專利名稱：氧氮化物基磷光體、包含其的發(fā)光裝置及其制備方法
技術領域：
本申請涉及具有新的晶體結構的氧氮化物基磷光體以及包括所述氧氮化物基磷光體的發(fā)光裝置。
背景技術：
通常，由于白光發(fā)光二極管(LED)在發(fā)光裝置、IXD背光、汽車發(fā)光裝置等中的使用，因此，其近來占主導地位，所述白光發(fā)光二極管包括作為激發(fā)源的發(fā)射藍光或近紫外光的LED以及用于將從LED發(fā)出的光波長轉換成可見光的磷光體。實施白光LED的代表性方法包括:利用由InGaN基材料(波長為450nm至550nm)形成的藍光LED作為發(fā)光元件并且利用發(fā)射黃光并由組成式(Y，Gd)3(Al, Ga)5012表示的YAG基磷光體作為磷光體。在白光LED中，從所述發(fā)光兀件發(fā)出的藍光入射到磷光體層上并在所述磷光體層中反復被吸收和散射。由經(jīng)波長轉換的藍光形成的黃光與一部分入射的藍光混合，使得通過反復處理而在所述磷光體中被吸收的藍光可以作為白光呈現(xiàn)在人眼中。然而，具有這種結構的白光二極管在其光中幾乎不具有紅光分量，并且具有高色溫和不足的綠光分量，因此，所述白光二極管僅起到具有低的顯色性的照明燈作用。此外，當激發(fā)源的 波長超過400nm時，氧化物基磷光體的發(fā)光強度通常易于劣化，因此其不適于利用藍光提供具有高亮度的白光。因此，氧氮化物基磷光體近來在白光LED應用領域中備受關注，所述氧氮化物基磷光體在激發(fā)源的波長超過400nm的情況中具有優(yōu)異的發(fā)光效率，同時具有等于或大于氧化物基磷光體的穩(wěn)定性。氧氮化物磷光體起初是作為工程陶瓷而開發(fā)的材料，因此其難以發(fā)生由于水分或熱引起的效率下降并且變色水平較低。然而，對在除α -型或β -型賽隆(S1-Al-O-N)以外的組成領域存在的氧氮化物基磷光體的研究還沒有真正進行或幾乎不為人所知。

發(fā)明內容
本申請的一方面提供一種氧氮化物基磷光體，其具有優(yōu)異的結構穩(wěn)定性，特別是在紅光波段中具有優(yōu)異的發(fā)光亮度并且具有有助于提高發(fā)光亮度的新晶體結構，因此，其適合用于LED應用領域。本申請的另一方面還提供一種發(fā)光裝置，其包括所述氧氮化物基磷光體。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種氧氮化物基磷光體，其具有溶于由通式Ca15Si2ciOltlN3tl表示的主體材料(host material)中的稀土元素。所述稀土元素為選自由猛(Mn)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鋱(Tb)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)組成的組中的至少一者。所述主體材料具有根據(jù)X射線粉末衍射圖譜的峰值的晶格，其中所述晶格具有立方晶體結構。當稀土元素表示為Re時,氧氮化物磷光體由以下通式表示:(Cah)15Si2ciOltlN3tl = Rex(0.0001〈χ〈0.2)。在主體材料的立方晶體結構中，晶體常數(shù)a = 15.48978,4并且所述晶體常數(shù)a的變化率可以為10%或更小。所述稀土元素可以是Eu2+。所述立方晶體結構的空間群(space group)為Pa_3。相對于峰波長在250nm至550nm范圍內的激發(fā)光，所述氧氮化物基磷光體表現(xiàn)出的發(fā)光峰波長可以為600nm至660nm。所述氧氮化物基磷光體的平均粒度可以為I μ m至20 μ m。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種發(fā)光裝置，其包括用于發(fā)射激發(fā)光的發(fā)光元件。波長轉換單元吸收激發(fā)光并發(fā)射可見光。所述波長轉換單元可以包括這樣的氧氮化物基磷光體:其具有溶于由通式Ca15Si2tlOiciN3t`l表示的主體材料中的稀土元素。所述稀土元素為選自由錳(Mn)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鋱(Tb)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)組成的組中的至少一者。所述主體材料具有根據(jù)X射線粉末衍射圖譜的峰值的晶格，其中所述晶格具有立方晶體結構。所述發(fā)光元件可以是紫外光發(fā)光二極管或藍光發(fā)光二極管。在本申請的另一方面中，提供了一種制備氧氮化物基磷光體的方法。該方法包括將稀土氧化物與具有通式Ca15Si2tlOltlN3tl的主體材料混合，以形成混合物。在氣體氣氛下在約1400°C至1600°C的溫度下焙燒所述混合物。所述稀土元素為選自由錳(Mn)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鋱(Tb)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)組成的組中的至少一者。所述主體材料具有根據(jù)X射線粉末衍射圖譜的峰值的晶格。所述晶格具有立方晶體結構。另外的優(yōu)點和新的特征部分地在以下說明書中描述，并且部分地通過了解以下說明和附圖，這些優(yōu)點和特征對于本領域的技術人員來說將變得顯而易見，或者可以通過以下例子中的制備和操作來理解。通過實施或使用在以下詳細討論的實施例中描述的方法學、手段和組合的多個方面，可以實現(xiàn)并獲得本教導的優(yōu)點。附圖簡要說明通過結合附圖所進行的以下詳細說明，將會更清楚地理解本申請的上述方面和其他方面、特征和其他優(yōu)點，其中:

圖1是示意性示出本發(fā)明的氧氮化物基磷光體的三元組成圖；圖2-4是示出對在改變作為原料而提供的CaO和SiN4/3的比例的同時根據(jù)焙燒溫度獲得的材料的晶體結構進行分析得到的XRD圖譜的圖；圖5是示出相關領域已知的四種晶體結構的XRD圖譜的圖，從而與圖2-4的XRD圖譜進行比較；圖6和7是示出通過分別根據(jù)1500°C和1600°C的焙燒溫度精確調整CaO和SiN4/3的比例而獲得的組合物的XRD圖譜的圖；圖8是示出根據(jù)本申請實施例1-9的磷光體的光致發(fā)光(PL)特性的圖9是示出在制造磷光體后使用X射線衍射(XRD)所得的本申請實施例的磷光體的晶體結構分析結果的圖10是示出通過使用Rietveld法所得的晶體結構分析結果的圖；以及圖11是示意性示出本申請實施例的磷光體的晶體結構的圖。
具體實施例方式在以下詳細說明中，通過例子描述了眾多特定細節(jié)以便對相關教導進行全面理解。但是對于本領域的技術人員顯而易見的是，沒有這些細節(jié)也能夠實施本發(fā)明的教導。在其他情況中，已經(jīng)相對上位地描述了眾所周知的方法、工藝、成分和/或線路，而未作詳細描述，以避免不必要地掩蓋本發(fā)明的教導。以下將結合附圖對本發(fā)明的例子進行詳細描述。但是，本申請可以以多種不同的形式示例，而不應當解釋為本申請局限于本文所述的這些特定例子。相反，提供這些例子是為了使得本申請的范圍透徹和完整，并且充分地向本領域的技術人員傳達本申請的范圍。在附圖中，為了清晰起見，元件的形狀和尺寸可能被放大，并且在全文中使用的相同的參考標記表示相同或相似的元件。根據(jù)本申請例子的氧氮化物基磷光體具有溶于由通式Ca15Si2ciOltlN3tl表示的主體材料中的稀土元素。所述稀土元素為選自由猛(Mn)、鋪(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、衫(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鋱(Tb)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)組成的組中的至少一者。所述主體材料具有根據(jù)X射線粉末衍射圖譜的峰值的晶格，其中所述晶格具有立方晶體結構。特別是，當所述稀土元素表示為Re時，氧氮化物磷光體可以由以下通式表示:(Ca1J15Si20O10N30IRex (0.0001〈x〈0.2)。本申請實施方案的磷光體的組成式可以示于圖1的三元組成圖中。如果對所述主體材料作更具體的描述，那么所述立方晶體結構滿足的是晶體常數(shù)a= 15.48978A并且α = Υ = β=90°。此外，經(jīng)證實，立方晶體結構的空間群對應于Pa-3。在這種情況下，當晶體常數(shù)a和空間群的變化率分別為10%或更小時，可以認為使用了相同的組成。具有上述結構的氧氮化物基磷光體具有相關領域中未知的新的晶體結構。在其中Eu等被溶解作為發(fā)光金屬元素的情況中，如果向其照射作為激發(fā)源的紫外光或可見光，則氧氮化物基磷光體在綠光波段到紅光波段范圍內的波段內(特別是在約600-660nm的波長范圍內)具有優(yōu)異的效率。氧氮化物基磷光體起到波長轉換單元的作用，因此適合用作諸如發(fā)光二極管等發(fā)光元件用的磷光體。通過使用所述發(fā)光元件和磷光體組合物，可以獲得發(fā)光裝置，特別是能夠發(fā)射白光的發(fā)光裝置。以下將詳細描述氧氮化物基磷光體的新的晶體結構。根據(jù)本發(fā)明人進行的試驗，在所述組成條件之外的情況中，晶體結構發(fā)生改變，而不是立方晶體結構，導致不能獲得磷光體的期望特征。但是，對于獲得立方晶體結構而言，滿足所述組成條件并不是必須的，并且如果獲得了立方晶體結構，即使是在所述組成條件之外的情況下，也可以認為這種情況包括在本申請的范圍內。同時，具有上述結構的磷光體可以由氧氮化物制成，因此其具有優(yōu)異的結構穩(wěn)定性，由此，所述磷光體具有改進的環(huán)境穩(wěn)定性，所述環(huán)境包括氧化氣氛或潮濕環(huán)境。
在某些例子中，具有所述組成式的磷光體組合物被構造成單相，但可以包括不可避免地在制備過程中以微量生成的非結晶相或除了立方晶相之外的其他晶相。所述磷光體組合物可以包含含有非結晶相或其他晶相的化合物，只要不影響其特性即可。同時，本申請實施方案的磷光體的平均粒度可以在I μ m至20 μ m的范圍內。這是因為，當平均粒度小于I μ m時，由于不利于光散射和均勻分散至封裝LED的樹脂材料中，因此導致光吸收率可能下降，同時，當平均粒度大于20 μ m時，則可能產(chǎn)生不規(guī)則的發(fā)光強度和顏色。下文以例子的方式描述制備具有上述結構的氧氮化物基磷光體的方法。對于用于制備磷光體的原料，使用氮化硅(Si3N4)粉末、氧化鈣(CaO)粉末和氧化銪(Eu2O3)粉末作為主要成分，Ca、Si和Eu。稱量諸如CaO、a -Si3N4和Eu2O3等原料并進行混合以具有預定的組成，在這種情況下，每個樣品的混合物的量為lg。在環(huán)境溫度下對對所述原料手工進行混合操作10分鐘。在氮氣氣氛下將如上獲得的混合物樣品焙燒，在所述氮氣氣氛中，提供了壓力高于大氣壓并且壓力低于20atm的氣壓的氮氣和0 25%的氫氣。當在上述氮氣氣氛下進行焙燒時，可以防止或抑制在高溫焙燒過程中合成的氮化物發(fā)生分解，并且在所得氮化物中的組成偏差可以降低，從而能夠制造具有優(yōu)異性能的磷光體組合物。同時，提供氮氣作為主要成分這一事實是指氮氣的含量占氣體總量的75%或更高。此外，焙燒溫度可以為約1400°C至1600°C。此外，焙燒 時間可以在約30分鐘至100小時的范圍內，但考慮到品質和產(chǎn)率，在其他例子中可以為2小時至12小時。在該例子中，焙燒可以在大氣壓和超純氮氣(99.999%)氣氛中在約1525°C的焙燒溫度下進行約8小時?？梢詫ζ溥M行粉碎操作以制備磷光體。本申請的發(fā)明人已經(jīng)證實，具有本申請實施方案的組成式的磷光體實際上是通過利用上述制備工藝，通過調節(jié)原料的混合比例和其使用的焙燒溫度來合成的。就此而言，將結合圖2-7的XRD圖譜分析結果進行詳細說明。圖2-4示出了對在改變作為原料提供的CaO和SiN4/3的比例的同時根據(jù)焙燒溫度獲得的材料的晶體結構進行分析得到的XRD圖譜。圖5示出了相關領域中四種已知的晶體結構的XRD譜圖，以與圖2-4的XRD譜圖進行比較。參照圖2-4，在下述條件下獲得了 Ca15Si2tlOltlN3tl晶體，所述條件為:CaO和SiN4/3的比例在3:7至5:5的范圍內，并且焙燒溫度為約1400°C至1500°C。圖6和7示出了通過分別根據(jù)約1500°C和1600°C的焙燒溫度精確調整CaO和SiN473的比例而獲得的組合物的XRD譜圖。在焙燒溫度為1400°C的情況中，示出其結果類似于焙燒溫度為1500°C的情況。在圖6和7中，當在1500°C的焙燒溫度下將CaO和SiN4/3的比例改變?yōu)?5:16-15:21時，證實獲得了 Ca15Si2H晶體。與此不同的是，在1600°C的
焙燒溫度下難以合成Ca15Si2tlOltlN3tl晶體?；赬RD圖譜分析結果，按照以下實施例所述制備具有不同活化劑(Eu)含量的磷光體組合物。[實施例1]對于用于實施例1的磷光體組合物的原料粉末，分別稱取0.4641g的Ca0、0.5212g的a -Si3N4和0.0147g的Eu2O3,隨后使用研缽在環(huán)境氣氛下手動將其混合，從而獲得Ig原粉末混合物。將所述Ig原粉末混合物裝入坩堝中，將氮氣以500cc/分鐘的量提供至焙燒爐的內部。通過在約1525°C下進行加熱進行焙燒處理約8小時，隨后對其進行粉碎操作，從而獲得磷光體組合物。當所述磷光體組合物被460nm的光源激發(fā)時，證實其中心發(fā)光峰為約 609nm。[實施例2]對于用于實施例2的磷光體組合物的原料粉末，分別稱取0.4548g的Ca0、0.5160g的a -Si3N4和0.0291g的Eu2O3,隨后使用研缽在環(huán)境氣氛下手動將其混合，從而獲得Ig原粉末混合物。將所述Ig原粉末混合物裝入坩堝中，將氮氣以500cc/分鐘的量提供至焙燒爐的內部。通過在約1525°C下進行加熱進行焙燒處理約8小時，隨后對其進行粉碎操作，從而獲得磷光體組合物。當所述磷光體組合物被460nm的光源激發(fā)時，證實其中心發(fā)光峰為約 630nm。[實施例3]對于用于實施例3的磷光體組合物的原料粉末，分別稱取0.4458g的Ca0、0.51 IOg的a -Si3N4和0.0433g的Eu2O3,隨后使用研缽在環(huán)境氣氛下手動將其混合，從而獲得Ig原粉末混合物。將所述Ig原粉末混合物裝入坩堝中，將氮氣以500cc/分鐘的量提供至焙燒爐的內部。通過在約1525°C下進行加熱進行焙燒處理約8小時，隨后對其進行粉碎操作，從而獲得磷光體組合物。當所述磷光體組合物被460nm的光源激發(fā)時，證實其中心發(fā)光峰為約 641nm。[實施例4]
對于用于實施例4的磷光體組合物的原料粉末，分別稱取0.4369g的Ca0、0.5060g的a -Si3N4和0.0571g的Eu2O3,隨后使用研缽在環(huán)境氣氛下手動將其混合，從而獲得Ig原粉末混合物。將所述Ig原粉末混合物裝入坩堝中，將氮氣以500cc/分鐘的量提供至焙燒爐的內部。通過在約1525°C下進行加熱進行焙燒處理約8小時，隨后對其進行粉碎操作，從而獲得磷光體組合物。當所述磷光體組合物被460nm的光源激發(fā)時，證實其中心發(fā)光峰為約 641nm。[實施例5]對于用于實施例5的磷光體組合物的原料粉末，分別稱取0.4282g的Ca0、0.501 Ig的a -Si3N4和0.0707g的Eu2O3,隨后使用研缽在環(huán)境氣氛下手動將其混合，從而獲得Ig原粉末混合物。將所述Ig原粉末混合物裝入坩堝中，將氮氣以500cc/分鐘的量提供至焙燒爐的內部。通過在約1525°C下進行加熱進行焙燒處理約8小時，隨后對其進行粉碎操作，從而獲得磷光體組合物。當所述磷光體組合物被460nm的光源激發(fā)時，證實其中心發(fā)光峰為約 648nm。[實施例6]對于用于實施例6的磷光體組合物的原料粉末，分別稱取0.4196g的Ca0、0.4963g的a -Si3N4和0.0840g的Eu2O3,隨后使用研缽在環(huán)境氣氛下手動將其混合，從而獲得Ig原粉末混合物。將所述Ig原粉末混合物裝入坩堝中，將氮氣以500cc/分鐘的量提供至焙燒爐的內部。通過在約1525°C下進行加熱進行焙燒處理約8小時，隨后對其進行粉碎操作，從而獲得磷光體組合物。當所述磷光體組合物被460nm的光源激發(fā)時，證實其中心發(fā)光峰為約 655nm。[實施例7]對于用于實施例7的磷光體組合物的原料粉末，分別稱取0.4112g的Ca0、0.4916g的a -Si3N4和0.0971g的Eu2O3,隨后使用研缽在環(huán)境氣氛下手動將其混合，從而獲得Ig原粉末混合物。將所述Ig原粉末混合物裝入坩堝中，將氮氣以500cc/分鐘的量提供至焙燒爐的內部。通過在約1525°C下進行加熱進行焙燒處理約8小時，隨后對其進行粉碎操作，從而獲得磷光體組合物。當所述磷光體組合物被460nm的光源激發(fā)時，證實其中心發(fā)光峰為約 654nm。[實施例8]對于用于實施例8的磷光體組合物的原料粉末，分別稱取0.4030g的Ca0、0.4870g的a -Si3N4和0.1lOOg的Eu2O3,隨后使用研缽在環(huán)境氣氛下手動將其混合，從而獲得Ig原粉末混合物。將所述Ig原粉末混合物裝入坩堝中，將氮氣以500cc/分鐘的量提供至焙燒爐的內部。通過在約1525°C下進行加熱進行焙燒處理約8小時，隨后對其進行粉碎操作，從而獲得磷光體組合物。當所述磷光體組合物被460nm的光源激發(fā)時，證實其中心發(fā)光峰為約 655nm。[實施例9]對于用于實施例9的磷光體組合物的原料粉末，分別稱取0.3949g的Ca0、0.4825g的a -Si3N4、0.1226g的Eu2O3,隨后使用研缽在環(huán)境氣氛下手動將其混合，從而獲得Ig原粉末混合物。將所述Ig原粉末混合物裝入坩堝中，將氮氣以500cc/分鐘的量提供至焙燒爐的內部。通過在約1525°C下進行加熱進行焙燒處理約8小時，隨后對其進行粉碎操作，從而獲得磷光體組合物。當所述磷光體組合物被460nm的光源激發(fā)時，證實其中心發(fā)光峰為約660nmo實施例1-9中原料的混合比例及其所得的發(fā)光特性列于以下表I中。在這種情況中，大致推出峰波長值。[表 I]
權利要求
1.一種氧氮化物基磷光體，包含: 溶于主體材料中的稀土元素,所述主體材料由以下通式表示: Ca15Si20O10N30, 其中所述稀土元素為選自由錳(Mn)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鋱(Tb)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)組成的組中的至少一者，并且所述主體材料具有根據(jù)X射線粉末衍射圖譜的峰值的晶格，所述晶格具有立方晶體結構。
2.權利要求1所述的氧氮化物基磷光體，其中，當所述稀土元素表示為Re時，所述氧氮化物基磷光體由以下通式表示: (Ca^x) I5Si20O10N30: Rex (0.0001〈χ〈0.2)。
3.權利要求1所述的氧氮化物基磷光體，其中，在所述主體材料的所述立方晶體結構中，晶體常數(shù)a = 15.48978A并且所述晶體常數(shù)a的變化率為10%或更小。
4.權利要求1所述的氧氮化物基磷光體，其中所述稀土元素為Eu2+。
5.權利要求1所述的氧氮化物基磷光體，其中所述立方晶體結構的空間群為Pa-3。
6.權利要求1所述的氧氮化物基磷光體，其中相對于峰波長在250nm至550nm范圍內的激發(fā)光，所述氧氮化物基磷光體表現(xiàn)出的發(fā)光峰波長為600nm至660nm。
7.權利要求1所述的氧氮化物基磷光體，其中所述氧氮化物基磷光體的平均粒度為 Iμ m 至 20 μ m0
8.一種發(fā)光裝置，包括: 發(fā)光元件，其被構造成發(fā)射激發(fā)光；以及 波長轉換單元，其被構造成吸收所述激發(fā)光并發(fā)射可見光， 其中所述波長轉換單元包括: 氧氮化物基磷光體，所述氧氮化物基磷光體具有溶于由以下通式表示的主體材料中的稀土元素: Ca15Si20O10N30, 其中所述稀土元素為選自由錳(Mn)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鋱(Tb)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)組成的組中的至少一者，并且所述主體材料具有根據(jù)X射線粉末衍射圖譜的峰值的晶格，所述晶格具有立方晶體結構。
9.權利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述發(fā)光元件是紫外光發(fā)光二極管或藍光發(fā)光二極管。
10.權利要求8所述的發(fā)光裝置，其中當所述稀土元素表示為Re時，所述氧氮化物基磷光體由以下通式表示: (Ca^x) I5Si20O10N30: Rex (0.0001〈χ〈0.2)。
11.權利要求8所述的發(fā)光裝置，其中在所述主體材料的立方晶體結構中，晶體常數(shù)a = 15.48978A并且所述晶體常數(shù)a的變化率為10%或更小。
12.權利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述稀土元素為Eu2+。
13.權利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述立方晶體結構的空間群為Pa-3。
14.權利要求8所述的發(fā)光裝置，其中相對于峰波長在250nm至550nm范圍內的激發(fā)光，所述氧氮化物基磷光體表現(xiàn)出的發(fā)光峰波長為600nm至660nm。
15.權利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述氧氮化物基磷光體的平均粒度為Iμπι至20 μ m0
16.一種用于制備氧氮化物基磷光體的方法，所述方法包括以下步驟: 將稀土氧化物與具有通式Ca15Si2ciOltlN3tl的主體材料混合，以形成混合物；以及 在氣體氣氛下在約1400° C至1600° C的溫度下焙燒所述混合物， 其中: 其中所述稀土元素為選自由錳(Mn)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鋱(Tb)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)組成的組中的至少一者，并且所述主體材料具有根據(jù)X射線粉末衍射圖譜的峰值的晶格，所述晶格具有立方晶體結構。
17.權利要求16所述的方法，還包括以下步驟: 將經(jīng)焙燒的所述混合物粉碎，從而形成所述氧氮化物基磷光體。
18.權利要求16所述的方法，其中所述氣體氣氛是任選地含有氫氣的氮氣氣氛。
19.權利要求16所述的方法，其中所述焙燒步驟是在30分鐘至100小時的范圍內進行的。
20.權利要求16所述的方法，其中當所述稀土元素表示為Re時，所述氧氮化物基磷光體由以下通式表示: (Ca^x) I5Si20O10N30: Rex (0.0001〈χ〈0.2)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種氧氮化物基磷光體和包括所述磷光體的發(fā)光裝置。所述氧氮化物基磷光體包含溶于由通式Ca15Si20O10N30表示的主體材料中的稀土元素。所述稀土元素為選自由錳(Mn)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鏑(Dy)、鋱(Tb)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)和鐿(Yb)組成的組中的至少一者。所述主體材料具有根據(jù)X射線粉末衍射圖譜的峰值的晶格，并且所述晶格具有立方晶體結構。
文檔編號C09K11/59GK103146378SQ20121052570
公開日2013年6月12日 申請日期2012年12月7日 優(yōu)先權日2011年12月7日
發(fā)明者元炯植, 孫基先, 樸云培 申請人:三星電子株式會社, 順天大學校產(chǎn)學協(xié)力團