的上述噴出液量Q和所收集的上述基板的移動速度或相對移動速度V來計算液珠的量Bn ； 在上述式(I)中，對處理液在基板上的干燥固化的部分的濃度β、所計算出的上述液珠的量Bn、上述噴嘴噴出口在基板寬度方向上的尺寸L、經(jīng)過時間Ts進(jìn)行設(shè)定，每隔經(jīng)過時間Ts根據(jù)上述噴出液量Q和所收集的上述基板的移動速度或相對移動速度V來計算推定膜厚Th ； 對所計算出的上述推定膜厚Th與形成在上述基板上的涂敷膜的實際膜厚進(jìn)行比較，在所計算出的上述推定膜厚Th的值與形成在上述基板上的涂敷膜的實際膜厚的值不相同的情況下，對上述液珠的量的初始值Btl及基板附著系數(shù)μ的假定值進(jìn)行變更，對上述式(I)及式(2)進(jìn)行運(yùn)算，計算推定膜厚Th，再對所計算出的上述推定膜厚Th與形成在上述基板上的涂敷膜的實際膜厚進(jìn)行比較，直到所計算出的上述推定膜厚Th的值與形成在上述基板上的涂敷膜的實際膜厚的值相同為止反復(fù)進(jìn)行上述的比較、變更、計算， 將所算出的上述推定膜厚Th的值與上述實際膜厚的值相同時的上述液珠的量的初始值Btl及基板附著系數(shù)μ作為常數(shù)使用。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的涂敷膜形成方法，其特征在于， 在根據(jù)每隔上述經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的移動速度V來控制上述基板相對于上述噴嘴噴出口的移動速度的步驟中，或者在根據(jù)每隔上述經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的相對移動速度V來控制上述噴嘴噴出口相對于上述基板的相對移動速度的步驟中，執(zhí)行以下的步驟 每隔每隔上述經(jīng)過時間Ts、以規(guī)定的噴出壓力P將處理液噴出到上述基板上，并且使上述基板以上述移動速度V相對于上述噴嘴噴出口移動，或者使上述噴嘴噴出口以上述相對移動速度V相對于上述基板移動； 收集每隔上述經(jīng)過時間Ts的噴出壓力P和上述基板的移動速度或相對移動速度V的反饋數(shù)據(jù)， 還執(zhí)行以下的步驟 將收集的上述噴出壓力P乘以規(guī)定的系數(shù)，每隔經(jīng)過時間Ts計算來自上述噴出口的噴出液量Q ； 在上述式(2)中，將上述液珠的量的初始值Btl、基板附著系數(shù)μ分別設(shè)定為規(guī)定的假定值，并且設(shè)定上述噴嘴噴出口在基板寬度方向上的尺寸L和經(jīng)過時間Ts，基于計算出的上述噴出液量Q和收集的上述基板的移動速度或相對移動速度V，每隔經(jīng)過時間Ts計算液珠的量Bn ； 在上述式(I)中，設(shè)定處理液在基板上干燥固化的部分的濃度β、計算出的上述液珠的量上述噴嘴噴出口在基板寬度方向上的尺寸L、經(jīng)過時間Ts，基于上述噴出液量Q和收集的上述基板的移動速度或相對移動速度V，每隔經(jīng)過時間Ts計算推定膜厚Th ； 將計算出的上述推定膜厚Th與作為目標(biāo)的規(guī)定的膜厚進(jìn)行比較，求上述推定膜厚Th與規(guī)定的膜厚的差； 將上述差與規(guī)定的閾值的大小進(jìn)行比較； 在將上述差與規(guī)定的閾值的大小進(jìn)行比較的步驟中，在上述差小于上述閾值的情況下，將形成在上述基板上的涂敷膜判斷為合格品； 在將上述差與規(guī)定的閾值的大小進(jìn)行比較的步驟中，在上述差大于上述閾值的情況下，將形成在上述基板上的涂敷膜判斷為不合格品。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的涂敷膜形成方法，其特征在于， 在將上述差與規(guī)定的閾值的大小進(jìn)行比較的步驟中，在上述差大于上述閾值而將形成在上述基板上的涂敷膜判斷為不合格品的情況下， 分別校正上述基板的移動速度或相對移動速度V和噴出壓力P的值，并將該校正值用于接下來要涂敷的基板的涂敷膜形成的控制。
6.一種涂敷膜形成裝置，其包括具有在基板的寬度方向上較長的狹縫狀的噴出口的噴嘴，對于在上述噴嘴的下方沿著基板輸送路徑移動的上述基板，從上述噴嘴的噴出口噴出處理液，或者從相對于該基板進(jìn)行移動的上述噴出口向該基板噴出處理液，形成規(guī)定的涂敷膜，其特征在于， 該涂敷膜形成裝置包括啟動加注部件，其用于在上述噴嘴噴出口形成處理液的液珠；基板輸送部件，其用于使上述基板輸送路徑上的上述基板相對于上述噴嘴相對移動；存儲部件，其存儲有至少對上述基板相對于上述噴嘴噴出口的移動速度或相對移動速度進(jìn)行控制的程序；控制部件，其利用計算機(jī)執(zhí)行上述程序，利用上述基板輸送部件控制上述基板的移動速度或相對移動速度， 將規(guī)定的經(jīng)過時間Ts的起始時和結(jié)束時的上述液珠的量的差設(shè)為△ B，將規(guī)定的經(jīng)過時間Ts期間內(nèi)來自上述噴出口的處理液的噴出液量設(shè)為Q，將處理液在基板上干燥固化的部分到的濃度設(shè)為β，將上述噴嘴噴出口在基板寬度方向上的尺寸設(shè)為L，將經(jīng)過時間Ts內(nèi)的上述基板的移動速度或相對移動速度設(shè)為V，在上述存儲部件中存儲用于規(guī)定經(jīng)過時間Ts內(nèi)的推定膜厚Th的式(I), 通過利用上述計算機(jī)執(zhí)行上述程序， 上述控制部件將目標(biāo)膜厚代入到上述式(I)中作為推定膜厚Th，并將上述基板的移動速度或相對移動速度V設(shè)為變量，從而每隔經(jīng)過時間Ts求出上述基板的移動速度或相對移動速度V， 上述控制部件根據(jù)每隔上述經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的移動速度V來控制上述基板相對于上述噴嘴噴出口的移動速度，或者根據(jù)每隔上述經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的相對移動速度V來控制上述噴嘴噴出口相對于上述基板的相對移動速度，Th = (ΔB+Q) · β /(Ts · V · L)…(I)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的涂敷膜形成裝置，其特征在于， 若將上述液珠的量設(shè)為Βη，將經(jīng)過時間Ts起始時的液珠的量設(shè)為Blri，將表示從上述噴嘴噴出口噴出的處理液附著到上述基板上時的附著度的基板附著系數(shù)設(shè)為μ， 則在上述存儲部件中存儲用于規(guī)定上述液珠的量Bn的式(2)， 上述控制部件基于式(2)，設(shè)定式(I)的經(jīng)過時間Ts的起始時和結(jié)束時的上述液珠的量的差 ΔΒ = Bn-Blri, Bn = Bn-1+Q-Bn^1 · μ · Ts · V · L · · · (2) 其中，η是I以上的整數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的涂敷膜形成裝置，其特征在于， 在上述控制部件將目標(biāo)膜厚代入到上述式(I)中作為推定膜厚Th、將上述基板的移動速度或相對移動速度V設(shè)為變量、每隔經(jīng)過時間Ts求出上述基板的移動速度或相對移動速度V之前， 上述控制部件進(jìn)行以下步驟 以規(guī)定的噴出壓力P將處理液噴出到上述基板上，并且使上述基板以規(guī)定的移動速度V相對于上述噴嘴噴出口移動，或者使上述噴嘴噴出口以規(guī)定的相對移動速度V相對于上述基板移動； 上述控制部件收集每隔經(jīng)過時間Ts的上述噴出壓力P和上述基板的移動速度或相對移動速度V的反饋數(shù)據(jù)； 將收集的上述噴出壓力P乘以規(guī)定的系數(shù)，計算每隔經(jīng)過時間Ts來自上述噴出口的噴出液量Q ； 在上述式(2)中，將上述液珠的量的初始值Btl、基板附著系數(shù)μ分別設(shè)定為規(guī)定的假定值，并且設(shè)定上述噴嘴噴出口在基板寬度方向上的尺寸L和經(jīng)過時間Ts，基于計算出的上述噴出液量Q和收集的上述基板的移動速度或相對移動速度V，每隔經(jīng)過時間Ts計算液珠的量Bn ； 在上述式(I)中，設(shè)定處理液在基板上干燥固化的部分的濃度β、計算出的上述液珠的量Bn、上述噴嘴噴出口在基板寬度方向上的尺寸L、經(jīng)過時間Ts，基于上述噴出液量Q和收集的上述基板的移動速度或相對移動速度V，每隔經(jīng)過時間Ts計算推定膜厚Th ； 對計算出的上述推定膜厚Th與形成在上述基板上的涂敷膜的實際膜厚進(jìn)行比較，在所計算出的上述推定膜厚Th的值與形成在上述基板上的涂敷膜的實際膜厚的值不相同的情況下，對上述液珠的量的初始值Btl及基板附著系數(shù)μ的假定值進(jìn)行變更，對上述式(I)及式(2)進(jìn)行運(yùn)算，計算推定膜厚Th，再對所計算出的上述推定膜厚Th與形成在上述基板上的涂敷膜的實際膜厚進(jìn)行比較，直到所計算出的上述推定膜厚Th的值與形成在上述基板上的涂敷膜的實際膜厚的值相同為止反復(fù)進(jìn)行上述的比較、變更、計算； 將計算出的上述推定膜厚Th與上述實際膜厚的值相同時的上述液珠的量的初始值Btl及基板附著系數(shù)μ作為常數(shù)使用。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的涂敷膜形成裝置，其特征在于， 上述控制部件進(jìn)行以下步驟 根據(jù)每隔上述經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的移動速度V來控制上述基板相對于上述噴嘴噴出口的移動速度，或者根據(jù)每隔上述經(jīng)過時間Ts求出的上述基板的相對移動速度V來控制上述噴嘴噴出口相對于上述基板的相對移動速度，并且以規(guī)定的噴出壓力P將處理液噴出到上述基板上； 并且，收集每隔上述經(jīng)過時間Ts的噴出壓力P和上述基板的移動速度或相對移動速度V的反饋數(shù)據(jù)； 將收集的上述噴出壓力P乘以規(guī)定的系數(shù)，每隔經(jīng)過時間Ts計算來自上述噴出口的噴出液量Q ； 在上述式(2)中，將上述液珠的量的初始值Btl、基板附著系數(shù)μ分別設(shè)定為規(guī)定的假定值，并且設(shè)定上述噴嘴噴出口在基板寬度方向上的尺寸L和經(jīng)過時間Ts，基于計算出的上述噴出液量Q和收集的上述基板的移動速度或相對移動速度V，每隔經(jīng)過時間Ts計算液珠的量Bn ； 在上述式(I)中，設(shè)定處理液在基板上干燥固化的部分的濃度β、計算出的上述液珠的量Bn、上述噴嘴噴出口在基板寬度方向上的尺寸L、經(jīng)過時間Ts，基于上述噴出液量Q和收集的上述基板的移動速度或相對移動速度V，每隔上述經(jīng)過時間Ts計算推定膜厚Th ；對計算出的上述推定膜厚Th與作為目標(biāo)的規(guī)定的膜厚進(jìn)行比較，計算上述推定膜厚Th與規(guī)定的膜厚的差； 將上述差與規(guī)定的閾值的大小進(jìn)行比較，在上述差小于上述閾值的情況下，將形成在上述基板上的涂敷膜判斷為合格品； 將上述差與規(guī)定的閾值的大小進(jìn)行比較，在上述差大于上述閾值的情況下，將形成在上述基板上的涂敷膜判斷為不合格品。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的涂敷膜形成裝置，其特征在于， 上述控制部件將上述差與規(guī)定的閾值的大小進(jìn)行比較，在上述差大于上述閾值而將形成在上述基板上的涂敷膜判斷為不合格品的情況下， 對上述基板的移動速度或相對移動速度V和噴出壓力P的值分別進(jìn)行校正，并將該校正值用于接下來要涂敷的基板的涂敷膜形成的控制。
全文摘要
本發(fā)明提供涂敷膜形成方法和涂敷膜形成裝置。從狹縫狀的噴出口向基板噴出處理液而形成涂敷膜，不管噴嘴噴出口的液珠的量和來自噴嘴噴出口的噴出壓力的變化，都不依賴于現(xiàn)場操作者的熟練程度就能夠穩(wěn)定地進(jìn)行膜厚形成，使形成在基板上的涂敷膜的有效面積擴(kuò)大。涂敷膜形成方法包括以下步驟利用式(1)規(guī)定經(jīng)過時間Ts內(nèi)的推定膜厚Th，將目標(biāo)膜厚代入到上述式(1)作為推定膜厚Th，將基板(G)的相對移動速度V設(shè)為變量，每隔經(jīng)過時間Ts求出上述基板的移動速度或相對移動速度V；根據(jù)每隔上述經(jīng)過時間Ts求出的基板的移動速度或相對移動速度V控制基板的移動速度或相對移動速度，Th＝(ΔB+Q)·β/(Ts·V·L) ... (1)。
文檔編號B05D1/26GK102671835SQ20121007165
公開日2012年9月19日 申請日期2012年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
發(fā)明者吉富濟(jì), 大塚慶崇, 田上真也, 米岡誠司 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社