卷芯及卷材的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種卷芯，其為用于將粘合帶卷繞成多層的圓筒狀的卷芯，所述粘合帶是在長條狀基材膜上沿著所述基材膜的長度方向形成粘合劑層而成的，所述卷芯的外徑為如下尺寸：在所述卷芯上卷繞所述粘合帶后，在所述粘合帶的在所述卷芯的半徑方向上相鄰的內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間，所述粘合劑層在所述卷芯的圓周方向的偏移量為55mm以下。
【專利說明】卷芯及卷材

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及用于卷繞粘合帶的卷芯及在該卷芯上卷繞粘合帶而成的卷材。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體裝置的制造通過將晶圓小片化（切割）為芯片、并將該小片化的芯片接合 在基板等上來進(jìn)行。在這樣的半導(dǎo)體裝置的制造中，使用在將晶圓小片化（切割）成芯片 時(shí)支撐小片化后的芯片的切割帶、和用于粘合小片化而得的芯片的芯片接合膜。
[0003] 近年，正在開發(fā)一種兼具這樣的切割帶功能和芯片接合帶功能的切割-芯片接合 一體型帶（例如參照專利文獻(xiàn)1)。
[0004] 專利文獻(xiàn)1所述的切割-芯片接合一體型帶在脫模膜上層疊有芯片接合膜且在芯 片接合膜上層疊有切割帶。而且，為了將切割帶粘合到切割中使用的被稱為晶圓環(huán)（wafer ring)的環(huán)狀框架（ring frame)上,而將切割帶以覆蓋芯片接合膜的方式形成得比芯片接 合膜大。
[0005] 這樣的切割-芯片接合一體型帶以卷繞于圓筒狀卷芯的狀態(tài)的卷材形式進(jìn)行保 管及搬運(yùn)。
[0006] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007] 專利文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2007-002173號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 發(fā)明要解決的課題
[0010] 但是，對(duì)于上述的切割-芯片接合一體型帶而言，在脫模膜上層疊有芯片接合膜 及切割帶的部分和在脫模膜上僅層疊有切割帶的部分的邊界會(huì)產(chǎn)生高度差。此外，在脫模 膜上僅層疊有切割帶的部分和在脫模膜上未層疊任何芯片接合膜及切割帶的部分的邊界 會(huì)產(chǎn)生高度差。
[0011] 因此存在如下問題：在將切割-芯片接合一體型帶卷繞于卷芯時(shí)，這些高度差被 轉(zhuǎn)印到芯片接合膜及切割帶，在芯片接合膜及切割帶上產(chǎn)生高度差的轉(zhuǎn)印痕跡。尤其當(dāng)芯 片接合膜上產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡時(shí)，在芯片接合膜與半導(dǎo)體晶圓之間產(chǎn)生空隙，可能使半導(dǎo)體裝 置的可靠性下降。
[0012] 因此考慮到降低將切割-芯片接合一體型帶卷繞于卷芯的卷繞張力。但是，在降 低該卷繞張力時(shí)，在將卷材堅(jiān)立起來進(jìn)行保管及搬運(yùn)的情況下，存在切割-芯片接合一體 型帶產(chǎn)生卷繞偏移的問題。
[0013] 此外，也在研究開發(fā)由芯片接合膜和切割帶一體化成1片膜而成的切割-芯片接 合一體型帶。但是，即使是這樣的切割-芯片接合一體型帶，也會(huì)由于產(chǎn)生高度差而存在與 上述同樣的問題。
[0014] 因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠抑制轉(zhuǎn)印痕跡的產(chǎn)生且能夠防止粘合帶的卷繞 偏移的卷芯及卷材。
[0015] 用于解決問題的手段
[0016] 本發(fā)明的卷芯為用于將粘合帶卷繞成多層的圓筒狀的卷芯，所述粘合帶是在長條 狀基材膜上沿著基材膜的長度方向形成粘合劑層而成的，卷芯的外徑為如下尺寸：在卷芯 卷上繞粘合帶后，在粘合帶的在卷芯的半徑方向上相鄰的內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間，粘合 劑層在卷芯的圓周方向的偏移量為55mm以下。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的卷芯，即使不降低將粘合帶卷繞于卷芯時(shí)的卷繞張力，在卷繞于卷 芯的粘合帶的內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間，粘合劑層在卷芯的圓周方向的偏移量也能夠被抑 制在55mm以下。由此,能夠抑制在粘合劑層產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡,并且能夠防止粘合帶的卷繞偏 移。尤其對(duì)于用于制造半導(dǎo)體裝置的粘合帶而言，在粘合劑層的中央部貼合晶圓，而在粘合 劑層的邊緣部不貼合晶圓。因此，通過在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間將粘合劑層在卷芯的圓 周方向的偏移量抑制為55mm以下，能夠抑制在貼合晶圓的粘合劑層的中央部產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕 跡，并且能夠防止粘合帶的卷繞偏移。進(jìn)而，能夠提高使用自卷芯抽出的粘合帶所制造出的 半導(dǎo)體裝置的可靠性。
[0018] 此時(shí)，在本發(fā)明中，卷芯的外徑可以設(shè)為如下尺寸：至少到卷繞在卷芯上的粘合帶 的第10層為止，在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間，粘合劑層在卷芯的圓周方向的偏移量為55_ 以下。
[0019] 在將粘合帶逐漸卷繞重疊于卷芯時(shí)，粘合帶的半徑逐漸變大。因此，若粘合帶較 長，則即使在卷芯附近將粘合劑層的偏移量抑制為55_，也會(huì)存在沿著半徑方向逐漸遠(yuǎn)離 卷芯時(shí)粘合劑層的偏移量超過55_的情況。另一方面，在以相同卷繞張力將粘合帶卷繞于 卷芯時(shí)，越朝向半徑方向內(nèi)側(cè)，則作用在卷繞于卷芯的粘合帶上的張力越大，因此轉(zhuǎn)印痕跡 的問題也越嚴(yán)重，越朝向半徑方向外側(cè)，則作用在卷繞于卷芯的粘合帶上的張力越小，因此 不會(huì)產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡的問題。因此，如上述那樣以至少到第10層為止在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部 之間將粘合劑層在卷芯的圓周方向的偏移量抑制為55mm以下的方式來設(shè)定卷芯的外徑， 從而不論粘合帶的長度如何，均能抑制產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡，并且能夠防止粘合帶的卷繞偏移。
[0020] 進(jìn)而，本發(fā)明可以為如下方式，即，將形成于粘合帶上的粘合劑層的間距設(shè)為P 時(shí)，卷芯的外周長度為（P-55)mm以上且（P+55)mm以下。
[0021] 通過如此地設(shè)定卷芯的外周長度，從而能夠使粘合劑層的1個(gè)間距形成約1卷，而 將1層粘合劑層以約1周卷繞于卷芯上。因此，卷芯的外徑不會(huì)過大，在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶 部之間，可以將粘合劑層的偏移量控制在上述范圍。
[0022] 此外，本發(fā)明可以為如下方式，S卩，粘合帶的粘合劑層具有形成于基材膜上的第一 粘合劑層、和面積大于第一粘合劑層且以覆蓋第一粘合劑層的方式形成于基材膜上的第二 粘合劑層，卷芯的外徑為如下尺寸：在卷芯上卷繞粘合帶后，在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間， 第一粘合劑層的邊緣與第二粘合劑層的邊緣不重合。
[0023] 另一方面，本發(fā)明還可以為如下方式，S卩，粘合帶的粘合劑層具有形成于基材膜上 的第二粘合劑層、和面積小于第二粘合劑層且以使第二粘合劑層從外周露出的方式形成于 第二粘合劑層上的第一粘合劑層，卷芯的外徑為如下尺寸：在卷芯上卷繞粘合帶后，在內(nèi)側(cè) 帶部和外側(cè)帶部之間，第一粘合劑層的邊緣與第二粘合劑層的邊緣不重合。
[0024] 若這樣設(shè)定卷芯的外徑，則可防止在卷繞于卷芯的粘合帶的內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部 之間第一粘合劑層的邊緣和第二粘合劑層的邊緣重合。因此，即使不降低將粘合帶卷繞于 卷芯時(shí)的卷繞張力，也能夠抑制在第一粘合劑層產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡，并且能夠防止粘合帶的卷 繞偏移。尤其對(duì)于用于制造半導(dǎo)體裝置的粘合帶而言，在第一粘合劑層貼合晶圓，而在覆蓋 第一粘合劑層的第二粘合劑層不貼合晶圓。因此，通過防止在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間第 一粘合劑層的邊緣和第二粘合劑層的邊緣重合，從而能夠抑制在貼合晶圓的第一粘合劑層 產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡，并且能夠防止粘合帶的卷繞偏移。由此，能夠提高使用自卷芯抽出的粘合帶 所制造出的半導(dǎo)體裝置的可靠性。
[0025] 此時(shí)，在本發(fā)明中，卷芯的外徑可以設(shè)為如下尺寸：至少到卷繞在卷芯上的粘合帶 的第10層為止，在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間，第一粘合劑層的邊緣和第二粘合劑層的邊緣 不重合。
[0026] 由此，通過以至少到第10層為止防止在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間第一粘合劑層 的邊緣和第二粘合劑層的邊緣重合的方式來設(shè)定卷芯的外徑，從而基于與上述理由同樣的 理由，不論粘合帶的長度如何，均能抑制在貼合晶圓的第二粘合劑層產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡，并且能 夠防止粘合帶的卷繞偏移。
[0027] 此外，在本發(fā)明中，卷芯的外徑可以設(shè)為IOOmm以上。
[0028] 由此，通過將卷芯的外徑設(shè)為IOOmm以上，從而即使不降低將粘合帶卷繞于卷芯 時(shí)的卷繞張力，也可以使作用于卷繞于卷芯的粘合帶上的張力變小。由此，能夠抑制在粘合 劑層產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡，并且能夠防止粘合帶的卷繞偏移。
[0029] 本發(fā)明的卷材為將粘合帶在圓筒狀的卷芯上卷繞成多層而成的卷材，所述粘合帶 是在長條狀基材膜上沿著基材膜的長度方向形成多個(gè)粘合劑層而成的，卷芯的外徑為如下 尺寸：在卷芯上卷繞粘合帶后，在粘合帶的在卷芯的半徑方向上相鄰的內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶 部之間，粘合劑層在卷芯的圓周方向的重合長度為55_以下。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明的卷材，即使不降低將粘合帶卷繞于卷芯時(shí)的卷繞張力，在卷繞于卷 芯的粘合帶的內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間，粘合劑層在卷芯的圓周方向的偏移量也能夠被抑 制在55mm以下。因此,能夠抑制在粘合劑層產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡,并且能夠防止粘合帶的卷繞偏 移。尤其對(duì)于用于制造半導(dǎo)體裝置的粘合帶而言，在粘合劑層的中央部貼合晶圓，而在粘合 劑層的邊緣部不貼合晶圓。因此，通過在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間將粘合劑層在卷芯的圓 周方向的偏移量抑制在55_以下，從而能夠抑制在貼合晶圓的粘合劑層的中央部產(chǎn)生轉(zhuǎn) 印痕跡，并且能夠防止粘合帶的卷繞偏移。由此，能夠提高使用自卷芯抽出的粘合帶所制造 出的半導(dǎo)體裝置的可靠性。
[0031] 發(fā)明效果
[0032] 根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制轉(zhuǎn)印痕跡的產(chǎn)生，并且能夠防止粘合帶的卷繞偏移。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033] 圖1為實(shí)施方式的卷材的立體圖。
[0034] 圖2為表示將粘合帶展開的狀態(tài)的俯視圖。
[0035] 圖3為沿圖2所示的III-III線的剖面圖。
[0036] 圖4為實(shí)施方式的卷芯的立體圖。
[0037] 圖5為卷繞于卷芯的粘合帶的概略展開圖。
[0038] 圖6為表示粘合帶的另一例子的剖面圖。
[0039] 圖7為表示粘合帶的另一例子的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0040] 以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的卷芯及卷材的優(yōu)選實(shí)施方式。予以說明，在所有 圖中對(duì)相同或相應(yīng)部分標(biāo)記相同符號(hào)。
[0041] 圖1為實(shí)施方式的卷材的立體圖。如圖1所示，本實(shí)施方式的卷材1為將粘合帶 2在圓筒狀的卷芯3上卷繞成多層而成的卷材。
[0042] 圖2為表示將粘合帶展開的狀態(tài)的俯視圖。圖3為沿圖2所示的III-III線的剖 面圖。如圖2及圖3所示，粘合帶2采用在長條狀脫模膜21上層疊粘合劑層24和支撐層 25而成的結(jié)構(gòu)，所述粘合劑層24由第一粘合劑層22及第二粘合劑層23構(gòu)成。
[0043] 第一粘合劑層22為作為芯片接合膜發(fā)揮功能的層。即，第一粘合劑層22是貼合 在半導(dǎo)體晶圓上而將通過切割而小片化而得的半導(dǎo)體芯片粘合、固定于芯片座（die pad) 的層。因此，第一粘合劑層22形成為圓形薄膜狀。作為第一粘合劑層22中所包含的粘合 劑的組成，沒有特別限制，可以使用例如環(huán)氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、酚醛系樹脂、聚酰亞胺 系樹脂、硅酮樹脂等。
[0044] 第一粘合劑層22的層厚A可以設(shè)為例如I m以上且250 m以下，可以優(yōu)選設(shè)為 5iim以上且200iim以下。
[0045] 第一粘合劑層22的直徑CtB例如大于作為切割對(duì)象的半導(dǎo)體晶圓的直徑且小于 晶圓環(huán)的內(nèi)徑。予以說明，晶圓環(huán)的內(nèi)徑也大于作為切割對(duì)象的半導(dǎo)體晶圓的直徑。從確 實(shí)地進(jìn)行與半導(dǎo)體晶圓的粘合的觀點(diǎn)出發(fā)，第一粘合劑層22的直徑CtB優(yōu)選比作為切割對(duì) 象的半導(dǎo)體晶圓的直徑大20mm以上。例如在作為切割對(duì)象的半導(dǎo)體晶圓的直徑為12英寸 (300mm)、且晶圓環(huán)的內(nèi)徑為350mm時(shí)，第一粘合劑層22的直徑可以設(shè)為例如300mm以 上且350mm以下，可以優(yōu)選設(shè)為310mm以上且330mm以下，可以進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為319mm以上 且321mm以下。
[0046] 第二粘合劑層23為作為切割帶發(fā)揮功能的層。即，第二粘合劑層23在切割時(shí)支 撐半導(dǎo)體晶圓且將晶圓環(huán)粘合固定。因此，第二粘合劑層23形成為能夠覆蓋第一粘合劑層 22的、面積大于第一粘合劑層22的圓形薄膜狀。作為第二粘合劑層23,沒有特別限制，可以 使用目前公知的切割帶。作為第二粘合劑層23中所包含的粘合劑的組成，只要具有不會(huì)使 其從晶圓環(huán)剝離的粘接力，則可以為任意組成。作為第二粘合劑層23中所包含的粘合劑的 組成，可以使用例如：氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚 乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚1- 丁烯、聚-4-甲基-1-戊烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚 物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物、苯 乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等；以及這些物質(zhì)的混合物等。
[0047] 第二粘合劑層23的層厚C可以設(shè)為例如I m以上且250 m以下，可以優(yōu)選設(shè)為 5iim以上且200iim以下。
[0048] 第二粘合劑層23的直徑仰大于晶圓環(huán)的內(nèi)徑。從確實(shí)地進(jìn)行與晶圓環(huán)的粘合 的觀點(diǎn)出發(fā)，第二粘合劑層23的直徑CtD優(yōu)選充分大于晶圓環(huán)的內(nèi)徑。例如，在晶圓環(huán)的 內(nèi)徑為350mm時(shí)，第二粘合劑層23的直徑（j5D可以設(shè)為例如360mm以上且375mm以下，可 以優(yōu)選設(shè)為365mm以上且375mm以下，可以進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為369mm以上且371mm以下。
[0049] 而且，粘合劑層24由第一粘合劑層22和第二粘合劑層23按照第一粘合劑層22被 第二粘合劑層23完全覆蓋而不會(huì)從第二粘合劑層23露出的方式層疊成同心圓狀。因此，第 一粘合劑層22的整面粘合在脫模膜21上，按照包圍第一粘合劑層22的整個(gè)外周的方式， 將第二粘合劑層23的邊緣部粘合在脫模膜21上。此外，粘合劑層24的邊緣部的厚度為第 二粘合劑層23的厚度C，粘合劑層24的中央部的厚度為第一粘合劑層22的厚度A加上第 二粘合劑層23的厚度C而得的厚度（A+C)。
[0050] 第二粘合劑層23的外緣和第一粘合劑層22的外緣在半徑方向的離散距離E可以 設(shè)為例如30mm以上，可以優(yōu)選設(shè)為30mm以上且80mm以下，可以進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為20mm以上 且30mm以下。
[0051] 在脫模膜21上形成有多個(gè)如此構(gòu)成的粘合劑層24,各粘合劑層24沿著脫模膜21 的長度方向以一定的間距（間隔）配置在脫模膜21的寬度方向中央部。
[0052] 粘合劑層24的在脫模膜21的長度方向上相鄰的離散距離可以設(shè)為例如Omm以 上且18mm以下，可以優(yōu)選設(shè)為5mm以上且15mm以下，可以進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為6. 5mm以上且 10. 5mm 以下。
[0053] 在脫模膜21的長度方向上，粘合劑層24的間距P可以優(yōu)選設(shè)為376. 5mm以上且 379. 5mm以下。予以說明，該間距P為粘合劑層24的直徑CtD與粘合劑層24的在脫模膜 21的長度方向上相鄰的離散距離F相加而得的值。
[0054] 支撐層25為在將粘合帶2卷繞于卷芯3時(shí)減少卷繞后向粘合劑層24轉(zhuǎn)印的層。 在脫模膜21的寬度方向中央部以外的部分以包圍粘合劑層24的周圍的方式形成支撐層 25。此外，支撐層25沿著脫模膜21的長度方向連續(xù)或間斷地延伸。作為支撐層25,沒有特 別限制，可以使用例如組成與第二粘合劑層23相同的層。
[0055] 支撐層25的層厚G沒有特別限定，從抑制產(chǎn)生向粘合劑層24的轉(zhuǎn)印的觀點(diǎn)出發(fā)， 可以設(shè)定成與粘合劑層24的最大層厚（A+C)相同或者比其更厚的厚度。
[0056] 支撐層25的包圍粘合劑層24的周圍的、支撐層25的內(nèi)徑(^H大于第二粘合劑層 23的直徑（^D。例如，在第二粘合劑層23的直徑（^D為370mm時(shí)，支撐層25的內(nèi)徑（^H可 以設(shè)為例如371mm以上且385mm以下，可以優(yōu)選設(shè)為373mm以上且380mm以下，可以進(jìn)一步 優(yōu)選設(shè)為376mm以上且378mm以下。
[0057] 脫模膜21用于粘合支撐粘合劑層24并將其卷繞于卷芯3。作為脫模膜21，沒有 特別限制，可以使用例如聚酯膜、聚丙烯膜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜、聚酰亞胺膜、聚醚酰 亞胺膜、聚醚萘酸酯膜、聚甲基戊烯膜等基材膜。對(duì)這些基材膜，也可以根據(jù)需要進(jìn)行底涂 涂布、UV處理、電暈放電處理、研磨處理、蝕刻處理等表面處理。
[0058] 脫模膜21的厚度J可以設(shè)為例如10 ii m以上且200 ii m以下，可以優(yōu)選設(shè)為20 ii m 以上且150 iim以下。
[0059] 脫模膜21的寬度方向的寬度K大于第二粘合劑層23的直徑(j5D。例如，在第二粘 合劑層23的直徑（^D為370mm時(shí)，脫模膜21的寬度方向的寬度K可以設(shè)為例如380mm以 上且410mm以下，可以優(yōu)選設(shè)為385mm以上且400mm以下，可以進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為388mm以上 且392謹(jǐn)以下。
[0060] 在通過第二粘合劑層23的中心且沿著脫模膜21的寬度方向延伸的直線上的、脫 模膜21的寬度方向兩端緣和第二粘合劑層23的離散距離L可以設(shè)為例如5mm以上且15mm 以下，可以優(yōu)選設(shè)為7mm以上且13mm以下，可以進(jìn)一步優(yōu)選設(shè)為8mm以上且12mm以下。予 以說明，該離散距離L為脫模膜21的寬度方向兩端緣和第二粘合劑層23的最短距離。 [0061] 圖4為實(shí)施方式的卷芯的立體圖。如圖4所示，卷芯3形成為圓筒狀。卷芯3的 組成沒有特別限制，可以使用例如PS樹脂、PE樹脂、ABS樹脂等塑料。
[0062] 在此，參照?qǐng)D5說明卷芯3的外徑M及外周長度0。外徑M為卷芯3的外周的直 徑。外周長度0為卷芯3的外周的圓周長，通過外周MX 而求出。
[0063] 圖5為卷繞于卷芯的粘合帶的概略展開圖。予以說明，在圖5中，左右方向（箭頭 方向）為卷芯3的圓周方向。如圖4和圖5所示，卷芯3的外徑M為如下尺寸：將粘合帶2 在卷芯3上卷繞成多層后，至少到卷繞在卷芯3上的粘合帶2的第10層為止，在粘合帶2 的在卷芯3的半徑方向上相鄰的內(nèi)側(cè)帶部2a和外側(cè)帶部2b之間,粘合劑層24在卷芯3的 圓周方向的偏移量N為55mm以下。予以說明，內(nèi)側(cè)帶部2a為在卷芯3的半徑方向與外側(cè) 帶部2b的內(nèi)側(cè)（下層側(cè)）相鄰配置的部分，外側(cè)帶部2b為在卷芯3的半徑方向與內(nèi)側(cè)帶 部2a的外側(cè)（上層側(cè)）相鄰配置的部分。此時(shí)，從抑制在粘合劑層24的中央部產(chǎn)生轉(zhuǎn)印 痕跡的觀點(diǎn)出發(fā)，卷芯3的外徑M優(yōu)選為使該偏移量N達(dá)到25_以下的尺寸，進(jìn)一步優(yōu)選 為使該偏移量N達(dá)到15mm以下的尺寸。
[0064] 例如考慮粘合劑層24的間距P為378mm的情況。此時(shí)，在使1個(gè)間距形成約1卷 的卷芯3中，將卷芯3的外周長度0設(shè)為323謹(jǐn)(378謹(jǐn)-55mm)以上且433謹(jǐn)(378mm+55mm) 以下，從而可以將粘合劑層24在卷芯3的圓周方向的偏移量N設(shè)為55mm以下。換言之，通 過將卷芯3的外徑M設(shè)為323/mm(約103mm)以上且433/mm(約138mm)以下，可以將 粘合劑層24在卷芯3的圓周方向的偏移量N設(shè)為55mm以下。予以說明，使多個(gè)間距形成 約1卷的卷芯3的外周長度0及外徑M可以通過簡單的計(jì)算而求出，因此在此省略對(duì)其的 說明。
[0065] 如上所述，就用于制造半導(dǎo)體裝置的粘合帶2而言，在配置于粘合劑層24的中央 部的第一粘合劑層22上貼合（層壓）半導(dǎo)體晶圓，而在配置于粘合劑層24的邊緣部的第 二粘合劑層23上不貼合半導(dǎo)體晶圓。因此，通過如此地設(shè)定卷芯3的外徑M及外周長度0， 從而即使不降低將粘合帶2卷繞于卷芯3時(shí)的卷繞張力，也可以在內(nèi)側(cè)帶部2a和外側(cè)帶部 2b之間將粘合劑層24在卷芯3的圓周方向的偏移量N抑制為55mm以下、25mm以下或15mm 以下。因此，能夠抑制在貼合半導(dǎo)體晶圓的粘合劑層24的中央部產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡，并且能夠 防止粘合帶2的卷繞偏移。由此，能夠提高使用自卷芯3抽出的粘合帶2所制造出的半導(dǎo) 體裝置的可靠性。
[0066] 然而，在將粘合帶2逐漸卷繞重疊于卷芯3時(shí)，粘合帶2的半徑逐漸變大。因此，若 粘合帶2較長，則即使在卷芯3附近將粘合劑層24的偏移量N抑制為55mm以下、25mm以下 及15mm以下，也會(huì)存在沿著半徑方向逐漸遠(yuǎn)離卷芯3時(shí)粘合劑層24的偏移量N超過55mm、 25mm及15mm的情況。另一方面，在以相同卷繞張力將粘合帶2卷繞于卷芯3時(shí)，越朝向半 徑方向內(nèi)側(cè)，則作用在卷繞于卷芯3的粘合帶2上的張力越大，因此轉(zhuǎn)印痕跡的問題也越嚴(yán) 重，越朝向半徑方向外側(cè)，則作用于卷繞于卷芯3的粘合帶2上的張力越小，因此不會(huì)產(chǎn)生 轉(zhuǎn)印痕跡的問題。
[0067] 因此，通過以至少到第10層為止在內(nèi)側(cè)帶部2a和外側(cè)帶部2b之間將粘合劑層24 在卷芯3的圓周方向的偏移量N抑制為55mm以下、25mm以下及15mm以下的方式來設(shè)定卷 芯3的外徑，從而不論粘合帶2的長度如何，均能抑制轉(zhuǎn)印痕跡的產(chǎn)生，并且能夠防止粘合 帶2的卷繞偏移。
[0068] 此時(shí)，如上述具體例所代表的那樣，在將粘合劑層24的間距P設(shè)為P時(shí)，通過將卷 芯3的外周長度0設(shè)為（P_55)mm以上且（P+55)mm以下、（P_25)mm以上且（P+25)mm以下 及（P-15)mm以上且（P+15)mm以下，可以使粘合劑層的1個(gè)間距形成約1卷，從而可以將1 層粘合劑層24以約1周卷繞于卷芯3上。因此，卷芯3的外徑不會(huì)過大，在內(nèi)側(cè)帶部2a和 外側(cè)帶部2b之間，可以將粘合劑層24的偏移量N控制在上述范圍。
[0069] 此外，從抑制在第一粘合劑層22上產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡的觀點(diǎn)出發(fā)，卷芯3的外徑M優(yōu) 選為如下尺寸：在卷芯3上卷繞粘合帶2后，在內(nèi)側(cè)帶部2a和外側(cè)帶部2b之間，第一粘合 劑層22的邊緣22a和第二粘合劑層23的邊緣23a不重合。
[0070] 例如考慮第一粘合劑層22的直徑（^B為320mm、第二粘合劑層23的直徑（^D為 370mm、且粘合劑層24的間距P為378mm的情況。此時(shí)，在卷芯3的圓周方向上的第一粘合 劑層22的邊緣22a和第二粘合劑層23的邊緣23a的離散距離E為25mm。因此，在使1個(gè) 間距形成約1卷的卷芯3中，將卷芯3的外周長度0設(shè)為大于353mm(378mm-25mm)且小于 403mm(378mm+25mm)的尺寸，從而能夠防止在內(nèi)側(cè)帶部2a和外側(cè)帶部2b之間第一粘合劑層 22的邊緣22a和第二粘合劑層23的邊緣23a重合。換言之，通過將卷芯3的外徑M設(shè)為大 于353/mm(約112mm)且小于403/mm(約128mm)的尺寸，從而能夠防止在內(nèi)側(cè)帶部2a 和外側(cè)帶部2b之間第一粘合劑層22的邊緣22a和第二粘合劑層23的邊緣23a重合。予 以說明，使多個(gè)間距形成約1卷的卷芯3的外周長度0及外徑M可以通過簡單的計(jì)算而求 出，因此在此省略對(duì)其的說明。
[0071] 通過如此設(shè)定卷芯3的外周長度0及外徑M，從而可防止在卷繞于卷芯3上的粘合 帶2的內(nèi)側(cè)帶部2a和外側(cè)帶部2b之間第一粘合劑層22的邊緣和第二粘合劑層23的邊緣 重合。因此，即使不降低將粘合帶2卷繞于卷芯3時(shí)的卷繞張力，也能夠抑制在貼合半導(dǎo)體 晶圓的第一粘合劑層22產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡，并且能夠防止粘合帶2的卷繞偏移。由此，能夠提 高使用自卷芯3抽出的粘合帶2所制造出的半導(dǎo)體裝置的可靠性。
[0072] 此外，從抑制粘合帶2的卷繞偏移的觀點(diǎn)出發(fā)，卷芯3的外徑M優(yōu)選為IOOmm以上。 此時(shí)，優(yōu)選為140mm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為130mm以下，特別優(yōu)選為120mm以下。
[0073] 通過如此將卷芯3的外徑M設(shè)為IOOmm以上，即使不降低將粘合帶2卷繞于卷芯 3時(shí)的卷繞張力，也可以使作用在卷繞于卷芯3的粘合帶2上的張力變小。由此，能夠抑制 在粘合劑層24產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡，并且能夠防止粘合帶2的卷繞偏移。
[0074] 另一方面，通過將卷芯3的外徑M設(shè)為140mm以下、130mm以下及120mm以下，可以 提高卷材1的搬運(yùn)性及保管性。
[0075] 以上說明了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但本發(fā)明不受上述實(shí)施方式的限定。
[0076] 例如，在上述實(shí)施方式中，對(duì)于層疊于脫模膜的粘合劑層為第一粘合劑層和第二 粘合劑層這2層的情況進(jìn)行了說明，但也可以如圖6所示的粘合帶2'的粘合劑層24'那樣 為1層粘合劑層。該粘合劑層24'例如可以僅為第一粘合劑層，也可以僅為第二粘合劑層， 還可以為由第一粘合劑層和第二粘合劑層一體化而成的1層粘合劑層。由此也可以發(fā)揮與 上述實(shí)施方式同樣的作用效果。
[0077] 此外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)于層疊于脫模膜的粘合劑層為在第一粘合劑層的上 層層疊第二粘合劑層的情況進(jìn)行了說明，但也可以如圖7所示的粘合帶2"的粘合劑層24" 那樣在第二粘合劑層23"的上層層疊第一粘合劑層22"。此時(shí)，第二粘合劑層23"形成于 基材膜21上，第一粘合劑層22"比第二粘合劑層23"面積小且以從外周露出第二粘合劑層 23"的方式形成于第二粘合劑層23"上。而且，卷芯的外徑為如下尺寸：在卷芯上卷繞粘合 帶2"后，在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間，第一粘合劑層22"的邊緣和第二粘合劑層23"的邊 緣不重合。由此也可以發(fā)揮與上述實(shí)施方式同樣的作用效果。
[0078] 此外，在上述實(shí)施方式中，關(guān)于粘合劑層的偏移量的條件、以及第一粘合劑層的邊 緣和第二粘合劑層的邊緣的重合條件，對(duì)至少到卷繞在卷芯上的粘合帶的第10層為止的 情況進(jìn)行了說明，也可以將其設(shè)定成小于卷繞于卷芯的粘合帶的第10層的情況。
[0079] 此外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)于粘合帶為具有作為芯片接合膜發(fā)揮功能的第一粘 合劑層和作為切割帶發(fā)揮功能的第二粘合劑層的切割-芯片接合一體型帶的情況進(jìn)行了 說明，但各粘合劑層也可以根據(jù)使用目的等而適當(dāng)選擇。
[0080] 實(shí)施例
[0081] 以下對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。予以說明，本發(fā)明不受以下所說明的實(shí)施例限 定。
[0082] [實(shí)施例1]
[0083] 粘合帶使用日立化成工業(yè)株式會(huì)社制造的商品名為"FH-4013系列"的切割-芯片 接合一體型帶。作為第一粘合劑層，形成直徑為320mm、層厚為135 ii m的芯片接合膜，作為 第二粘合劑層，形成直徑為370mm、層厚為120 的切割帶。此外，第一粘合劑層的外緣和 第二粘合劑層的外緣的離散距離為25mm、粘合劑層的間距為378mm。
[0084] 作為卷芯，利用ABS樹脂制作了外徑為100mm、外周長度為314mm的ABS樹脂卷芯。 使粘合劑層的1個(gè)間距形成約1卷，在制成的卷芯上卷繞上述粘合帶，由此制成卷材。將粘 合帶卷繞于卷芯時(shí)的卷繞張力設(shè)為18N、20N、22N。
[0085] 對(duì)于卷繞于卷芯的粘合帶而言，至少到第10層為止，在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之 間，粘合劑層在卷芯的圓周方向的偏移量為42. 6mm以下。
[0086] 而且，將制成的卷材冷藏保管2周后，在溫度60°C、速度IOmm/秒的條件下進(jìn)行層 壓，并進(jìn)行了轉(zhuǎn)印痕跡的評(píng)價(jià)和卷繞偏移的評(píng)價(jià)。在轉(zhuǎn)印痕跡的評(píng)價(jià)中，將產(chǎn)生了來自轉(zhuǎn)印 痕跡的空隙的情況設(shè)為"C"，將未產(chǎn)生來自轉(zhuǎn)印痕跡的空隙的情況設(shè)為"A"。在卷繞偏移的 評(píng)價(jià)中，將未產(chǎn)生卷繞偏移的情況設(shè)為"A"，將產(chǎn)生了沒有問題程度的卷繞偏移的情況設(shè)為 "B"，將產(chǎn)生了卷繞偏移的情況設(shè)為"C"。評(píng)價(jià)結(jié)果示于下述表1中。
[0087] [實(shí)施例2]
[0088] 除了將卷芯的外徑設(shè)為114mm以外，條件均與實(shí)施例1相同。
[0089] 對(duì)于卷繞于卷芯的粘合帶而言，至少到第10層為止，在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之 間，粘合劑層在卷芯的圓周方向的偏移量為I. Imm以下。
[0090] 而且，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行轉(zhuǎn)印痕跡的評(píng)價(jià)和卷繞偏移的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示于 下述表1中。
[0091] [實(shí)施例3]
[0092] 除了將卷芯的外徑設(shè)為120mm以外，條件均與實(shí)施例1相同。
[0093] 對(duì)于卷繞于卷芯的粘合帶而言，至少到第10層為止，在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之 間，粘合劑層在卷芯的圓周方向的偏移量為16. 8mm以下。
[0094] 而且，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行轉(zhuǎn)印痕跡的評(píng)價(jià)和卷繞偏移的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示于 下述表1中。
[0095] [比較例]
[0096] 除了將卷芯的外徑設(shè)為84. Omm以外，條件均與實(shí)施例1相同。
[0097] 予以說明，外徑為84. Omm的卷芯為市場中通常所使用大小的卷芯。
[0098] 對(duì)于卷繞于卷芯的粘合帶而言，至少到第10層為止，在內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之 間，粘合劑層在卷芯的圓周方向的偏移量為89. Imm以下。
[0099] 而且，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行轉(zhuǎn)印痕跡的評(píng)價(jià)和卷繞偏移的評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)結(jié)果示于 下述表1中。
[0100] 如表1所示，對(duì)于比較例而言，在不將卷繞張力降低至18N時(shí)，產(chǎn)生了轉(zhuǎn)印痕跡，而 對(duì)于實(shí)施例1?3中的任一者而言，即使卷繞張力高達(dá)22N，也未產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕跡。而且，在比 較例中，為了抑制轉(zhuǎn)印痕跡的產(chǎn)生而將卷繞張力降低至18N時(shí)，產(chǎn)生了卷繞偏移，而在實(shí)施 例1?3中的任一者中，即使將卷繞張力降低至18N，也基本沒有產(chǎn)生卷繞偏移。認(rèn)為這是 由于：實(shí)施例1?3通過使卷芯的外徑大于比較例來減少粘合片的卷繞數(shù)。
[0101] [表 1]
[0102]

【權(quán)利要求】
1. 一種卷芯，其為用于將粘合帶卷繞成多層的圓筒狀的卷芯，所述粘合帶是在長條狀 基材膜上沿著所述基材膜的長度方向形成粘合劑層而成的， 所述卷芯的外徑為如下尺寸：在所述卷芯上卷繞所述粘合帶后，在所述粘合帶的在所 述卷芯的半徑方向上相鄰的內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間，所述粘合劑層在所述卷芯的圓周方 向的偏移量為55mm以下。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的卷芯，其中，所述卷芯的外徑為如下尺寸：至少到卷繞在所述 卷芯上的所述粘合帶的第10層為止，在所述內(nèi)側(cè)帶部和所述外側(cè)帶部之間，所述粘合劑層 在所述卷芯的圓周方向的偏移量為55mm以下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的卷芯，其中，在將形成于所述粘合帶上的所述粘合劑層的 間距設(shè)為P時(shí)，所述卷芯的外周長度為（P-55)mm以上且（P+55)mm以下。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的卷芯，其中，所述粘合帶的所述粘合劑層具有形 成于所述基材膜上的第一粘合劑層、和面積大于所述第一粘合劑層且以覆蓋所述第一粘合 劑層的方式形成于所述基材膜上的第二粘合劑層， 所述卷芯的外徑為如下尺寸：在所述卷芯上卷繞所述粘合帶后，在所述內(nèi)側(cè)帶部和所 述外側(cè)帶部之間，所述第一粘合劑層的邊緣與所述第二粘合劑層的邊緣不重合。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的卷芯，其中，所述粘合帶的所述粘合劑層具有形 成于所述基材膜上的第二粘合劑層、和面積小于所述第二粘合劑層且以使所述第二粘合劑 層從外周露出的方式形成于所述第二粘合劑層上的第一粘合劑層， 所述卷芯的外徑為如下尺寸：在所述卷芯上卷繞所述粘合帶后，在所述內(nèi)側(cè)帶部和所 述外側(cè)帶部之間，所述第一粘合劑層的邊緣與所述第二粘合劑層的邊緣不重合。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的卷芯，其中，所述卷芯的外徑為如下尺寸：至少到卷繞在 所述卷芯上的所述粘合帶的第10層為止，在所述內(nèi)側(cè)帶部和所述外側(cè)帶部之間，所述第一 粘合劑層的邊緣與所述第二粘合劑層的邊緣不重合。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項(xiàng)所述的卷芯，其中，所述卷芯的外徑為100mm以上。
8. -種卷材，其為將粘合帶在圓筒狀的卷芯上卷繞成多層而成的卷材，所述粘合帶是 在長條狀基材膜上沿著所述基材膜的長度方向形成多個(gè)粘合劑層而成的， 所述卷芯的外徑為如下尺寸：在所述卷芯上卷繞所述粘合帶后，在所述粘合帶的在所 述卷芯的半徑方向上相鄰的內(nèi)側(cè)帶部和外側(cè)帶部之間，所述粘合劑層在所述卷芯的圓周方 向的重合長度為55mm以下。
【文檔編號(hào)】C09J7/02GK104334668SQ201380027215
【公開日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2013年5月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月25日
【發(fā)明者】小玉惠, 德安孝寬, 管井頌太 申請(qǐng)人:日立化成株式會(huì)社