本發(fā)明涉及添加劑組合物及包括此的陽性拋光料漿組合物。
背景技術(shù)：
：：化學(xué)機(jī)械拋光cmp(chemicalmechanicalpolishing)是由存在于被加壓的晶片和拋光襯墊之間拋光劑的機(jī)械性加工，和由料漿的化學(xué)成分的化學(xué)蝕刻，同時(shí)發(fā)生的半導(dǎo)體加工技術(shù)中的一個(gè)，在制造亞微細(xì)米規(guī)模的半導(dǎo)體芯片中，成為廣域平坦化技術(shù)的必須工程。料漿組合物的種類中的氧化物用料漿組合物，用于拋光層間絕緣膜及用于淺溝槽隔離sti(shallowtrenchisolation)工程的硅氧化物層時(shí)，將二氧化鈰利用為拋光粒子的二氧化鈰料漿組合物，在sti工程為了拋光硅氧化物層被廣泛地使用，且在這種情況下，硅氮化物曾主要用于拋光停止層。一般地，為了提高對(duì)氮化物層的氧化物層的拋光速度選擇比，將規(guī)定的化學(xué)添加劑添加到二氧化鈰料漿組合物，添加劑組合物以含有羥基的聚合物為基本，賦予選擇比及平坦度功能，優(yōu)化在具有陰電荷的陰性(negative)料漿組合物，且用于具有陽電荷的陽性(positive)料漿組合物時(shí)，凝聚且與料漿組合物反應(yīng)，減少拋光率、選擇比功能及平坦度性能。陽性料漿與晶片及襯墊，以高的反應(yīng)可實(shí)現(xiàn)高拋光率，但是，在選擇比及平坦度側(cè)面具有脆弱的缺點(diǎn)。對(duì)此，需要在使用陽性料漿組合物時(shí)，維持高的拋光率，并且提高選擇比和平坦度的添加劑組合物的開發(fā)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：技術(shù)課題本發(fā)明作為解決上述的問題，本發(fā)明的目的是提供維持優(yōu)秀的拋光速度即選擇比，對(duì)改善平坦度、凹陷、刮痕、缺陷的優(yōu)秀的添加劑組合物及包括此的陽性拋光料漿組合物。但是，本發(fā)明要解決的課題不限定于以上提及的課題，且沒有提及的其他課題，可從以下記載被技術(shù)人員明確地理解。技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種添加劑組合物，其包括：陽離子性化合物；有機(jī)酸；非離子性化合物；及ph調(diào)節(jié)劑。所述陽離子性化合物可包括從氨基酸、聚亞烷基二醇及葡萄糖胺類化合物結(jié)合的高分子多糖體及含胺基聚合物形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述有機(jī)酸可包括從乙酸、檸檬酸、乳酸、蘋果酸、馬來酸、丙二酸、乙醇酸、丙酸、丁酸、羥基丁酸、氮基三乙酸、吡啶甲酸、煙酸、異煙酸、鐮刀菌酸、吡啶二甲酸、吡啶二羥酸、盧剔啶酸、喹啉酸、谷氨酸、丙氨酸、甘氨酸、胱氨酸、組氨酸、天冬酰胺、胍、肼、乙二胺、甲酸、苯甲酸、草酸、琥珀酸、檸檬酸、丙三羥酸、酒石酸、天冬氨酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、富馬酸、鄰苯二甲酸及吡啶羧酸形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述陽離子性聚合物及所述有機(jī)酸由陽離子性聚合物：有機(jī)酸以2:1至3:1比率，可包括在所述添加劑組合物中。所述陽離子性聚合物及所述有機(jī)酸，可分別以0.001重量百分比至5重量百分比，包括在所述添加劑組合物中。所述非離子性化合物可包括從聚乙二醇(peg)、聚丙二醇(ppg)、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、環(huán)氧乙烷環(huán)氧丙烷共聚物(ethyleneoxide-propyleneoxidecopolymer)、聚乙烯丙烯共聚物(polyethylene-propylenecopolymer)、聚烷基氧化物(polyalkyloxide)、聚環(huán)氧乙烷(peo)、聚氧化乙烯(poe)及聚氧化丙烯(polypropyleneoxide)形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述非離子性化合物以0.001重量百分比至1重量百分比，可包括在所述添加劑組合物中。所述ph調(diào)節(jié)劑可包括從酸性物質(zhì)及堿性物質(zhì)形成的群中選擇的至少任何一個(gè)，其中，所述酸性物質(zhì)包括從硝酸、鹽酸、磷酸、硫酸、氫氟酸、氫溴酸、氫碘酸、甲酸、丙二酸、馬來酸、草酸、乙酸、己二酸、檸檬酸、己二酸、乙酸，丙酸、富馬酸、乳酸、水楊酸、庚二酸、苯甲酸、琥珀酸、鄰苯二甲酸、丁酸、戊二酸、谷氨酸、乙醇酸、乳酸、天冬氨酸、酒石酸及上述的鹽形成的群中選擇的至少任何一個(gè)，且所述堿性物質(zhì)包括從氨、氨甲基丙醇amp(ammoniummethylpropanol)、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鎂、氫氧化銣、碳酸氫鈉、碳酸鈉及咪唑形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述添加劑組合物的ph可以是2至7。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，提供一種陽性拋光料漿組合物，其包括：根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的添加劑組合物；及包括拋光粒子的料漿組合物。利用所述陽性拋光料漿組合物，拋光在覆蓋晶片(blanketwafer)包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和多晶硅膜的晶片時(shí)，氧化膜：氮化膜或氧化膜：多晶硅膜的拋光選擇比可以是10:1至80:1。所述氧化膜的拋光率是至且所述氮化膜或所述多晶硅膜的拋光率可以是至利用所述陽性拋光料漿組合物，拋光在模式晶片(patternwafer)包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和多晶硅膜的晶片時(shí)，氧化膜：氮化膜或氧化膜：多晶硅膜的拋光選擇比可以是1:1至5:1。利用所述陽性拋光料漿組合物，拋光包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和多晶硅膜的晶片之后，可具有線路/空間基準(zhǔn)100μm/100μm未滿模式密度的晶片的凹陷發(fā)生量是以下，具有線路/空間基準(zhǔn)100μm/100μm以上1mm/1mm以下模式密度的晶片的凹陷發(fā)生量是以下。技術(shù)效果根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，添加劑組合物維持顯示氧(positive)電荷的陽性拋光料漿組合物和使用時(shí)的分散穩(wěn)定性和高拋光率，可顯示優(yōu)秀的拋光選擇比和高的平坦度及低的凹陷。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，陽性拋光料漿組合物包括本發(fā)明的添加劑組合物，分散穩(wěn)定性優(yōu)秀，且拋光包括氧化膜和氮化膜的晶片時(shí)，可具有優(yōu)秀的選擇比和高的拋光速度及平坦度，拋光后對(duì)拋光對(duì)象膜的凹陷、刮痕、缺陷改善具有優(yōu)秀的效果。附圖說明圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1至6、比較例1、2，評(píng)價(jià)利用料漿組合物的模式晶片時(shí)，被使用晶片的斷面結(jié)構(gòu)。具體實(shí)施方式參照以下附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施例。在說明本發(fā)明，當(dāng)判斷對(duì)有關(guān)公知功能或構(gòu)成的具體說明，不必要的模糊本發(fā)明的摘要時(shí)，對(duì)其詳細(xì)說明進(jìn)行省略。并且，在本發(fā)明所使用的用語是為了適當(dāng)?shù)谋憩F(xiàn)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而被使用的用語，這可按照用戶、運(yùn)營者的意圖或者本發(fā)明所屬領(lǐng)域的慣例等不同。因此，對(duì)本用語的定義由本說明書整個(gè)內(nèi)容為基礎(chǔ)下定結(jié)論。各圖示出的相同參照符號(hào)顯示相同的部件。在整個(gè)說明書，有些部分“包括”有些構(gòu)成要素時(shí)，在沒有特別反對(duì)的記載之外，意味著不是排除其他構(gòu)成要素，而是還可包括其他構(gòu)成要素。以下，對(duì)本發(fā)明的拋光粒子-分散層復(fù)合體及包括此的拋光料漿組合物，參照實(shí)施例及圖面進(jìn)行詳細(xì)地說明。但是，本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例及圖。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種添加劑組合物，其包括：陽離子性化合物；有機(jī)酸；非離子性化合物；及ph調(diào)節(jié)劑。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，添加劑組合物意味著為了調(diào)整如拋光速度、拋光選擇比的拋光特性，和如拋光粒子的分散性、保存穩(wěn)定性的拋光粒子特性，除了水以外，添加到拋光料漿組合物的物質(zhì)。在現(xiàn)有的料漿組合物添加劑的情況，一般以含有羥基的聚合物為基本，賦予選擇比及平坦度功能，且這優(yōu)化于陰性料漿。將現(xiàn)有的料漿組合物添加劑用于陽性料漿組合物時(shí)，因與凝聚及料漿組合物的反應(yīng)，發(fā)生拋光率、選擇比及平坦度顯著降低的問題，但是，本發(fā)明的包括陽離子性化合物；有機(jī)酸；非離子性化合物；及ph調(diào)節(jié)劑的料漿添加劑組合物，其特征為，在與陽性料漿使用的情況下，也可提供高的拋光率、選擇比及平坦度。所述陽離子性化合物是將陽離子團(tuán)或可由陽離子團(tuán)被離子化的團(tuán)，包括在主鏈或側(cè)鏈的化合物。所述陽離子性化合物可包括從氨基酸、聚亞烷基二醇及葡萄糖胺類化合物結(jié)合的高分子多糖體及含胺基聚合物形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述氨基酸提高拋光粒子的分散性，具有進(jìn)一步提高絕緣膜拋光速度的效果。例如，所述氨基酸可包括從精氨酸、賴氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、組氨酸、脯氨酸、酪氨酸、色氨酸、絲氨酸、蘇氨酸、甘氨酸、丙氨酸、β-丙氨酸、甲硫氨酸、半胱氨酸、苯丙氨酸、亮氨酸、異亮氨酸及纈氨酸形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述聚亞烷基二醇可提高如拋光選擇比、平坦度的拋光特性。例如，所述聚亞烷基二醇可包括聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇。所述葡萄糖胺化合物結(jié)合的高分子多糖體，可包括分別從甲殼素、殼聚糖、殼寡糖、多糖、蛋白聚糖、肝素、褐藻酸、纖維素、透明質(zhì)酸、角叉菜膠、β-葡聚糖和硫酸軟骨素(chondroitinsulfate)形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。包括在所述高分子多糖體的葡萄糖胺類化合物可以是葡萄糖胺或葡萄糖胺衍生物，例如，可包括從n-乙酰-d-葡糖胺、n-甲基葡糖胺、n-乙酰半乳糖胺、2-乙酰氨基-2-脫氧-β-d-葡萄糖(n-乙酰氨基葡糖)、聚(β-(1，4)-葡糖胺)-n-聚琥珀酰葡糖胺β-1-6-(pnsg)、聚β-1-6--n-乙?；咸前?pnag)、n-?；咸烟前罚咸前符}酸鹽及葡糖胺寡糖形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述含有胺的聚合物不惡化平坦度，可提升如氧化膜、氮化膜的絕緣膜的拋光速度，可抑制凹陷、刮痕、缺陷的發(fā)生。例如，所述含有胺的聚合物可包括從一級(jí)胺(primaryamine)、二級(jí)胺(secondaryamine)、三級(jí)胺(tertiaryamine)及陽離子性聚合物形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述一級(jí)至三級(jí)胺可包括從甲基胺、丁基胺、乙醇胺、異丙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二丙胺、乙二胺、丙二胺、游離胺四胺、四亞乙基五、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(amp)、二乙醇胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-1-丙醇、1-氨基-2-丙醇及1-氨基戊醇形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述陽離子性聚合物可以是在分子式內(nèi)包括兩個(gè)以上離子化陽離子的陽離子性聚合物，優(yōu)選地，可包括兩個(gè)以上的由陽離子活性的氮，且所述陽離子陽離子性聚合物可以是聚季銨形態(tài)。所述陽離子性聚合物可包括從聚(二烯丙基二甲基氯化銨)(poly(diallyldimethylammoniumchloride))；聚【雙(2-氯乙基)乙醚-鍵-1,3-雙【3-(二甲氨基)丙基】尿素】(poly【bis(2-chloroethyl)ether-alt-1,3-bis【3-(dimethylamino)propyl】urea】)；1,4-二氯-2-丁烯及具有n,n,n’,n’-四甲基-2-丁烯-1,4-二胺的2,2’,2”-次氨基三-乙醇聚合物(ethanol,2,2',2''-nitrilotris-,polymerwith1,4-dichloro-2-buteneandn,n,n',n'-tetramethyl-2-butene-1,4-diamine)；羥乙基纖維素二甲基二烯丙基氯化銨共聚物(hydroxyethylcellulosedimethyldiallylammoniumchloridecopolymer)；丙烯酰胺/二甲基二烯丙基氯化銨共聚物(copolymerofacrylamideanddiallyldimethylammoniumchloride)；丙烯酰胺/季銨化的二甲基丙烯酸乙酯共聚物(copolymerofacrylamideandquaternizeddimethylammoniumethylmethacrylate)；丙烯酸/二甲基二烯丙基氯化銨共聚物(copolymerofacrylicacidanddiallyldimethylammoniumchloride)；丙烯酰胺甲基丙烯酸甲基氯乙烯共聚物(acrylamide-dimethylaminoethylmethacrylatemethylchloridecopolymer)；季銨化羥乙基纖維素(quaternizedhydroxyethylcellulose)；乙烯基吡咯烷酮和季銨化甲基丙烯酸共聚物(copolymerofvinylpyrrolidone/quaternizeddimethylaminoethylmethacrylate)；乙烯基吡咯烷酮/季銨化乙烯基咪唑共聚物(copolymerofvinylpyrrolidoneandquaternizedvinylimidazole)；乙烯基吡咯烷酮/甲基丙烯酰丙基三甲基共聚物(copolymerofvinylpyrrolidoneandmethacrylamidopropyltrimethylammonium)；聚(2-甲基丙烯酰氧乙基)氯化銨(poly(2-methacryloxyethyltrimethylammoniumchloride))；聚(丙烯酰胺乙基三甲基氯化銨)(poly(acrylamide2-methacryloxyethyltrimethylammoniumchloride))；聚【2-(甲基丙烯酸二甲胺乙酯)氯甲烷】(poly【2-(dimethylaminoethylmethacrylatemethylchloride】)；聚【3-丙烯酰胺基丙基氯化銨】(poly【3-acrylamidopropyltrimethylammoniumchloride】)；聚【3-甲基丙烯酰丙基氯化銨】(poly【3-methacrylamidopropyltrimethylammoniumchloride】)；聚【氧乙烯(二亞胺)乙烯(二甲基亞氨基)二氯化乙烯】(poly【oxyethylene(dimethylimino)ethylene(dimethylimino)ethylenedichloride】)；丙烯酸/丙烯酰胺/二甲基二烯丙基氯化銨共聚物(terpolymerofacrylicacid,acrylamideanddiallyldimethylammoniumchloride)；丙烯酸/甲基丙烯酰胺基丙基三甲基氯化銨/丙烯酸甲酯的三元共聚物(terpolymerofacrylicacid,methacrylamidopropyltrimethylammoniumchloride,andmethylacrylate)；乙烯基己內(nèi)酰胺/乙烯基吡咯烷酮/季銨化乙烯基咪唑的三元共聚物(terpolymerofvinylcaprolactam,vinylpyrrolidone,andquaternizedvinylimidazole)；聚(2-甲基丙烯酰氧基乙基磷酰膽堿-甲基丙烯酸正丁酯)(poly(2-methacryloxyethylphosphorylcholine-co-n-butylmethacrylate))；聚【(二亞胺)丙烯酸乙酯苯甲酸氯化物季銨鹽】(pdmaeabcq)及聚【(二亞胺)丙烯酸乙酯甲基氯化物季銨鹽】(pdmaeamcq)形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述有機(jī)酸可包括從乙酸、檸檬酸、乳酸、蘋果酸、馬來酸、丙二酸、乙醇酸、丙酸、丁酸、羥基丁酸、氮基三乙酸、吡啶甲酸、煙酸、異煙酸、鐮刀菌酸、吡啶二甲酸、吡啶二羥酸、盧剔啶酸、喹啉酸、谷氨酸、丙氨酸、甘氨酸、胱氨酸、組氨酸、天冬酰胺、胍、肼、乙二胺、甲酸、苯甲酸、草酸、琥珀酸、檸檬酸、丙三羥酸、酒石酸、天冬氨酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、富馬酸、鄰苯二甲酸及吡啶羧酸形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述陽離子性聚合物和所述有機(jī)酸，可由陽離子性聚合物：有機(jī)酸以2:1至3:1比率，包括在所述添加劑組合物中。此外，所述陽離子性聚合物和所述有機(jī)酸分別以0.001重量百分比至5重量百分比，優(yōu)選地，以0.01重量百分比至3重量百分比包括在所述添加劑組合物中。在所述添加劑中，所述陽離子性聚合物和所述有機(jī)酸分別未滿0.001重量百分比時(shí)，很難體現(xiàn)所目的的拋光選擇比，發(fā)生凹陷及缺陷的問題，且超過5重量百分比時(shí)，發(fā)生凝聚，可發(fā)生對(duì)此的拋光行能低下、刮痕及缺陷的問題。所述非離子性化合物可包括從聚乙二醇(peg)、聚丙二醇(ppg)、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、環(huán)氧乙烷環(huán)氧丙烷共聚物(ethyleneoxide-propyleneoxidecopolymer)、聚乙烯丙烯共聚物(polyethylene-propylenecopolymer)、聚烷基氧化物(polyalkyloxide)、聚環(huán)氧乙烷(peo)、聚氧化乙烯(poe)及聚氧化丙烯(polypropyleneoxide)形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述非離子性化合物可由0.001重量百分比至1重量百分比，包括在所述添加劑組合物中。在所述添加劑組合物中，所述非離子性化合物未滿0.001重量百分比時(shí)，不體現(xiàn)對(duì)氮化膜或聚膜的拋光停止功能，可發(fā)生由氮化膜或聚膜過量被拋光的問題，且超過1重量百分比時(shí)，分散穩(wěn)定性低下，發(fā)生微刮痕，拋光后可憂慮再粘貼粒子等的污染。所述ph調(diào)節(jié)劑可包括從酸性物質(zhì)及堿性物質(zhì)形成的群中選擇的至少任何一個(gè)，其中，所述酸性物質(zhì)包括從硝酸、鹽酸、磷酸、硫酸、氫氟酸、氫溴酸、氫碘酸、甲酸、丙二酸、馬來酸、草酸、乙酸、己二酸、檸檬酸、己二酸、乙酸，丙酸、富馬酸、乳酸、水楊酸、庚二酸、苯甲酸、琥珀酸、鄰苯二甲酸、丁酸、戊二酸、谷氨酸、乙醇酸、乳酸、天冬氨酸、酒石酸及上述的鹽形成的群中選擇的至少任何一個(gè)，且所述堿性物質(zhì)包括從氨、氨甲基丙醇amp(ammonium)methylpropanol)、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鎂、氫氧化銣、碳酸氫鈉、碳酸鈉及咪唑形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述ph調(diào)節(jié)劑可由調(diào)節(jié)添加劑組合物ph的量添加，且根據(jù)本發(fā)明的添加劑組合物的ph可具有2至7的ph范圍。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，添加劑組合物可顯示具有陽(positive)電荷的陽性拋光料漿組合物，和使用時(shí)維持分散穩(wěn)定性和高拋光率，并優(yōu)秀的拋光選擇比和高平坦度及低的凹陷。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施例，提供一種陽性拋光料漿組合物，其包括根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的添加劑組合物及包括拋光粒子的料漿組合物。例如，本發(fā)明的料漿組合物可包括拋光粒子-分散層復(fù)合劑，其包括拋光粒子；第一分散劑，從具有共振結(jié)構(gòu)官能團(tuán)的共聚物、含有二羧基的聚合物及含有二羧基的有機(jī)酸形成的群中選擇的至少任何一個(gè)的陰離子性化合物；第二分散劑，從氨基酸、有機(jī)酸、聚亞烷基二醇及葡萄糖胺化合物結(jié)合的高分子多糖體形成的群中選擇的至少任何一個(gè)的陽離子性化合物；及第三分散劑，在分子式內(nèi)包括兩個(gè)以上的被離子化陽離子的陽離子性聚合物。所述拋光粒子和所述第一分散劑的結(jié)合，及所述第一分散劑和第二分散劑及第三分散劑中至少任何一個(gè)的結(jié)合可以是靜電結(jié)合，且所述拋光粒子表面、所述第二分散劑及第三分散劑可顯示陽電荷，所述第一分散劑顯示陰電荷。所述拋光粒子包括從金屬氧化物、有機(jī)物或無機(jī)物被涂層的金屬氧化物，及膠體狀態(tài)的所述金屬氧化物形成的群中選擇的至少任何一個(gè)，所述金屬氧化物可包括從二氧化硅、二氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁、二氧化鈦、鋇二氧化鈦、氧化鍺、氧化錳及氧化鎂形成的群中選擇的至少任何一個(gè)。所述拋光粒子的平均直徑可以是10nm至300nm。所述拋光粒子的直徑未滿10nm時(shí)，對(duì)拋光粒子大小的拋光率減少，具有很難體現(xiàn)選擇比的問題，超過300nm時(shí)，因大小大具有很難調(diào)解凹陷、表面缺陷、拋光率、選擇比的問題。所述拋光粒子可包括由液態(tài)法被制造的。液態(tài)法是將拋光粒子在水溶液中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生長結(jié)晶得到微粒子的溶膠(solgel)法，但是，可適用將拋光粒子離子在水溶液沉淀的共沉淀法，及在高溫高壓形成拋光粒子的水熱合成法等被制造。由液態(tài)法制造的拋光粒子，使拋光粒子表面具有陽電荷被分散。所述拋光粒子可以是單結(jié)晶。使用單結(jié)晶拋光粒子時(shí)，比起多結(jié)晶拋光粒子，可達(dá)到刮痕減少的效果，且可改善凹陷，并且拋光后可改善洗凈性。所述拋光粒子的形象可包括從球形、角形、針狀形象及板狀形象形成的群中選擇的至少任何一個(gè)，優(yōu)選地可以是球形。包括所述拋光粒子的料漿組合物可以是顯示陽(positive)電荷的陽性料漿組合物，所述料漿組合物可具有電動(dòng)電位為10mv至60mv的陽電動(dòng)電位。利用所述陽性拋光料漿組合物，拋光包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和多晶硅膜的晶片時(shí)，在覆蓋晶片(blanketwafer)對(duì)氧化膜：氮化膜或氧化膜：多晶硅膜的拋光選擇比可以是10:1至80:1。拋光覆蓋晶片(blanketwafer)時(shí)，所述氧化膜的拋光率是至氮化膜或多晶硅膜的拋光率可以是至此外，在模式晶片(patternwafer)露出拋光停止膜時(shí)進(jìn)行過度拋光評(píng)價(jià)凹陷時(shí)，氧化膜：氮化膜或氧化膜：多晶硅膜的拋光選擇比可以是1:1至5:1，優(yōu)選地，是1:1至3:1。利用所述陽性拋光料漿組合物，拋光包括氧化膜和氮化膜模式晶片之后，具有線路/空間基準(zhǔn)100μm未滿模式密度的晶片的凹陷發(fā)生量可以是以下，具有線路/空間基準(zhǔn)100μm以上1mm以下的模式密度的晶片的凹陷發(fā)生量是以下，且拋光后刮痕發(fā)生量可以是50ea以下。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，陽性拋光料漿組合物包括本發(fā)明的添加劑組合物，使分散穩(wěn)定性優(yōu)秀，且拋光包括氧化膜和氮化膜的晶片時(shí)，可具有優(yōu)秀的選擇比和高拋光速度及平坦度，拋光之后對(duì)于對(duì)象膜的凹陷、刮痕、缺陷的改善，具有很好的效果。以下，參照下述實(shí)施例及比較例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)地說明。但是，本發(fā)明的技術(shù)思想不受限或限定于此。<添加劑組合物準(zhǔn)備>【實(shí)施例1】在超純水將陽離子性化合物的聚【二回(2-氯乙基)乙醚-鍵-1,3-二回【3-(二甲氨基)丙基】尿素】(poly【bis(2-chloroethyl)ether-alt-1,3-bis【3-(dimethylamino)propyl】urea】，mirapol)：有機(jī)酸的乳酸以2.5:1的比率混合，添加非離子性化合物的聚乙二醇(peg)0.01重量百分比，且利用硝酸制造了ph4.5的添加劑組合物?！緦?shí)施例2】在實(shí)施例1，除了添加陽離子性化合物的組氨酸外，與實(shí)施例1相同的方法制造了添加劑組合物?！緦?shí)施例3】在實(shí)施例1，除了添加陽離子性化合物的絲氨酸外，與實(shí)施例1相同的方法制造了添加劑組合物?！緦?shí)施例4】在實(shí)施例1，除了添加有機(jī)酸的乙醇酸外，與實(shí)施例1相同的方法制造了添加劑組合物?！緦?shí)施例5】在實(shí)施例4，除了添加陽離子性化合物組氨酸外，與實(shí)施例4相同的方法制造了添加劑組合物。【實(shí)施例6】在實(shí)施例4，除了添加陽離子性化合物的絲氨酸外，與實(shí)施例4同的方法制造了添加劑組合物?！颈容^例1】在實(shí)施例1，除了沒有添加乳酸外，與實(shí)施例1相同的方法制造了添加劑組合物。【比較例2】在實(shí)施例2，除了沒有添加乳酸外，與實(shí)施例2相同的方法制造了添加劑組合物。<陽性拋光料漿組合物準(zhǔn)備>將實(shí)施例1至6、比較例1、2的添加劑組合物，分別與包括二氧化鈰拋光粒子5重量百分比的料漿組合物混合，制造了拋光料漿組合物。利用制造的實(shí)施例1至6、比較例1、2的拋光料漿組合物，由如下的拋光條件分別拋光非模式晶片npw(non-patternwafer)和模式晶片。【拋光條件】1.拋光儀器：ap-300(cts社)2.襯墊：k7(rohm&hass社)3.拋光時(shí)間：60s4.桌子rpm(tablerpm)：875.主軸rpm(spindlerpm)：936.流量(flowrate)：300ml/min7.被使用的晶片：12英寸sti模式晶片8.壓力：4.0psi圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1至6、比較例1、2，評(píng)價(jià)利用料漿組合物的模式晶片時(shí)，被使用晶片的斷面結(jié)構(gòu)?；趫D1的模式晶片的信息，在一級(jí)拋光對(duì)比一級(jí)非模式晶片npw(non-patternwafer)，設(shè)置了模式晶片過度拋光時(shí)間。設(shè)置去除時(shí)間之后，進(jìn)行過度拋光確認(rèn)了凹陷程度。以下表1顯示了拋光包括本發(fā)明的實(shí)施例1至6、比較例1、2的添加劑組合物的拋光料漿組合物的組合及利用這些的非模式晶片、模式晶片之后的凹陷結(jié)果?！颈?】參照表1，非模式晶片的拋光率在實(shí)施例1至6中，本發(fā)明的拋光率在至范圍之內(nèi)，比較例1及2在本發(fā)明的拋光率范圍之內(nèi)，但是，在模式凹陷顯示高的凹陷。此外，在凹陷側(cè)面，實(shí)施例1至6的情況，在100μm/100μm模式分別顯示以下的凹陷，在1mm/1mm模式也顯示以下的凹陷，但是，可知比較例1及2在100μm/100μm模式及1mm/1mm模式顯示高的凹陷。由此，可確認(rèn)包括本發(fā)明的實(shí)施例1至6的添加劑組合物的拋光料漿，顯示優(yōu)秀的凹陷改善效果。下表2顯示利用包括本發(fā)明的實(shí)施例1至6、比較例1及2的添加劑組合物的拋光料漿組合物的，在100μm/100μm、1mm/1mm模式晶片的拋光選擇比。評(píng)價(jià)模式晶片凹陷時(shí)，顯示氧化膜/氮化膜或氧化膜/多晶硅膜的拋光選擇比(拋光量的比)?！颈?】參照表2，實(shí)施例1至6的情況，拋光100μm/100μm模式晶片時(shí)，氧化膜/氮化膜，氧化膜/多晶硅膜的拋光選擇比顯示為3以下，且在1mm/1mm模式晶片的情況下，也可知是3以下。比較例1的情況是拋光100μm/100μm、1mm/1mm模式晶片時(shí)，顯示比較低的拋光選擇比，但是，如所述表1凹陷高，在比較例2可知100μm/100μm、1mm/1mm模式晶片，顯示超過7的高拋光選擇比。由此，可知包括本發(fā)明的實(shí)施例1至6的添加劑組合物的拋光料漿，維持優(yōu)秀的拋光率，并具有卓越的凹陷改善效果。如上述，本發(fā)明雖然由限定的實(shí)施例和圖進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施例，且本發(fā)明的技術(shù)人員可從這些記載進(jìn)行多樣地修正及變更。因此，本發(fā)明的范圍不能被說明的實(shí)施例限定，且由后述的權(quán)利要求和與此權(quán)利要求均等的被決定。當(dāng)前第1頁12當(dāng)前第1頁12