電子元件的制造方法和要用于所述制造方法的壓敏粘合片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種經(jīng)簡化的半導體芯片等芯片狀電子元件的制造方法。本發(fā)明的制造方法包括以下步驟：將具有基材、設置于所述基材的一面上的含有熱膨脹性微球的熱膨脹性壓敏粘合劑層、和設置于所述基材的另一面上的從所述基材側起順次包括微壓敏粘合劑層和接著劑層的介電層的壓敏粘合片貼合于基板上，以致所述熱膨脹性壓敏粘合劑層置于所述基板側；將多個芯片狀電子元件貼合并固定于所述壓敏粘合片的所述接著劑層側的表面上，以致所述電子元件的電極面置于所述接著劑層側；利用保護材料覆蓋所述多個芯片狀電子元件除固定面以外的全部面，從而獲得包括所述多個芯片狀電子元件的密封成型體；將所述壓敏粘合片加熱以使所述熱膨脹性壓敏粘合劑層中的熱膨脹性微球膨脹，從而降低其粘合力并將所述熱膨脹性壓敏粘合劑層從所述基板剝離；將所述微壓敏粘合劑層從所述接著劑層剝離，從而獲得所述接著劑層與所述密封成型體的層壓體；和在所述多個芯片狀電子元件之間將所述層壓體切斷，從而分割為單獨的芯片狀電子元件。
【專利說明】電子元件的制造方法和要用于所述制造方法的壓敏粘合片
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電子元件的制造方法及用于所述制造方法的壓敏粘合片。
【背景技術】
[0002]在半導體芯片的制造中，以高密度封裝為目的，其中以晶片狀態(tài)進行封裝的稱為晶片級芯片尺寸封裝(WL-CSP)的封裝體系備受注目。根據(jù)WL-CSP，在晶片上進行再配線和端子的形成等之后進行切割晶片，因此可獲得小型化至大致芯片尺寸的半導體封裝。
[0003]此處，在I枚晶片上形成的多個電路圖案中會包括有缺陷產(chǎn)品。在此情況時，當不區(qū)別有缺陷產(chǎn)品與無缺陷產(chǎn)品而一概在所述晶片上進行再配線等處理時，對有缺陷產(chǎn)品所進行的處理變得徒勞，結果可出貨的無缺陷產(chǎn)品的制造成本增高。為了解決所述問題，已提出僅選出無缺陷產(chǎn)品后進行端子的形成等的制造方法(專利文獻I)。
[0004]此外，WL-CSP需要許多復雜的處理步驟。例如，形成再配線層的步驟通常包括以下一些步驟:例如第I層間絕緣層形成、晶種金屬沉積、光致抗蝕劑圖案形成、鍍覆、光致抗蝕劑去除及晶種金屬蝕刻，和第2層間絕緣層形成等。因此，在WL-CSP中，強烈要求步驟的簡化，以及制造成本的降低。更詳細而言，根據(jù)CSP的制造方法，在圖案面上設置介電保護層并于其上形成凸塊(bump)。然而半導體芯片的厚度變小，因此，對于僅有此類介電保護層的厚度，半導體芯片會破損的概率高。此外，半導體芯片經(jīng)常用于嚴苛環(huán)境，使其難以確?？煽啃?。因此，存在增加介電保護層的厚度的需求。但是，在常規(guī)制造方法中，所述方法涉及在半導體芯片的圖案面上通過使用旋涂而施涂液體樹脂作為介電保護層，存在難以增加介電保護層厚度的問題，和使用旋涂導致介電保護層的涂布產(chǎn)率降低且樹脂的用量增加的問題。
[0005]引用文獻列表
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻I JP2001-308116A
【發(fā)明內容】

[0008]發(fā)明要解決的問題
[0009]為了解決上述問題進行本發(fā)明，本發(fā)明的目的在于:降低半導體芯片等芯片狀電子元件的制造成本并且簡化其制造方法。
[0010]用于解決問題的方案
[0011]本發(fā)明提供一種電子元件的制造方法。所述制造方法包括:
[0012]將壓敏粘合片貼合于基板上，所述壓敏粘合片包括基材、設置于所述基材的一面上的含有熱膨脹性微球的熱膨脹性壓敏粘合劑層、和設置于所述基材的另一面上的從所述基材側起順次包括微壓敏粘合劑層和接著劑層的介電層，以致所述熱膨脹性壓敏粘合劑層置于所述基板側；
[0013]將多個芯片狀電子元件貼合并固定于所述壓敏粘合片在所述接著劑層側的表面上，以致所述多個芯片狀電子元件的電極面置于所述接著劑層側；
[0014]利用保護物質覆蓋所述多個芯片狀電子元件除固定面以外的全部面，從而獲得包括所述多個芯片狀電子元件的密封成型體；
[0015]將所述壓敏粘合片進行加熱處理以使所述熱膨脹性壓敏粘合劑層中的熱膨脹性微球膨脹，從而降低所述熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力并將所述熱膨脹性壓敏粘合劑層從所述基板剝離；
[0016]將所述微壓敏粘合劑層從所述接著劑層剝離，從而獲得所述接著劑層與所述密封成型體的層壓體；和
[0017]在所述多個芯片狀電子元件之間將所述層壓體切斷，從而分離各芯片狀電子元件。
[0018]在優(yōu)選實施方案中，所述保護物質包含熱固性樹脂或熱塑性樹脂，所述加熱處理的加熱溫度為所述熱固性樹脂的固化溫度以上或所述熱塑性樹脂的軟化溫度以下。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供用于所述電子元件的制造方法的壓敏粘合片。所述壓敏粘合片包括:
[0020]基材；
[0021]設置于所述基材的一面上的含有熱膨脹性微球的熱膨脹性壓敏粘合劑層；和
[0022]設置于所述基材的另一面上的從所述基材側起順次包括微壓敏粘合劑層和接著劑層的介電層。
[0023]在優(yōu)選實施方案中，所述接著劑層的介電常數(shù)為5以下。
[0024]在優(yōu)選實施方案中，所述接著劑層的吸水率為2%以下。
[0025]在優(yōu)選實施方案中，所述微壓敏粘合劑層于23°C環(huán)境下對所述接著劑層的粘合力為3N/20mm以下。
[0026]在優(yōu)選實施方案中，所述微壓敏粘合劑層于100°C環(huán)境下對所述接著劑層的粘合力為2N/20mm以下。
[0027]在優(yōu)選實施方案中，所述保護物質包括熱固性樹脂，和所述熱膨脹性微球的膨脹起始溫度為所述熱固性樹脂的固化溫度以上。
[0028]發(fā)明的效果
[0029]根據(jù)本發(fā)明，通過使用具有特定構成的壓敏粘合片，可容易地在芯片狀電子元件的電極面上形成介電保護層。所述介電保護層在上述再配線層的形成中可用作絕緣層，這導致在簡化芯片狀電子元件的制造方法中的再配線層的形成步驟。此外，在本發(fā)明中，通過僅選出無缺陷產(chǎn)品作為芯片狀電子元件并且利用保護物質覆蓋所述無缺陷產(chǎn)品而獲得密封成型體，可避免對有缺陷產(chǎn)品的進一步處理。此外，通過借助加熱處理使熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力充分降低，可使密封成型體在不破損的情況下從基板剝離。其結果為，產(chǎn)率提高，因此可降低制造成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030][圖1]本發(fā)明的壓敏粘合片的示意性截面圖。
[0031][圖2]示出本發(fā)明的制造方法的示意圖。
[0032]具體進行方式[0033]A.壓敏粘合片
[0034]在一方面，本發(fā)明提供一種壓敏粘合片。本發(fā)明的壓敏粘合片包括:基材；設置于所述基材的一面上的含有熱膨脹性微球的熱膨脹性壓敏粘合劑層；和設置于所述基材的另一面上的從所述基材側起順次包括微壓敏粘合劑層和接著劑層的介電層。本發(fā)明的壓敏粘合片適用于電子元件的制造方法。所述制造方法通常地包括以下步驟:將本發(fā)明的壓敏粘合片以熱膨脹性壓敏粘合劑層置于基板側的方式貼合于所述基板；將多個芯片狀電子元件以所述多個芯片狀電子元件的電極面置于接著劑層側的方式貼合并固定于壓敏粘合片的接著劑層側的表面；利用保護物質覆蓋多個芯片狀電子元件除固定面以外的全部面，從而獲得包括多個芯片狀電子元件的密封成型體；將壓敏粘合片進行加熱處理以使熱膨脹性壓敏粘合劑層中的熱膨脹性微球膨脹，從而降低熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力并從基板剝離熱膨脹性壓敏粘合劑層；從接著劑層剝離微壓敏粘合劑層而獲得接著劑層與密封成型體的層壓體；和在多個芯片狀電子元件之間將層壓體切斷，從而分離各芯片狀電子元件。下文中，詳細說明本發(fā)明的壓敏粘合片。在B部分中詳細說明涉及使用本發(fā)明的壓敏粘合片的制造方法。
[0035]A-1.壓敏粘合片的整體構成
[0036]圖1為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方案的壓敏粘合片的示意性截面圖。壓敏粘合片100包括:基材10、設置于基材10的一面上的熱膨脹性壓敏粘合劑層20、以及設置于基材10的另一面上的從基材10側起順次包括微壓敏粘合劑層30及接著劑層40的介電層50。熱膨脹性壓敏粘合劑層20含有熱膨脹性微球21。雖然未示出，但根據(jù)需要也可于熱膨脹性壓敏粘合劑層20未設置基材10的一側和/或接著劑層40未設置微壓敏粘合劑層30的一側設置隔離膜(separator)，可保護所述壓敏粘合片的表面直至其投入實際使用。
[0037]壓敏粘合片的厚度可根據(jù)目的等而適當設定。厚度一般為25-300 μ m，優(yōu)選為60-200 μ mD
[0038]A-2.基材
[0039]基材10可由任意適當?shù)牟牧闲纬?，只要可支撐設置于其兩側的熱膨脹性壓敏粘合劑層和介電層即可。所述材料的實例包括:例如低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯和聚甲基戊烯等聚烯烴，例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)或交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、例如聚對苯二甲酸乙二酯和聚萘二甲酸乙二酯等聚酯，聚碳酸酯，聚酰亞胺，聚醚醚酮，聚醚酰亞胺，聚酰胺，全芳香族聚酰胺，聚苯硫醚，芳族聚酰胺(紙)，玻璃，玻璃布，氟樹脂，聚氯乙烯，聚偏二氯乙烯，纖維素類樹脂，硅酮系樹脂，金屬(箔)和紙等。它們可單獨或組合使用。
[0040]用于基材的材料的進一步實例包括例如上述樹脂的交聯(lián)產(chǎn)物等聚合物。塑性膜可以在未拉伸狀態(tài)下使用，或者根據(jù)需要也可在使用前單軸或雙軸拉伸。
[0041]為了提高與鄰接層的密合性和保持性等，可對基材的表面進行常規(guī)的表面處理，例如:鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露或離子化放射線處理等化學處理或物理處理，或利用底涂劑(例如壓敏粘合劑物質)的涂布處理。
[0042]為了向基材賦予抗靜電性，可在基材上設置由金屬、合金或其氧化物等制成的厚度為約30-500人的導電性物質的氣相沉積層?；目蔀閱螌?，或者包括2種以上的層的
復合層。應注意，當微壓敏粘合劑層為放射線固化型時，優(yōu)選基材由至少部分透過例如X射線、紫外光或電子束等放射線的材料制成。
[0043]基材的厚度可根據(jù)目的而適當設定。厚度一般為約5-200 μ m。
[0044]A-3.熱膨脹性壓敏粘合劑層
[0045]熱膨脹性壓敏粘合劑層20含有用于賦予壓敏粘合性的壓敏粘合劑和用于賦予熱膨脹性的熱膨脹性微球(微膠囊)。將包括此種熱膨脹性壓敏粘合劑層20的壓敏粘合片100進行加熱處理，從而使熱膨脹性微球21發(fā)泡和/或膨脹，由此可使熱膨脹性壓敏粘合劑層20與基板200間的接觸面積減少，以及使粘合力充分降低。結果，可容易地剝離基板200，因此在接著劑層40上形成密封成型體的情況下，密封成型體可在不破損的情況下進行剝離。
[0046]加熱前的熱膨脹性壓敏粘合劑層表面的中心線平均粗糙度(center lineaverage roughness)優(yōu)選為0.4 μ m以下(例如約0.02-0.4 μ m),更優(yōu)選為0.3 μ m以下(例如約0.02-0.3 μ m)，再更優(yōu)選為0.2 μ m以下(例如約0.02-0.2 μ m)。此外，加熱前的熱膨脹性壓敏粘合劑層表面的最大粗糙度優(yōu)選為5 μ m以下(例如約0.1-5 μ m)，更優(yōu)選為3 μ m以下(例如約0.5-3 μ m)。加熱前的熱膨脹性壓敏粘合劑層表面的中心線平均粗糙度和最大粗糙度可通過適當選擇熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度與添加至所述壓敏粘合劑層中的熱膨脹性微球的粒徑而調整。
[0047]壓敏粘合 劑優(yōu)選為加熱時不限制熱膨脹性微球的發(fā)泡和/或膨脹的壓敏粘合劑。作為所述壓敏粘合劑，可單獨或組合使用例如:橡膠系壓敏粘合劑、丙烯酸系壓敏粘合劑、乙烯基烷基醚系壓敏粘合劑、硅酮系壓敏粘合劑、聚酯系壓敏粘合劑、聚酰胺系壓敏粘合齊?、聚氨酯系壓敏粘合劑和苯乙烯-二烯嵌段共聚物系壓敏粘合劑、和通過在任意這些壓敏粘合劑中共混有熔點為約200°c以下的熱熔融性樹脂而獲得的蠕變特性改進型壓敏粘合劑等公知的壓敏粘合劑(例如參照JP 56-61468 A、JP 61-174857 A, JP 63-17981 A和JP56-13040 A)。除粘合性組分(基礎聚合物)以外，壓敏粘合劑還可含有例如交聯(lián)劑(例如多異氰酸酯或烷基醚化三聚氯胺化合物)、增粘劑(例如松香衍生物樹脂、聚萜烯樹脂、石油樹脂或油溶性酚醛樹脂)、增塑劑、填料和防老劑等適當?shù)奶砑觿?br> [0048]作為上述壓敏粘合劑，通常使用:包含天然橡膠或任意各種合成橡膠作為基礎聚合物的橡膠系壓敏粘合劑；或包含使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如包括甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、異癸酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十五烷基酯、十六烷基酯、十七烷基酯、十八烷基酯、十九烷基酯和二十烷基酯的CV2tl烷基酯)的I種或2種以上作為單體組分的丙烯酸類聚合物(均聚物或共聚物)作為基礎聚合物的丙烯酸系壓敏粘合劑等。應注意，此處使用的術語“(甲基)丙稀酸烷基酷”是指丙稀酸烷基酷和/或甲基丙稀酸烷基酷。
[0049]出于改造內聚力、耐熱性或交聯(lián)性等目的，根據(jù)需要丙烯酸類聚合物可包含對應于可與(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他單體組分的單元。此種單體組分的實例包括:例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸和檸康酸等含羧基單體；例如馬來酸酐和衣康酸酐等酸酐單體；例如(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥月桂酯和甲基丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；例如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；例如(甲基)丙烯酰胺、N, N- 二甲基(甲基)丙烯酰胺、N- 丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系單體；例如(甲基)丙烯酸氨乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨乙酯和(甲基)丙烯酸叔丁基氨乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系單體；例如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；例如N-環(huán)已基馬來酰亞胺、N-異丙基馬來酰亞胺、N-月桂基馬來酰亞胺和N-苯基馬來酰亞胺等馬來酰亞胺系單體；例如N-甲基衣康酰亞胺、N-乙基衣康酰亞胺、N- 丁基衣康酰亞胺、N-辛基衣康酰亞胺、N-2-乙基已基衣康酰亞胺、N-環(huán)已基衣康酰亞胺和N-月桂基衣康酰亞胺等衣康酰亞胺系單體；例如N-(甲基)丙烯酰氧基亞甲基琥珀酰亞胺、N-(甲基)丙烯?；?6-氧基六亞甲基琥珀酰亞胺和N-(甲基)丙烯?；?8-氧基八亞甲基琥珀酰亞胺等琥珀酰亞胺系單體；例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基羧酸酰胺類、苯乙烯、α -甲基苯乙烯和N-乙烯基己內酰胺等乙烯基系單體；例如丙烯腈和甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯系單體；例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環(huán)氧基的丙烯酸類單體；例如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯等二醇系丙烯酸酯系單體；例如(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine (meth) acrylate)和娃酮(甲基)丙烯酸酯等各自具有雜環(huán)、鹵原子或硅原子等的丙烯酸酯系單體；例如己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯和聚氨酯丙烯酸酯等多官能單體；例如異戊二烯、丁二烯和異丁烯等烯烴系單體；和例如乙烯基醚等乙烯基醚系單體。這些單體組分可單獨或組合使用。
[0050]應注意，從加熱處理前的適當?shù)恼澈狭εc加熱處理后的粘合力的降低性之間的平衡方面的觀點，更優(yōu)選的壓敏粘合劑為基于在常溫至150°C下的動態(tài)彈性模量處于50，000-10, 000, 000dyn/cm2的范圍內的聚合物的壓敏粘合劑。
[0051]熱膨脹性微球的實例包括在彈性殼內各自包括例如異丁烷、丙烷或戊烷等的通過加熱容易氣化而膨脹的物質的微球。所述殼通常由熱熔融性物質或因熱膨脹而破裂的物質所形成。形成所述殼的物質的實例包括偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯和聚砜。熱膨脹性微球可通過常規(guī)方法制造，例如凝聚法或界面聚合法?？蛇x地，例如，可使用例如Microsphere (商品名，由Matsumoto Yush1-Seiyaku C0., Ltd.制造)的市售產(chǎn)品。
[0052]優(yōu)選熱膨脹性微球具有直至所述微球的體積膨脹率變?yōu)?倍以上、尤其是7倍以上、特別是10倍以上其也不破裂這樣適當?shù)膹姸取Ｔ谑褂么朔N熱膨脹性微球的情況下，通過加熱處理可有效地降低熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力。
[0053]出于滿足加熱前熱膨脹性壓敏粘合劑層表面的中心線平均粗糙度和最大粗糙度的目的，優(yōu)選熱膨脹性微球的粒徑滿足以下關系:“熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度 > 熱膨脹性微球的粒徑”。當熱膨脹性微球的粒徑大于熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度時，熱膨脹性壓敏粘合劑層的表面粗糙度變大，相對于被粘物的有效接觸面積變小。熱膨脹性微球的粒徑可在熱膨脹性微球的生成過程中調整，或可通過例如熱膨脹性微球生成后的分級等手段調
難
iF.0
[0054]當保護物質包括熱固性樹脂時，熱膨脹性微球的膨脹起始溫度優(yōu)選為所述保護物質的固化溫度以上，更優(yōu)選比固化溫度高10°C以上。當膨脹起始溫度落入所述范圍時，可在不使熱膨脹性微球膨脹和/或發(fā)泡的情況下使保護物質固化，因此甚至在保護物質的熱固化期間也可確實地粘合保持芯片狀電子元件。然后，通過在保護物質固化之后將熱膨脹性壓敏粘合劑層加熱至所述膨脹起始溫度以上的溫度，從而使熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力降低，所述熱膨脹性壓敏粘合劑層可在不損壞密封成型體的情況下從基板剝離。
[0055]熱膨脹性壓敏粘合劑層中的熱膨脹性微球的配混量可根據(jù)熱膨脹性壓敏粘合劑層的膨脹倍率或粘合力的降低性等而適當設定。一般而言，相對于用于形成熱膨脹性壓敏粘合劑層的基礎聚合物100重量份,所述配混量例如為1-150重量份,優(yōu)選為10-130重量份，更優(yōu)選為25-100重量份。
[0056]熱膨脹性壓敏粘合劑層可通過任意適當方法而形成。其實例包括:包括根據(jù)需要通過使用溶劑制備包含壓敏粘合劑和熱膨脹性微球的涂布液，并將所述涂布液施涂在基材上的方法；和包括在適當?shù)母綦x膜(例如，剝離紙)上施涂所述涂布液從而形成熱膨脹性壓敏粘合劑層，并將熱膨脹性壓敏粘合劑層轉移至基材上的方法。熱膨脹性壓敏粘合劑層可以為單層或復合層。
[0057]熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度優(yōu)選為300 μ m以下，更優(yōu)選為100 μ m以下。此外，熱膨脹性壓敏粘合劑層的厚度優(yōu)選為5 μ m以上，更優(yōu)選為10 μ m以上，再更優(yōu)選為15 μ m以上。當厚度過大時，在加熱處理后剝離熱膨脹性壓敏粘合劑層時發(fā)生內聚破壞(cohesionfailure),壓敏粘合劑殘留于被粘物(基材或基板)上，容易污染被粘物。另一方面，當厚度過小時，熱膨脹性壓敏粘合劑層因加熱處理的變形度小，粘合力難以平穩(wěn)地降低，并且必須過度減小要添加的熱膨脹性微球的粒徑。
[0058]A-4.介電層
[0059]介電層50從基材10側起順次包括微壓敏粘合劑層30和接著劑層40。
[0060]A-4-1.微壓敏粘合劑層
[0061]微壓敏粘合劑層30以適當?shù)钠胶饩哂袑又鴦?0的令人滿意的粘合性與剝離性。因此，在貼合和固定芯片狀電子元件時，微壓敏粘合劑層30與接著劑層40緊密接觸，從而增強其保持力，并在形成密封成型體后可從接著劑層40容易地剝離。
[0062]微壓敏粘合劑層于23°C氛圍下對接著劑層的粘合力(90° -剝離值，剝離速度:300mm/min)優(yōu)選盡可能的小，優(yōu)選為3N/20mm以下，更優(yōu)選為2.5N/20mm以下，再更優(yōu)選為2N/20mm以下。所述粘合力的下限例如為0.02N/20mm。在此種小的粘合力(剝離值)的情況下，對接著劑層表面的剝離性增加，因此可將微壓敏粘合劑層從接著劑層表面充分地剝離。結果，可良好準確地控制由接著劑層形成的介電保護層的厚度。
[0063]微壓敏粘合劑層于100°C氛圍下對接著劑層的粘合力(90° -剝離值，剝離速度300mm/min)優(yōu)選盡可能的小，優(yōu)選為2N/20mm以下，更優(yōu)選為1.8N/20mm以下，再更優(yōu)選為1.5N/20mm以下。所述粘合力的下限例如為0.02N/20mm。在此種小的粘合力(剝離值)的情況下，對接著劑層表面的剝離性增加，因此可將微壓敏粘合劑層從接著劑層表面充分地剝離。結果，可良好準確地控制由接著劑層形成的介電保護層的厚度。
[0064]作為要用于形成微壓敏粘合劑層的粘合劑，可優(yōu)選使用放射線固化型壓敏粘合劑。這是因為:放射線固化型壓敏粘合劑通過用紫外光等放射線照射，可使交聯(lián)度容易地增大從而降低其粘合力。因此，通過借助用放射線照射使放射線固化型壓敏粘合劑固化，可容易地形成具有所需的粘合力的微壓敏粘合劑層。
[0065]作為放射線固化型壓敏粘合劑，沒有任何特別限制，可使用具有例如碳-碳雙鍵等放射線固化性官能團且顯示壓敏粘合性的壓敏粘合劑。其實例可包括通過在例如丙烯酸系壓敏粘合劑和橡膠系壓敏粘合劑等通常的壓敏粘合劑中配混放射線固化性單體組分和低聚物組分的添加型放射線固化型壓敏粘合劑。作為壓敏粘合劑，從例如半導體晶片或玻璃等不期望污染的電子元件的利用例如超純水或如醇等有機溶劑的凈化清潔性等角度，優(yōu)選包含丙烯酸類聚合物作為基礎聚合物的丙烯酸系壓敏粘合劑。
[0066]丙烯酸類聚合物的實例包括:使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如各自的烷基碳數(shù)為1-30、特別地碳數(shù)為4-18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯，包括甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯和二十烷基酯)和(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊酯和環(huán)己酯)的I種或2種以上作為單體組分的丙烯酸類聚合物。
[0067]出于改造內聚力和耐熱性等目的，丙烯酸類聚合物根據(jù)需要可包含對應于可與(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷基酯共聚的其他單體的單元?？晒簿鄣钠渌麊误w可單獨或組合使用?？晒簿鄣钠渌麊误w的使用量優(yōu)選為全部單體組分的40重量％以下。
[0068]此外，出于交聯(lián)的目的，丙烯酸類聚合物根據(jù)需要可包含多官能單體作為共聚用單體組分。多官能單體可單獨或組合使用。從粘合特性等的角度，多官能單體的使用量優(yōu)選為全部單體組分的30重量％以下。
[0069]可共聚的其他單體和多官能單體的優(yōu)選實例包括可與A-3部分中記載的(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的其他單體組分。
[0070]丙烯酸類聚合物通過將單一單體或2種以上單體的混合物聚合而獲得。聚合可通過例如溶液聚合、乳液聚合、本體聚合或懸浮聚合等的任意模式進行。從防止剝離時接著劑層被污染的角度，優(yōu)選低分子量物質的含量少。從該角度，丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量優(yōu)選約 300，000 以上，更優(yōu)選約 400，000-3，000，000。
[0071]此外，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分子量，壓敏粘合劑也可適當采用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段，可舉出:包括添加例如多異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物或三聚氰胺系交聯(lián)劑等的所謂交聯(lián)劑并使壓敏粘合劑與所述交聯(lián)劑反應的方法。在使用外部交聯(lián)劑的情況下，其使用量根據(jù)與要交聯(lián)的基礎聚合物的平衡、進一步的作為壓敏粘合劑的預期用途而適當決定。一般而言，相對于基礎聚合物100重量份，外部交聯(lián)劑以優(yōu)選約5重量份以下，更優(yōu)選為0.1-5重量份的量配混。此外，除了上述組分以外，在壓敏粘合劑中根據(jù)需要也可使用各種常規(guī)已知的添加劑例如增粘劑和防老劑。[0072]放射線固化性單體組分的實例包括:聚氨酯低聚物、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯和1，4- 丁二醇二(甲基)丙烯酸酯。
[0073]放射線固化性低聚物組分的實例包括例如聚氨酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸脂系和聚丁二烯系低聚物等各種低聚物。作為所述低聚物，其分子量在約100-30，000的范圍內的低聚物是適當?shù)摹?br> [0074]放射線固化性單體組分或低聚物組分的配混量可根據(jù)微壓敏粘合劑層的種類適當確定以降低微壓敏粘合劑層的粘合力。一般而言，相對于構成壓敏粘合劑的例如丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份,所述配混量例如為5-500重量份,優(yōu)選為約40-150重量份。
[0075]此外，除上述添加型放射線固化型壓敏粘合劑以外，放射線固化型壓敏粘合劑的實例還包括使用在聚合物側鏈或主鏈中或者主鏈末端具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物的內部型放射線固化型壓敏粘合劑。內部型放射線固化型壓敏粘合劑無需包含作為低分子量組分的低聚物組分等，或不包含大量的低聚物組分等。因此，優(yōu)選內部型放射線固化型壓敏粘合劑，這是由于能夠形成低聚物組分等在壓敏粘合劑中不隨時間移動的具有穩(wěn)定層結構的微壓敏粘合劑層。
[0076]作為具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物，沒有任何特別限制，可使用具有碳-碳雙鍵且具有壓敏粘合性的基礎聚合物。此種基礎聚合物優(yōu)選為具有丙烯酸類聚合物作為基本骨架的基礎聚合物。丙烯酸類聚合物的基本骨架的實例為如上所述的丙烯酸類聚合物。
[0077]作為碳-碳雙鍵引入丙烯酸類聚合物的方法，可采用任意的適當方法。例如，根據(jù)分子設計可將碳-碳雙鍵容易引入到聚合物側鏈上。具體地，可舉出以下方法:包括預先使具有丙烯酸類聚合物中的官能團的單體共聚，其后使具有可與所述單體的官能團反應的官能團和碳-碳雙鍵的化合物在維持碳-碳雙鍵的放射線固化性的同時進行縮合或加成反應。
[0078]官能團的組合通過以下不例:竣酸基和環(huán)氧基團；竣酸基和B「丙唳基(aziridyl);以及羥基和異氰酸酯基。這些官能團的組合中，羥基與異氰酸酯基的組合由于其反應監(jiān)控的容易性而是適合的。此外，只要利用官能團的組合制造具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物，則所述官能團就可以存在于任意丙烯酸類聚合物和所述化合物中。在優(yōu)選的組合中，優(yōu)選為丙烯酸類聚合物具有羥基，所述化合物具有異氰酸酯基。在該情況中，具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物的實例包括:甲基丙烯?；惽杷狨?、2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯和間-異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯。此外，作為丙烯酸類聚合物，可使用通過將含羥基單體和例如2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚或二甘醇單乙烯基醚的醚類化合物等共聚獲得的丙烯酸類聚合物。
[0079]作為內部型放射線固化型壓敏粘合劑，可單獨使用具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別地丙烯酸類聚合物)。然而，也可在內部型放射線固化型壓敏粘合劑中以不使特性劣化這樣的程度配混放射線固化性單體組分和低聚物組分。放射線固化性低聚物組分等相對于基礎聚合物100重量份通常以30重量份以下的范圍內，優(yōu)選為0-10重量份的范圍內來使用。[0080]當放射線固化型壓敏粘合劑用紫外光等固化時，將光聚合引發(fā)劑混入壓敏粘合劑中。光聚合引發(fā)劑的實例包括:α-酮醇系化合物，例如4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α ' -二甲基苯乙酮、2_甲基_2_羥基苯丙酮和1_羥基環(huán)己基苯基酮；苯乙酮系化合物,例如甲氧基苯乙酮、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙-1-酮；苯偶姻醚系化合物，例如苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚和茴香偶姻甲基醚；縮酮系化合物，例如芐基二甲基縮酮；芳香族磺酰氯系化合物，例如2-萘磺酰氯；光活性肟系化合物，例如1-苯酮-1，1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟；二苯甲酮系化合物，例如二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸和3，3' -二甲基-4-甲氧基二苯甲酮；噻噸酮系化合物，例如噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2，4- 二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2，4- 二氯噻噸酮、2，4- 二乙基噻噸酮和2，4- 二異丙基噻噸酮；樟腦醌；鹵代酮；?；趸?；和?；⑺狨ァＯ鄬τ跇嫵蓧好粽澈蟿┑睦绫┧犷惥酆衔锏然A聚合物100重量份,光聚合引發(fā)劑的配混量例如為約0.05-20重量份。
[0081]此外，放射線固化型壓敏粘合劑的實例包括JP 60-196956 A中公開的各自包含例如具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物或具有環(huán)氧基團的烷氧基硅烷等光聚合性化合物，和例如羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、或鎗鹽系化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠系壓敏粘合劑和丙烯酸系壓敏粘合劑。
[0082]微壓敏粘合劑層可通過以下方法形成:包括將放射線固化型壓敏粘合劑直接涂布于基材表面接著干燥的方法；或包括在隔離膜上施涂壓敏粘合劑接著干燥而形成壓敏粘合劑層，并將壓敏粘合劑層轉移至基材上的方法等。在該情況中，根據(jù)需要可通過用放射線照射，將微壓敏粘合劑層的粘合力調整為所需的范圍。
[0083]微壓敏粘合劑層的厚度可根據(jù)目的而適當設定。從接著劑層的固定保持性等觀點，厚度優(yōu)選為約1-50 μ m,更優(yōu)選為2-30 μ m,再更優(yōu)選為5-25 μ m。
[0084]A-4-2.接著劑層
[0085]接著劑層40與貼合于所述接著劑層40的表面的芯片狀電子元件緊密接觸并固定所述芯片狀電子元件。此外，當在芯片狀電子元件上形成再配線層時，接著劑層作為芯片狀電子元件的電極面用介電保護層，因此無需另外單獨形成絕緣層。
[0086]接著劑層的介電常數(shù)優(yōu)選為5以下，更優(yōu)選為4以下，再更優(yōu)選為3以下。當介電常數(shù)落入所述范圍時，接著劑層可適合地起到作為芯片狀電子元件的電極面用介電保護層的功能。
[0087]接著劑層的吸水率優(yōu)選為2重量％以下，更優(yōu)選為1.5重量％以下，再更優(yōu)選為I重量％以下。當吸水率落入所述范圍時，可避免在再流(reflow)步驟中的孔隙的發(fā)生等。
[0088]用于形成接著劑層的粘接劑可為通常的模片(die)粘接劑，優(yōu)選為能夠成型為片狀的模片粘接劑。具體地，例如可適合地使用由熱塑性樹脂或熱固性樹脂形成的模片粘接齊U。模片粘接劑可單獨或組合使用。此外，優(yōu)選模片粘接劑能夠于70°c以下實現(xiàn)芯片狀電子元件的粘合，更優(yōu)選模片粘接劑能夠于常溫下實現(xiàn)芯片狀電子元件的粘合。
[0089]用作模片粘接劑(熱塑性模片粘接劑)的熱塑性樹脂的實例包括飽和聚酯樹脂、熱塑性聚氨酯系樹脂、酰胺系樹脂(尼龍系樹脂)、和酰亞胺系樹脂。此外，熱固性樹脂(熱固性模片粘接劑)的實例包括環(huán)氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、熱固性丙烯酸類樹脂和酚醛樹月旨。熱固性樹脂適合地為已脫溶劑化、片材化、B階化(B-stage)的熱固性樹脂。應注意，任意此種熱固性樹脂與任意此種熱塑性樹脂的混合物也可于B階化的狀態(tài)下使用。此外，在本發(fā)明中，也可將具有高玻璃化轉變溫度的樹脂如硅酮系、橡膠系、氨基甲酸酯系、酰亞胺系或丙烯酸類樹脂用作模片粘接劑。
[0090]接著劑層可具有其中適當組合玻璃化轉變溫度不同的熱塑性樹脂和/或熱固化溫度不同的熱固性樹脂的2層以上的多層結構。此外，接著劑層可具有其中模片粘接劑夾持具有高透濕性的膜的構成。在所述構成的情況下，可避免發(fā)生由后固化引起的浮起的問題。即，接著劑層可具有順次層壓模片接著劑層、膜和模片接著劑層的多層結構。
[0091]接著劑層的厚度可根據(jù)目的等而適當設定。所述厚度例如為約5-100μπι，優(yōu)選為約 1-50 μ m。
[0092]B.電子元件的制造方法
[0093]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種電子元件的制造方法。電子元件的制造方法包括:
[0094][步驟I]將壓敏粘合片貼合于基板上，所述壓敏粘合片包括基材、設置于所述基材的一面上的含有熱膨脹性微球的熱膨脹性壓敏粘合劑層、以及設置于所述基材的另一面上的從所述基材側起順次包括微壓敏粘合劑層和接著劑層的介電層，以致所述熱膨脹性壓敏粘合劑層置于所述基板側；
[0095][步驟2]將多個芯片狀電子元件貼合并固定于所述壓敏粘合片的接著劑層側的表面上，以致所述多個芯片狀電子元件的電極面置于所述接著劑層側；
[0096][步驟3]利用保護物質覆蓋所述多個芯片狀電子元件除固定面以外的全部面，從而獲得包括所述多個芯片狀電子元件的密封成型體；
[0097][步驟4]將所述壓敏粘合片進行加熱處理以使所述熱膨脹性壓敏粘合劑層中的熱膨脹性微球膨脹，從而降低所述熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力并將所述熱膨脹性壓敏粘合劑層從所述基板剝離；
[0098][步驟5]將所述微壓敏粘合劑層從所述接著劑層剝離，從而獲得所述接著劑層與所述密封成型體的層壓體；和
[0099][步驟6]在所述多個芯片狀電子元件之間將所述層壓體切斷，從而分離各芯片狀電子元件。根據(jù)所述制造方法，可在芯片狀電子元件的電極面上容易地形成介電保護層。本發(fā)明的制造方法根據(jù)需要可包括上述步驟1-6以外的其他步驟。以下將參照圖2詳細描述本發(fā)明的制造方法。
[0100]B-L 步驟 I
[0101]如圖2(a)所示，于步驟I中，將上述A部分中說明的本發(fā)明的壓敏粘合片100以熱膨脹性壓敏粘合劑層20置于基板200側的方式貼合于基板200上。
[0102]作為基板，可使用任意適當?shù)幕?。作為用于形成基板的材料，例如可舉出石英和玻璃。
[0103]作為壓敏粘合片，可優(yōu)選使用上述A部分中記載的壓敏粘合片。
[0104]作為貼合方法和手段，沒有任何特別限制，可使用任意適當?shù)姆椒ê褪侄巍?br> [0105]B-2.步驟 2
[0106]如圖2(b)所示，于步驟2中，將多個芯片狀電子元件300以芯片狀電子元件300的電極面放置在接著劑層40側的方式貼合并固定于壓敏粘合片100的接著劑層40側的表面上。
[0107]芯片狀電子元件典型地為半導體芯片。要貼合至壓敏粘合片的多個芯片狀電子元件可相同或不同。
[0108]芯片狀電子元件優(yōu)選為通過特性測定而判定為無缺陷產(chǎn)品的電子元件。例如于半導體芯片的情況中，對完成的晶片的各IC進行電性檢測以判定為有缺陷產(chǎn)品或無缺陷產(chǎn)品，并進行切割而成形為芯片。其后，僅拾取無缺陷產(chǎn)品以使用。通過僅使用無缺陷的電子元件，產(chǎn)率提高，因此可降低制造成本。
[0109]當芯片狀電子元件的電極面貼合于壓敏粘合片的接著劑層的表面上時將芯片狀電子元件固定。固定可通過壓接或通過熱固化的粘接而進行。壓接通過常規(guī)方法進行。對芯片狀電子元件的排列方式?jīng)]有特別限制。然而，從切割的加工性的觀點，優(yōu)選為芯片狀電子元件以預定間隔以格子狀排列。
[0110]B-3.步驟 3
[0111]如圖2(c)所示，于步驟3中，利用保護物質400覆蓋多個芯片狀電子元件300的除固定面以外的全部面。即，利用保護物質400密封多個芯片狀電子元件300，從而獲得包括多個芯片狀電子元件300的密封成型體500。
[0112]作為保護物質，可使用可用作半導體的密封材料的任意材料。保護物質優(yōu)選為熱固性樹脂或熱塑性樹脂，更優(yōu)選為熱固性樹脂。熱固性樹脂的具體實例為環(huán)氧系樹脂。
[0113]密封成型體可例如通過以下獲得:通過轉移成型法或分配器法(dispensermethod)等，利用保護物質覆蓋多個芯片狀電子元件除固定面以外的全部面，接著熱固化。
[0114]B-4.步驟 4
[0115]如圖2(d)所示，于步驟4中，使壓敏粘合片100進行加熱處理以使熱膨脹性壓敏粘合劑層20中的熱膨脹性微球21膨脹，從而降低它的粘合力，并從基板200剝離熱膨脹性壓敏粘合劑層20。通過加熱處理顯著降低熱膨脹性壓敏粘合劑層20的粘合力，可在不使密封成型體500破損的情況下以小的力進行剝離。
[0116]加熱處理的加熱溫度僅需要為熱膨脹性微球的膨脹起始溫度以上。當保護物質包括熱固性樹脂時，加熱溫度優(yōu)選為所述樹脂的固化溫度以上。此外，當保護物質包括熱塑性樹脂時，加熱溫度優(yōu)選為所述樹脂的軟化溫度以下。在該加熱溫度下，可獲得具有足夠硬度的密封成型體。加熱時間可根據(jù)加熱溫度而適當設定。
[0117]B-5.步驟 5
[0118]如圖2(e)所示，于步驟5中，從接著劑層40剝離微壓敏粘合劑層30而獲得接著劑層40與密封成型體500的層壓體。如上所述，微壓敏粘合劑層30具有對于接著劑層40的表面的滿意的剝離性，因此可在無接著劑殘余的情況下從接著劑層40剝離。結果，于芯片狀電子元件300的電極面上形成具有準確控制的厚度的介電保護層(接著劑層40)。根據(jù)需要，可加熱所獲得的層壓體，從而使接著劑層充分固化。
[0119]B-6.步驟 6
[0120]如圖2(f)所示，于步驟6中，在多個芯片狀電子元件之間切斷層壓體，從而分離各芯片狀電子元件。
[0121 ] 切斷例如可通過以下進行:于切割帶上壓接接著劑層40與密封成型體500的層壓體，通過例如旋轉刀等任意適當?shù)那懈钍侄吻袛喽鄠€芯片狀電子元件之間的保護物質。通過切斷保護物質，可防止電子元件中產(chǎn)生裂紋(cracking)和碎裂(chipping)。
[0122]其它步驟的實例包括:再配線步驟、背面研磨步驟和端子形成步驟。這些步驟優(yōu)選為在步驟5與步驟6之間進行。通過在以統(tǒng)一的方式于密封成型體上再配線和形成例如端子等封裝所需的結構后切斷層壓體，可以以低成本獲得各切斷的芯片的尺寸為封裝尺寸的半導體封裝。
[0123]產(chǎn)業(yè)h的可利用件
[0124]本發(fā)明的制造方法和壓敏粘合片可適合地用于制造例如半導體芯片等芯片狀電子元件。
[0125]附圖標記說明
[0126]10 基材
[0127]20 熱膨脹性壓敏粘合劑層
[0128]21 熱膨脹性微球
[0129]30 微壓敏粘合劑層
[0130]40 接著劑層
[0131]50 介電層
[0132]100壓敏粘合片
[0133]200 基板
[0134]300芯片狀電子元件
[0135]400保護物質
[0136]500密封成型體
【權利要求】
1.一種電子元件的制造方法，其包括: 將壓敏粘合片貼合于基板上，所述壓敏粘合片包括基材、設置于所述基材的一面上的含有熱膨脹性微球的熱膨脹性壓敏粘合劑層、和設置于所述基材的另一面上的從所述基材側起順次包括微壓敏粘合劑層和接著劑層的介電層，以致所述熱膨脹性壓敏粘合劑層置于所述基板側； 將多個芯片狀電子元件貼合并固定于所述壓敏粘合片的所述接著劑層側的表面上，以致所述多個芯片狀電子元件的電極面置于所述接著劑層側； 利用保護物質覆蓋所述多個芯片狀電子元件的除固定面以外的全部面，從而獲得包括所述多個芯片狀電子元件的密封成型體； 將所述壓敏粘合片進行加熱處理以使所述熱膨脹性壓敏粘合劑層中的熱膨脹性微球膨脹，從而降低所述熱膨脹性壓敏粘合劑層的粘合力，并將所述熱膨脹性壓敏粘合劑層從所述基板剝離； 將所述微壓敏粘合劑層從所述接著劑層剝離，從而獲得所述接著劑層與所述密封成型體的層壓體；和 在所述多個芯片狀電子元件之間將所述層壓體切斷，從而分離各芯片狀電子元件。
2.根據(jù)權利要求1所述的電子元件的制造方法，其中所述保護物質包含熱固性樹脂或熱塑性樹脂，所述加熱處理的加熱溫度為所述熱固性樹脂的固化溫度以上或所述熱塑性樹脂的軟化溫度以下。
3.一種壓敏粘合片，其用于根據(jù)權利要求1或2所述的電子元件的制造方法，所述壓敏粘合片包括: 基材； 設置于所述基材的一面上的含有熱膨脹性微球的熱膨脹性壓敏粘合劑層；和 設置在所述基材的另一面上從所述基材側起順次包括微壓敏粘合劑層和接著劑層的介電層。
4.根據(jù)權利要求3所述的壓敏粘合片，其中所述接著劑層的介電常數(shù)為5以下。
5.根據(jù)權利要求3或4所述的壓敏粘合片，其中所述接著劑層的吸水率為2%以下。
6.根據(jù)權利要求3至5中任一項所述的壓敏粘合片，其中所述微壓敏粘合劑層于23°C環(huán)境下對所述接著劑層的粘合力為3N/20_以下。
7.根據(jù)權利要求3至6中任一項所述的壓敏粘合片，其中所述微壓敏粘合劑層于100°C環(huán)境下對所述接著劑層的粘合力為2N/20_以下。
8.根據(jù)權利要求3至7中任一項所述的壓敏粘合片，其中所述保護物質包括熱固性樹月旨，和所述熱膨脹性微球的膨脹起始溫度為所述熱固性樹脂的固化溫度以上。
【文檔編號】C09J7/02GK103650123SQ201280034983
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2012年7月6日 優(yōu)先權日:2011年7月15日
【發(fā)明者】平山高正, 下川大輔 申請人:日東電工株式會社