一種半導(dǎo)體材料無有毒物質(zhì)殘留的機械拋光劑的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體材料無有毒物質(zhì)殘留的機械拋光劑，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì)：二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3-8份，硬脂酸4-13份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，pH調(diào)節(jié)劑1-3份。本發(fā)明的有益效果是：配方簡單、制作容易，其可在半導(dǎo)體加工的化學(xué)成膜和機械去膜的交替過程中實現(xiàn)超精密表面加工，從而達到平坦化的目的。
【專利說明】一種半導(dǎo)體材料無有毒物質(zhì)殘留的機械拋光劑
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體材料無有毒物質(zhì)殘留的機械拋光劑。
【背景技術(shù)】
[0002]化學(xué)機械拋光是隨著集成電路的工業(yè)發(fā)展成長起來的，其基本目的就是通過拋光過程獲得近乎完美的晶體表面結(jié)構(gòu)，用于集成電路的制造，隨著集成電路工業(yè)技術(shù)指標(biāo)的提高，線寬的不斷縮小，可靠程度的要求越來越高，對拋光晶片的表面缺陷也要求越來越少，而且對表面的平整度，粗糙度，氧化層厚度及均勻性等等方面提出了非常嚴(yán)格的要求，這就促進了廣泛應(yīng)用于各種半導(dǎo)體晶片拋光過程中的化學(xué)機械拋光工藝及相關(guān)設(shè)備的不斷發(fā)展和進步。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種半導(dǎo)體材料無有毒物質(zhì)殘留的機械拋光劑。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種半導(dǎo)體材料無有毒物質(zhì)殘留的機械拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6-7份，聚乙烯醇2-3份，二氧化硅4-5份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3_8份，硬脂酸
4-13份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，PH調(diào)節(jié)劑1_3份。
·[0005]本發(fā)明的有益效果是:配方簡單、制作容易，其可在半導(dǎo)體加工的化學(xué)成膜和機械去膜的交替過程中實現(xiàn)超精密表面加工，從而達到平坦化的目的。
【具體實施方式】
[0006]實施例1
一種半導(dǎo)體材料無有毒物質(zhì)殘留的機械拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6_7份，聚乙烯醇2_3份，二氧化硅4-5份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3_8份，硬脂酸
4-13份，云母粉6-10份，空心玻璃微珠2-8份，PH調(diào)節(jié)劑1_3份。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體材料無有毒物質(zhì)殘留的機械拋光劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):二氧化氯11-16份，三乙胺8-12份，酒石酸5-9份，苯甲酸甲酯6_7份，聚乙烯醇2_3份，二氧化硅4-5份，過氧化氫7-9份，硫酸鋅1-3份，硫酸鎂2-4份，硬脂酸鈣3_8份，硬脂酸4-13份，云母粉6-10份 ，空心玻璃微珠2-8份，PH調(diào)節(jié)劑1_3份。
【文檔編號】C09G1/02GK103436186SQ201310387811
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月31日
【發(fā)明者】張竹香 申請人:青島承天偉業(yè)機械制造有限公司