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表面處理熒光體的制造方法、表面處理熒光體、波長轉(zhuǎn)換部件及發(fā)光裝置與流程

文檔序號(hào):12285098閱讀:233來源:國知局
表面處理熒光體的制造方法、表面處理熒光體、波長轉(zhuǎn)換部件及發(fā)光裝置與流程

本發(fā)明涉及用表面處理層被覆堿土類硅酸鹽熒光體的表面而成的表面處理熒光體的制造方法、用該方法得到的表面處理熒光體、以及采用其的波長轉(zhuǎn)換部件及發(fā)光裝置。



背景技術(shù):

例如(Sr,Ba,Ca)2SO4:Eu2+等堿土類硅酸鹽熒光體通過調(diào)節(jié)組成而容易得到各式各樣的發(fā)光波長的光,且發(fā)光效率高,因此作為白色LED用的熒光體而引人注目。

可是,一般堿土類硅酸鹽熒光體的耐濕性差。具體地講,在存在水或空氣中的水分的情況下,堿土類硅酸鹽熒光體的表面因堿土類金屬與水的反應(yīng)而形成氫氧化物。因形成氫氧化物而使堿土類熒光體劣化,導(dǎo)致發(fā)光效率的下降。因此,以往提出了在堿土類硅酸鹽熒光體的表面形成具有耐濕性的表面處理層的技術(shù)。

例如,提出了通過使含有硫酸鹽等水溶性化合物的表面處理水溶液與堿土類硅酸鹽熒光體接觸,在堿土類硅酸鹽熒光體的表面形成表面處理層的制造方法(例如參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1:日本特開2013-40236號(hào)公報(bào)



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的表面處理熒光體的制造方法是用表面處理層被覆含有堿土類金屬的硅酸鹽的堿土類硅酸鹽熒光體的表面而成的表面處理熒光體的制造方法。表面處理熒光體的制造方法具有下述表面處理,在該表面處理中,使堿土類硅酸鹽熒光體與選自硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽及氟化物中的至少1種表面處理物質(zhì),在選自二元醇及三元醇中的至少1種多元醇的共存下接觸,在堿土類硅酸鹽熒光體的表面形成表面處理層。

根據(jù)以上構(gòu)成,能夠制造初期發(fā)光效率高、且長期可靠性高的表面處理熒光體。本發(fā)明的表面處理熒光體以及采用其的波長轉(zhuǎn)換部件及發(fā)光裝置,初期發(fā)光效率高,且長期可靠性高。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體及波長轉(zhuǎn)換部件的示意圖。

圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的立體圖。

圖3A是圖2中的3A-3A線剖視圖。

圖3B是圖2中的3B-3B線剖視圖。

圖4是用于說明圖2所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中的密封件的形成方法的圖示。

具體實(shí)施方式

在說明本發(fā)明的實(shí)施方式之前,對(duì)相關(guān)的表面處理熒光體的制造方法中的問題進(jìn)行說明。

在采用專利文獻(xiàn)1的方法形成表面處理層時(shí),使堿土類硅酸鹽熒光體與表面處理水溶液接觸。因此,在形成表面處理層之前,堿土類硅酸鹽熒光體的表面與水反應(yīng),形成氫氧化物。因此,在根據(jù)專利文獻(xiàn)1的制造方法得到的表面處理熒光體中,初期的發(fā)光效率降低。

此外,在專利文獻(xiàn)1的方法中,即使形成了表面處理層,也在堿土類硅酸鹽熒光體的表面與表面處理層之間殘存有源自表面處理水溶液的水。因此,殘存的水經(jīng)過長時(shí)期而緩慢地使堿土類硅酸鹽熒光體的表面劣化。因此發(fā)光效率緩慢地下降,也就是說,長期可靠性差。

另外,關(guān)于用專利文獻(xiàn)1的方法得到的表面處理熒光體,有殘存的水使表面處理層劣化的顧慮。

以下,對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體的制造方法、用該方法得到的表面處理熒光體、以及采用其的波長轉(zhuǎn)換部件及發(fā)光裝置詳細(xì)地進(jìn)行說明。

[表面處理熒光體的制造方法]

本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體的制造方法是具有由堿土類金屬的硅酸鹽構(gòu)成的堿土類硅酸鹽熒光體和被覆堿土類硅酸鹽熒光體的表面的表面處理層的表面處理熒光體的制造方法。實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體的制造方法具有下述的表面處理工序。

(表面處理工序)

表面處理工序是使堿土類硅酸鹽熒光體與選自硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽及氟化物中的至少1種表面處理物質(zhì)接觸的工序。具體地講,是通過使堿土類硅酸鹽熒光體和表面處理物質(zhì)在選自二元醇及三元醇中的至少1種多元醇的共存下接觸,從而在堿土類硅酸鹽熒光體的表面形成表面處理層的工序。首先,對(duì)本工序中所用的堿土類硅酸鹽熒光體、表面處理物質(zhì)及多元醇進(jìn)行說明。

<堿土類硅酸鹽熒光體>

本實(shí)施方式中所用的堿土類硅酸鹽熒光體含有堿土類金屬的硅酸鹽。堿土類硅酸鹽熒光體包含作為熒光體的母體晶體的堿土類金屬的硅酸鹽和活化劑等除了堿土類金屬的硅酸鹽以外的物質(zhì)。

在堿土類金屬的硅酸鹽中,堿土類金屬例如為選自鍶、鋇及鈣中的至少1種。

在堿土類金屬的硅酸鹽中,具體地講,例如是母體的晶體結(jié)構(gòu)具有與M3SiO5或M2SiO4的晶體結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)的硅酸鹽。這里,M例如為選自Sr、Ba及Ca中的至少1種堿土類金屬。再者,所謂與M3SiO5或M2SiO4的晶體結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu),意味著在用X射線衍射法測(cè)定堿土類金屬的硅酸鹽時(shí),具有與M3SiO5或M2SiO4同樣的X射線衍射圖譜。

作為含在堿土類硅酸鹽熒光體中的活化劑,例如可列舉選自Fe、Mn、Cr、Bi、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Yb中的至少一種元素。

在堿土類硅酸鹽熒光體中,根據(jù)需要,例如也可以含有Zn、Ga、Al、Y、Gd及Tb等金屬元素、F、Cl及Br等鹵元素、硫(S)以及磷(P)。這些元素也可以含有1種或兩種以上。

作為堿土類硅酸鹽熒光體的例子,例如可列舉出具有通式(1)的組成的橙色熒光體、具有通式(2)的組成的橙色熒光體、具有通式(3)的組成的綠色或黃色熒光體、及具有通式(4)的組成的綠色或黃色熒光體等。

(Sr1-xMx)ySiO5:Eu2+ (1)

式(1)中,M為選自Ba及Ca中的至少1種金屬。此外,式(1)中,為0≤x<1.0,2.6≤y≤3.3。

(Sr1-xMx)ySiO5:Eu2+D (2)

式(2)中,M為選自Ba及Ca中的至少1種金屬。D為選自F、Cl及Br中的鹵陰離子。此外,式(2)中,為0≤x<1.0,2.6≤y≤3.3。

(Sr1-xMx)ySiO4:Eu2+ (3)

式(3)中,M為選自Ba及Ca中的至少1種金屬,為0≤x<1.0,1.8≤y≤2.2。

(Sr1-xMx)ySiO4:Eu2+D (4)

式(4)中,M為選自Ba及Ca中的至少1種金屬。D是選自F、Cl及Br中的鹵陰離子。此外,式(4)中,為0≤x<1.0,1.8≤y≤2.2。

堿土類硅酸鹽熒光體的折射率通常為1.8~1.9。

堿土類硅酸鹽熒光體的外觀形狀通常為粒子狀。堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑為1μm以上,優(yōu)選為5μm以上,更優(yōu)選為8μm以上且50μm以下。這里,所謂平均粒徑,意味為中位徑(D50)。平均粒徑可通過激光衍射式粒度分布測(cè)定裝置采用激光衍射·散射法來求出。此外,平均粒徑也可通過SEM等顯微鏡觀察來求出。

在堿土類硅酸鹽熒光體中,如果平均粒徑大,則堿土類硅酸鹽熒光體粒子中的缺陷密度減小,因此發(fā)光時(shí)的能量損失減小,發(fā)光效率提高。此外,如果堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑低于1μm,則亮度容易下降,而且容易凝聚,難以進(jìn)行均勻的被覆處理。因此,如果堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑在上述范圍內(nèi),則發(fā)光時(shí)的能量損失減小,發(fā)光效率提高,容易進(jìn)行均勻的被覆處理。

但是,如果堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑過大,則得到的表面處理熒光體在透光性介質(zhì)中的分散性變差,對(duì)波長轉(zhuǎn)換部件及發(fā)光裝置的特性產(chǎn)生不良影響。因此,在嚴(yán)格要求表面處理熒光體的分散性的情況下,只要按上述那樣將堿土類硅酸鹽熒光體的平均粒徑的實(shí)用上的上限設(shè)定在50μm就可以。

<表面處理物質(zhì)>

本實(shí)施方式中所用的表面處理物質(zhì)是用于形成被覆堿土類硅酸鹽熒光體的表面而成的表面處理層的原料。

本實(shí)施方式中所用的表面處理物質(zhì)為選自硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽及氟化物中的至少1種。

作為硫酸鹽,例如可使用硫酸銨、硫酸氫銨、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸鋰、硫酸鋁、硫酸鈉鋁、硫酸鈉銨。

作為磷酸鹽,例如可使用磷酸一氫銨、磷酸二氫銨、磷酸氫鈉、磷酸氫鉀、磷酸鈉銨、磷酸鉀銨。

作為碳酸鹽,例如可使用碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、碳酸氫鉀。

作為硼酸鹽,例如可使用偏硼酸鈉(NaBO2)。此外,在本實(shí)施方式中,作為表面處理物質(zhì),可與硼酸鹽同樣地使用硼酸。

作為鈦酸鹽,例如可使用烷醇鈦、鈦絡(luò)合物。

作為氟化物,例如可使用氟化銨(NH4F)、二氟化銨(NH4HF2)、氟化鈉(NaF)、氟化鉀(KF)。

這些表面處理物質(zhì)通過在多元醇中溶解而生成陰離子。關(guān)于表面處理物質(zhì)溶解于多元醇中的機(jī)理,推斷是根據(jù)多元醇使表面處理物質(zhì)絡(luò)合的絡(luò)合作用。在表面處理物質(zhì)接觸的堿土類硅酸鹽熒光體的表面,通常因與空氣中的水分等的反應(yīng)而存在鍶、鋇及鈣等的氫氧化物即Sr(OH)2、Ba(OH)2、Ca(OH)2等。因此,如果由表面處理物質(zhì)生成的陰離子與堿土類硅酸鹽熒光體的表面的堿土類金屬氫氧化物接觸并反應(yīng),則在堿土類硅酸鹽熒光體的表面生成由堿土類金屬鹽構(gòu)成的表面處理層。由于該堿土類金屬鹽對(duì)水具有難溶性,因此表面處理層具有耐水性。

以使用硫酸銨作為表面處理物質(zhì)的情況為例,對(duì)表面處理層的生成機(jī)理進(jìn)行說明。硫酸銨如果投入多元醇中,則通過多元醇的絡(luò)合作用等而溶解于多元醇中。因此,在多元醇中生成硫酸根離子。在多元醇中,如果該硫酸根離子與堿土類硅酸鹽熒光體的表面的堿土類金屬氫氧化物即Sr(OH)2、Ba(OH)2、Ca(OH)2等接觸,就發(fā)生下式(5)~(7)的反應(yīng)。其結(jié)果是,在堿土類硅酸鹽熒光體的表面,形成由難溶性的硫酸鹽即SrSO4、BaSO4、CaSO4等構(gòu)成的表面處理層。

Sr(OH)2+SO42-→SrSO4+2OH- (5)

Ba(OH)2+SO42-→BaSO4+2OH- (6)

Ca(OH)2+SO42-→CaSO4+2OH- (7)

再者,從上述的溶解于多元醇中的硫酸鹽生成難溶性的硫酸鹽的機(jī)理,推斷也同樣適合于硫酸鹽以外的表面處理物質(zhì)即磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽及氟化物。

具體地講,磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽及氟化物通過多元醇的絡(luò)合作用等而溶解于多元醇中,分別生成磷酸根離子、碳酸根離子、硼酸根離子、鈦酸根離子及氟化物離子。如果這些磷酸根離子、碳酸根離子、硼酸根離子、鈦酸根離子及氟化物離子分別與堿土類硅酸鹽熒光體的表面的堿土類金屬氫氧化物接觸,則形成由難溶性的鹽構(gòu)成的表面處理層。

舉例對(duì)使用碳酸銨作為表面處理物質(zhì)的情況進(jìn)行說明。如果在多元醇中由碳酸銨生成的碳酸根離子與堿土類硅酸鹽熒光體的表面的堿土類金屬氫氧化物即Sr(OH)2、Ba(OH)2、Ca(OH)2等接觸,則發(fā)生下述式(8)~(10)的反應(yīng)。其結(jié)果是,在堿土類硅酸鹽熒光體的表面,形成由難溶性的碳酸鹽即SrCO3、BaCO3、CaCO3等構(gòu)成的表面處理層。

Sr(OH)2+CO32-→SrCO3+2OH- (8)

Ba(OH)2+CO32-→BaCO3+2OH- (9)

Ca(OH)2+CO32-→CaCO3+2OH- (10)

<多元醇>

本實(shí)施方式中所用的多元醇在使上述堿土類硅酸鹽熒光體與表面處理物質(zhì)接觸時(shí)作為堿土類硅酸鹽熒光體及表面處理物質(zhì)的溶劑或分散介質(zhì)而共存。該多元醇將上述表面處理物質(zhì)溶解。因此,可在不使水與堿土類硅酸鹽熒光體接觸的情況下,在堿土類硅酸鹽熒光體的表面形成表面處理層。

本實(shí)施方式中使用的多元醇為選自二元醇及三元醇中的至少1種。作為二元醇,例如可使用乙二醇及其衍生物。作為三元醇,例如可使用丙三醇及其衍生物。所謂衍生物是指在沒有大幅改變二元醇及三元醇的母體結(jié)構(gòu)及性質(zhì)的情況下導(dǎo)入官能基而得到的物質(zhì)。在乙二醇及其衍生物以及丙三醇及其衍生物中,乙二醇及其衍生物因相對(duì)粘度低、沸點(diǎn)低,而且可通過干燥將其除去,所以是優(yōu)選的。

再者,普通的溶劑即甲醇、乙醇及異丙醇等1元醇難以使本實(shí)施方式中所用的表面處理物質(zhì)溶解。因此,在只由1元醇構(gòu)成的非水溶劑中難以形成表面處理層。與此相對(duì)照,本實(shí)施方式中所用的多元醇可使表面處理物質(zhì)溶解。因此,在多元醇中或包含多元醇的非水溶劑中,能夠在堿土類硅酸鹽熒光體的表面形成表面處理層。

在表面處理工序中,在多元醇的共存下使上述堿土類硅酸鹽熒光體與表面處理物質(zhì)接觸。所謂在多元醇的共存下,意味著在含有多元醇的溶劑中使堿土類硅酸鹽熒光體與表面處理物質(zhì)接觸。此外,所謂含有多元醇的溶劑,是指多元醇或含有多元醇的溶劑。在含有多元醇的溶劑中,作為除了多元醇以外所含的溶劑,可使用水以外的溶劑,例如可使用甲醇、乙醇及異丙醇等1元醇。這些溶劑可使用1種,也可兩種以上組合使用。

再者,含有多元醇的溶劑實(shí)質(zhì)上不含水分。所謂實(shí)質(zhì)上不含水分,是不積極添加水的意思,實(shí)質(zhì)上不含水分的狀態(tài)中包括含有多元醇的溶劑中微量吸收有空氣中的水分的狀態(tài)。如果含有多元醇的溶劑只由多元醇構(gòu)成,則堿土類硅酸鹽熒光體及表面處理物質(zhì)更難與水分接觸,因此是優(yōu)選的。

關(guān)于含有多元醇的溶劑,多元醇的濃度通常為90質(zhì)量%以上,優(yōu)選為95質(zhì)量%以上,更優(yōu)選為98質(zhì)量%以上。如果多元醇的濃度高,則堿土類硅酸鹽熒光體及表面處理層的水分導(dǎo)致的劣化小,因此是優(yōu)選的。

在本工序中,堿土類硅酸鹽熒光體與表面處理物質(zhì)在表面處理物質(zhì)溶解于含有多元醇的溶劑中的狀態(tài)下接觸。作為使表面處理物質(zhì)溶解于含有多元醇的溶劑中的方法,例如可采用在將表面處理物質(zhì)溶解于含有多元醇的溶劑中后,在攪拌中的溶劑中添加堿土類硅酸鹽熒光體的方法。此外,還可采用對(duì)將表面處理物質(zhì)溶解于含有多元醇的溶劑中而成的溶液和將堿土類硅酸鹽熒光體分散在含有多元醇的溶劑中而成的分散液進(jìn)行攪拌并混合的方法。其中,由于后者的方法中均勻地分散在多元醇中的堿土類硅酸鹽熒光體與溶解的表面處理物質(zhì)容易均勻地進(jìn)行反應(yīng),所以是優(yōu)選的。在采用后者的方法時(shí),表面處理工序通常具有多個(gè)小工序。以下,對(duì)這些小工序進(jìn)行說明。優(yōu)選表面處理工序具有分散液調(diào)制工序、溶解液調(diào)制工序和混合工序。

<分散液調(diào)制工序>

在分散液調(diào)制工序中,通過將堿土類硅酸鹽熒光體分散在含有多元醇的溶劑中而得到熒光體分散液(A)。所謂含有多元醇的溶劑,如上述說明。在本工序中,可得到在含有多元醇的溶劑中分散有堿土類硅酸鹽熒光體的熒光體分散液(A)。熒光體分散液(A)例如為5~35℃范圍的常溫。

<溶解液調(diào)制工序>

在溶解液調(diào)制工序中,通過將表面處理物質(zhì)溶解于含有多元醇的溶劑中而得到表面處理物質(zhì)溶解液(B)。所謂含有多元醇的溶劑,如上述說明。在本工序中,可得到在含有多元醇的溶劑中溶解有表面處理物質(zhì)的表面處理物質(zhì)溶解液(B)。表面處理物質(zhì)溶解液(B)例如為5~35℃范圍的常溫。

<混合工序>

在混合工序中,將熒光體分散液(A)和表面處理物質(zhì)溶解液(B)混合。在本工序中,通過混合熒光體分散液(A)和表面處理物質(zhì)溶解液(B),可得到堿土類硅酸鹽熒光體和溶解的表面處理物質(zhì)在含有多元醇的溶劑中共存的料漿(C)。作為混合方法,例如可采用使用電磁攪拌器進(jìn)行攪拌的方法。

在本工序中,通過混合熒光體分散液(A)和表面處理物質(zhì)溶解液(B)而得到的料漿(C)的溫度,例如為5~35℃的范圍的常溫。在該溫度范圍中,堿土類硅酸鹽熒光體與溶解的表面處理物質(zhì)可充分地反應(yīng)。

如果繼續(xù)攪拌料漿(C),則堿土類硅酸鹽熒光體和溶解的表面處理物質(zhì)充分地進(jìn)行反應(yīng)。因此,在含有多元醇的溶劑中,可制作在堿土類硅酸鹽熒光體的表面形成了表面處理層的表面處理熒光體。

在料漿(C)的攪拌中,優(yōu)選將攪拌繼續(xù)到堿土類硅酸鹽熒光體的表面上的表面處理層的厚度通常達(dá)到5nm以上且1000nm以下,優(yōu)選達(dá)到10nm以上且500nm以下,更優(yōu)選達(dá)到20nm以上且500nm以下,進(jìn)一步優(yōu)選達(dá)到40nm以上且200nm以下。

如果表面處理層的厚度為5nm以上,則即使在堿土類硅酸鹽熒光體粒子的表面上存在凹凸,也能通過厚度大致均勻的表面處理層被覆堿土類硅酸鹽熒光體,因此是優(yōu)選的。此外,如果表面處理層的厚度為1000nm以下,則因裂紋難以進(jìn)入表面處理層中而能抑制表面處理層的剝離,因此是優(yōu)選的。

料漿(C)的攪拌時(shí)間沒有特別的限定,例如通常為2分鐘以上且60分鐘以下,優(yōu)選為5分鐘以上且30分鐘以下。

在本工序結(jié)束后,通過吸引過濾等,將形成于含有多元醇的溶劑中的表面處理熒光體從含有多元醇的溶劑中分離及回收。通過使回收的表面處理熒光體適宜地干燥,可得到實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體。

實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體的制造方法是具有含有堿土類金屬的硅酸鹽的堿土類硅酸鹽熒光體和被覆該堿土類硅酸鹽熒光體的表面的表面處理層的表面處理熒光體的制造方法。該制造方法具有表面處理工序。在表面處理工序中,使堿土類硅酸鹽熒光體與選自硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽及氟化物中的至少1種表面處理物質(zhì)接觸。使堿土類硅酸鹽熒光體和表面處理物質(zhì)在選自二元醇及三元醇中的至少1種多元醇的共存下接觸。由此,在表面處理工序中,可在堿土類硅酸鹽熒光體的表面形成表面處理層。

根據(jù)本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體的制造方法,可制造初期的發(fā)光效率高、且長期可靠性高的表面處理熒光體。

具體地講,根據(jù)本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體的制造方法,由于在形成表面處理層時(shí)不使堿土類硅酸鹽熒光體和水接觸,所以可抑制因與水的接觸而產(chǎn)生的堿土類硅酸鹽熒光體的初期劣化。

此外,根據(jù)本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體的制造方法,由于在堿土類硅酸鹽熒光體與表面處理層的界面不易殘存水,所以可長期抑制由水導(dǎo)致的堿土類硅酸鹽熒光體的劣化。

另外,根據(jù)本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體的制造方法,能夠使表面處理層的折射率處于堿土類硅酸鹽熒光體和透光性介質(zhì)的各折射率之間。因此,本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體與沒有形成表面處理層時(shí)相比,可提高光取出效率,得到高的發(fā)光效率。

[表面處理熒光體]

本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體可采用上述的表面處理熒光體的制造方法進(jìn)行制造。本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體具有含有堿土類金屬的硅酸鹽的堿土類硅酸鹽熒光體、和被覆該堿土類硅酸鹽熒光體的表面的表面處理層。

<堿土類硅酸鹽熒光體>

關(guān)于構(gòu)成本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體的堿土類硅酸鹽熒光體,由于與在上述表面處理熒光體的制造方法中說明的相同,因此將說明省略。

<表面處理層>

表面處理層為選自Sr、Ba及Ca中的至少1種堿土類金屬的硫酸鹽、磷酸鹽、碳酸鹽、硼酸鹽、硼酸、鈦酸鹽或氟化物。因這些化合物的耐濕性高而使表面處理熒光體的耐濕性高。

作為堿土類金屬的硫酸鹽,例如可列舉出硫酸鋇(BaSO4,折射率:大約1.64)及硫酸鍶(SrSO4,折射率:大約1.63)。作為堿土類金屬的磷酸鹽,例如可列舉出磷酸鍶(Sr3(PO4)2,折射率:大約1.6)。作為堿土類金屬的碳酸鹽,例如可列舉出碳酸鍶(SrCO3,折射率:大約1.5)、碳酸鋇(BaCO3,折射率:大約1.6)。作為堿土類金屬的硼酸鹽,例如可列舉出偏硼酸鋇(BaB2O4,折射率:大約1.6)。

由于作為表面處理層的成分的上述物質(zhì)具有耐水性,所以堿土類硅酸鹽熒光體的耐水性提高。此外,含有上述物質(zhì)的表面處理層的折射率大于后述的透光性介質(zhì)的折射率,處于熒光體和透光性介質(zhì)的各折射率的中間。如此,如果表面處理層的折射率處于熒光體和透光性介質(zhì)的各折射率的中間,則在從LED芯片等激發(fā)源放射的激發(fā)光(1次光)從透光性介質(zhì)入射到表面處理熒光體的表面處理層中時(shí),能夠抑制反射,因此是優(yōu)選的。此外,如果表面處理層的折射率處于熒光體和透光性介質(zhì)的各折射率的中間,則在發(fā)光的光從熒光體向透光性介質(zhì)射出時(shí)能夠抑制反射,因此是優(yōu)選的。

此外,構(gòu)成表面處理熒光體的表面處理層的厚度通常為5nm以上且1000nm以下,優(yōu)選為10nm以上且500nm以下,更優(yōu)選為20nm以上且500nm以下,進(jìn)一步優(yōu)選為40nm以上且200nm以下。其理由在上述的表面處理熒光體的制造方法中已說明,因此將說明省略。

在本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體中,能夠得到高的初期發(fā)光效率和高的長期可靠性。

具體地講,在本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體中,在形成表面處理層時(shí),堿土類硅酸鹽熒光體與水不接觸。因此,能夠抑制因與水接觸而導(dǎo)致的堿土類硅酸鹽熒光體的初期劣化。

此外,在本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體中,由于不易在堿土類硅酸鹽熒光體和表面處理層的界面處殘存水,所以能夠長期抑制由水導(dǎo)致的堿土類硅酸鹽熒光體的劣化。

另外,在實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體中,表面處理層的折射率處于堿土類硅酸鹽熒光體和透光性介質(zhì)的各折射率之間。因此,與不具有表面處理層的熒光體相比,可得到高的光取出效率、高的發(fā)光效率。

如果從LED芯片等激發(fā)源對(duì)本實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體照射激發(fā)光(1次光),則構(gòu)成表面處理熒光體的核的堿土類硅酸鹽熒光體將激發(fā)光的一部分轉(zhuǎn)換成更長波長的光(2次光)。該2次光透過表面處理層,向表面處理熒光體的外部放射。

以下,以下面所示的熒光體試樣為例對(duì)本發(fā)明的表面處理熒光體的具體的制造方法及特性進(jìn)行說明。再者,本發(fā)明并不限定于這些試樣例子。

[試樣#1]

首先,調(diào)制熒光體分散液(分散液調(diào)制工序),該熒光體分散液由分散有銪活化鋇·鍶·原硅酸鹽熒光體((Ba,Sr)2SiO4:Eu2+,λp=528nm)的粉末5g的乙二醇200ml構(gòu)成。此外,調(diào)制由溶解有硫酸銨0.05g的乙二醇100ml構(gòu)成的表面處理物質(zhì)溶解液(溶解液調(diào)制工序)。

接著,在熒光體分散液200ml中添加表面處理物質(zhì)溶解液100ml,采用電磁攪拌器在25℃下攪拌混合10分鐘(混合工序)。

采用濾紙對(duì)攪拌混合后得到的料漿進(jìn)行吸引過濾,回收殘?jiān)?。將該殘?jiān)?50℃下干燥1小時(shí)。干燥處理后,得到在熒光體的表面具有由硫酸鋇及硫酸鍶構(gòu)成的表面處理層的表面處理熒光體(試樣#1)。表面處理熒光體的表面處理層的厚度為50nm。

[試樣#2]

在試樣#2的工序中,將試樣#1的工序中的硫酸銨的配合量置換為0.2g。其以外的工序與試樣#1的工序相同。表面處理熒光體(試樣#2)的表面處理層的厚度為120nm。

[試樣#3]

在試樣#3的工序中,將試樣#1的工序中的硫酸銨的配合量置換為0.8g。其以外的工序與試樣#1的工序相同。表面處理熒光體(試樣#3)的表面處理層的厚度為300nm。

作為比較用的試樣,試制以下的表面處理熒光體(試樣#4~#9)。

[試樣#4]

試樣#4與試樣#1的工序中所用的(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+熒光體相同。也就是說,試樣#4未實(shí)施本實(shí)施方式中的表面處理。

[試樣#5]

在試樣#5的工序中,將試樣#1的工序中的調(diào)制熒光體分散液時(shí)所用的乙二醇200ml置換為乙醇200ml,且將調(diào)制表面處理物質(zhì)溶解液時(shí)所用的乙二醇100ml置換為乙醇100ml。

其以外的工序與試樣#1的工序相同。

在試樣#5的工序中,表面處理物質(zhì)沒有溶解于作為溶劑的乙醇中。因此,在銪活化鋇·鍶·原硅酸鹽熒光體的表面沒有形成表面處理層。

[試樣#6]

在試樣#6的工序中,將試樣#1的工序中的調(diào)制熒光體分散液時(shí)所用的乙二醇200ml置換為甲醇200ml,且將調(diào)制表面處理物質(zhì)溶解液時(shí)所用的乙二醇100ml置換為甲醇100ml。

在試樣#6的工序中,表面處理物質(zhì)沒有溶解于作為溶劑的甲醇中。因此,在銪活化鋇·鍶·原硅酸鹽熒光體的表面沒有形成表面處理層。

[試樣#7]

在試樣#7的工序中,將試樣#1的工序中的調(diào)制熒光體分散液時(shí)所用的乙二醇200ml置換為IPA(異丙醇)200ml,且將調(diào)制表面處理物質(zhì)溶解液時(shí)所用的乙二醇100ml置換為IPA 100ml。

在試樣#7的工序中,表面處理物質(zhì)沒有溶解于作為溶劑的IPA中。因此,銪活化鋇·鍶·原硅酸鹽熒光體的表面沒有形成表面處理層。

[試樣#8]

在試樣#8的工序中,將試樣#1的工序中的調(diào)制熒光體分散液時(shí)所用的乙二醇200ml置換為水200ml,且將調(diào)制表面處理物質(zhì)溶解液時(shí)所用的乙二醇100ml置換為水100ml。在得到的表面處理熒光體(試樣#8)中,(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+熒光體的表面的一部分具有未被覆表面處理層的部分,表面處理層的厚度在零~5nm的范圍內(nèi)存在偏差。

[試樣#9]

首先,將硫酸銨0.05g溶解于水200ml中,調(diào)制硫酸銨水溶液。接著,向該硫酸銨水溶液200ml中投入(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+熒光體的粉末5g。此時(shí),熒光體產(chǎn)生凝聚。在凝聚的狀態(tài)下,在采用電磁攪拌器在25℃下攪拌混合10分鐘后,雖然凝聚減少,但依然可目視看見凝聚。

采用濾紙對(duì)攪拌混合后得到的料漿進(jìn)行吸引過濾,回收殘?jiān)?。將該殘?jiān)?50℃下干燥1小時(shí)。干燥處理后,可得到在熒光體的表面形成有由硫酸鋇及硫酸鍶構(gòu)成的表面處理層的表面處理熒光體。關(guān)于得到的表面處理熒光體(試樣#9),(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+熒光體的(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+熒光體的表面的一部分具有未被覆表面處理層的部分,表面處理層的厚度在零~60nm的范圍內(nèi)存在偏差。

表1中示出以上的試樣#1~試樣#9中的試制條件、表面處理層的厚度、初期發(fā)光效率及耐濕性。

表1

*1:異丙醇

(初期發(fā)光效率)

一般來講,熒光體的發(fā)光效率(lm/W)可采用熒光分光光度計(jì)(例如,制品名QE-1100,半月形積分球,大冢電子株式會(huì)社制造)進(jìn)行測(cè)定。測(cè)定條件是,將激發(fā)波長規(guī)定為450nm,測(cè)定波長范圍規(guī)定為460以上且800nm以下,將累積次數(shù)規(guī)定為30次。試樣#1~5及#7的初期發(fā)光效率的相對(duì)值為將試樣#6的發(fā)光效率(lm/W)規(guī)定為100時(shí)的相對(duì)值。

由表1得知,具有表面處理層的試樣#1~#3的初期發(fā)光效率與未實(shí)施表面處理的試樣#4的相比,高3~4%。

(耐濕性)

關(guān)于耐濕性的評(píng)價(jià),在對(duì)試樣#1~試樣#4及試樣#8、#9進(jìn)行了以下的吸濕處理后,測(cè)定發(fā)光效率。在吸濕處理中,首先,將分別分散有各試樣的各粉末1g的水1L攪拌20分鐘。接著,將分散液過濾,將殘?jiān)?50℃下干燥1小時(shí)間,得到耐濕試驗(yàn)用的試樣。

耐濕試驗(yàn)用的各試樣的發(fā)光效率的相對(duì)值為將試樣#4(未進(jìn)行吸濕處理)的發(fā)光效率(lm/W)規(guī)定為100時(shí)的相對(duì)值。

由表1得知,具有表面處理層的試樣#1~#3及只局部形成了表面處理層的試樣#8、#9的相對(duì)發(fā)光效率與未實(shí)施表面處理的試樣#4的發(fā)光效率相比,高29%~31%。

以上結(jié)果表明,具有表面處理層的試樣#1~#3的初期發(fā)光效率及耐濕性優(yōu)于未實(shí)施表面處理的試樣#4。

以上,根據(jù)試制的試樣說明了本發(fā)明的內(nèi)容,但本發(fā)明并不限定于這些記載,對(duì)于該行業(yè)的技術(shù)人員而言,當(dāng)然可進(jìn)行種種變形及改進(jìn)。

在表面處理熒光體的發(fā)光中,LED芯片等激發(fā)源是必要的。對(duì)包含表面處理熒光體的波長轉(zhuǎn)換部件、及將該波長轉(zhuǎn)換部件和激發(fā)源組合而成的發(fā)光裝置進(jìn)行說明。

[波長轉(zhuǎn)換部件]

本實(shí)施方式涉及的波長轉(zhuǎn)換部件包含透光性介質(zhì)和分散在該透光性介質(zhì)內(nèi)的表面處理熒光體。在波長轉(zhuǎn)換部件中,表面處理熒光體為上述的實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體。透光性介質(zhì)的向性率小于表面處理熒光體的表面處理層的向性率。

以下,參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的波長轉(zhuǎn)換部件的具體的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體11及波長轉(zhuǎn)換部件15的示意圖。

在波長轉(zhuǎn)換部件15中,在透光性介質(zhì)14內(nèi)分散有表面處理熒光體11。表面處理熒光體11具有堿土類硅酸鹽熒光體12和被覆堿土類硅酸鹽熒光體12表面的表面處理層13。圖1中,符號(hào)t表示表面處理層13的厚度。

(表面處理熒光體)

表面處理熒光體11因與上述實(shí)施方式涉及的表面處理熒光體相同,將說明省略。

(透光性介質(zhì))

透光性介質(zhì)14具有透光性。可將表面處理熒光體11分散在透光性介質(zhì)14內(nèi)。通常采用具有比表面處理熒光體11的表面處理層13的向性率小的折射率的透光性介質(zhì)。如果透光性介質(zhì)的向性率小于表面處理熒光體11的表面處理層13的向性率,則從LED芯片等激發(fā)源放射的激發(fā)光(1次光)在入射到表面處理熒光體11的表面處理層13中時(shí)可抑制反射,因此是優(yōu)選的。此外,由于在發(fā)射光從表面處理熒光體11向透光性介質(zhì)14射出時(shí)可抑制反射,因此是優(yōu)選的。

作為這樣的透光性介質(zhì)14,例如,可使用通過將具有硅氧烷鍵的硅化合物、玻璃、丙烯酸樹脂、有機(jī)成分和無機(jī)成分以納米級(jí)或分子級(jí)混合及鍵合而形成的有機(jī)·無機(jī)混合材料等。在這些透光性介質(zhì)中,具有硅氧烷鍵的硅化合物及玻璃的耐熱性及耐光性優(yōu)異,特別是對(duì)藍(lán)色~紫外線等短波長的光的耐久性優(yōu)異。在這些材料中,即使是從LED芯片等激發(fā)源放射的激發(fā)光(1次光)的波長區(qū)域?yàn)閺乃{(lán)色光到紫外光的光,也難劣化。

作為硅化合物,例如可使用有機(jī)硅樹脂、有機(jī)硅氧烷的水解縮聚物、有機(jī)硅氧烷的縮聚物、用公知的聚合方法交聯(lián)而成的復(fù)合樹脂。所謂公知的聚合方法,為氫硅化等加成聚合及自由基聚合等。

作為將表面處理熒光體11分散在透光性介質(zhì)14中的方法,例如可采用在將表面處理熒光體11均勻地分散在流動(dòng)狀態(tài)的透光性介質(zhì)14中后、使流動(dòng)狀態(tài)的透光性介質(zhì)固化的方法。

波長轉(zhuǎn)換部件15具有將表面處理熒光體11分散在透光性介質(zhì)14內(nèi)而成的結(jié)構(gòu)。因此,如果從激發(fā)源向波長轉(zhuǎn)換部件15入射激發(fā)光(1次光),則激發(fā)光的一部分轉(zhuǎn)換成更長波長的光(2次光),2次光通過透光性介質(zhì)14向波長轉(zhuǎn)換部件15之外放射。

實(shí)施方式涉及的波長轉(zhuǎn)換部件15的初期的發(fā)光效率高,且長期可靠性高。

[發(fā)光裝置]

作為本實(shí)施方式的發(fā)光裝置的一個(gè)例子,參照?qǐng)D2~圖4對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光裝置100進(jìn)行說明。圖2是半導(dǎo)體發(fā)光裝置100的立體圖。圖3A是圖2中的3A-3A線剖視圖,圖3B是圖4中的3B-3B線剖視圖。圖4是用于說明半導(dǎo)體發(fā)光裝置100中的密封件的形成方法的圖示。

如圖2所示的那樣,半導(dǎo)體發(fā)光裝置100是具有激發(fā)源即多個(gè)LED120、將從該激發(fā)源放射的光的一部分轉(zhuǎn)換成更長波長的光并放射的表面處理熒光體的發(fā)光裝置。半導(dǎo)體發(fā)光裝置100進(jìn)而具有基板110、含有表面處理熒光體的多個(gè)密封件130。基板110例如具有由陶瓷或?qū)嵝詷渲葮?gòu)成的絕緣層和由鋁板等構(gòu)成的金屬層的雙層結(jié)構(gòu)?;?10整體為方形的板狀,基板110的橫向方向(X軸方向)的寬度W1為12~30mm,縱向方向(Y軸方向)的寬度W2為12~30mm。

如圖3A及圖3B所示的那樣,LED120的俯視形狀整體為長方形。作為LED120,可采用例如將峰值波長設(shè)定為440nm~500nm的GaN系的LED。在LED120中,例如,橫向方向(X軸方向)的寬度W3為0.3~1.0mm,縱向方向(Y軸方向)的寬度W4為0.3~1.0mm,厚度(Z軸方向的寬度)為0.08~0.30mm。

在多個(gè)LED120的配置中,基板110的縱向方向(Y軸方向)和LED120的元件列的排列方向一致。在基板110的縱向方向上直線狀排列的多個(gè)LED120構(gòu)成元件列,另外,在基板110的橫向方向(X軸方向)排列地配置多個(gè)元件列。具體地講,例如在25個(gè)LED120中,將分別由5個(gè)LED構(gòu)成的元件列排列配置成5行。通過直線狀地排列LED120,還能直線狀地形成用于密封LED120的密封件130。

如圖3B所示的那樣,各元件列分別由長尺寸狀的密封件130個(gè)別地進(jìn)行密封。由1個(gè)元件列和密封該元件列的1個(gè)密封件130構(gòu)成1個(gè)發(fā)光部101。半導(dǎo)體發(fā)光裝置100具有5個(gè)發(fā)光部101。

密封件130可由含有熒光體的透光性的樹脂材料形成。作為樹脂材料,例如可使用有機(jī)硅樹脂、氟樹脂、有機(jī)硅及環(huán)氧的混合樹脂、脲醛樹脂等。熒光體能夠?qū)腖ED120放射的光的一部分轉(zhuǎn)換成更長波長的光并放射。含有熒光體的密封件130為波長轉(zhuǎn)換部件。這里,作為熒光體,可使用本實(shí)施方式的表面處理熒光體。再者,作為熒光體,除了本實(shí)施方式的表面處理熒光體以外,例如還可使用用Eu2+、Ce3+、Tb3+、Mn2+中的至少任一種活化了的氧化物或酰鹵化物等氧化物系熒光體。此外,作為熒光體,除了本實(shí)施方式的表面處理熒光體以外,還可使用用Eu2+、Ce3+、Tb3+、Mn2+中的至少任一種活化了的氮化物或氧氮化物等氮化物系熒光體、或硫化物及氧硫化物等硫化物系熒光體。

以下示出除了本實(shí)施方式的表面處理熒光體以外還可使用的熒光體的具體例子。作為藍(lán)色熒光體,可列舉出BaMgAl10O17:Eu2+、CaMgSi2O6:Eu2+、Ba3MgSi2O8:Eu2+、Sr10(PO4)6Cl2:Eu2+等。作為綠藍(lán)或藍(lán)綠色熒光體,可列舉出Sr4Si3O8Cl4:Eu2+、Sr4Al14O24:Eu2+、BaAl8O13:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+。此外作為綠藍(lán)或藍(lán)綠色熒光體,還可列舉出BaZrSi3O9:Eu2+、Ca2YZr2(AlO4)3:Ce3+、Ca2YHf2(AlO4)3:Ce3+、Ca2YZr2(AlO4)3:Ce3+,Tb3+。作為綠色熒光體,可列舉出(Ba,Sr)2SiO4:Eu2+、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+、Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu2+,Mn2+。此外作為綠色熒光體,還可列舉出BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+、CeMgAl11O19:Mn2+、Y3Al2(AlO4)3:Ce3+、Lu3Al2(AlO4)3:Ce3+。另外,作為綠色熒光體,還可列舉出Y3Ga2(AlO4)3:Ce3+、Ca3Sc2Si3O12:Ce3+、CaSc2O4:Ce3+、β-Si3N4:Eu2+、SrSi2O2N2:Eu2+。作為綠色熒光體,可列舉出Ba3Si6O12N2:Eu2+、Sr3Si13Al3O2N21:Eu2+、YTbSi4N6C:Ce3+、SrGa2S4:Eu2+。作為綠色熒光體,可列舉出Ca2LaZr2(AlO4)3:Ce3+、Ca2TbZr2(AlO4)3:Ce3+、Ca2TbZr2(AlO4)3:Ce3+,Pr3+。作為綠色熒光體,可列舉出Zn2SiO4:Mn2+、MgGa2O4:Mn2+。作為綠色熒光體,可列舉出LaPO4:Ce3+,Tb3+、Y2SiO4:Ce3+,CeMgAl11O19:Tb3+、GdMgB5O10:Ce3+,Tb3+。作為黃色或橙色熒光體,可列舉出(Sr,Ba)2SiO4:Eu2+、(Y,Gd)3Al5O12:Ce3+、α-Ca-SiAlON:Eu2+。作為黃色或橙色熒光體,可列舉出Y2Si4N6C:Ce3+、La3Si6N11:Ce3+、Y3MgAl(AlO4)2(SiO4):Ce3+。作為紅色熒光體,可列舉出Sr2Si5N8:Eu2+、CaAlSiN3:Eu2+、SrAlSi4N7:Eu2+、CaS:Eu2+、La2O2S:Eu3+、Y3Mg2(AlO4)(SiO4)2:Ce3+。此外,作為紅色熒光體,還可列舉出Y2O3:Eu3+、Y2O2S:Eu3+、Y(P,V)O4:Eu3+、YVO4:Eu3+。作為紅色熒光體,可列舉出3.5MgO·0.5MgF2·GeO2:Mn4+、K2SiF6:Mn4+、GdMgB5O10:Ce3+,Mn2+。

如圖4所示的那樣,密封件130優(yōu)選為細(xì)長的形狀。具體地講,密封件130優(yōu)選橫向方向(X軸方向)的寬度W5為0.8~3.0mm,縱向方向(Y軸方向)的寬度W6為3.0~40.0mm。此外,優(yōu)選包含LED120的最大厚度(Z軸方向的寬度)T1為0.4~1.5mm,不含LED120的最大厚度T2為0.2~1.3mm。為了確保密封可靠性,優(yōu)選密封件130的寬度W5為LED120的寬度W3的2~7倍。

密封件130的沿著橫向方向的截面的形狀如圖3A所示的那樣,為半橢圓形。此外,密封件130的縱向方向的兩端部131、132形成R形狀。具體地講,兩端部131、132的形狀如圖2所示的那樣,俯視的形狀為半圓形,如圖3B所示的那樣,沿著縱向方向的截面的形狀為具有大約90°的中心角的扇形。如果密封件130的兩端部131、132如此形成R形狀,則在這些兩端部131、132中難以產(chǎn)生應(yīng)力集中,而且容易向密封件130的外部取出LED120的射出光。

各LED120以面朝上(face-up)的方式安裝在基板110上。在LED120上,經(jīng)由形成于基板110上的布線圖案140電連接有點(diǎn)亮電路(未圖示)。布線圖案140具有一對(duì)供電用的接合區(qū)141、142和配置在與各LED120對(duì)應(yīng)的位置上的多個(gè)焊接用的接合區(qū)143。

如圖4所示的那樣,LED120例如經(jīng)由金屬絲(例如金絲)150與接合區(qū)143電連接。金屬絲150的一方的端部151與LED120接合,另一方的端部152與接合區(qū)143接合。各金屬絲150沿著元件列的方向配置。各金屬絲150與LED120或接合區(qū)143一同被密封件130密封,因此難以劣化。此外,通過密封件130進(jìn)行絕緣。再者,LED120在基板110上的安裝方法并不限定于上述那樣的面朝上安裝,也可以是倒裝片安裝。

在LED120中,如圖2所示的那樣,將屬于同一元件列的5個(gè)LED120串聯(lián)連接,并列連接5個(gè)元件列。再者,LED120的連接形態(tài)并不局限于此,也可以與元件列無關(guān)系地任意連接。在接合區(qū)141、142上連接一對(duì)引線(未圖示),經(jīng)由引線從點(diǎn)亮電路單元向各LED120供電。

密封件130可按以下順序形成。在直線狀地安裝了LED120的基板110上,例如采用分配器160,沿著元件列而線狀涂布樹脂漿料135。然后,使涂布后的樹脂漿料135固化,相對(duì)于每個(gè)元件列而個(gè)別地形成密封件130。

本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置可廣泛地用作照明光源及液晶顯示器的背光用途、顯示裝置的光源等。

照明光源具備本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置、用于向半導(dǎo)體發(fā)光裝置供電的點(diǎn)亮電路、與照明器具的連接部件即燈頭。此外,通過適宜組合照明器具,還能構(gòu)成照明裝置或照明系統(tǒng)。使用了本實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的光源,其初期的發(fā)光效率高,且長期可靠性高。

在半導(dǎo)體發(fā)光裝置100中,使用LED作為激發(fā)源,但并不局限于此,在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中,作為激發(fā)源,可從放電裝置、電子槍、固體發(fā)光元件等中適宜選擇。

在半導(dǎo)體發(fā)光裝置100中,示出了將激發(fā)源埋設(shè)在含有表面處理熒光體的波長轉(zhuǎn)換部件(密封件130)中的例子。在本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置中,也可以分離地配置激發(fā)源和波長轉(zhuǎn)換部件。

符號(hào)說明

11-表面處理熒光體

12-堿土類硅酸鹽熒光體粒子(銪活化鋇·鍶·原硅酸鹽熒光體粒子)

13-表面處理層

14-透光性介質(zhì)

15-波長轉(zhuǎn)換部件

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