藍(lán)光偏振薄膜、其制備方法及藍(lán)光背光源和液晶顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種藍(lán)光偏振薄膜、其制備方法及藍(lán)光背光源和液晶顯示裝置。本發(fā)明的藍(lán)光偏振薄膜，為通過(guò)鎂鋁水滑石和三(8-羥基喹啉-5-磺酸)鋁交替沉積形成的多層薄膜。本發(fā)明的藍(lán)光偏振薄膜的熒光光譜的最大發(fā)射值為470-490nm，在藍(lán)光區(qū)內(nèi)，且熒光各向異性值為0.1-0.2，具有偏振特性，可以用于液晶顯示器背光源。
【專利說(shuō)明】藍(lán)光偏振薄膜、其制備方法及藍(lán)光背光源和液晶顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)，尤其涉及一種藍(lán)光偏振薄膜、其制備方法及藍(lán)光 背光源和液晶顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 在有機(jī)電致發(fā)光器件研制過(guò)程中，由于藍(lán)光材料比較稀缺，如何實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)射一 直是一個(gè)核心的問(wèn)題。如果能夠?qū)崿F(xiàn)藍(lán)光發(fā)射，可以進(jìn)一步與綠光和紅光發(fā)射材料構(gòu)成三 基色發(fā)射，從而得到白光發(fā)射。
[0003] 在現(xiàn)有技術(shù)中，為達(dá)到一定的均勻的熒光強(qiáng)度需要將發(fā)光物質(zhì)引入到無(wú)機(jī)基質(zhì)或 聚合物中。采用這種方法，發(fā)光材料的合成難度增加，發(fā)光薄膜的均一性調(diào)控有難度，并且 從成本上說(shuō)達(dá)到相同熒光強(qiáng)度耗費(fèi)的發(fā)光物質(zhì)較多。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是提供一種藍(lán)光偏振薄膜、其制備方法及藍(lán)光背光源。
[0005] 本發(fā)明所提供的藍(lán)光偏振薄膜，其為通過(guò)鎂鋁水滑石和三（8-羥基喹啉-5-磺酸） 鋁交替沉積形成的多層薄膜。
[0006] 其中，所述多層薄膜為4-10層。
[0007] 其中，鎂鋁水滑石層的厚度為10_20nm;三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁層的厚度為 10_20nm。
[0008] 其中，所述熒光光譜的最大發(fā)射值為470_490nm。
[0009] 其中，所述藍(lán)光偏振薄膜為通過(guò)將基底浸入10_20g/L鎂鋁水滑石溶液中 10-15min，取出吹干，然后再浸入3-10g/L三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁溶液中10-15min， 取出吹干，如此完成一個(gè)循環(huán)，重復(fù)上述循環(huán)而獲得的多層薄膜。
[0010] 本發(fā)明所提供的藍(lán)光偏振薄膜的制備方法，包括將基底浸入10-20g/L鎂鋁水滑 石溶液中l(wèi)〇_15min，取出吹干，然后再浸入3-10g/L三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁溶液中 10-15min，取出吹干，如此完成一個(gè)循環(huán)，重復(fù)上述循環(huán)而獲得的多層薄膜。
[0011] 其中，重復(fù)上述循環(huán)2-5次。
[0012] 本發(fā)明所提供的藍(lán)光背光源，其包括上述任一所述的藍(lán)光偏振薄膜。
[0013] 本發(fā)明所提供的液晶顯示裝置，包括上偏振片、彩膜基板、液晶層、陣列基板、下偏 振片和背光源，其中所述背光源為上述藍(lán)光背光源。
[0014] 本發(fā)明的藍(lán)光偏振薄膜的熒光光譜的最大發(fā)射值為470-490nm，在藍(lán)光區(qū)內(nèi)，且熒 光各向異性值為〇. 1-0. 2,具有偏振特性，可以用于液晶顯示器背光源，既有發(fā)光特性又有 偏振特性，改變了傳統(tǒng)液晶顯示器既在靠近背光源側(cè)使用偏振片又需要在背光源中使用發(fā) 光材料的劣勢(shì)。

【具體實(shí)施方式】
[0015] 本發(fā)明的藍(lán)光偏振薄膜為通過(guò)鎂鋁水滑石和三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁交替沉 積形成的多層薄膜。通過(guò)交替沉積方法獲得的薄膜均勻致密并且因?yàn)閱螌幽さ暮穸瓤梢跃?確控制并且重復(fù)沉積的膜的厚度可控，薄膜的發(fā)光強(qiáng)度可以通過(guò)控制沉積的層數(shù)來(lái)精確調(diào) 控。本發(fā)明的交替沉積方法中使用的藍(lán)光材料（由三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁薄膜形成） 濃度較低，另外鎂鋁水滑石起到隔離兩藍(lán)光材料薄膜的作用，避免了藍(lán)光材料的熒光淬滅。 因此多層薄膜的層數(shù)越多，沉積的藍(lán)光材料越多，藍(lán)光強(qiáng)度也會(huì)越高。
[0016] 其中，多層薄膜為4-10層，鎂鋁水滑石層的厚度為10-20nm;三（8-羥基喹 啉-5-磺酸）鋁層的厚度為10_20nm。
[0017] 其中，藍(lán)光偏振薄膜的熒光光譜的最大發(fā)射值為470-490nm，其均在藍(lán)光區(qū)。
[0018] 其中，所述藍(lán)光偏振薄膜為通過(guò)將基底浸入10_20g/L鎂鋁水滑石溶液中 10-15min，取出吹干，然后再浸入3-10g/L三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁溶液中10-15min， 取出吹干，如此完成一個(gè)循環(huán)，重復(fù)上述循環(huán)而獲得的多層薄膜。
[0019] 本發(fā)明的藍(lán)光背光源，其包括上述任一所述的藍(lán)光偏振薄膜。
[0020] 本發(fā)明所提供的液晶顯示裝置，包括上偏振片、彩膜基板、液晶層、陣列基板、下偏 振片和背光源，其中所述背光源為上述藍(lán)光背光源。
[0021] 實(shí)施例1.藍(lán)光偏振薄膜的制備
[0022] 1. 1鎂鋁水滑石的制備
[0023]鎂鋁水滑石，其結(jié)構(gòu)式為Mg2Al (OH) 6N03LDH ([Mg2Al (OH) 6N03].xH20)，按照摩爾比為 2 :1的比例稱取Mg (N03) 2 ? 6H20和A1 (N03) 3 ? 6H20,然后將它們?nèi)芙庠趌OOmL去離子水溶液 中，其中Mg(N03) 2 ? 6H20的濃度控制為0. 02mol/L，轉(zhuǎn)移到三口燒瓶?jī)?nèi)，氮?dú)獗Ｗo(hù)下進(jìn)行攪 拌，用0. 5mol/LNa0H溶液滴定到pH = 8. 0,將混合溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)釜中并于80°C烘箱中反 應(yīng)48h，反應(yīng)后產(chǎn)物離心洗滌干燥即得到目標(biāo)產(chǎn)物Mg2Al (OH) 6N03LDH。
[0024] 1. 2?鎂鋁水滑石溶液的制備
[0025] 取lgMg2Al(OH) 6N03LDH加入到lOOmL甲酰胺中攪拌16h得到LDH的甲酰胺剝層溶 液，該溶液帶正電荷。
[0026] 1. 3三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁的制備
[0027] 稱1.35g 8-羥基喹啉-5-磺酸溶解于150mL水中，轉(zhuǎn)移到三口燒瓶?jī)?nèi)，加入 0. 24gNa0H充分?jǐn)嚢琛Ｈ缓蠹尤?. 27g的氯化鋁，用lmol/L NaOH溶液調(diào)pH = 8. 0,室溫?cái)?拌12h進(jìn)行反應(yīng)。反應(yīng)后的溶液90°C水浴蒸干后，乙醇洗滌得到黃綠色固體，將其溶解在 100mL甲醇中，然后再加入乙醚萃取獲得目標(biāo)產(chǎn)物三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁。
[0028] 表1?三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁元素分析結(jié)果
[0029]

【權(quán)利要求】
1. 一種藍(lán)光偏振薄膜，其為通過(guò)鎂鋁水滑石和三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁交替沉積 形成的多層薄膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)光偏振薄膜，其特征在于，所述多層薄膜為4-10層的多層 薄膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的藍(lán)光偏振薄膜，其特征在于，所述鎂鋁水滑石層的厚度為 10-20nm，所述三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁層的厚度為10-20nm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的藍(lán)光偏振薄膜，其特征在于，所述藍(lán)光偏振薄膜的突光光 譜的最大發(fā)射值為470-490nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的藍(lán)光偏振薄膜，其特征在于，所述藍(lán)光偏振薄膜為通過(guò)將 基底浸入10_20g/L鎂鋁水滑石溶液中10-15min，取出吹干，然后再浸入3-10g/L三（8-羥 基喹啉-5-磺酸）鋁溶液中10-15min，取出吹干，如此完成一個(gè)循環(huán)，重復(fù)上述循環(huán)而獲得 的多層薄膜。
6. -種藍(lán)光偏振薄膜的制備方法，包括將基底浸入10_20g/L鎂鋁水滑石溶液中 10-15min，取出吹干，然后再浸入3-10g/L三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁溶液中10-15min， 取出吹干，如此完成一個(gè)循環(huán)，重復(fù)上述循環(huán)而獲得的多層薄膜。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，重復(fù)上述循環(huán)2-5次。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述鎂鋁水滑石按照如下方法制 備：按照摩爾比為2 :1的比例稱取Mg(N03)2 ? 6H20和A1(N03)3 ? 6H20,然后將它們?nèi)芙庠?100mL去離子水溶液中，其中Mg(N03)2 ? 6H20的濃度控制為0. 12mol/L，轉(zhuǎn)移到三口燒瓶 內(nèi)，氮?dú)獗Ｗo(hù)下進(jìn)行攪拌，用〇. 5mol/LNaOH溶液滴定到pH = 8. 0-10. 5,將混合溶液轉(zhuǎn)移到 反應(yīng)釜中并于80°C -160°C烘箱中反應(yīng)10_48h，反應(yīng)后產(chǎn)物離心洗滌干燥即得到目標(biāo)產(chǎn)物 Mg2Al(0H)6N03LDH。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁按 照如下方法制備： 稱1.35g 8-羥基喹啉-5-磺酸溶解于150mL水中，轉(zhuǎn)移到三口燒瓶?jī)?nèi)，加入 0. 24gNaOH充分?jǐn)嚢?；然后加?. 27g的氯化鋁，用lmol/L NaOH溶液調(diào)pH = 8. 0,室溫?cái)?拌12h進(jìn)行反應(yīng)；反應(yīng)后的溶液90°C水浴蒸干后，乙醇洗滌得到黃綠色固體，將其溶解在 100mL甲醇中，然后再加入乙醚萃取獲得目標(biāo)產(chǎn)物三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述鎂鋁水滑石溶液為鎂鋁水滑石 甲酰胺溶液。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁 溶液為三（8-羥基喹啉-5-磺酸）鋁水溶液。
12. -種藍(lán)光背光源，其包括權(quán)利要求1-5中任一所述的藍(lán)光偏振薄膜。
13. -種液晶顯示裝置，包括上偏振片、彩膜基板、液晶層、陣列基板、下偏振片和背光 源，其特征在于，所述背光源為權(quán)利要求13所述的藍(lán)光背光源。
【文檔編號(hào)】C09K11/06GK104327845SQ201410652610
【公開(kāi)日】2015年2月4日 申請(qǐng)日期:2014年11月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月17日
【發(fā)明者】肖昂 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司