鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜、制備方法及其應(yīng)用【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及一種鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)：
薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動(dòng)發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，已引起了廣泛的關(guān)注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開(kāi)發(fā)多波段發(fā)光的薄膜，是該課題的發(fā)展方向。但是，可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器的鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜，仍未見(jiàn)報(bào)道。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
基于此，有必要提供一種可應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光器件的鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜、其制備方法該鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。一種鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜，其化學(xué)式為Al2O3:xTi4+，yMg2+，其中，氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。在優(yōu)選的實(shí)施例中，鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的厚度為80nm～300nm。一種鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟：將襯底裝入化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；調(diào)節(jié)襯底的溫度為250℃～650℃，轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分鐘～1000轉(zhuǎn)/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據(jù)Al2O3:xTi4+，yMg2+各元素的化學(xué)計(jì)量比將三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂通入反應(yīng)室內(nèi)，及然后通入氧氣，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積得到鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜其化學(xué) 式為Al2O3:xTi4+，yMg2+，其中，氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。在優(yōu)選的實(shí)施例中，三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂摩爾比為1∶(0.01～0.08)∶(0～0.06)；在更優(yōu)選的實(shí)施例中，三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂摩爾比為1∶0.05∶0.03，在優(yōu)選實(shí)施例中，氬氣氣流量為5～15sccm，氧氣氣流量為10～200sccm。一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層，所述發(fā)光層的材料為鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜，該鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的化學(xué)式為Al2O3:xTi4+，yMg2+，其中，氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：提供具有陽(yáng)極的襯底；在所述陽(yáng)極上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜，該鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的化學(xué)式為Al2O3:xTi4+，yMg2+，其中，氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06；在所述發(fā)光層上形成陰極。在優(yōu)選的實(shí)施例中，所述發(fā)光層的制備包括以下步驟：將襯底裝入化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；調(diào)節(jié)襯底的溫度為250℃～650℃，轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分鐘～1000轉(zhuǎn)/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據(jù)Al2O3:xTi4+，yMg2+各元素的化學(xué)計(jì)量比將三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂通入反應(yīng)室內(nèi)，其中，氬氣氣流量為5～15sccm，及然后通入氧氣，流量為10～200sccm；進(jìn)行化學(xué)氣相沉積得到發(fā)光層化學(xué)式為Al2O3:xTi4+，yMg2+，其中，氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。上述鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜(Al2O3:xTi4+，yMg2+)的電致發(fā)光光譜(EL)中，在410nm波長(zhǎng)區(qū)都有很強(qiáng)的發(fā)光峰，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示 器中?！靖綀D說(shuō)明】圖1為一實(shí)施方式的薄膜電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)施例1制備的鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的電致發(fā)光譜圖；圖3為實(shí)施例1制備的鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的XRD圖；圖4為實(shí)施例1制備的薄膜電致發(fā)光器件的電壓與電流和亮度關(guān)系圖?！揪唧w實(shí)施方式】下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜、其制備方法和薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法作進(jìn)一步闡明。一實(shí)施方式的鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜，其化學(xué)式為Al2O3:xTi4+，yMg2+，其中，氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。優(yōu)選的，鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的厚度為80nm～300nm，x為0.05，y為0.03。該鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜中氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素。該鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜(EL)中，在410nm波長(zhǎng)區(qū)都有很強(qiáng)的發(fā)光峰，能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。上述鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟：步驟S11、將襯底裝入化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa。在本實(shí)施方式中，襯底為銦錫氧化物玻璃(ITO)，可以理解，在其他實(shí)施例中，也可以為摻氟氧化錫玻璃(FTO)、摻鋁的氧化鋅(AZO)或摻銦的氧化鋅(IZO)；襯底先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入反應(yīng)室；優(yōu)選的，反應(yīng)室的真空度為4.0×10-3Pa。步驟S12、將襯底在600℃～800℃下熱處理10分鐘～30分鐘。步驟S13、調(diào)節(jié)襯底的溫度為250℃～650℃，轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分鐘～1000轉(zhuǎn)/分 鐘，采用氬氣氣流的載體，根據(jù)Al2O3:xTi4+，yMg2+各元素的化學(xué)計(jì)量比將三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂通入反應(yīng)室內(nèi)；在優(yōu)選的實(shí)施例中，三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂摩爾比為1∶(0.01～0.08)∶(0～0.06)；在更優(yōu)選的實(shí)施例中，三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂摩爾比為1∶0.05∶0.03，在優(yōu)選實(shí)施例中，襯底的溫度優(yōu)選為500℃，襯底的轉(zhuǎn)速優(yōu)選為300轉(zhuǎn)/分鐘，氬氣氣流量為5～15sccm；更優(yōu)選實(shí)施例中，氬氣氣流量為10sccm；步驟S14、然后通入氧氣，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積得到鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜其化學(xué)式為Al2O3:xTi4+，yMg2+，其中，氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。在優(yōu)選的實(shí)施例中，氧氣氣流量為10～200sccm，x為0.05，y為0.03。更優(yōu)選實(shí)施例中，氧氣氣流量為120sccm。步驟S15、沉積完畢后停止通入三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂及氬氣，繼續(xù)通入氧氣使鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的溫度降至80℃～150℃。本實(shí)施方式中，優(yōu)選的，使鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的溫度降至100℃。可以理解，步驟S12和步驟S15可以省略。請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的薄膜電致發(fā)光器件100，該薄膜電致發(fā)光器件100包括依次層疊的襯底1、陽(yáng)極2、發(fā)光層3以及陰極4。襯底1為玻璃襯底。陽(yáng)極2為形成于玻璃襯底上的氧化銦錫(ITO)。發(fā)光層3的材料為鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜，該鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的化學(xué)式為Al2O3:xTi4+，yMg2+，其中，氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。陰極4的材質(zhì)為銀(Ag)。上述薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：步驟S21、提供具有陽(yáng)極2的襯底1。本實(shí)施方式中，襯底1為玻璃襯底，陽(yáng)極2為形成于玻璃襯底上的氧化銦錫(ITO)?？梢岳斫?，在其他實(shí)施例中，也可以為摻氟氧化錫玻璃(FTO)、摻 鋁的氧化鋅(AZO)或摻銦的氧化鋅(IZO)；具有陽(yáng)極2的襯底1先后用丙酮、無(wú)水乙醇和去離子水超聲清洗并用對(duì)其進(jìn)行氧等離子處理。步驟S22、在陽(yáng)極2上形成發(fā)光層3，發(fā)光層3的材料為鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜，該鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的化學(xué)式為Al2O3:xTi4+，yMg2+，其中氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，0≤y≤0.06。本實(shí)施方式中，發(fā)光層3由以下步驟制得：首先，將襯底裝入化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)室中，并將反應(yīng)室的真空度設(shè)置為1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa，再則、將襯底在600℃～800℃下熱處理10分鐘～30分鐘。也可以無(wú)需此步驟。其次，調(diào)節(jié)襯底的溫度為250℃～650℃，轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分鐘～1000轉(zhuǎn)/分鐘，采用氬氣氣流的載體，根據(jù)Al2O3:xTi4+，yMg2+各元素的化學(xué)計(jì)量比將三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂通入反應(yīng)室內(nèi)；在優(yōu)選的實(shí)施例中，三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂摩爾比為1∶(0.01～0.08)∶(0～0.06)；在更優(yōu)選的實(shí)施例中，三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂摩爾比為1∶0.05∶0.03，在優(yōu)選實(shí)施例中，襯底的溫度優(yōu)選為500℃，襯底的轉(zhuǎn)速優(yōu)選為300轉(zhuǎn)/分鐘，氬氣氣流量為5～15sccm；更優(yōu)選實(shí)施例中，氬氣氣流量為10sccm；然后通入氧氣，進(jìn)行化學(xué)氣相沉積薄膜在所述陽(yáng)極上形成發(fā)光層。優(yōu)選實(shí)施例中，氧氣的流量?jī)?yōu)選為10～200sccm；更優(yōu)選實(shí)施例中，氧氣氣流量為120sccm。最后、沉積完畢后停止通入三乙基鋁、四異丙醇鈦和二茂鎂及氬氣，繼續(xù)通入氧氣使鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的溫度降至80℃～150℃。本實(shí)施方式中，優(yōu)選的，使鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的溫度降至100℃?？梢詿o(wú)需此步驟。步驟S23、在發(fā)光層3上形成陰極4。本實(shí)施方式中，陰極4的材料為銀(Ag)，由蒸鍍形成。下面為具體實(shí)施例。實(shí)施例1襯底為ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入設(shè)備反應(yīng)室。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至4.0×10-3Pa；然后把襯底進(jìn)行700℃熱處理20分鐘，然后溫度降為500℃。打開(kāi)旋轉(zhuǎn)電機(jī)，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為300轉(zhuǎn)/分，通入有機(jī)源三乙基鋁(CH3CH2)3Al、四異丙醇鈦TTIP和二茂鎂(C5H5)2Mg的摩爾比為1∶0.05∶0.03，載氣氣體為氬氣，氬氣氣流量為10sccm。通入氧氣，氧氣氣流量為120sccm，開(kāi)始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機(jī)源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100℃以下，取出樣品Al2O3:0.05Ti4+，0.03Mg2+。最后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。本實(shí)施例中得到的鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為Al2O3:0.05Ti4+，0.03Mg2+，其中氧化鋁是基質(zhì)，鈦元素和鎂元素是激活元素。請(qǐng)參閱圖2，圖2所示為得到的鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的電致發(fā)光譜(EL)。由圖2可以看出，電致發(fā)光譜中，在410nm波長(zhǎng)區(qū)都有很強(qiáng)的發(fā)光峰能夠應(yīng)用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。請(qǐng)參閱圖3，圖3為實(shí)施例1制備的鈦鎂共摻雜氧化鋁發(fā)光薄膜的XRD曲線，測(cè)試對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片。從圖3中可以看出所有的衍射峰可看出所有的衍射峰都是對(duì)應(yīng)氧化鋁的結(jié)晶相，而且沒(méi)有摻雜元素及其它雜相出現(xiàn)，說(shuō)明該制備方法得到的產(chǎn)品具有良好的結(jié)晶質(zhì)量。請(qǐng)參閱圖4，圖4為實(shí)施例1制備的薄膜電致發(fā)光器件的電壓與電流和亮度關(guān)系圖，在附圖4中曲線1是電壓與電流密度關(guān)系曲線，可看出器件從5.5V開(kāi)始發(fā)光，曲線2是電壓與亮度關(guān)系曲線，最大亮度為79cd/m2，表明器件具有良好的發(fā)光特性。實(shí)施例2襯底為ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入設(shè)備反應(yīng)室。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0×10-3Pa；然后把襯底進(jìn)行700℃熱處理10分鐘，然后溫度降為250℃。打開(kāi)旋轉(zhuǎn)電機(jī)，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為50轉(zhuǎn)/分，通入有機(jī)源三乙基鋁(CH3CH2)3Al、四異丙醇鈦TTIP和二茂鎂(C5H5)2Mg的摩爾比為1∶0.08∶0.06，載氣氣體為氬氣，氬氣氣流量為10sccm。通入氧氣，氧氣氣流量為10sccm，開(kāi)始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至80nm，關(guān)閉有機(jī)源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100℃以下，取出樣品Al2O3:0.08Ti4+，0.06Mg2+。最后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。實(shí)施例3襯底為ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入設(shè)備反應(yīng)室。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0×10-2Pa；然后把襯底進(jìn)行700℃熱處理30分鐘，然后溫度降為650℃。打開(kāi)旋轉(zhuǎn)電機(jī)，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為1000轉(zhuǎn)/分，通入有機(jī)源三乙基鋁(CH3CH2)3Al和四異丙醇鈦TTIP的摩爾比為1∶0.01，載氣氣體為氬氣，氬氣氣流量為10sccm。通入氧氣，氧氣氣流量為200sccm，開(kāi)始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至300nm，關(guān)閉有機(jī)源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100℃以下，取出樣品Al2O3:0.01Ti4+。最后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。實(shí)施例4襯底為ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入設(shè)備反應(yīng)室。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0×10-3Pa；然后把襯底進(jìn)行700℃熱處理10分鐘，然后溫度降為300℃。打開(kāi)旋轉(zhuǎn)電機(jī)，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為200轉(zhuǎn)/分，通入有機(jī)源三乙基鋁(CH3CH2)3Al、四異丙醇鈦TTIP和二茂鎂(C5H5)2Mg的摩爾比為1∶0.03∶0.02，載氣氣體為氬氣，氬氣氣流量為20sccm。通入氧氣，氧氣氣流量為100sccm，開(kāi)始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機(jī)源和載氣，繼續(xù)通氧氣， 溫度降到100℃以下，取出樣品Al2O3:0.03Ti4+，0.02Mg2+。最后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。實(shí)施例5襯底為ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入設(shè)備反應(yīng)室。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0×10-3Pa；然后把襯底進(jìn)行700℃熱處理10分鐘，然后溫度降為300℃。打開(kāi)旋轉(zhuǎn)電機(jī)，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為200轉(zhuǎn)/分，通入有機(jī)源三乙基鋁(CH3CH2)3Al、四異丙醇鈦TTIP和二茂鎂(C5H5)2Mg的摩爾比為1∶0.04∶0.04，載氣氣體為氬氣，氬氣氣流量為20sccm。通入氧氣，氧氣氣流量為100sccm，開(kāi)始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機(jī)源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100℃以下，取出樣品Al2O3:0.04Ti4+，0.04Mg2+。最后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。實(shí)施例6襯底為ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入設(shè)備反應(yīng)室。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0×10-3Pa；然后把襯底進(jìn)行700℃熱處理10分鐘，然后溫度降為300℃。打開(kāi)旋轉(zhuǎn)電機(jī)，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為200轉(zhuǎn)/分，通入有機(jī)源三乙基鋁(CH3CH2)3Al、四異丙醇鈦TTIP和二茂鎂(C5H5)2Mg的摩爾比為1∶0.02∶0.01，載氣氣體為氬氣，氬氣氣流量為20sccm。通入氧氣，氧氣氣流量為100sccm，開(kāi)始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機(jī)源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100℃以下，取出樣品Al2O3:0.02Ti4+，0.01Mg2+。最后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。實(shí)施例7襯底為ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入設(shè)備反應(yīng)室。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度 抽至1.0×10-3Pa；然后把襯底進(jìn)行700℃熱處理10分鐘，然后溫度降為300℃。打開(kāi)旋轉(zhuǎn)電機(jī)，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為200轉(zhuǎn)/分，通入有機(jī)源三乙基鋁(CH3CH2)3Al、四異丙醇鈦TTIP和二茂鎂(C5H5)2Mg的摩爾比為1∶0.06∶0.04，載氣氣體為氬氣，氬氣氣流量為20sccm。通入氧氣，氧氣氣流量為100sccm，開(kāi)始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機(jī)源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100℃以下，取出樣品Al2O3:0.06Ti4+，0.04Mg2+。最后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。實(shí)施例8襯底為ITO玻璃，先后用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗5分鐘，然后用蒸餾水沖洗干凈，氮?dú)怙L(fēng)干后送入設(shè)備反應(yīng)室。用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0×10-3Pa；然后把襯底進(jìn)行700℃熱處理10分鐘，然后溫度降為300℃。打開(kāi)旋轉(zhuǎn)電機(jī)，調(diào)節(jié)襯底托的轉(zhuǎn)速為200轉(zhuǎn)/分，通入有機(jī)源三乙基鋁(CH3CH2)3Al、四異丙醇鈦TTIP和二茂鎂(C5H5)2Mg的摩爾比為1∶0.07∶0.05，載氣氣體為氬氣，氬氣氣流量為20sccm。通入氧氣，氧氣氣流量為100sccm，開(kāi)始薄膜的沉積。薄膜的厚度沉積至150nm，關(guān)閉有機(jī)源和載氣，繼續(xù)通氧氣，溫度降到100℃以下，取出樣品Al2O3:0.07Ti4+，0.05Mg2+。最后在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專(zhuān)利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專(zhuān)利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。