錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料、制備方法及其應用的制作方法
【專利摘要】一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料，其化學式為BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基質(zhì)，Mn4+離子是激活元素，其中，x為0.01～0.08。該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料制成的發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜（EL）中，在520nm波長區(qū)都有很強的發(fā)光峰，能夠應用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。本發(fā)明還提供該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料的制備方法及其應用。
【專利說明】錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料、制備方法及其應用 【【技術領域】】
[0001] 本發(fā)明涉及一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料、其制備方法、錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā) 光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。 【【背景技術】】
[0002] 薄膜電致發(fā)光顯示器（TFELD)由于其主動發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角 大、適用溫度寬、工序簡單等優(yōu)點，已引起了廣泛的關注，且發(fā)展迅速。目前，研究彩色及至 全色TFELD，開發(fā)多波段發(fā)光的材料，是該課題的發(fā)展方向。但是，可應用于薄膜電致發(fā)光顯 不器的猛摻雜氮娃酸鋇鹽發(fā)光材料，仍未見報道。 【
【發(fā)明內(nèi)容】
】
[0003] 基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發(fā)光器件的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材 料、其制備方法、錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、使用該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光 材料的薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004] 一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料，其化學式為BaSi202N 2 :xMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)， Mn4+離子是激活元素，其中，X為0. 01?0. 08。
[0005] 所述 X 為 0.03。
[0006] 一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料的制備方法，包括以下步驟：
[0007] 根據(jù)BaSi202N2 :xMn4+各元素的化學計量比稱取BaO, SiON和Μη02粉體并混合均勻， 其中，X為0.01?0.08 ;及
[0008] 將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結0. 5小時?5小時即得到化學式為 BaSi202N2 :xMn4+的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料。
[0009] 一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜，該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的材料的化學通 式為BaSi 202N2 :xMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)，Mn 4+離子是激活元素，其中，X為0· 01?0· 08。
[0010] 一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟：
[0011] 根據(jù)BaSi202N2 :xMn4+各元素的化學計量比稱取BaO, SiON和Μη02粉體并混合均勻， 其中，X為0· 01?0· 08 ;
[0012] 將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度 設置為 1. 〇 X l(T3Pa ?1. 0 X l(T5Pa ;及
[0013] 調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm?95mm，磁控濺射工作壓強 0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為lOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C，接著進行制 膜，得到化學式為BaSi 202N2 :xMn4+的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜。
[0014] 還包括步驟：將所述錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火處 理lh?3h。
[0015] 一種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發(fā) 光層以及陰極層，所述發(fā)光層的材料為錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料，該錳摻雜氮硅酸鋇鹽 發(fā)光材料的化學式為BaSi202N2 :xMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)，Mn 4+離子是激活元素，其中，x為 0. 01 ?0. 08。
[0016] 一種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0017] 提供具有陽極的襯底；
[0018] 在所述陽極上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料，該 錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料的化學式為BaSi 202N2 :XMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)，Mn 4+離子是激活 元素，其中，X為0.01?0.08 ;
[0019] 在所述發(fā)光層上形成陰極。
[0020] 所述發(fā)光層的制備包括以下步驟：
[0021] 根據(jù)BaSi202N2 :xMn4+各元素的化學計量比稱取BaO, SiON和Μη02粉體并混合均勻 在900°C?1300°C下燒結0. 5小時?5小時制成靶材，其中，X為0. 01?0. 08 ;
[0022] 將所述靶材以及所述襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真 空度設置為 1. 〇 X l〇_3Pa ?1. 0 X 10_5Pa ;
[0023] 調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm?95mm，磁控濺射工作壓強 0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為lOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C，接著進行制 膜，在所述陽極上形成發(fā)光層。
[0024] 還包括步驟：將所述錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火處 理lh?3h。
[0025] 上述猛摻雜氮娃酸鋇鹽發(fā)光材料（BaSi202N 2 :xMn4+)制成的發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光 譜（EL)中，在520nm波長區(qū)都有很強的發(fā)光峰，能夠應用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0026] 圖1為一實施方式的薄膜電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0027] 圖2為實施例1制備的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光譜圖；
[0028] 圖3為實施例1制備的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的拉曼光譜；
[0029] 圖4是實施例1制備的薄膜電致發(fā)光器件的電壓與電流密度和電壓與亮度之間的 關系曲線圖。 【【具體實施方式】】
[0030] 下面結合附圖和具體實施例對錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料、其制備方法、錳摻雜 氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜、其制備方法、薄膜電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。
[0031] 一實施方式的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料，其化學式為BaSi202N 2 :xMn4+，BaSi202N2 是基質(zhì)，Mn4+離子是激活元素，其中，x為0. 01?0. 08。
[0032] 優(yōu)選的，X 為 0.03。
[0033] 該猛摻雜氮娃酸鋇鹽發(fā)光材料制成的發(fā)光薄膜的電致發(fā)光光譜（EL)中，在520nm 波長區(qū)都有很強的發(fā)光峰，能夠應用于薄膜電致發(fā)光顯示器中。
[0034] 上述錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料的制備方法，包括以下步驟：
[0035] 步驟S11、根據(jù)BaSi202N2 :xMn4+各元素的化學計量比稱取BaO, SiON和Μη02粉體并 混合均勻，其中，X為〇. 01?〇. 08 ;及
[0036] 將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結0. 5小時?5小時即得到化學式為 BaSi202N2 :xMn4+的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料。
[0037] 該步驟中，優(yōu)選的，X為0· 03。
[0038] 步驟S12、將混合均的粉體在900°C?1300°C下燒結0. 5小時?5小時即可得到錳 摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料，其化學式為BaSi202N 2 :xMn4+。
[0039] 該步驟中，優(yōu)選的在1250°C下燒結3小時。
[0040] 一實施方式的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜，該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的材料 的化學通式為BaSi202N2 :xMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)，Mn 4+離子是激活元素，其中，X為0. 01? 0· 08。
[0041] 優(yōu)選的，X 為 0.03。
[0042] 上述錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的制備方法，包括以下步驟：
[0043] 步驟S21、按BaSi202N2 :xMn4+各元素的化學計量比稱取BaO, SiON和Μη02粉體并混 合均勻，其中，X為〇. 01?〇. 08。
[0044] 該步驟中，優(yōu)選的，X為0. 05,在1250°C下燒結3小時成直徑為50mm，厚度為2mm 的陶瓷靶材。
[0045] 步驟S22、將步驟S21中得到的靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體， 并將真空腔體的真空度設置為1. ox l(T3Pa?1. OX 10_5Pa。
[0046] 該步驟中，優(yōu)選的，真空度為5X10_4Pa。
[0047] 步驟S23、調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm?95mm，磁控濺射工作 壓強0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為lOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C ;接著 進行制膜，得到化學式為BaSi202N2 :xMn4+的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜。
[0048] 還包括步驟：將所述錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火處 理lh?3h。
[0049] 該步驟中，優(yōu)選的基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強2Pa，工作氣體為氧氣，工 作氣體的流量為25 SCCm，襯底溫度為500°C。
[0050] 請參閱圖1，一實施方式的薄膜電致發(fā)光器件100,該薄膜電致發(fā)光器件100包括 依次層疊的襯底1、陽極2、發(fā)光層3以及陰極4。
[0051] 襯底1為玻璃襯底。陽極2為形成于玻璃襯底上的氧化銦錫（ΙΤ0)。發(fā)光層3的 材料為猛摻雜氮娃酸鋇鹽發(fā)光材料，該猛摻雜氮娃酸鋇鹽發(fā)光材料的化學式為BaSi 202N2 : xMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)，Mn 4+離子是激活元素，其中，X為0. 01?0. 08。陰極4的材質(zhì)為銀 (Ag)。
[0052] 上述薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0053] 步驟S31、提供具有陽極2的襯底1。
[0054] 本實施方式中，襯底1為玻璃襯底，陽極2為形成于玻璃襯底上的氧化銦錫（ΙΤ0)。 具有陽極2的襯底1先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗并用對其進行氧等離子處 理。
[0055] 步驟S32、在陽極2上形成發(fā)光層3,發(fā)光層3的材料為錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材 料，該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料的化學式為BaSi 202N2 :xMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)，Mn 4+離子 是激活元素，其中，X為0. 01?0. 08。
[0056] 本實施方式中，發(fā)光層3由以下步驟制得：
[0057] 首先，將BaSi202N2 :xMn4+各元素的化學計量比稱取BaO, SiON和Μη02粉體并混合 均勻在900°C?1300°C下燒結0. 5小時?5小時制成靶材，其中，X為0. 01?0. 08。
[0058] 其次，將靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空 度設置為 1. 〇 X l(T3Pa ?1. 0 X l(T5Pa。
[0059] 該步驟中，優(yōu)選的，真空度為5X10_4Pa。
[0060] 然后，調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm?95mm，磁控濺射工作壓 強0. 2Pa?4Pa，工作氣體的流量為lOsccm?35sccm，襯底溫度為250°C?750°C，接著進 行制膜，在陽極2上形成發(fā)光層3。
[0061] 該步驟中，優(yōu)選的基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強2Pa，工作氣體為氧氣，工 作氣體的流量為25 SCCm，襯底溫度為500°C，激光能量為300W。
[0062] 還包括步驟：將所述錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜于50(TC?80(TC下真空退火處 理lh?3h。
[0063] 步驟S33、在發(fā)光層3上形成陰極4。
[0064] 本實施方式中，陰極4的材料為銀(Ag)，由蒸鍍形成。
[0065] 下面為具體實施例。
[0066] 實施例1
[0067] 選用純度為 99. 99% 的粉體，將 lmmol 的 BaO, 2mmol 的 SiON 和 0. 03mmol 的 Μη02 粉 體，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷祀材，并將祀材裝 入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ΙΤ0的玻璃襯底，并用 對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為60mm。用機械泵和分 子泵把腔體的真空度抽到5. OX 10_4Pa，氧氣的工作氣體流量為25SCCm，壓強調(diào)節(jié)為2. OPa， 襯底溫度為500°C。得到的樣品化學式為BaSi202N2 :0. 03Mn4+的發(fā)光薄膜，然后將得到的發(fā) 光薄膜在真空度中真空度為〇. 01Pa，退火溫度為600°C，退火處理2h，然后在發(fā)光薄膜上面 蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0068] 本實施例中得到的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的化學通式為BaSi202N 2 :0. 03Mn4+。
[0069] 請參閱圖2,圖2所示為得到的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光譜（EL)。由 圖2可以看出，電致發(fā)光譜中，在520nm波長區(qū)都有很強的發(fā)光峰，能夠應用于薄膜電致發(fā) 光顯不器中。
[0070] 請參閱圖3,圖3為實施例1制備的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的拉曼光譜，由圖 可以看出拉曼峰所示為氮硅酸鋇鹽玻璃特征峰，沒有出現(xiàn)摻雜元素以及其它雜質(zhì)的峰，說 明摻雜元素與基質(zhì)材料形成了良好的鍵合。
[0071] 請參閱圖4,圖4是實施例1制備的薄膜電致發(fā)光器件的電壓與電流密度和電壓與 亮度之間的關系曲線圖，曲線1是電壓與電流密度關系曲線，可看出該器件從電壓5. 5V開 始發(fā)光，曲線2是電壓與亮度關系曲線，可以看出該器件的最大亮度為102cd/m2,表明器件 具有良好的發(fā)光特性。
[0072] 實施例2
[0073] 選用純度為 99. 99% 的粉體，將 lmmol 的 BaO, 2mmol 的 SiON 和 0· 08mmol 的 Μη02 粉 體，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷祀材，并將祀材裝入 真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ITO的玻璃襯底，并用對 其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為45mm。用機械泵和分子 泵把腔體的真空度抽到1. 〇X l(T3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0. 5Pa，襯 底溫度為250°C，得到的樣品的化學式為BaSi202N2 :0. 08Mn4+的發(fā)光薄膜，然后將得到的發(fā) 光薄膜在真空度中真空度為〇. OlPa，退火溫度為500°C，退火處理lh，然后在發(fā)光薄膜上面 蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0074] 實施例3
[0075] 選用純度為 99. 99% 的粉體，將 lmmol 的 BaO, 2mmol 的 SiON 和 0. Olmmol 的 Μη02 粉 體，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷祀材，并將祀材裝 入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ΙΤ0的玻璃襯底，并用 對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95mm。用機械泵和分 子泵把腔體的真空度抽到1. 〇X l(T5Pa，氧氣的工作氣體流量為35SCCm，壓強調(diào)節(jié)為4. OPa， 襯底溫度為750°C，得到的樣品的化學式為BaSi202N2 :0. 01Mn4+的發(fā)光薄膜，然后將得到的 發(fā)光薄膜在真空度中真空度為〇. 01Pa，退火溫度為800°C，退火處理3h，然后在發(fā)光薄膜上 面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0076] 實施例4
[0077] 選用純度為 99. 99% 的粉體，將 lmmol 的 BaO, 2mmol 的 SiON 和 0. 06mmol 的 Μη02 粉 體，經(jīng)過均勻混合后，在1250°C下燒結成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷祀材，并將祀材裝 入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ΙΤ0的玻璃襯底，并用 對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為60mm。用機械泵和分 子泵把腔體的真空度抽到5. OX 10_4Pa，氧氣的工作氣體流量為25SCCm，壓強調(diào)節(jié)為2. OPa， 襯底溫度為500°C，得到的樣品的化學式為BaSi202N2 :0. 06Mn4+的發(fā)光薄膜，然后將得到的 發(fā)光薄膜在真空度中真空度為〇. 01Pa，退火溫度為600°C，退火處理2h，然后在發(fā)光薄膜上 面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0078] 實施例5
[0079] 選用純度為 99. 99% 的粉體，將 lmmol 的 BaO, 2mmol 的 SiON 和 0. 07mmol 的 Μη02 粉 體，經(jīng)過均勻混合后，在900°C下燒結成直徑為50mm，厚度為2mm的陶瓷祀材，并將祀材裝入 真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ΙΤ0的玻璃襯底，并用對 其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為45mm。用機械泵和分子 泵把腔體的真空度抽到1. 〇X l(T3Pa，氧氣的工作氣體流量為lOsccm，壓強調(diào)節(jié)為0. 2Pa，襯 底溫度為250°C，激光能量500W。得到的樣品的化學式為BaSi202N 2 :0. 07Mn4+的發(fā)光薄膜， 然后將得到的發(fā)光薄膜在真空度中真空度為0. 01Pa，退火溫度為500°C，退火處理lh，然后 在發(fā)光薄膜上面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0080] 實施例6
[0081] 選用純度為 99. 99% 的粉體，將 lmmol 的 Ba0,2mmol 的 SiON 和 0. 04mmol 的]^02粉 體，經(jīng)過均勻混合后，在1300°C下燒結成直徑為50_，厚度為2mm的陶瓷祀材，并將祀材裝 入真空腔體內(nèi)。然后，先后用丙酮、無水乙醇和去離子水超聲清洗帶ΙΤ0的玻璃襯底，并用 對其進行氧等離子處理，放入真空腔體。把靶材和襯底的距離設定為95mm。用機械泵和分 子泵把腔體的真空度抽到1. 〇X l(T5Pa，氧氣的工作氣體流量為35SCCm，壓強調(diào)節(jié)為4. OPa， 襯底溫度為750°C，得到的樣品的化學式為BaSi202N2 :0. 04Mn4+的發(fā)光薄膜，然后將得到的 發(fā)光薄膜在真空度中真空度為〇. OlPa，退火溫度為800°C，退火處理3h，然后在發(fā)光薄膜上 面蒸鍍一層Ag，作為陰極。
[0082] 以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并 不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員 來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保 護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1. 一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料，其特征在于：其化學式為BaSi202N 2 :xMn4+， BaSi202N2是基質(zhì)，Mn4+離子是激活元素，其中，x為0. 01?0. 08。
2. 根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光材料，其特征在于：所述X為0. 03。
3. -種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 根據(jù)BaSi202N2 :xMn4+各元素的化學計量比稱取BaO, SiON和Μη02粉體并混合均勻，其 中，X為0· 01?0· 08 ;及 將混合均勻的粉體在900°C?1300°C下燒結0. 5小時?5小時即得到化學式為 BaSi202N2 :xMn4+的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料。
4. 一種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜，其特征在于，該錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的材 料的化學通式為BaSi 202N2 :xMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)，Mn 4+離子是激活元素，其中，X為0. 01? 0· 08。
5. -種錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 根據(jù)BaSi202N2 :xMn4+各元素的化學計量比稱取BaO, SiON和Μη02粉體并混合均勻，其 中，X 為 0· 01 ?0· 08 ; 將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置 為 1. 0 X l(T3Pa ?1. 0 X l(T5Pa ;及 調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm?95mm，磁控濺射工作壓強0. 2Pa? 4Pa，工作氣體的流量為lOsccm?35SCCm，襯底溫度為250°C?750°C，接著進行制膜，得到 化學式為BaSi 202N2 :xMn4+的猛摻雜氮娃酸鋇鹽發(fā)光薄膜。
6. 根據(jù)權利要求5所述的錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜的制備方法，其特征在于，還包 括步驟：將所述錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜于500°C?800°C下真空退火處理lh?3h。
7. -種薄膜電致發(fā)光器件，該薄膜電致發(fā)光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發(fā)光層 以及陰極層，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料，該錳摻雜氮硅 酸鋇鹽發(fā)光材料的化學式為BaSi 202N2 :xMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)，Mn 4+離子是激活元素，其中， X 為 0· 01 ?0· 08。
8. -種薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供具有陽極的襯底； 在所述陽極上形成發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料，該錳摻 雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光材料的化學式為BaSi202N2 :xMn4+，BaSi202N2是基質(zhì)，Mn 4+離子是激活元 素，其中，X為〇.〇1?0.08 ; 在所述發(fā)光層上形成陰極。
9. 根據(jù)權利要求8所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光層的 制備包括以下步驟： 根據(jù)BaSi202N2 :xMn4+各元素的化學計量比稱取BaO, SiON和Μη02粉體并混合均勻在 900°C?1300°C下燒結0. 5小時?5小時制成靶材，其中，X為0. 01?0. 08 ; 將所述靶材以及所述襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度 設置為 1. 〇 X l(T3Pa ?L 0 X l(T5Pa ; 調(diào)整磁控濺射鍍膜工藝參數(shù)為：基靶間距為45mm?95mm，磁控濺射工作壓強0. 2Pa? 4Pa，工作氣體的流量為lOsccm?35SCCm，襯底溫度為250°C?750°C，接著進行制膜，在所 述陽極上形成發(fā)光層。
10.根據(jù)權利要求8所述的薄膜電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，還包括步驟： 將所述錳摻雜氮硅酸鋇鹽發(fā)光薄膜于500°C?800°C下真空退火處理lh?3h。
【文檔編號】C09K11/59GK104140810SQ201310168938
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年5月6日 優(yōu)先權日:2013年5月6日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 陳吉星, 鐘鐵濤 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司