技術(shù)特征：

1.一種基于表面等離子體增強的金納米團簇?zé)晒怏w系的制備方法，其特征在于，包括：將金納米團簇溶液、改性金納米棒溶液與緩沖溶液進(jìn)行接觸反應(yīng)以制得所述基于表面等離子體增強的金納米團簇?zé)晒怏w系；

其中，所述改性金納米棒溶液中的改性金納米棒包括金納米棒、二氧化硅層和氨基修飾層，所述二氧化硅層包覆于所述金納米棒的外部，所述氨基修飾層分布于所述二氧化硅層的外表面；所述金納米團簇溶液中金納米團簇的外層保護(hù)基團選自牛血清白蛋白、人血清白蛋白和谷胱甘肽中的一種或多種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其中，相對于所述金納米團簇溶液中的1μmol的金納米團簇，所述改性金納米棒的用量為0.0327-0.0607μmol。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其中，所述金納米團簇溶液中金納米團簇的濃度為6.87×10^-11-7.41×10^-11mol/L^-1，所述改性金納米棒溶液的濃度為2.43×10^-12-4.50×10^-12mol/L^-1。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其中，相對于100μL的所述緩沖溶液，所述金納米團簇溶液的用量為100-120μL，所述改性金納米棒溶液的用量為30-100μL。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任意一項所述的制備方法，其中，在所述改性金納米棒中，所述氧化硅層的厚度為5-27nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其中，相對于1μmol的所述金納米棒，所述二氧化硅層中二氧化硅的含量為0.801-0.874μmol，所述氨基修飾層中氨基修飾基團的含量為0.0422-0.0461μmol；

優(yōu)選地，所述金納米團簇包括金原子核心，所述外層保護(hù)基團包覆于所述金原子核心的外部，所述金原子核心的粒徑為46-53nm，所述外層保護(hù)基團的厚度為5-27nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其中，所述氨基修飾基團為如式(I)所示結(jié)構(gòu)的基團，

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的制備方法，其中，所述緩沖溶液的pH為5.8-6.4；

優(yōu)選地，所述緩沖溶液選自PBS緩沖溶液。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其中，所述接觸反應(yīng)至少滿足以下條件：反應(yīng)溫度為25-30℃，反應(yīng)時間為55-65min。

10.一種基于表面等離子體增強的金納米團簇?zé)晒怏w系，其特征在于，所述金納米團簇?zé)晒怏w系通過權(quán)利要求1-9中任意一項所述的方法制備而成。