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一種高效環(huán)保半導(dǎo)體芯片研磨劑的制作方法

文檔序號:3785232閱讀:201來源:國知局
一種高效環(huán)保半導(dǎo)體芯片研磨劑的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高效環(huán)保半導(dǎo)體芯片研磨劑,其特征在于,包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):研磨粒子12-20份,雙酚A型聚碳酸酯5-9份,三乙胺8-12份,酒石酸5-9份,苯甲酸甲酯6-7份,聚乙烯醇2-3份,二氧化硅4-5份,過氧化氫7-9份,硫酸鋅1-3份,硫酸鎂2-4份,硬脂酸鈣3-8份,硬脂酸4-13份,分散劑1份。本發(fā)明半導(dǎo)體芯片化學(xué)機械研磨劑具備了較小的介質(zhì)層磨損率和較低的腐蝕度,可以促進研磨粒子的穩(wěn)定性,保持極高的鎢去除速率。由于相對降低了機械力的作用強度,凹坑、腐蝕和介質(zhì)層的損耗等問題也減小了。
【專利說明】一種高效環(huán)保半導(dǎo)體芯片研磨劑
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種高效環(huán)保半導(dǎo)體芯片研磨劑。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體芯片的加工制造過程中,隨著采用嵌入式(damascene)工序(一種費用相當(dāng)便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件結(jié)構(gòu)的工序)的逐步普及,對芯片中的金屬導(dǎo)線進行化學(xué)機械研磨(CMP, chemical mechanical planarization)拋光亦變得必不可少。鎢以其極好的對通孔和溝槽的填充性能、低的電子遷移和電阻以及優(yōu)異的耐腐蝕性,被廣泛地用于半導(dǎo)體芯片加工制造的工藝過程中。如作為金屬觸點、通孔導(dǎo)線和層間互連線等。傳統(tǒng)上,鎢可以采用等離子體的方法刻蝕,稱作鎢回蝕。不過,鎢回蝕是一種成本高且會造成較大環(huán)境污染的工藝。與此相反,鎢的C如:Ip工藝,在成本和環(huán)保兩方面要好得多。尤其重要的是,采用CMP的鎢拋光方法,有助于提高嵌入式工序?qū)π酒呐渚€密度,進而獲得更高的芯片性能。因此,在半導(dǎo)體制造業(yè)中,鎢CMP己迅速成為一種被廣泛使用的技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高效環(huán)保半導(dǎo)體芯片研磨劑。
[0004]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種高效環(huán)保半導(dǎo)體芯片研磨劑,其特征在于,包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):研磨粒子
12-20份,雙酚A型聚碳酸酯5-9份,三乙胺8-12份,酒石酸5_9份,苯甲酸甲酯6_7份,聚乙烯醇2-3份,二氧化硅4-5份,過氧化氫7-9份,硫酸鋅1-3份,硫酸鎂2_4份,硬脂酸鈣3-8份,硬脂酸4-13份,分散劑I份。
[0005]本發(fā)明半導(dǎo)體芯片化學(xué)機械研磨劑具備了較小的介質(zhì)層磨損率和較低的腐蝕度,可以促進研磨粒子的穩(wěn)定性,保持極高的鎢去除速率。由于相對降低了機械力的作用強度,凹坑、腐蝕和介質(zhì)層的損耗等問題也減小了。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
一種高效環(huán)保半導(dǎo)體芯片研磨劑,其特征在于,包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):研磨粒子
12-20份,雙酚A型聚碳酸酯5-9份,三乙胺8-12份,酒石酸5_9份,苯甲酸甲酯6_7份,聚乙烯醇2-3份,二氧化硅4-5份,過氧化氫7-9份,硫酸鋅1-3份,硫酸鎂2_4份,硬脂酸鈣3-8份,硬脂酸4-13份,分散劑I份。
【權(quán)利要求】
1.一種高效環(huán)保半導(dǎo)體芯片研磨劑,其特征在于,包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):研磨粒子12-20份,雙酚A型聚碳酸酯5-9份,三乙胺8-12份,酒石酸5_9份,苯甲酸甲酯6_7份,聚乙烯醇2-3份,二氧化硅4-5份,過氧化氫7-9份,硫酸鋅1-3份,硫酸鎂2_4份,硬脂酸鈣3-8份,硬脂酸4- 13份,分散劑I份。
【文檔編號】C09K3/14GK103436227SQ201310387798
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月31日
【發(fā)明者】張竹香 申請人:青島承天偉業(yè)機械制造有限公司
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