本發(fā)明涉及熒光體和發(fā)光裝置以及熒光體的制造方法，特別是涉及硅酸鹽系熒光體和具備該熒光體的發(fā)光裝置以及熒光體的制造方法。
背景技術(shù)：
作為白色led，廣泛使用雙色混色型的白色led，其將發(fā)出藍(lán)色光的半導(dǎo)體發(fā)光元件和黃色的熒光體組合從而通過(guò)藍(lán)色與黃色的混色得到白色光。但是，該雙色混色型的白色led所發(fā)出的白色光存在純度低的問(wèn)題。因此，最近進(jìn)行了三色混色型的白色led的開(kāi)發(fā)，其將發(fā)出紫外光(波長(zhǎng)350～430nm)的半導(dǎo)體發(fā)光元件和藍(lán)、綠、紅三種熒光體組合，利用來(lái)自半導(dǎo)體發(fā)光元件的光激發(fā)各個(gè)熒光體，由此通過(guò)藍(lán)、綠、紅的混色得到白色光。
以往，開(kāi)發(fā)了各種組成的藍(lán)色熒光體。例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載了一種sms藍(lán)色發(fā)光熒光體，其基本組成式由sr3-xmgsi2o8：eux(x為0.008～0.110)表示，具有與鎂硅鈣石相同的晶體結(jié)構(gòu)，晶格畸變?yōu)?.055％以下。記載了該sms藍(lán)色發(fā)光熒光體示出高發(fā)光強(qiáng)度和對(duì)熱的高穩(wěn)定性。此外，該文獻(xiàn)的實(shí)施例中記載了晶格畸變?yōu)?.031～0.066％的藍(lán)色熒光體。
此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載了一種藍(lán)色發(fā)光熒光體，其具有利用eu進(jìn)行活化而成的(sr,ca)3mgsi2o8的基本組成式，具有鎂硅鈣石晶體結(jié)構(gòu)，其特征在于，sr與ca的摩爾比在1：0.10～1：0.30的范圍內(nèi)。記載了通過(guò)這樣將sr的一部分用ca置換而形成上述摩爾比，從而在120℃附近(100～150℃)的高溫環(huán)境下的發(fā)光強(qiáng)度提高、發(fā)光強(qiáng)度的溫度穩(wěn)定性提高。此外，記載了該文獻(xiàn)的藍(lán)色熒光體是利用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器對(duì)原料粉末的漿料進(jìn)行干燥而制造的。
此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)3中記載了一種包含me3mgsi2o8：eu(其中，me為ca、st或ba中的至少一種)所表示的化合物的藍(lán)色熒光體。該文獻(xiàn)的實(shí)施例中記載了一種為(sr,ca)3mgsi2o8：eu(ca/sr＝0.1/1、x＝0.1)、且利用噴霧法制造而得的藍(lán)色熒光體(試樣編號(hào)3)。記載了噴霧法是將加入有熒光體原料的水溶液在加熱后的爐中進(jìn)行噴霧而進(jìn)行制造的方法，從噴嘴一邊對(duì)原料的混合溶液施加超聲波一邊加熱至1500℃而進(jìn)行噴霧。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2010-209206號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求1、第0010、0040段等)
專(zhuān)利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2013-35957號(hào)公報(bào)(權(quán)利要求1、第0030、0037段等)
專(zhuān)利文獻(xiàn)3：國(guó)際公開(kāi)第2003/097767號(hào)(權(quán)利要求1、第5頁(yè)、第17頁(yè)、表1等)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明所要解決的課題
期望白色led示出接近太陽(yáng)光的發(fā)光光譜，太陽(yáng)光具有寬的波長(zhǎng)光譜。因此，為了提高白色led的顯色性，需要使發(fā)出各色的各個(gè)熒光體的發(fā)光光譜拓寬，即需要增大半峰寬。
但是，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載的藍(lán)色熒光體的晶格畸變比較小，在0.031～0.066％的范圍內(nèi)，因此熒光體中的元素為理想的以及接近理想的狀態(tài)，因此發(fā)光光譜的半峰寬相對(duì)減小。此外，該藍(lán)色熒光體不含ca，因此，與含ca的藍(lán)色熒光體相比，在高溫環(huán)境下的發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光強(qiáng)度的溫度穩(wěn)定性相對(duì)容易降低。
此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載的藍(lán)色熒光體未提及上述的晶格畸變。該文獻(xiàn)的藍(lán)色熒光體是利用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器對(duì)原料粉末的漿料進(jìn)行干燥而制造的。即，在該文獻(xiàn)的制造方法中，漿料的干燥在比較穩(wěn)定的條件下進(jìn)行，因此熒光體中的元素為理想的以及接近理想的狀態(tài)，因此認(rèn)為發(fā)光光譜的半峰寬相對(duì)減小。
另一方面，專(zhuān)利文獻(xiàn)3中記載的藍(lán)色熒光體是在1500℃的爐中將原料漿料進(jìn)行噴霧而制造的，但在干燥溫度超過(guò)1000℃的非常高的溫度下快速進(jìn)行干燥，因此認(rèn)為熒光體中的元素的排列為紊亂的狀態(tài)(即，晶格畸變的值大的狀態(tài))，發(fā)光效率降低。
本發(fā)明的目的在于提供特別是在白色led中能夠提高顯色性的熒光體和使用有該熒光體的發(fā)光裝置。
用于解決課題的手段
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明人反復(fù)進(jìn)行深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在利用銪將含有鎂的硅酸鍶鋇活化而成的、具有規(guī)定組成的熒光體中，使晶格畸變?cè)谝?guī)定的范圍內(nèi)，由此形成半峰寬的值大、特別是適合用作白色led的發(fā)光特性。
即，本發(fā)明為一種熒光體，其特征在于，其以下述式(1)的組成表示，并且利用x射線衍射由威廉姆森-霍爾繪圖(williamson-hallplot)求出的晶格畸變?cè)?.0005～0.0020的范圍內(nèi)。
(sr,ca,m)3-xmgsi2o8：eux…式(1)
(其中，m為選自由sc、y、gd、tb和la組成的組中的一種以上稀土類(lèi)金屬元素，0.01≤x≤0.10)
此外，本發(fā)明涉及一種發(fā)光裝置，其特征在于，其具備上述熒光體和對(duì)該熒光體照射激發(fā)光而使其發(fā)光的光源。
此外，本發(fā)明涉及一種熒光體的制造方法，其為上述熒光體的制造方法，其特征在于，該制造方法具備：得到原料的水性漿料的工序和將上述水性漿料用80～300℃的熱風(fēng)進(jìn)行噴霧干燥的工序。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明，能夠提供熒光體的發(fā)光光譜的半峰寬較寬因此特別是在白色led中使用的情況下能夠提高顯色性的熒光體和使用有該熒光體的發(fā)光裝置以及熒光體的制造方法。
附圖說(shuō)明
圖1是示出實(shí)施例的熒光體的發(fā)光光譜的曲線圖。
具體實(shí)施方式
1.熒光體
本發(fā)明的熒光體以下述式(1)的組成表示。
(sr,ca,m)3-xmgsi2o8：eux…式(1)
(其中，m為選自由sc、y、gd、tb和la組成的組中的一種以上稀土類(lèi)金屬元素，0.01≤x≤0.10)
換言之，本發(fā)明的熒光體是利用銪將含有鎂的硅酸鍶鈣活化而成的、具有規(guī)定組成的硅酸鹽藍(lán)色熒光體。
銪為活化劑，具有在熒光體中作為發(fā)光原子而發(fā)光的性質(zhì)。銪相對(duì)于1摩爾si的摩爾比、即上述x的值在0.01≤x≤0.10的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.02≤x≤0.07的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.03≤x≤0.40的范圍內(nèi)。x的值低于0.01時(shí)，發(fā)光原子減少，因此發(fā)光強(qiáng)度容易變?nèi)酰瑇的值超過(guò)0.1時(shí)，發(fā)光原子為高濃度，彼此接近而相互抵消發(fā)光，因此發(fā)光強(qiáng)度容易變?nèi)?。此外，鎂與稀土類(lèi)金屬元素m的摩爾比(mg：m)通常在1：0.0001～1：0.03的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在1：0.001～1：0.01的范圍內(nèi)。上述的摩爾比在1：0.0001～1：0.03的范圍內(nèi)時(shí)，熒光體示出高發(fā)光強(qiáng)度，因此優(yōu)選。
此處，本發(fā)明的熒光體優(yōu)選含有鈣。對(duì)于鍶與鈣的摩爾比(sr：ca)沒(méi)有特別限定，優(yōu)選在1：0.03～1：0.09的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選在1：0.05～1：0.08的范圍內(nèi)。鈣相對(duì)于鍶的比率低于0.03時(shí)，發(fā)光強(qiáng)度容易降低，鈣相對(duì)于鍶的比率超過(guò)0.09時(shí)，發(fā)光光譜的半峰寬容易變窄。
本發(fā)明的熒光體的晶格畸變?cè)?.0005～0.0020的范圍內(nèi)。此處，晶格畸變是表示晶體結(jié)構(gòu)的紊亂的指標(biāo)。晶體結(jié)構(gòu)中所有元素規(guī)則地排列的狀態(tài)為理想的狀態(tài)，但晶體結(jié)構(gòu)有時(shí)會(huì)因下述情況而偏離理想的狀態(tài)，例如原子從原本應(yīng)該有原子的位置脫離出的情況、在原本不存在原子的位置存在原子的情況、雜質(zhì)原子代替原本的原子而占據(jù)相同位置的情況等。表示該偏離程度的指標(biāo)為晶格畸變。需要說(shuō)明的是，晶格畸變低于0.0005時(shí)，發(fā)光光譜的半峰寬減小，超過(guò)0.0020時(shí)，發(fā)光效率容易降低。晶格畸變優(yōu)選在0.0007～0.0015的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.0008～0.0010的范圍內(nèi)。
此處，晶格畸變是按照下述式(a)，利用以“2(sinθ/λ)”作為橫軸、以“β(cosθ/λ)”作為縱軸進(jìn)行繪圖的“威廉姆森-霍爾繪圖”求出斜率η而計(jì)算出的值。
β(cosθ/λ)＝2η(sinθ/λ)+1/d…(a)
(其中，β是指x射線衍射峰的半峰寬、λ是指波長(zhǎng)
需要說(shuō)明的是，x射線衍射峰的半峰寬β可以以對(duì)熒光體照射x射線并且在衍射角為2θ時(shí)的x射線衍射強(qiáng)度的峰為1/2的寬度的方式進(jìn)行測(cè)定。晶格畸變的計(jì)算方法具體可以參照后述的實(shí)施例中記載的方法。
本發(fā)明的熒光體通過(guò)具有如上所述的特征，發(fā)光光譜的半峰寬變得較寬，具體而言可以使半峰寬為38.5以上。因此，本發(fā)明的熒光體特別是被用作白色led的發(fā)光元件時(shí)，能夠使顯色性良好。此處，半峰寬是指：使縱軸為發(fā)光強(qiáng)度、使橫軸為波長(zhǎng)時(shí)對(duì)發(fā)光光譜進(jìn)行測(cè)定，將該峰的發(fā)光強(qiáng)度設(shè)為i時(shí)，達(dá)到i/2時(shí)的波長(zhǎng)寬度。
2.熒光體的制造方法
本發(fā)明的熒光體可以利用例如下述方法進(jìn)行制造：將鍶化合物粉末、鈣化合物粉末、硅化合物粉末、鎂化合物粉末、銪化合物粉末、含稀土類(lèi)金屬元素m的稀土類(lèi)金屬化合物粉末混合(混合工序)，對(duì)所得到的水性漿料進(jìn)行噴霧干燥(噴霧干燥工序)，并對(duì)所得到的粉末混合物進(jìn)行燒制(燒制工序)。
(1)混合工序
鍶化合物粉末、鈣化合物粉末、硅化合物粉末、鎂化合物粉末、銪化合物粉末、稀土類(lèi)金屬化合物粉末的各原料粉末分別可以為氧化物粉末，也可以為氫氧化物、鹵化物、碳酸鹽(包括堿性碳酸鹽)、硝酸鹽、草酸鹽等利用加熱生成氧化物的化合物的粉末。
作為鍶化合物粉末的具體例，沒(méi)有特別限定，可以使用例如選自由碳酸鍶(srco3)、氫氧化鍶(sr(oh)2)、氟化鍶(srf2)、溴化鍶(srbr2)、氯化鍶(srcl2)、碘化鍶(sri2)組成的組中的一種以上。
作為鈣化合物粉末的具體例，沒(méi)有特別限定，可以使用例如選自由碳酸鈣(caco3)、氫氧化鈣(ca(oh)2)、氟化鈣(caf2)、溴化鈣(cabr2)、氯化鈣(cacl2)、碘化鈣(cai2)組成的組中的一種以上。
作為硅化合物粉末的具體例，沒(méi)有特別限定，可以使用例如選自由二氧化硅(sio2)、正硅酸(h4sio4)、偏硅酸(h2sio3)、偏二硅酸(h2si2o5)組成的組中的一種以上。
作為鎂化合物粉末的具體例，沒(méi)有特別限定，可以使用例如選自由氧化鎂(mgo)、氫氧化鎂(mg(oh)2)和碳酸鎂(mgco3)組成的組中的一種以上。
作為銪化合物粉末的具體例，沒(méi)有特別限定，可以使用例如選自由氧化銪(iii)(eu2o3)、氧化銪(ii)(euo)、氫氧化銪(iii)(eu(oh)3)組成的組中的一種以上。
作為稀土類(lèi)金屬化合物粉末的具體例，沒(méi)有特別限定，可以使用例如選自由氧化鈧(iii)(sc2o3)、氫氧化鈧(iii)(sc(oh)3)、氧化釔(iii)(y2o3)、氫氧化釔(iii)(y(oh)3)、氧化釓(iii)(gd2o3)、氫氧化釓(iii)(gd(oh)3)、氧化鋱(iii)(tb2o3)、氫氧化鋱(iii)(t
b(oh)3)、氧化鑭(iii)(la2o3)、氫氧化鑭(iii)(la(oh)3)組成的組中的一種以上。
這些原料粉末可以分別單獨(dú)使用一種，也可以合用兩種以上。各原料粉末的純度優(yōu)選為99質(zhì)量％以上。
為了使上述原料粉末的混合比例大致直接為式(1)的組成比，調(diào)整混合比例使其成為所期望的組成比例。即，混合鍶化合物粉末、鈣化合物粉末和稀土類(lèi)金屬化合物粉末，使鍶元素、鈣元素和稀土類(lèi)金屬元素m的總摩爾數(shù)相對(duì)于原料粉末的1摩爾硅含量為“3-x”。對(duì)于其他化合物粉末也同樣進(jìn)行。
原料粉末的混合物中可以添加助熔劑。助熔劑優(yōu)選為鹵化物，特別優(yōu)選為氯化合物。優(yōu)選在原料粉末的一部分中使用氯化合物粉末作為助熔劑。特別優(yōu)選使用鍶的氯化合物粉末。對(duì)于助熔劑的添加量，將粉末混合物中的硅含量設(shè)為1摩爾時(shí)，優(yōu)選為鹵素量達(dá)到0.0001～0.5摩爾的范圍的量，特別優(yōu)選為鹵素量達(dá)到0.01～0.5摩爾的范圍的量。
在混合工序中，利用濕式混合法將原料粉末混合在溶劑中，得到原料的水性漿料。作為濕式混合法，可以使用旋轉(zhuǎn)球磨機(jī)、振動(dòng)球磨機(jī)、行星式磨機(jī)、涂料混合器、搖擺式磨機(jī)、搖擺式混合機(jī)、珠磨機(jī)、攪拌機(jī)等。溶劑可以使用水、乙醇、異丙醇等低級(jí)醇。
(2)噴霧干燥工序
接著，利用80～300℃的熱風(fēng)對(duì)所得到的水性漿料進(jìn)行噴霧干燥。噴霧干燥是對(duì)水性漿料進(jìn)行噴霧，使其與熱風(fēng)接觸，使水性漿料中的溶劑蒸發(fā)而得到造粒粉末的方法。噴霧干燥可以使用公知的噴霧干燥機(jī)進(jìn)行，可以使用例如旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)型的旋轉(zhuǎn)霧化器、圓盤(pán)霧化器、噴嘴噴射方式的噴嘴霧化器等。由此，能夠得到各原料的粉末混合物。旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)型的霧化器的情況下，其轉(zhuǎn)速通常在10000～20000rpm的范圍內(nèi)。
在噴霧干燥中，成為液滴的原料漿料快速干燥，因此認(rèn)為在元素不均勻的狀態(tài)下發(fā)生反應(yīng)，熒光體中的元素偏離理想的結(jié)晶排列的元素增多，容易產(chǎn)生晶格畸變。另一方面，在干燥溫度超過(guò)例如1000℃那樣的高溫下，偏離理想的結(jié)晶排列的元素過(guò)多，發(fā)光效率容易降低，因此干燥溫度優(yōu)選在80～300℃的范圍內(nèi)。因此，通過(guò)在噴霧干燥法中使熱風(fēng)的溫度在80～300℃的范圍內(nèi)，能夠使所得到的熒光體中偏離理想的晶體結(jié)構(gòu)的元素的數(shù)為適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)，由此能夠使發(fā)光光譜的半峰寬為最適的范圍。
(3)燒制工序
接著，進(jìn)行粉末混合物的燒制。粉末混合物的燒制優(yōu)選在還原性氣體氣氛下進(jìn)行。作為還原性氣體，可以使用0.5～5.0體積％的氫和99.5～95.0體積％的非活性氣體的混合氣體。作為非活性氣體的示例，可以舉出氬和/或氮。燒制溫度通常在900～1300℃的范圍內(nèi)。燒制時(shí)間通常在0.5～100小時(shí)的范圍內(nèi)，優(yōu)選在0.5～10小時(shí)的范圍內(nèi)。
在原料粉末中使用因加熱而生成氧化物的化合物的粉末的情況下，優(yōu)選在還原性氣體氣氛下進(jìn)行燒制前，將粉末混合物在大氣氣氛下以600～850℃的溫度進(jìn)行0.5～100小時(shí)的預(yù)燒。預(yù)燒時(shí)間特別優(yōu)選在0.5～10小時(shí)的范圍內(nèi)。通過(guò)燒制得到的熒光體可以根據(jù)需要進(jìn)行分級(jí)處理、基于鹽酸或硝酸等無(wú)機(jī)酸的酸清洗處理、烘焙處理。
3.發(fā)光裝置
本發(fā)明的熒光體可以用于各種發(fā)光裝置。本發(fā)明的發(fā)光裝置至少具備以上述式(1)表示的熒光體和對(duì)該熒光體照射激發(fā)光而使其發(fā)光的光源。作為發(fā)光裝置的具體例，可以舉出白色發(fā)光二極管(led)、熒光燈、熒光顯示管(vfd)、陰極射線管(crt)、等離子體顯示器面板(pdp)、場(chǎng)發(fā)射顯示器(fed)等。其中，白色led為下述發(fā)光裝置：該發(fā)光裝置具備本發(fā)明的熒光體(藍(lán)色熒光體)、紅色熒光體、綠色熒光體和發(fā)出例如波長(zhǎng)350～430nm的紫外光的半導(dǎo)體發(fā)光元件，利用來(lái)自發(fā)光元件的紫外光激發(fā)這些熒光體，利用藍(lán)、紅、綠的混色得到白色。
作為紅色發(fā)光熒光體的示例，可以舉出(ba,sr,ca)3mgsi2o8：eu,mn、y2o2s：eu、la2o3s：eu、(ca,sr,ba)2si5n8：eu、caalsin3：eu、eu2w2o9、(ca,sr,ba)2si5n8：eu,mn、catio3：pr,bi、(la,eu)2w3o12等。此外，作為綠色發(fā)光熒光體的示例，可以舉出(mg,ca,sr,ba)si2o2n2：eu、(ba,ca,sr,mg)2sio4：eu等。作為半導(dǎo)體發(fā)光元件，可以舉出algan系半導(dǎo)體發(fā)光元件。對(duì)于發(fā)光裝置的詳細(xì)內(nèi)容，可以參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2。
實(shí)施例
以下，基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體的說(shuō)明，但這些實(shí)施例并不限定本發(fā)明的目的。
1.實(shí)施例1
在原料粉末中使用srco3粉末、src12·6h2o粉末、caco3粉末、eu2o3粉末、y2o3粉末、mgo粉末、sio2粉末，按照srco3：srcl2·6h2o：caco3：eu2o3：mgo：sio2的摩爾比分別為2.697：0.100：0.163：0.0175：0.0025：1：2.000的方式稱(chēng)量。將稱(chēng)量的各粉末在水中使用球磨機(jī)進(jìn)行15小時(shí)的濕式混合，得到粉末混合物的漿料。
利用噴霧干燥機(jī)對(duì)所得到的漿料進(jìn)行干燥，得到干燥粉末。噴霧干燥機(jī)使用大川原化工機(jī)株式會(huì)社制造的foc-25型，在熱風(fēng)溫度在入口為220～240℃、出口為90～110℃，霧化器轉(zhuǎn)速為12600～12800rpm的條件下運(yùn)轉(zhuǎn)。將所得到的干燥粉末加入氧化鋁載置器中，在大氣氣氛下以780℃的溫度燒制3小時(shí)，接著，放置冷卻至室溫后，在3體積％氫-97體積％氬的混合氣體氣氛下以1250℃的溫度燒制3小時(shí)，制造熒光體。
<晶格畸變的測(cè)定>
利用株式會(huì)社rigaku制造的廣角x射線衍射裝置(rint-ttriii型)對(duì)所得到的熒光體的晶格畸變進(jìn)行測(cè)定。晶格畸變的測(cè)定條件為x射線源：cukα射線、管電壓-管電流：50kv-300ma、步長(zhǎng)：0.02deg.、測(cè)定速度：1sec./step。將該結(jié)果示于表2。
<半峰寬的測(cè)定>
利用日本分光株式會(huì)社制造的分光熒光光度計(jì)(fp-6500)對(duì)熒光體的發(fā)光光譜進(jìn)行測(cè)定。將所得到的發(fā)光光譜示于圖1。在該發(fā)光光譜中求出400～500nm的波長(zhǎng)范圍中的最大峰值強(qiáng)度(i)，計(jì)算出成為i/2的波長(zhǎng)范圍來(lái)作為半峰寬。將該結(jié)果示于表2。
<外部量子效率的測(cè)定>
將所得到的熒光體作為試樣，使用jascoengineering株式會(huì)社制造的fp-8500，按照以下順序進(jìn)行測(cè)定。
1)將標(biāo)準(zhǔn)白板安裝在積分球的內(nèi)側(cè)底部。在該標(biāo)準(zhǔn)白板上，對(duì)其表面垂直地照射峰值波長(zhǎng)400nm的紫外光。對(duì)經(jīng)積分球壁散射的光的光譜進(jìn)行測(cè)定，對(duì)波長(zhǎng)380～410nm的光的峰面積(ll)進(jìn)行測(cè)定。
2)將熒光體試樣填充至試樣保持器中，并將試樣保持器安裝在積分球的內(nèi)側(cè)底部。在試樣保持器的熒光體試樣上，對(duì)其表面垂直地照射峰值波長(zhǎng)400nm的紫外光。對(duì)經(jīng)積分球壁散射的光的光譜進(jìn)行測(cè)定，對(duì)波長(zhǎng)380～410nm的光的峰面積(l2)和波長(zhǎng)410～700nm的光的峰面積(e)進(jìn)行測(cè)定。并且，由下式計(jì)算出熒光體試樣外部量子效率。
外部量子效率(％)＝100×e/l1
<發(fā)光強(qiáng)度的測(cè)定>
上述中，在“<半峰寬的測(cè)定>”中得到的發(fā)光光譜的400～500nm的波長(zhǎng)范圍中求出最大峰值強(qiáng)度，將其作為發(fā)光強(qiáng)度。
2.實(shí)施例2
將實(shí)施例1中的原料的摩爾比按照形成表1的原料混合比例(實(shí)施例2)的方式進(jìn)行混合，且霧化器以轉(zhuǎn)速12900～13100rpm運(yùn)轉(zhuǎn)，除此之外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，制造熒光體。對(duì)所得到的熒光體的晶格畸變和半峰寬進(jìn)行測(cè)定。將該結(jié)果示于表2。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)外部量子效率和發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定。將該結(jié)果示于表3。
3.實(shí)施例3、4
將實(shí)施例1中的原料的摩爾比按照形成表1的原料混合比例(實(shí)施例3，4)的方式進(jìn)行混合，除此之外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，制造熒光體。對(duì)所得到的熒光體的晶格畸變和半峰寬進(jìn)行測(cè)定。將該結(jié)果示于表2。此外，與實(shí)施例1同樣地對(duì)外部量子效率和發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行測(cè)定。將該結(jié)果示于表3。
4.比較例1
利用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器對(duì)與實(shí)施例1同樣地得到的漿料進(jìn)行干燥；將所得到的干燥粉末加入氧化鋁坩堝中，在大氣氣氛下進(jìn)行燒制；放置冷卻至室溫后在2體積％氫-98體積％氬的混合氣體氣氛下進(jìn)行燒制，除此之外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行，制造熒光體。對(duì)所得到的熒光體的晶格畸變和半峰寬進(jìn)行測(cè)定。將該結(jié)果示于表2。
5.比較例2～4
使原料粉末的摩爾比如表2所示，除此之外，與比較例1同樣地進(jìn)行，制造熒光體。對(duì)所得到的熒光體的晶格畸變和半峰寬進(jìn)行測(cè)定。將該結(jié)果示于表2。
[表1]
[表2]
[表3]
由表2的結(jié)果，對(duì)實(shí)施例和比較例進(jìn)行比較時(shí)可知，與晶格畸變?yōu)?.0003以下的比較例相比，晶格畸變?yōu)?.0008～0.001的實(shí)施例的半峰寬的值大。因此，與如比較例那樣利用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器進(jìn)行干燥的熒光體相比，如實(shí)施例那樣利用噴霧干燥進(jìn)行干燥的熒光體的半峰寬大，因此從顯色性的觀點(diǎn)出發(fā)，可以說(shuō)作為白色led的熒光體是更優(yōu)選的。
此外，由表3的結(jié)果，對(duì)實(shí)施例彼此進(jìn)行比較時(shí)，sr：ca的摩爾比為1：0.075的實(shí)施例4的半峰寬大，但發(fā)光強(qiáng)度減小。因此認(rèn)為，從半峰寬的觀點(diǎn)出發(fā)，ca相對(duì)于sr的摩爾比越高越優(yōu)選，從發(fā)光強(qiáng)度的觀點(diǎn)出發(fā)，越低越優(yōu)選。