本發(fā)明涉及一種在電子部件的制造工序中使用的粘合片，以及使用該粘合片的電子部件的制造方法。
背景技術：
半導體晶圓或基板，在貼合于粘合片后，被分配到切割成元件小片(切割)、延伸粘合片(延展)、從粘合片上剝離元件小片(拾取)等各個工序中。理想的是在這些工序中所使用的粘合片(切割膠帶)既具有在切割工序中對被切斷的元件小片(芯片)具有足夠的粘合力，同時又可以在拾取工序中粘合力減少至粘合劑不會殘留的程度。
作為粘合片，在對紫外線和/或電子束等活性光線具有透光性的基材膜上涂布通過紫外線等進行聚合固化反應的粘合劑層。該粘合片可用于在切割工序后對其粘合劑層照射紫外線等，使粘合劑層聚合固化降低粘合力后，從而拾取被切斷芯片的方法中。
作為這種粘合片，在專利文獻1和2中已經(jīng)公開了：在基材膜面涂布含有例如可以通過活性光線三維網(wǎng)狀化的，在分子內具有光聚合性不飽和雙鍵的化合物(多官能性低聚物)而成的粘合劑的粘合片。
現(xiàn)有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2006-049509號公報
專利文獻2：日本特開2007-246633號公報
技術實現(xiàn)要素：
發(fā)明要解決的問題
在半導體晶圓或基板的切割工序中，有時候被稱為高速旋轉刀片的薄型砂輪刮起粘合片的粘合劑，使粘合劑粘附在已單片化的芯片的側面上，從而成為成品率下降的主要原因。
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種可以在切割工序中抑制粘合劑的刮起，在切割加工中芯片不飛散，容易拾取，從而不易產(chǎn)生殘膠的粘合片。
用于解決問題的方案
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種通過在基材膜上層疊粘合劑層而成的粘合片，其特征在于，所述粘合劑層含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份、光聚合性化合物5～250質量份、柔性賦予劑20～160質量份、固化劑0.1～30質量份和光聚合引發(fā)劑0.1～20質量份，所述光聚合性化合物的重均分子量為40000～220000。
優(yōu)選粘合片的特征在于，所述光聚合性化合物是聚氨酯丙烯酸酯低聚物。
優(yōu)選粘合片的特征在于，所述光聚合性化合物的不飽和雙鍵官能團數(shù)為10以上。
優(yōu)選所述柔性賦予劑為聚酯丙烯酸酯。
優(yōu)選提供一種電子部件的制造方法，其包含以下工序：
(a)將上述粘合片粘貼在半導體晶圓或基板和環(huán)狀框上的貼附工序，
(b)將所述半導體晶圓或基板切割成半導體芯片或半導體部件的切割工序，
(c)向所述粘合片照射活性光線的光照射工序，
(d)為擴展所述半導體芯片或半導體部件相互之間的間隔而拉伸所述粘合片的延展工序，
(e)從所述粘合片上摘取半導體芯片或半導體部件的拾取工序。
優(yōu)選所述電子部件是以樹脂、陶瓷或金屬為材料的封裝體。
發(fā)明的效果
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種在切割工序中可以抑制粘合劑的刮起，在切割加工中芯片不飛散，能夠容易拾取，不易產(chǎn)生殘膠的粘合片。
具體實施方式
以下說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。應予說明，以下說明的實施方式為本發(fā)明具有代表性的實施方式的一個例子，本發(fā)明的范圍不會因此而被過窄地解釋。
本發(fā)明的粘合片是一種在基材膜上層疊粘合劑層而成的粘合片，其特征在于，
所述粘合劑層含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份、光聚合性化合物5～250質量份、柔性賦予劑20～160質量份、固化劑0.1～30質量份以及光聚合引發(fā)劑0.1～20質量份，所述光聚合性化合物的重均分子量為40000～220000。
<粘合劑層>
構成粘合劑層的光固化型粘合劑含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份、光聚合性化合物5～250質量份、柔性賦予劑20～160質量份、固化劑0.1～30質量份以及光聚合引發(fā)劑0.1～20質量份，光聚合性化合物的重均分子量為40000～220000。
((甲基)丙烯酸酯共聚物)
作為(甲基)丙烯酸酯共聚物，有丙烯酸、異丁烯酸以及使這些酯單體聚合而得的聚合物，使這些單體與可發(fā)生共聚的不飽和單體(例如醋酸乙烯酯，苯乙烯，丙烯腈)發(fā)生共聚而得的共聚物。本實施方式的粘合片，構成粘合劑層的粘合劑為容易設計其粘合力的丙烯酸共聚物較好，通過含有固化劑，可以更精確地調整粘合力。并且，優(yōu)選構成丙烯酸共聚物的丙烯酸單體的至少一個包括含官能團單體。優(yōu)選此含官能團單體在丙烯酸共聚物中混合0.01質量％以上10質量％以下而聚合。當此含官能團單體的混合比在0.01質量％以上時，對被粘合體的粘合力足夠強，有抑制滲水的發(fā)生的趨勢，當此含官能團單體的混合比為10質量％以下時，由于對被粘合體的粘合力不會變得過高，有可以抑制殘膠的發(fā)生的傾向。
作為丙烯酸聚合體主要的單體，可以列舉如(甲基)丙烯酸丁酯、2-(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十八酰酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸芐酯等。
作為這種丙烯酸單體，特別優(yōu)選在至少一部分具有含有官能團的單體。作為這種含有官能團的單體，優(yōu)選具有羥基、羧基、環(huán)氧基、酰胺基、氨基、羥甲基、磺酸基、氨基磺酸基、(亞)磷酸酯基的單體。并且，其中特別是具有這些官能團的乙烯基化合物較好，優(yōu)選具有羥基的乙烯基化合物。應予說明，在這里所述的乙烯基化合物包括后面敘述的丙烯酸。
作為具有羥基的含官能團單體，有例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、以及(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯。
作為具有羧基的單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、富馬酸、丙烯酰胺N-乙醇酸、以及桂皮酸等。
作為具有環(huán)氧基的單體，可以列舉例如烯丙基縮水甘油醚、以及(甲基)丙烯酸縮水甘油醚等。
作為具有酰胺基的單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酰胺等。
作為具有氨基的單體，可以列舉例如N，N-二甲氨基乙基(甲基)丙烯酸等。
作為具有羥甲基的單體，可以列舉例如N-(羥甲基)丙烯酰胺等。
應予說明，本實施方式的粘合劑層在使上述丙烯酸共聚物和固化劑反應而固化粘合劑層后，構成這種丙烯酸共聚物的包含羧基單體優(yōu)選在丙烯酸共聚物中的含量為0.1～10質量％以下。即，使粘合劑以固化劑進行反應的含官能團單體中，優(yōu)選含羧基含官能團單體為10質量％以下。通過使用具有羧基的含官能團單體，由于增加對金屬的粘合力，與固化劑反應后的具有羧基的含官能團單體如果超過10質量％，則有對金屬的粘合力高而產(chǎn)生殘膠的傾向，因此優(yōu)選10質量％以下。從而，作為具有羧基的單體，優(yōu)選通過與固化劑反應而容易減少的，例如優(yōu)選使用(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、富馬酸、丙烯酰胺N-乙醇酸、以及桂皮酸。
(固化劑)
在本實施方式的粘合片中，用于粘合劑層的粘合劑優(yōu)選混合固化劑。在混合固化劑時，相對于丙烯酸共聚物100質量份，固化劑的混合比為0.1質量份以上30質量份以下，優(yōu)選為1質量份以上20質量份以下。這是由于當固化劑的混合比在0.1質量份以上30質量份以下時，可以抑制殘膠的發(fā)生。
作為混合在光固化型粘合劑中的固化劑，有多官能異氰酸固化劑、多官能環(huán)氧固化劑、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等，其中優(yōu)選多官能異氰酸固化劑、多官能環(huán)氧固化劑。作為上述固化劑中的至少一部分，通過使用多官能環(huán)氧固化劑或多官能異氰酸固化劑，可以選擇性地使具有羧基的含官能團單體產(chǎn)生反應并消除，從而能夠調節(jié)固化后的具有羧基的含官能團單體量。
作為多官能異氰酸固化劑，有例如芳香族聚異氰酸固化劑、脂肪族聚異氰酸固化劑、脂環(huán)族聚異氰酸固化劑。
對芳香族聚異氰酸酯不做特別限定，可以列舉如1，3-苯二異氰酸酯、4，4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、1，4-苯二基二異氰酸酯、4，4'-二苯基甲烷基二異氰酸酯、2，4-甲苯基二異氰酸酯、2，6-甲苯基二異氰酸酯、4，4'-甲苯胺二異氰酸酯、2，4，6-異氰酸酯甲苯、1，3，5-三異氰酸酯苯、聯(lián)茴香胺異氰酸酯、4，4'-二苯基醚二異氰酸酯、4，4'，4”-三苯基甲烷三異氰酸酯、ω，ω'-二異氰酸酯1，3-二甲基苯、ω，ω'-二異氰酸酯1，4-二甲基苯、ω，ω'-二異氰酸酯1，4-二乙基苯、1，4-四甲基亞二甲苯基二異氰酸酯以及1，3-四甲基亞二甲苯基二異氰酸酯等。
對脂肪族聚異氰酸酯不做特別限定，可以列舉如三亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、五亞甲基二異氰酸酯、1，2-亞丙基二異氰酸酯、2，3-亞丁基二異氰酸酯、1，3-亞丁基二異氰酸酯、十二亞甲基二異氰酸酯以及2，4，4-三甲基六亞甲基二異氰酸酯等。
對脂環(huán)族聚異氰酸酯不做特別限定，例如有3-異氰酸酯甲基-3，5，5-三甲基環(huán)己基異氰酸酯、1，3-環(huán)戊烷二異氰酸酯、1，3-環(huán)己烷二異氰酸酯、1，4-環(huán)己烷二異氰酸酯、甲基-2，4-環(huán)己烷二異氰酸酯、甲基-2，6-環(huán)己烷二異氰酸酯、4，4'-亞甲基雙(環(huán)己基異氰酸酯)、1，4-雙(異氰酸酯甲基)環(huán)己烷以及1，4-雙(異氰酸酯甲基)環(huán)己烷。
在聚異氰酸酯中，優(yōu)選使用1，3-苯二基二異氰酸酯、4，4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、1，4-苯二基二異氰酸酯、4，4'-二苯基甲烷基二異氰酸酯、2，4-甲苯基二異氰酸酯、2，6-甲苯基二異氰酸酯、4，4'-甲苯胺二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯。
多官能團環(huán)氧樹脂固化劑，以含有2個以上環(huán)氧樹脂基和一個以上第3級氮原的化合物為主，可以列舉如N·N-二環(huán)丙氧基苯胺、N·N-縮水甘油基甲苯胺、m-N·N-三縮水甘油基間氨基苯酚、p-N·N-三縮水甘油基間氨基苯酚、異氰尿酸三縮水甘油酯、N·N·N'·N'-四縮水甘油基二氨基二苯基甲烷、N·N·N'·N'-四縮水甘油基-m-間苯二甲胺、N·N·N'·N'·N″-五縮水二乙烯三胺等。
(光聚合性化合物)
作為光聚合性化合物可以使用聚氨酯丙烯酸酯低聚物。聚氨酯丙烯酸酯低聚物可以通過將由聚酯型或聚醚型等多元醇化合物與多價異氰酸化合物反應制得的末端異氰酸酯基氨基甲酸酯預聚物，與具有羥基的(甲基)丙烯酸相反應而制得。
作為多價異氰酸酯化合物，可以使用如2，4-甲苯基二異氰酸酯、2，6-甲苯基二異氰酸酯、1，3-苯二甲基二異氰酸酯、1，4-苯二甲基二異氰酸酯、4，4-二苯基甲烷二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等。另外，含有羥基官能團的(甲基)丙烯酸酯，可以使用如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、丙烯酸三季戊四醇酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、聚二季戊四醇五丙烯酸酯等。
作為光聚合性化合物，優(yōu)選使用不飽和雙鍵官能團數(shù)為10以上15以下的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，由于其具有在紫外線等光照射后粘合劑固化性良好的優(yōu)點。
光聚合性化合物的重均分子量為40000～220000，優(yōu)選80000～120000。若光聚合性化合物的重均分子量小，則在切割時易造成對粘合劑刮起過多，而若重均分子量大則粘合力不足時，在切割時容易發(fā)生芯片飛散。
光聚合性化合物的混合量，相對于(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份為5～250質量份，優(yōu)選為40～200質量份。若光聚合性化合物的混合量少，則放射線照射后粘合片的剝離性下降，容易發(fā)生半導體芯片拾取不良。另一方面，若光聚合性化合物的混合量多，則因光照射工序而造成粘合力降低過度，在拾取工序中會發(fā)生芯片松動(loosen)，成為生產(chǎn)性下降的主要原因。
(柔性賦予劑)
將粘合劑進行軟化，以提高對粗糙面的粘合力，也可以添加柔性賦予劑。
作為柔性賦予劑，可以使用聚酯丙烯酸酯。如具有不飽和雙鍵官能團的聚酯丙烯酸酯，可以通過由紫外線等的光照射而發(fā)生交聯(lián)反應，來抑制對被粘合體的污染。
聚酯丙烯酸酯是通過多元醇與多元酸反應制得的聚酯多元醇和丙烯酸或甲基丙烯酸進行酯化反應制得。多元醇可以使用如乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、聚丙二醇、新戊二醇、1，4-丁二醇等。多元酸可用如琥珀酸、己二酸、癸二酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、偏苯三酸等。
作為聚酯丙烯酸酯，優(yōu)選不飽和雙鍵官能團數(shù)為1以上3以下。不飽和雙鍵官能團數(shù)如果超過這個范圍，在紫外線等光照射后粘合劑固化過度，從而造成與基材的密合性不良。
柔性賦予劑的混合比為優(yōu)選相對于(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份為20質量份以上160質量份以下，更優(yōu)選40質量份以上140質量份以下。若柔性賦予劑為20質量份以上，則由于能夠可塑化粘合劑，對于粗糙面的粘合力強度增強，可以在切割時維持半導體芯片的保持性，而若在160質量份以下，則可以抑制因切割時粘合劑被刮起而導致的對半導體芯片產(chǎn)生的殘膠。
(光聚合引發(fā)劑)
作為光聚合引發(fā)劑，可以使用如安息香、安息香酸烷基醚類、苯乙酮類、蒽醌類、噻噸酮類、縮醛類、二苯甲酮類或氧雜蒽酮類等。
作為安息香，有例如安息香、安息香甲基醚、安息香乙醚、安息香丙醚等。
作為苯乙酮類，例如有如安息香烷基醚類、苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯乙酮、2，2―二乙氧基-2-苯乙酮、1，1-二氯苯乙酮等。
作為蒽醌類，有如2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、1-氯蒽醌等。
作為噻噸酮類，例如有2，4-二甲基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等。
作為縮酮類，例如有苯乙酮二甲基縮酮、安息香二甲醚、芐基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆、偶氮二異丁腈、聯(lián)芐、二乙酰、β-氯蒽醌等。
光聚合引發(fā)劑的混合量相對于(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份為0.1質量份以上20質量份以下，優(yōu)選1質量份以上10質量份以下。若混合量過少，則放射線照射后的粘合片的剝離性降低，容易發(fā)生半導體芯片的拾取不良。另一方面，若混合量過多，則光聚合引發(fā)劑溢出至粘合劑表面，成為污染的原因。
在光聚合引發(fā)劑中，根據(jù)需要也可以將一種或兩種以上已公開的光聚合促進劑進行組合而并用。在光聚合促進劑中，可以使用苯甲酸系、叔胺等。作為叔胺，可以列舉如三乙胺、四乙基五胺、二甲氨基醚等。
(增粘樹脂)
在粘合劑中，可以添加增粘樹脂。作為增粘樹脂，是將萜烯酚樹脂完全或部分氫化的萜烯酚樹脂。
萜烯酚樹脂，例如，可通過1摩爾的萜烯化合物與0.1～50摩爾的酚類反應而制造。
作為萜烯化合物，可以列舉如月桂烯、別羅勒烯、羅勒烯、α-蒎烯、β-蒎烯、二烯萜、檸檬烯、α-水芹烯、α-萜品烯、γ-萜品烯、萜品油烯、1，8-桉樹腦、1，4-桉樹腦、α-萜品醇、β-萜品醇、γ-萜品醇、莰烯、三環(huán)烯、香檜烯、對薄荷二烯類、蒈烯類等。在這些化合物中，特別優(yōu)選使用α-蒎烯、β-蒎烯、檸檬烯、月桂烯、別羅勒烯、α-萜品烯。
作為苯酚類可以列舉如苯酚、甲酚、二甲苯酚、鄰苯二酚、間苯二酚、對苯二酚、雙酚A等，不限定于此。
萜烯酚樹脂的酚類的比率為25～50摩爾％左右，但不限于此。
完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的羥值優(yōu)選為50～250。羥值低于50時，與異氰酸系固化劑的反應不充分，溢出至粘合劑表面，成為污染的原因，如果高于250則粘度增強，發(fā)生與(甲基)丙烯酸酯共聚物等的混合不均，從而造成拾取特性不穩(wěn)定。
作為氫化方法，沒有特別限定，可以列舉如使用鈀、釕、銠等貴金屬或將這些負載于活性炭、活性氧化鋁、硅藻土等而得到的產(chǎn)品作為催化劑來進行氫化的方法，氫化率可以通過溴值測定、碘值測定等來測定。
完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的氫化率優(yōu)選為30摩爾％以上，更優(yōu)選為70摩爾％以上。當?shù)陀?0摩爾％時，由活性光線的照射所引發(fā)的光聚合性化合物的反應障礙導致粘合力沒有充分減低，導致拾取性下降。
完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的混合比，優(yōu)選相對于(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份為0.5質量份以上100質量份以下，更優(yōu)選為1.0質量份以上50質量份以下。若完全或部分氫化的萜烯酚樹脂為0.5質量份以上，則由于粘合力并不太低，因此在切割時能夠維持半導體芯片的保持性，若為100質量份以下，則可抑制拾取不良的發(fā)生。
(添加劑等)
粘合劑中可以添加如軟化劑、抗老化劑、填充劑、導電劑、紫外線吸收劑以及光穩(wěn)定劑等各種添加劑。
粘合劑層的厚度，優(yōu)選為1μm以上50μm以下，特別優(yōu)選為5μm以上35μm以下。粘合劑層如果過厚則粘合力變得過高，導致拾取性下降。并且，粘合劑層如果過薄則粘合力變得過低，造成切割時芯片保持性下降，在環(huán)狀框與片材之間有發(fā)生剝離的現(xiàn)象。
(基材膜)
作為基材膜材料，可以列舉如聚氯乙烯、聚對苯二甲酸、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚亞丙基、亞丙基系共聚物、乙烯丙烯酸共聚物、和乙烯(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等通過金屬離子交叉鏈接的離聚物樹脂等?；哪た梢允沁@些樹脂混合物或共聚物，也可以是由這些樹脂構成的膜或片的疊層體。
基材膜的材料優(yōu)選使用離子鍵共聚物樹脂。離子鍵共聚物樹脂中，如果使用具有乙烯單元、甲基丙烯酸單元，以及(甲基)丙烯酸烷基酯單元的共聚物經(jīng)Na+，K+，Zn2+等金屬離子進行交聯(lián)而得的離子鍵共聚物樹脂，則刨花的抑制效果顯著，優(yōu)選使用。
基材膜，可以是由上述材料構成的單層或多層的膜或片，也可以通過層疊由不同材料構成的膜而得到?；哪さ暮穸葹?0～200μm，優(yōu)選為70～150μm。
對基材膜優(yōu)選實施防靜電處理。作為防靜電處理，有在基材膜上混合防靜電劑的處理、在基材膜表面上涂布防靜電劑的處理、利用電暈放電的處理。
作為防靜電劑，可使用例如季銨鹽單體等。作為季銨鹽單體，可以列舉如二甲基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯季鹽化物、二乙基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯季鹽化物、甲基乙基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯季鹽化物、對二甲基氨基苯乙烯季鹽化物和對二乙基氨基苯乙烯季鹽化物。其中，優(yōu)選為二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯季鹽化物。
對滑動劑以及防靜電劑的使用方法不做特別限定，例如可以在基材膜的一側上涂布粘合劑，在其反面涂布滑動劑以及/或防靜電劑，也可以將滑動劑以及/或防靜電劑與基材膜的樹脂混煉后成片。
在基材膜的一側層疊粘合劑，可以使另一面為平均表面粗糙度(Ra)為0.3～1.5μm的壓紋表面。通過在延展裝置的機床工作臺面設置壓紋表面，可以在切割后的延展工序中使基材膜易于延展。
(滑動劑)
為了提高切割后的延展性，可以在基材膜上的粘合劑非接觸面上施以滑動劑，也可以將滑動劑混煉于基材膜。
滑動劑只要是能使粘合片與延展裝置的摩擦系數(shù)降低的物質，就不做特別限定，可以列舉如硅酮樹脂、(變性)硅酮油等的硅酮化合物，含氟樹脂、六方氮化硼、炭黑以及二硫化鉬等。這樣的減摩劑可以是由幾種不同的成分混合而成。由于電子部件的制造是在無塵室中進行的，優(yōu)選使用硅酮化合物或含氟樹脂。硅酮化合物中特別是具有硅酮大分子單體單元的共聚物對防靜電層的兼容性良好，為了能夠平衡防靜電性與延展性，優(yōu)選使用。
以下依次說明本發(fā)明的電子部件制造方法的具體工序。
(1)貼附工序
首先，在貼附工序中，將粘合片貼附于半導體晶圓或基板與環(huán)狀框上。晶圓可以是硅晶圓及氮化鎵晶圓、碳化硅晶圓、藍寶石晶圓等目前廣泛使用的晶圓?；蹇蔀橐詷渲芊饬诵酒姆庋b基板、LED封裝基板、陶瓷基板等廣泛使用的基板。
(2)切割工序
在切割工序中，將硅晶圓等切割而形成半導體芯片或半導體部件。
(3)光照射工序
在光照射工序中，從基材膜側對光固化型粘合劑層照射紫外線等活性光線。作為紫外線的光源，可以使用低壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、金屬鹵化物燈。另外，還可以使用電子束代替紫外線，作為電子束的光源可以使用α射線、β射線、γ射線。
通過光照射，粘合劑層三維網(wǎng)狀化而固化，導致粘合劑層的粘合力降低。此時，如上所述，即使將本發(fā)明的粘合片加溫也不會過度地粘合于晶圓等，因此通過紫外線等的照射能夠使粘合力充分地降低。
(4)延展·拾取工序
在延展·拾取工序中，為了擴大半導體芯片或半導體部件相互之間的間隔而將粘合片拉伸，用針銷等頂起芯片或元件。然后，用真空筒夾或空氣鑷子等吸附芯片或元件，從粘合片的粘合劑層剝離而拾取。此時，由于本發(fā)明的粘合片，通過照射紫外線等可以使粘合力充分地降低，故芯片或部件與粘合劑層之間的剝離變得容易，得到良好的拾取性，也不會發(fā)生殘膠等不良的情況。
<粘合片的制造>
作為在基材膜上形成粘合劑層而作為粘合片，有例如通過使用凹印涂布機、逗點涂布機、棒涂布機、刮刀涂布機或輥涂布機之類的涂布機在基材膜上直接涂布粘合劑的方法，在剝離膜上涂布粘合劑/干燥后貼合在基材膜上的方法。也可以通過凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性印刷、膠版印刷或絲網(wǎng)印刷等，將粘合劑印刷在基材膜上。
本發(fā)明的粘合片在電子部件制造工序的切割工序、背面研磨工序中，適合用于粘合被稱作是工件的電子部件集合體。
<實施例·比較例>
實施例·比較例的光固化型粘合劑以及粘合片使用如下配方制得。主要成分和各實驗例的結果如表1～表2所示。
光固化型粘著劑涂布在聚對苯二甲酸乙二酯制的隔離膜上，進行涂工使干燥后粘著劑層的厚度為20μm。將此粘合劑層疊層于基材膜上，40℃下熟化7天，得到粘合片。基材膜上使用作為離聚物樹脂的苯乙烯-甲基丙烯酸-甲基丙烯酸烷基酯共聚物的Zn鹽作為主體，MFR值1.0g/10分(JISK7210、210℃)，熔點86℃，含有Zn2+離子(三井杜邦聚合化學公司制造，產(chǎn)品編號：HM1855)，通過T型模擠壓為150μm的成膜物。
[光固化型粘合劑]
〔(甲基)丙烯酸酯共聚物〕
A-1：丙烯酸甲酯60質量％、丙烯酸2-乙基己酯35質量％、丙烯酸4.5質量％、丙烯酸2-羥乙基酯0.5質量％的共聚物，重均分子量為20萬，通過溶液聚合而得。
A-2：丙烯酸乙酯54％、丙烯酸丁酯19％、丙烯酸2-甲氧基乙酯24％の共聚物、重均分子量為200萬，通過乳液聚合而得。
〔光聚合性化合物〕
將以異佛爾酮二異氰酸酯的三聚體的異氰酸酯中雙季戊四醇無丙烯酸酯為主要成分的羥基含有丙烯酸酯通過日本專利公開昭61-42529號公報和日本專利公開2012-36253公報等公知的方法來調整，為不飽和雙鍵官能團數(shù)為15の聚氨酯丙烯酸酯(合成品)。應予說明，重均分子量是通過凝膠滲透色譜法(GPC)，作為聚苯乙烯換算的重均分子量來測定的值。具體為：
裝置：GPC-8020SEC系統(tǒng)(東曹株式會社制)
柱：TSKGuardHZ-L+HZM-N6.0×150mm×3
流量：0.5ml/min
檢測器：RI-8020
濃度：0.2wt/Vol％
進樣量：20μL
柱溫度：40℃
系統(tǒng)溫度：40℃
溶劑：THF
校準線：使用標準聚苯乙烯(PL株式會社制)來制作，重均分子量(Mw)以聚苯乙烯對應值來表示。
結果為，
B-1：重均分子量11000
B-2：重均分子量43000
B-3：重均分子量79000
B-4：重均分子量124000
B-5：重均分子量217000
B-6：重均分子量338000。
〔柔性賦予劑〕
X-1：將乙二醇和丁二酸反應得到的聚酯多元醇與丙烯酸反應得到重均分子量為8000的聚酯丙烯酸酯。
X-2：將丙二醇和偏苯三酸反應得到的聚酯多元醇與異丁烯酸反應得到重均分子量為5000的聚酯丙烯酸酯。
〔固化劑〕
C-1：日本聚氨酯工業(yè)株式會社制CORONATE L-45E；2,4-二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加成物。
C-2：日本聚氨酯工業(yè)株式會社制CORONATE L；六亞甲基二異氰酸酯的三羥甲基丙烷加成物。
〔光聚合引發(fā)劑〕
D-1：BASF日本株式會社制IRGACURE184；1-羥環(huán)己基苯酮。
D-2：BASF日本株式會社制IRGACURE651；苯甲基二甲基縮銅。
[表1]
[表2]
(1)粘合劑的刮起，芯片保持性以及拾取性評價
用制得的粘合片將長80mm×寬80mm×厚0.6mm的陶瓷(氧化鋁)與環(huán)狀框貼合。然后，進行切割、拾取各工序。
切割工序的條件如下。
切割裝置：DISCO株式會社制DAD341
切割刀片：東京精密公司制MD500-35YM030
切割刀片形狀：外徑58mm、刃寬15μm、內徑40mm
切割刀片轉數(shù)：30，000rpm
切割刀片進給速度：20mm/秒
切割尺寸：5mm角
粘合片切入量：100μm
切割水溫度：25℃
切割水量：1.0升/分
拾取工序的條件如下。
拾取裝置：佳能機械株式會社制CAP-300II
延展量：5mm
針銷形狀：250μmR
針銷數(shù)：4根
針銷突起高度：1.5mm
對切割工序和拾取工序進行了如下評價。
(1-1)粘合劑的刮起
粘合劑的刮起，根據(jù)隨機選擇50個被拾取的芯片，使用500倍的顯微鏡對芯片的側面進行觀察，關于芯片側面有無附著粘合劑，按以下的基準進行了評價。
◎(優(yōu))：在芯片側面粘合劑沒有附著
○(良)：在芯片側面粘合劑的附著低于5％
×(不可)：在芯片側面粘合劑的附著為5％以上
(1-2)芯片保持性
芯片保持性，根據(jù)切割工序后陶瓷芯片保持于粘合片上的陶瓷芯片的殘留率，按以下的基準進行了評價。
◎(優(yōu))：芯片飛散低于5％
○(良)：芯片飛散為5％以上且低于10％
×(不可)：芯片飛散為10％以上
(1-3)拾取性
拾取性，根據(jù)拾取工序中可拾取陶瓷芯片的比例，按以下的基準進行了評價。
◎(優(yōu))：芯片的拾取成功率為95％以上
○(良)：芯片的拾取成功率為80％以上且低于95％
×(不可)：芯片的拾取成功率低于80％
(2)污染性
將粘合片貼附于硅制鏡面晶圓上，20分鐘后使用高圧汞燈以150mJ/cm2對紫外線照射后，將粘合片剝離。使用顆粒計數(shù)器測定硅制鏡面晶圓貼附面上殘留的0.28μm以上的粒子數(shù)。
優(yōu)：粒子數(shù)為500個以下
良：粒子數(shù)為501個以上2000個以下。
不可：粒子數(shù)為2001個以上。
(3)芯片松動(loosen)
芯片松動，基于在拾取工序中與欲拾取半導體芯片相鄰的半導體芯片因受到針銷突起的沖擊而造成的松動比率，按照以下的基準進行了評價。
◎(優(yōu))：芯片松動低于1％
○(良)：芯片松動為1％以上且低于3％
×(不可)：芯片松動為3％以上
<考察>
在全部實施例中，對全部評價項目均得到了良的結果。另一方面，在全部比較例中，沒有任何一個評價項目得到令人滿意的結果。比較例1中，由于光聚合性化合物的重均分子量過小，所以容易發(fā)生粘合劑的刮起。比較例2以及4中，由于光聚合性化合物的混合量過小，芯片保持性以及拾取性差。比較例3以及5中，由于光聚合性化合物的混合量過多，芯片松動容易發(fā)生。比較例5中，晶圓上容易殘留粒子。比較例6中，由于光聚合性化合物的重均分子量過大，芯片保持性差，且容易引起芯片松動。比較例7中，由于柔性賦予劑過少，芯片保持性差，且容易引起芯片松動。比較例8中，由于柔性賦予劑過多，容易引起粘合劑的刮起，拾取性差，且在晶圓上容易殘留粒子。比較例9中，由于固化劑的混合量過少，拾取性差，且在晶圓上容易殘留粒子。比較例10中，由于固化劑的混合量過多，芯片保持性差。比較例11中，由于光聚合引發(fā)劑的混合量過少，拾取性差。比較例12中，由于光聚合引發(fā)劑的混合量過多，芯片保持性差，且在晶圓上容易殘留粒子。