一種半導(dǎo)體芯片抗氧化研磨劑的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片抗氧化研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì)：研磨粒子12-20份，二氧化氯11-16份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，鋅粉1-2份，氧化鉛1-2份，酒石酸1-3份，羥乙基纖維素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯1-3份，納米硫酸鈣2-8份，分散劑1份。本發(fā)明半導(dǎo)體芯片化學(xué)機(jī)械研磨劑具備了較小的介質(zhì)層磨損率和較低的腐蝕度，可以促進(jìn)研磨粒子的穩(wěn)定性，保持極高的鎢去除速率。由于相對(duì)降低了機(jī)械力的作用強(qiáng)度，凹坑、腐蝕和介質(zhì)層的損耗等問(wèn)題也減小了。
【專利說(shuō)明】一種半導(dǎo)體芯片抗氧化研磨劑

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體芯片抗氧化研磨劑。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體芯片的加工制造過(guò)程中，隨著采用嵌入式(damascene)工序(一種費(fèi)用相當(dāng)便宜且能在硅芯片上建立更密集的元器件結(jié)構(gòu)的工序)的逐步普及，對(duì)芯片中的金屬導(dǎo)線進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨(CMP, chemical mechanical planarizat1n)拋光亦變得必不可少。鎢以其極好的對(duì)通孔和溝槽的填充性能、低的電子遷移和電阻以及優(yōu)異的耐腐蝕性，被廣泛地用于半導(dǎo)體芯片加工制造的工藝過(guò)程中。如作為金屬觸點(diǎn)、通孔導(dǎo)線和層間互連線等。傳統(tǒng)上，鎢可以采用等離子體的方法刻蝕，稱作鎢回蝕。不過(guò)，鎢回蝕是一種成本高且會(huì)造成較大環(huán)境污染的工藝。與此相反，鎢的C如:Ip工藝，在成本和環(huán)保兩方面要好得多。尤其重要的是，采用CMP的鎢拋光方法，有助于提高嵌入式工序?qū)π酒呐渚€密度，進(jìn)而獲得更高的芯片性能。因此，在半導(dǎo)體制造業(yè)中，鎢CMP己迅速成為一種被廣泛使用的技術(shù)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體芯片抗氧化研磨劑。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
一種半導(dǎo)體芯片抗氧化研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):研磨粒子12-20份，二氧化氯11-16份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，鋅粉1-2份，氧化鉛1-2份，酒石酸1-3份，羥乙基纖維素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯
1-3份，納米硫酸鈣2-8份，分散劑1份。
[0005]本發(fā)明半導(dǎo)體芯片化學(xué)機(jī)械研磨劑具備了較小的介質(zhì)層磨損率和較低的腐蝕度，可以促進(jìn)研磨粒子的穩(wěn)定性，保持極高的鎢去除速率。由于相對(duì)降低了機(jī)械力的作用強(qiáng)度，凹坑、腐蝕和介質(zhì)層的損耗等問(wèn)題也減小了。

【具體實(shí)施方式】
[0006]實(shí)施例1
一種半導(dǎo)體芯片抗氧化研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):研磨粒子12-20份，二氧化氯11-16份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，鋅粉1-2份，氧化鉛1-2份，酒石酸1-3份，羥乙基纖維素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯
1-3份，納米硫酸鈣2-8份，分散劑1份。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體芯片抗氧化研磨劑，其特征在于，包括下列重量份數(shù)的物質(zhì):研磨粒子12-20份，二氧化氯11-16份，鹽酸2-4份，氧化銅1-3份，氧化鋅3-5份，鋅粉1-2份，氧化鉛1-2份，酒石酸1-3份，羥乙基纖維素2-6份，苯甲酸甲酯1-3份，聚乙烯醇5-9份，氯苯1-3份，納米硫酸鈣2 -8份，分散劑1份。
【文檔編號(hào)】C09K3/14GK104046326SQ201410296796
【公開日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月28日
【發(fā)明者】范向奎 申請(qǐng)人:青島寶泰新能源科技有限公司