半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜及半導(dǎo)體芯片的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜，其特征在于，其具備基材薄膜與形成于該基材薄膜的上側(cè)的保護(hù)膜，并且，前述保護(hù)膜含有下述(A)～(E)成分：(A)選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂、及(甲基)丙烯酸樹脂所組成的群組中的至少一種：100質(zhì)量份；(B)環(huán)氧樹脂：5～200質(zhì)量份；(C)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料以外的填充材料：100～400質(zhì)量份；(D)環(huán)氧樹脂固化催化劑：催化劑量；及(E)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料：25～5000質(zhì)量份。由此，提供一種切斷特性優(yōu)異的半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜及生產(chǎn)率較高的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
【專利說(shuō)明】半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜及半導(dǎo)體芯片的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜及半導(dǎo)體芯片的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]為了縮小半導(dǎo)體芯片(chip)的構(gòu)裝面積或進(jìn)行低背化，目前使用倒裝芯片連接法。該連接法中，切割于表面上形成有電路及連接用凸塊的晶片(wafer)，從而獲得半導(dǎo)體芯片，將該芯片的表面朝向基板連接后，進(jìn)行樹脂密封等，以保護(hù)半導(dǎo)體芯片。
[0003]已知有一種芯片用保護(hù)膜形成用片材，其防止于上述切割工序中，由于旋轉(zhuǎn)刀的振動(dòng)等而造成芯片損傷(以下稱作“碎裂”)，并且，代替樹脂密封，作為密封膜而發(fā)揮作用(專利文獻(xiàn)1、專利文獻(xiàn)2)。
[0004]又，已知有使用線膨脹系數(shù)較低的補(bǔ)強(qiáng)材料來(lái)防止IC卡的扭轉(zhuǎn)的技術(shù)(專利文獻(xiàn)3)、及使用補(bǔ)強(qiáng)材料來(lái)防止IC卡內(nèi)半導(dǎo)體芯片的破裂的技術(shù)(專利文獻(xiàn)4)。
[0005]上述芯片用保護(hù)膜是粘貼于晶片的背面來(lái)使用。因此，于切割工序中，最后被旋轉(zhuǎn)刀切斷的構(gòu)件，是該保護(hù)膜。但是，存在以下問題:由于該保護(hù)膜中所包含的樹脂成分具有延伸性，因此難以切割，又，于旋轉(zhuǎn)刀上引起堵塞，使旋轉(zhuǎn)刀振動(dòng)，從而損傷晶片。
[0006]使用線膨脹系數(shù)較低的補(bǔ)強(qiáng)材料來(lái)防止IC卡扭轉(zhuǎn)的情況下，當(dāng)對(duì)IC卡施加扭轉(zhuǎn)或彎曲應(yīng)力時(shí)，整體無(wú)補(bǔ)強(qiáng)材料時(shí)，無(wú)低彈性模數(shù)的半導(dǎo)體芯片的部分可緩和應(yīng)力，但整體加入補(bǔ)強(qiáng)材料的情況下，較薄的半導(dǎo)體芯片受到扭轉(zhuǎn)或彎曲應(yīng)力而破裂。
[0007]于IC卡內(nèi)的半導(dǎo)體芯片上粘貼補(bǔ)強(qiáng)材料的方法中，因復(fù)數(shù)次固化工序、或粘著劑的溢出、補(bǔ)強(qiáng)層的位置偏移或傾斜、及粘著劑厚度不均勻所引起的補(bǔ)強(qiáng)強(qiáng)度的不均，而導(dǎo)致產(chǎn)生質(zhì)量不均或生產(chǎn)率顯著降低。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-280329號(hào)公報(bào)
[0011]專利文獻(xiàn)2:日本特開2004-260190號(hào)公報(bào)
[0012]專利文獻(xiàn)3:日本特開平10-24686號(hào)公報(bào)
[0013]專利文獻(xiàn)4:日本特開2000-268152號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]發(fā)明所要解決的課題
[0015]本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種由切塊機(jī)(dicer)所實(shí)行的切斷特性優(yōu)異的半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜及生產(chǎn)率較高的半導(dǎo)體芯片的制造方法。
[0016]解決課題的方法
[0017]為解決上述課題，根據(jù)本發(fā)明，提供一種半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜，其特征在于，其具備基材薄膜與形成于該基材薄膜的上側(cè)的保護(hù)膜，并且，前述保護(hù)膜含有下述(A)?(E)成分:
[0018](A)選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂、及(甲基)丙烯酸樹脂所組成的群組中的至少一種:100質(zhì)量份；
[0019](B)環(huán)氧樹脂:5?200質(zhì)量份；
[0020](C)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料以外的填充材料:100?400質(zhì)量份；
[0021](D)環(huán)氧樹脂固化催化劑:催化劑量 '及
[0022](E)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料:25?5000質(zhì)量份。
[0023]此種半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜的保護(hù)膜，通過具有纖維狀無(wú)機(jī)填充材料，可于切割半導(dǎo)體晶片而獲得半導(dǎo)體芯片時(shí)防止碎裂。又，該半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜的保護(hù)膜抗折強(qiáng)度較高，可防止于市面上使用時(shí)由于彎曲應(yīng)力而引起的芯片的破裂。
[0024]又，優(yōu)選為:前述保護(hù)膜由補(bǔ)強(qiáng)層與粘著層所構(gòu)成，
[0025]并且，前述粘著層含有下述(A)?(D)成分而成，前述補(bǔ)強(qiáng)層含有下述(E)成分而成:
[0026](A)選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂、及(甲基)丙烯酸樹脂所組成的群組中的至少一種:100質(zhì)量份；
[0027](B)環(huán)氧樹脂:5?200質(zhì)量份；
[0028](C)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料以外的填充材料:100?400質(zhì)量份；
[0029](D)環(huán)氧樹脂固化催化劑:催化劑量 '及
[0030](E)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料:1000?5000質(zhì)量份。
[0031]如此一來(lái)，若保護(hù)膜是由補(bǔ)強(qiáng)層與粘著層兩層所構(gòu)成，則可進(jìn)一步防止半導(dǎo)體芯片的碎裂并提升抗折強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率。
[0032]又，優(yōu)選為:前述(A)成分中的苯氧基樹脂是雙酚A型苯氧基樹脂或雙酚F型苯氧基樹脂，前述(B)成分的環(huán)氧樹脂是液態(tài)雙酚A型環(huán)氧樹脂或液態(tài)雙酚F型環(huán)氧樹脂。
[0033]若為此種(A)成分及(B)成分的組合，則半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜，其由切塊機(jī)所實(shí)行的切斷特性更為優(yōu)異。
[0034]又，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，是切割半導(dǎo)體晶片來(lái)制造半導(dǎo)體芯片的方法，其特征在于，其將前述半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜粘貼于前述半導(dǎo)體晶片上，并整體進(jìn)行切割，由此來(lái)制造背面具有與前述半導(dǎo)體芯片相同尺寸的保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片。
[0035]若為此種半導(dǎo)體芯片的制造方法，則切斷時(shí)的碎裂得以被抑制，進(jìn)而，由于半導(dǎo)體芯片背面上所具有的保護(hù)膜的抗折強(qiáng)度較高，因此，可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片的高生產(chǎn)率。
[0036]發(fā)明的效果
[0037]本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片保護(hù)膜中，通過保護(hù)膜具有纖維狀無(wú)機(jī)填充材料，可易于利用切塊機(jī)切斷，防止半導(dǎo)體芯片的碎裂并提升抗折強(qiáng)度，從而實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0038]圖1是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜的一個(gè)實(shí)例的剖面圖。
[0039]圖2是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜的另一個(gè)實(shí)例的剖面圖。
[0040]圖3是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜的又一個(gè)實(shí)例的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0041]本發(fā)明人為了達(dá)成上述目的，進(jìn)行了反復(fù)研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，若為下述的半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜，則其切斷特性優(yōu)異，該半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜的特征在于，其具備基材薄膜與形成于該基材薄膜的上側(cè)的保護(hù)膜，并且，前述保護(hù)膜含有下述(A)?(E)成分:
[0042](A)選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂、及(甲基)丙烯酸樹脂所組成的群組中的至少一種:100質(zhì)量份；
[0043](B)環(huán)氧樹脂:5?200質(zhì)量份；
[0044](C)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料以外的填充材料:100?400質(zhì)量份；
[0045](D)環(huán)氧樹脂固化催化劑:催化劑量 '及
[0046](E)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料:25?5000質(zhì)量份。
[0047][(A)選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂、及(甲基)丙烯酸樹脂所組成的群組中的至少一種]
[0048]苯氧基樹脂，是由環(huán)氧氯丙烷與雙酚A或雙酚F等衍生而成的樹脂。優(yōu)選為，以凝膠滲透層析儀(GPC)測(cè)定的聚苯乙烯換算的重均分子量為10，000?200，000，更優(yōu)選為20，000?100，000，最優(yōu)選為30，000?80，000。重均分子量為上述下限值以上，容易形成膜，另一方面，為前述上限值以下，由于沿著具有微細(xì)的電路圖案的基板表面的凹凸，可獲得充分的柔軟度，因而優(yōu)選。
[0049]作為苯氧基樹脂的示例，可列舉:以商品名PKHC、PKHH、PKHJ市售的(皆為日本巴化學(xué)工業(yè)公司(Τ0Μ0Ε Engineering C0., Ltd.)制造)；雙酚A及雙酚F混合型的以商品名 EPIK0TE4250、EPIK0TE4275、EPIK0TE1255HX30 市售的(皆為日本化藥有限公司(NIPPONKAYAKU Co,.Ltd.)制造)；使用溴化環(huán)氧樹脂的EPIK0TE5580BPX40 (皆為日本化藥有限公司制造)；雙酚A型的以商品名YP-50、YP-50S、YP-55、YP-70市售的(皆為日本東都化成有限公司(Tohto Kasei C0., Ltd.)制造);及以商品名 JER E1256、E4250、E4275、YX6954BH30、YL7290BH30市售的(皆為日本環(huán)氧樹脂有限公司(Japan Epoxy ResinsC0., Ltd.)制造)等。從具有前述重均分子量的方面而言，優(yōu)選為使用JER E1256。該苯氧基系聚合物的末端具有環(huán)氧基，其與后述(B)成分反應(yīng)。
[0050]可使用包含下述重復(fù)單元者來(lái)作為聚酰亞胺樹脂。
[0051]
/ O O \

⑴
\ Ii Ii L
\ O O f
[0052](式中，X包含芳香族環(huán)或脂肪族環(huán)的四價(jià)有機(jī)基，Y是二價(jià)有機(jī)基，q是I?300的整數(shù)。)
[0053]優(yōu)選為，以GPC測(cè)定的聚苯乙烯換算的重均分子量為10，000?200，000，更優(yōu)選為20，000?100，000，最優(yōu)選為30,000?80，000。重均分子量為前述下限值以上，則容易形成膜，另一方面，為前述上限值以下，由于沿著具有微細(xì)的電路圖案的基板表面的凹凸，可獲得充分的柔軟度，因而優(yōu)選。
[0054]前述聚酰亞胺樹脂，可通過利用通常的方法將具有下述重復(fù)單元的聚酰胺酸樹脂脫水、環(huán)合而獲得。
[0055]

【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜，其特征在于，其具備基材薄膜與形成于該基材薄膜的上側(cè)的保護(hù)膜，并且，前述保護(hù)膜含有下述(A)?(E)成分: (A)選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂、及(甲基)丙烯酸樹脂所組成的群組中的至少一種:100質(zhì)量份； (B)環(huán)氧樹脂:5?200質(zhì)量份； (C)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料以外的填充材料:100?400質(zhì)量份； (D)環(huán)氧樹脂固化催化劑:催化劑量'及 (E)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料:25?5000質(zhì)量份。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜，其中，前述保護(hù)膜由補(bǔ)強(qiáng)層與粘著層所構(gòu)成， 并且，前述粘著層含有下述(A)?(D)成分而成，前述補(bǔ)強(qiáng)層含有下述(E)成分而成: (A)選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂、及(甲基)丙烯酸樹脂所組成的群組中的至少一種:100質(zhì)量份； (B)環(huán)氧樹脂:5?200質(zhì)量份； (C)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料以外的填充材料:100?400質(zhì)量份； (D)環(huán)氧樹脂固化催化劑:催化劑量；及 (E)纖維狀無(wú)機(jī)填充材料:1000?5000質(zhì)量份。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜，其中，前述(A)成分中的苯氧基樹脂是雙酚A型苯氧基樹脂或雙酚F型苯氧基樹脂，前述(B)成分的環(huán)氧樹脂是液態(tài)雙酚A型環(huán)氧樹脂或液態(tài)雙酚F型環(huán)氧樹脂。
4.一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，其是切割半導(dǎo)體晶片來(lái)制造半導(dǎo)體芯片的方法，其特征在于，其將權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體晶片用保護(hù)薄膜粘貼于前述半導(dǎo)體晶片上，并整體進(jìn)行切割，由此來(lái)制造背面具有與前述半導(dǎo)體芯片相同尺寸的保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片。
【文檔編號(hào)】C09J7/02GK104137229SQ201380009159
【公開日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2013年1月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月13日
【發(fā)明者】市六信広 申請(qǐng)人:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社