本發(fā)明涉及一種導電性粘接膜、以及將其與粘合帶貼合而形成的切割芯片接合膜。
背景技術：
：以往，在將igbt(絕緣柵雙極型晶體管，insulatedgatebipolartransistor)、mos－fet(金屬氧化物半導體-場效應晶體管，metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor)等半導體功率器件與金屬引線框架接合時，廣泛使用無鉛焊料，但最近發(fā)現(xiàn)了鉛的有害性問題。另外，近年來以尋求更高密度的能源控制為背景，正在進行使用了可耐受200℃以上的結溫的sic、gan等寬禁帶半導體的功率器件的研究，但由于鉛焊料的共晶熔點低，所以接合部分的耐熱性不足成為瓶頸?；谏鲜霰尘?，出現(xiàn)了各種不含鉛的無鉛焊料，其中auge等高熔點焊料作為寬禁帶半導體器件的接合材料而受到關注(專利文獻1)，但因材料昂貴、以及安裝溫度升高，而導致工藝成本增加，這成為瓶頸，沒有推廣普及。另外，由于大部分無鉛焊料的潤濕性較鉛焊料差，所以焊料不會向晶片焊墊部分涂敷擴展，在芯片的角等處容易形成焊料缺漏的狀態(tài)，該部分會產(chǎn)生接合不良的風險，這已成為問題。由于熔點越高則無鉛焊料的潤濕性會傾向于變得越差，所以難以兼具耐熱性和安裝可靠性。為了解決上述課題，正在進行cu/sn系焊料等擴散燒結型焊料的研究。這些擴散燒結型焊料雖然安裝時的熔點低，但在擴散燒結反應后會發(fā)生不可逆的高熔點化，因此與以往的無鉛焊料相比，有利于兼具耐熱性和安裝可靠性。但是，即使是擴散燒結型焊料，其潤濕性也略微不如無鉛焊料，因此在接合5mm2以上的大面積器件時，仍然存在著焊料缺漏的風險，并且燒結體硬而脆、應力緩和性低，因此存在著耐熱疲勞特性低、器件壽命縮短的缺點。除上述無鉛焊料以外，還使用ag膏等，但其材料成本非常高、以及ag離子的遷移所引起的污染均已成為問題。另外，已知在大部分的鉛焊料或無鉛焊料中，為了除去金屬的氧化覆膜，通常是添加松脂或醇等助焊劑(專利文獻3)，但這些助焊劑成分在吸濕后容易滲出，而且這些現(xiàn)有類型的助焊劑其去除金屬氧化覆膜的能力并不太高，因此有時還需要大量添加，從而導致滲出分量多，所以會給半導體器件接合的耐回流可靠性帶來不良影響，以往在焊料附著后必需清洗助焊劑，但其麻煩以及清洗廢液的處理均已成為問題。雖說這樣，但為了減少滲出而減少助焊劑的添加量時，氧化膜的去除能力不足，難以體現(xiàn)出導電性等其他性能?，F(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2002－307188號公報；專利文獻2：日本特開2007－152385號公報；專利文獻3：us2014/120356a1。技術實現(xiàn)要素：技術問題本發(fā)明的目的在于：提供一種在將半導體功率器件與金屬引線框架接合時耐熱性和安裝可靠性優(yōu)異、并且無鉛、環(huán)境負荷小的方案。解決問題的方案申請人深入研究的結果，完成了解決上述課題的導電性粘接膜的發(fā)明。即，本發(fā)明涉及一種導電性粘接膜，包含金屬顆粒、熱固性樹脂、和具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑，其特征在于：上述具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑選自氟化硼或其絡合物、pka＝－0.4以下的質子酸、或者將與pka＝－0.4以下的質子酸的鹽相同的陰離子和氫離子或其他陽離子組合而獲得的鹽或酸。另外，在上述具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑中，優(yōu)選銻和砷成分的總量不足0.1wt％。另外，優(yōu)選上述具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑選自氟化硼或其絡合物、氟硼酸鹽或多氟烷基硼酸或其鹽、多氟芳基硼酸或多氟烷基氟磷酸或其鹽、多氟芳基氟磷酸或其鹽。另外，優(yōu)選上述具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑選自芳基硫鎓陽離子的鹽和芳基碘鎓陽離子的鹽。另外，在上述導電性粘接膜中，優(yōu)選上述具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑的重量比例為0.3～3wt％、并且金屬顆粒的重量比例為70～96wt％。另外，優(yōu)選上述具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑的沸點或升華點在常壓下為200℃以上。另外，在上述導電性粘接膜中，優(yōu)選鉛、汞、銻和砷成分的總量不足0.1wt％。另外，優(yōu)選上述金屬顆粒的至少一部分包含cu、ni、sn的任一種。另外，優(yōu)選上述金屬顆粒為包含彼此可形成金屬間化合物的組合在內(nèi)的兩種以上的金屬的混合物。另外，優(yōu)選上述兩種以上的金屬顆粒中的至少兩種選自cu、ag、ni、ti、al、sn、zn、au、in。而且，優(yōu)選燒結前在100℃～250℃存在至少一個通過dsc(差示掃描量熱測定)觀測到的吸熱峰，并且在燒結后觀測不到該吸熱峰。而且，優(yōu)選上述熱固性樹脂包含1分子中含有2單位以上的亞氨基的馬來酰亞胺化合物。而且，優(yōu)選馬來酰亞胺化合物包含來自c10以上的脂肪族胺的骨架。而且，本發(fā)明的導電性粘接膜優(yōu)選還包含環(huán)氧化合物。而且，本發(fā)明還涉及一種將上述導電性粘接膜與粘合帶貼合而形成的切割芯片接合膜。發(fā)明效果通過使用本發(fā)明所提供的導電性粘接膜、或者將其與切割帶組合而獲得的切割芯片接合膜，可以提供一種廉價且環(huán)境負荷也小的元件，該元件雖然可以在低溫下進行安裝但燒結后的耐熱性優(yōu)異，不存在焊料缺漏不良，即使省去了助焊劑清洗工序，其耐熱疲勞和吸濕后耐回流性也優(yōu)異，可以將功率半導體與引線框架等進行電性接合。附圖說明圖1是顯示本發(fā)明的實施方式所涉及的切割·芯片接合膜的剖面圖。圖2是顯示將本發(fā)明的切割·芯片接合膜與半導體貼合后的狀態(tài)的圖。圖3是用于說明切割工序的圖。圖4是用于說明拾取工序的圖。圖5是用于說明芯片接合工序的圖。圖6是顯示模制完成的半導體器件的剖面的圖。圖7是顯示各酸的摩爾吸光系數(shù)圖譜的圖。具體實施方式本發(fā)明的導電性粘接膜的特征在于：至少包含金屬顆粒、熱固性樹脂、和具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑。金屬顆粒負責導電性和導熱性，熱固性樹脂賦予燒結前的薄膜性和對由于燒結后的熱循環(huán)而產(chǎn)生的應力等的緩和性，具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑具有所謂“助焊劑”的功能、即通過除去金屬顆粒表面的氧化膜而有助于其發(fā)揮作用。(金屬顆粒)本發(fā)明的金屬顆粒，從雖然降低安裝溫度但燒結后具有安裝溫度以上的耐熱性的角度考慮，優(yōu)選其中至少一部分包含彼此可形成金屬間化合物的組合。作為可形成金屬間化合物的金屬的組合，例如可以列舉：cu或ni或ag與sn或zn的組合、ag與sn的組合、ni或sn或al與ti的組合、au與in的組合等，但從降低分開安裝溫度的角度考慮，優(yōu)選包含低熔點的sn的組合，特別優(yōu)選為包含cu或ni和sn的組合。除上述可形成金屬間化合物的金屬的組合以外，根據(jù)需要，還可以加入其他的金屬成分。例如，還可以在sn中加入zn或bi、ag、in、ga、pd等預先進行合金化，再將該合金化物制成顆粒后使用，從而進一步進行低熔點化。上述金屬顆粒在導電性粘接膜中的重量比例優(yōu)選為70～96wt％。(此外，這種情況下的“粘接膜”不包括pet等的基材重量。下同。)從低環(huán)境負荷的角度考慮，上述金屬顆粒中盡量不含鉛、汞、銻和砷，具體而言，在導電性粘接膜中鉛、汞、銻和砷不足0.1wt％。在后述的切割后進行的燒結前，因具有可歸屬于通過dsc以吸熱峰的形式觀測到的至少一種金屬成分的熔點，故在被粘附體表面涂布該成分可有利于低溫下的安裝。而且，由于該成分在燒結后通過金屬間的擴散反應而高熔點化，所以例如在安裝后即使利用高熔點無鉛焊料進行引線接合或者進行回流處理等，也具有可耐受的充分的耐熱性。安裝溫度優(yōu)選為100～250℃，進一步優(yōu)選為100～200℃。耐熱溫度優(yōu)選為250℃以上，進一步優(yōu)選為300℃以上。(熱固性樹脂)從耐熱性和混合金屬顆粒時的薄膜性的角度考慮，熱固性樹脂優(yōu)選為1分子中包含2單位以上的亞氨基的馬來酸亞胺樹脂(馬來酰亞胺樹脂)或環(huán)氧樹脂。上述馬來酸亞胺樹脂例如可以通過將馬來酸或其酸酐與二胺或多元胺縮合等而獲得，但從應力緩和性的角度考慮，優(yōu)選為包含來自c10以上的脂肪族胺的骨架的馬來酸亞胺樹脂，特別優(yōu)選為c30以上，優(yōu)選為具有下述式(1)這樣的骨架的馬來酸亞胺樹脂。式(1)[化學式1]在上述馬來酸亞胺樹脂中，通過包含來自馬來酸以外的酸成分、例如均苯四甲酸或其酸酐、羥基鄰苯二甲酸二醚酯或其酸酐等的骨架，可以調整分子量或tg等。作為馬來酸亞胺樹脂的固化劑，優(yōu)選酚醛樹脂、自由基發(fā)生劑等。作為這種結構的雙馬來酰亞胺樹脂，例如可以列舉如下述結構式所示的樹脂。[化學式2]此外，上式中“c36”是指下述結構。[化學式3]當選擇環(huán)氧樹脂作為熱固性樹脂時，從應力緩和性與薄膜性的平衡的角度考慮，優(yōu)選雙酚a型環(huán)氧樹脂和雙酚f型環(huán)氧樹脂以及它們的組合，進一步優(yōu)選為它們與作為分子量大的環(huán)氧樹脂的苯氧樹脂的混合物。作為環(huán)氧樹脂的固化劑，可以選擇酸酐、酚醛樹脂、胺、咪唑或雙氰胺等。通過包含如上所述的具備了應力緩和性的熱固性樹脂，本發(fā)明的導電性粘接膜的燒結體可克服因現(xiàn)有的僅為金屬的無鉛焊料硬而脆故熱疲勞特性差的缺點，同時可確保燒結前的薄膜性。(具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑)具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑是i)氟化硼或其絡合物、或者ii)pka＝－0.4以下的質子酸、或者iii)將與pka＝－0.4以下的質子酸的鹽相同的陰離子和氫離子或其他陽離子組合而獲得的鹽或酸，從而使得金屬氧化膜的去除能力遠遠優(yōu)于以往經(jīng)常用作鉛焊料或無鉛焊料的助焊劑的pka＝+4～+5左右的松香酸或茴香酸等，因此，即使是遠少于以往的助焊劑的量也可發(fā)揮效果。此外，“熱產(chǎn)酸劑”是指通過加熱而顯示出路易斯酸性的化合物，是一種雖然在室溫下未必顯示出強的路易斯酸性、但在加熱時會顯示出強的路易斯酸性的材料。尤其是在與烴化合物等的共存下、在80～200℃左右的加熱時因抽取氫而產(chǎn)生質子酸的類型的熱產(chǎn)酸劑，其使燒結前的材料在室溫下以未反應的狀態(tài)使物理性質穩(wěn)定以進行長期保管，但在燒結時會迅速起到助焊劑的作用，因此優(yōu)選。作為這樣的熱產(chǎn)酸劑，例如可以列舉：將三氟化硼與路易斯堿性化合物組合而獲得的絡合物、以及將芳基碘鎓陽離子或芳基硫鎓陽離子與和質子酸或其鹽相同的陰離子組合而獲得的鹽。這里，氟硼酸(四氟硼酸)的酸解離常數(shù)pka為－0.4，pka＝－0.4以下的質子酸是指酸性在氟硼酸以上的強酸。根據(jù)物質有時還無法求出酸解離常數(shù)pka的值，但酸的相對強弱可根據(jù)反應性來定義。例如，在下面這樣的平衡狀態(tài)下，當反應向右大幅進行時，a’是比a強的酸。根據(jù)這樣的反應性，可得到酸相對于氟硼酸的強度。作為這樣的具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑，其中i)氟化硼或其絡合物例如可以列舉三氟化硼、或三氟化硼與苯酚或吡啶或聯(lián)吡啶等的胺絡合物等；上述ii)pka＝－0.4以下的質子酸可以列舉將四氟硼酸陰離子、六氟磷酸陰離子或氟銻酸陰離子或多氟烷基硼酸陰離子或多氟芳基硼酸陰離子或多氟烷基氟磷酸陰離子與質子組合而獲得的酸等；iii)將與pka＝－0.4以下的質子酸的鹽相同的陰離子和氫離子或其他陽離子組合而獲得的鹽或酸中的陽離子可以列舉芳基碘鎓陽離子或芳基硫鎓陽離子等。其中，從與環(huán)氧樹脂或聚酰亞胺樹脂等熱固性樹脂成分的相容性和保存穩(wěn)定性的角度考慮，優(yōu)選三氟化硼與苯酚或胺的絡合物、或者將四氟硼酸陰離子或六氟磷酸陰離子或氟銻酸陰離子或多氟烷基硼酸陰離子或多氟芳基硼酸陰離子或多氟烷基氟磷酸陰離子或多氟芳基氟磷酸陰離子與芳基碘鎓陽離子或芳基硫鎓陽離子組合而獲得的鹽，而且，由于氟銻酸鹽、多氟烷基硼酸鹽、多氟芳基硼酸鹽特別是氧化膜的去除能力強且其中大部分鹽的沸點或升華點在常壓下為200℃以上，因此燒結時在粘接膜中產(chǎn)生空隙而使接合的強度及可靠性降低的風險小，而且多氟烷基硼酸鹽或多氟芳基硼酸鹽不含毒性高的銻，所以在低環(huán)境負荷方面優(yōu)選，又由于其呈親油性，所以也容易溶解于有機溶劑等中再分散于熱固性樹脂中，因此從薄膜的制造性方面考慮也優(yōu)選。這些具有路易斯酸性的鹽或熱產(chǎn)酸劑還起到環(huán)氧樹脂或馬來酰亞胺樹脂的潛在性固化劑、或潛在性固化催化劑的作用。從充分具有去除金屬氧化膜的能力、同時避免因滲出引起的吸濕后回流可靠性降低的風險的角度考慮，上述具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑在導電性粘接膜中的重量比例優(yōu)選為0.3～3wt％，進一步優(yōu)選為0.5～1wt％。因助焊劑成分極少，即使不經(jīng)過助焊劑清洗工序也可降低滲出的風險，可以確保充分的可靠性。金屬顆粒的重量比例優(yōu)選為70～96wt％。通過將金屬顆粒的重量比例設為70wt％以上，可以使金屬顆粒彼此接觸，能夠降低體積電阻率。另外，通過將金屬顆粒的重量比例設為96wt％以下，可以確保將組合物形成薄膜狀的薄膜性。由于本發(fā)明的導電性粘接膜呈膜狀，所以例如在將其帖在形成有功率半導體器件的晶片的背面、并將晶片分割成每個器件而形成芯片的切割工序中可以將粘接膜連同晶片一起分割，由此可以容易地將粘接膜恰好地安裝在器件的整個背面，且與焊料的潤濕性、即潤濕擴散或溢出等因身為液體而產(chǎn)生的問題無關。另外，由于是按照預先規(guī)定的厚度調整粘接膜，因此與現(xiàn)有的焊料或導電膏相比還可以高精度地調節(jié)芯片接合后的器件的高度。而且，通過將本發(fā)明的導電性粘接膜與切割帶組合形成切割芯片接合膜，可以一次性將粘接膜和切割帶與晶片貼合，能夠省略工序。根據(jù)附圖，對上述方案進行說明。圖1是顯示本申請發(fā)明的切割芯片接合膜10的剖面圖。切割芯片接合膜10主要由切割帶12、粘接膜13構成。切割芯片接合膜10是半導體加工用帶的一個例子，根據(jù)使用工序或裝置，可以將其預先切割(預切割)成規(guī)定的形狀，也可以切割成一塊一塊的半導體晶片，可以呈長的筒狀。切割帶12由支撐基材12a和形成于其上的粘合劑層12b構成。剝離處理pet11覆蓋切割帶12，保護著粘合劑層12b及粘接膜13。作為支撐基材12a，優(yōu)選呈放射線透過性，具體而言，通常使用塑料、橡膠等，只要透過放射線即可，沒有特別限定。對粘合劑層12b的粘合劑的基質樹脂組合物沒有特別限定，使用通常的放射線固化性粘合劑。優(yōu)選為具有羥基等能與異氰酸酯基反應的官能團的丙烯酸酯系粘合劑。雖然沒有特別限定，但丙烯酸酯系粘合劑優(yōu)選碘值為30以下、且具有放射線固化性碳－碳雙鍵結構。作為本申請發(fā)明的粘接膜13的構成，如上所述，從將半導體功率器件與金屬引線框架接合時耐熱性和安裝可靠性優(yōu)異、且環(huán)境負荷小的角度考慮，非常優(yōu)選為包含金屬顆粒、熱固性樹脂和具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑的導電性粘接膜。(切割芯片接合膜的使用方法)在制造半導體裝置時，可以適當使用本發(fā)明的切割芯片接合膜10。首先，從切割芯片接合膜10上取下剝離處理pet11，如圖2所示，在半導體晶片1上貼附粘接膜13，利用環(huán)形框架20固定切割帶12的側部。環(huán)形框架20是切割用框架的一個例子。粘接膜13層疊在切割帶12的貼有半導體晶片1的部位。在切割帶12的與環(huán)形框架20接合的部位不存在粘接膜13。之后，如圖3所示，利用吸附臺22來吸附、固定切割帶12的下面，同時使用切割刀片21將半導體晶片1切割成規(guī)定的尺寸，制造多個半導體芯片2。之后，如圖4所示，利用環(huán)形框架20將切割帶12固定，在此狀態(tài)下使帶上凸環(huán)30上升，將切割帶12的中央部盤曲在上方，同時對切割帶12照射紫外線等放射線，以減弱切割帶12的粘合力。之后，對于每個半導體芯片在其所對應的位置升高頂出針31，利用吸附筒夾32拾取半導體芯片2。之后，如圖5所示，將所拾取的半導體芯片2與引線框架4等支撐部材及其他半導體芯片2粘接(芯片接合工序)，如圖6所示，經(jīng)過al線的布設、以及樹脂模制、加熱固化、燒結等工序，得到半導體裝置。實施例下面，通過實施例來具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明不該受到該實施例的任何限定、約束。此外，wt％表示重量％。＜實施例1～7＞按照表1的組成，在金屬顆粒為92wt％、樹脂為7wt％、具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑(助焊劑)為1wt％的混合物中加入甲苯制成漿液，將所得漿液用行星式攪拌機攪拌后薄薄地涂在進行了脫模處理的pet上，在120℃下干燥，得到了厚40μm的粘接膜。表1中，bmi－3000是指下述結構(n＝1～10)。[化學式4]此外，雖然沒有求出實施例1～7中使用的產(chǎn)酸劑(助焊劑)的pka值，但根據(jù)其與氟硼酸的反應性判定了pka是否為－0.4以下。給出具體的方法。將顯色試劑(三苯基甲醇)溶解于二乙醚：1,2－二氯乙烷＝1：1的混合溶劑中，調制了顯色試劑溶液a。接下來，將表1中記載的各酸用二乙醚稀釋或溶解，調制了與上述顯色試劑溶液a相同濃度的酸溶液b。對于顯色試劑溶液a與酸溶液b的混合溶液c，使用紫外、可見分光光度計((株)島津制作所制造的uv－1800)測定450nm的吸光度，該吸光度來自下述反應式所示的通過顯色試劑三苯基甲醇的脫水進行的三苯甲基化顯色反應，再根據(jù)該值并根據(jù)混合溶液c中的顯色試劑的濃度計算摩爾吸光系數(shù)，如表1所示，確認到了：酸的pka越小，則該摩爾吸光系數(shù)越大。該摩爾吸光系數(shù)圖譜見圖7。這里，圖7中的圖譜分別如下。a：僅三苯基甲醇(沒有酸)b：戊酸c：三氯乙酸d：四氟硼酸e：锍鹽(加熱)f：锍鹽(未加熱)[化學式5][表1]酸pka摩爾吸光系數(shù)@450nm戊酸4.80.27mol-1·cm-1三氯乙酸0.70.54mol-1·cm-1四氟硼酸-0.48.14mol-1·cm-1锍鹽(加熱)？9.50mol-1·cm-1锍鹽(未加熱)？0.24mol-1·cm-1三苯基甲醇-0.29mol-1·cm-1將三苯基甲醇溶解于1,4－二惡烷中，調制了顯色試劑溶液a’。接下來，將實施例的各產(chǎn)酸劑和作為氫源的三苯基甲烷溶解于甲苯或碳酸丙烯酯中，調制與上述顯色試劑溶液a’相同濃度的產(chǎn)酸劑溶液b’，之后在100℃下攪拌1小時，通過向來自三苯基甲烷的產(chǎn)酸劑中抽入氫的反應進行產(chǎn)酸處理。對于顯色試劑溶液a’與產(chǎn)酸劑溶液b’的混合溶液c’，使用紫外·可見分光光度計((株)島津制作所制造的uv－1800)測定450nm的吸光度，該吸光度來自上述反應式所示的通過顯色試劑三苯基甲醇的脫水進行的三苯甲基化顯色反應，再根據(jù)該值并根據(jù)混合溶液c’中的顯色試劑的濃度計算摩爾吸光系數(shù)，根據(jù)與pka＝－0.4的四氟硼酸相比是大還是小，判定了pka的值是否為－0.4以下。由此，確認了實施例中使用的產(chǎn)酸劑(助焊劑)的pka值為－0.4以下。＜比較例1、比較例2＞除了按照表2的組成形成了金屬顆粒為85wt％、樹脂為8wt％、助焊劑為7wt％的組成以外，按照與實施例相同的方法制作了粘接膜。此外，比較例2中使用的松香酸的pka為約+4.6。＜比較例3＞按照表2的組成，利用與實施例相同的方法制作了粘接膜。即，在比較例2中，作為助焊劑的松香酸的添加量為1wt％。＜支撐基材＞將市售的由低密度聚乙烯構成的樹脂珠粒(日本聚乙烯(株)制造、novatecll)在140℃下熔融，使用擠出機成型成厚100μm的長薄膜狀。＜粘合劑組合物＞將丙烯酸正辛酯、丙烯酸－2－羥乙酯、甲基丙烯酸、作為聚合引發(fā)劑的過氧化苯甲酰的200：10：5：2(重量比)的混合物分散在適量的甲苯中，調整反應溫度和反應時間，得到了具有官能團的丙烯酸樹脂的溶液。接下來，向該丙烯酸樹脂溶液中加入相對于100重量份的上述丙烯酸樹脂溶液為2重量份的作為聚異氰酸酯的coronatel(日本聚氨酯制造)、和作為追加溶劑的適量的甲苯，進行攪拌，得到了粘合劑組合物1。＜切割帶＞在支撐基材上涂布上述粘合劑組合物使粘合劑組合物1的干燥后的厚度達到5μm，將其在120℃下干燥3分鐘，制成了切割帶。對于通過實施例1～5、比較例1～3得到的粘接膜、以及使用了該粘接膜的切割芯片接合帶，就以下記載的項目進行了評價，結果同樣見表2?！んw積電阻率···利用依據(jù)jis－k7194的四探針法進行測定·dsc···使用dsc測定裝置(日立high-tech制造的dsc7000)，對于燒結前的各樣品確認了在200～250℃的溫度范圍是否存在吸熱峰。然后，將各樣品在氮中、在250℃下燒結了4小時，對所得燒結物進行了同樣的測定。·粘接力···通過將粘接膜與切割帶貼合，調制了芯片接合膜，在100℃下將其與背面鍍au的si晶片貼合，之后切割成5mm2，得到了單片的芯片和粘接膜。在140℃下在鍍ag的金屬引線框架上接合芯片，之后在230℃下燒結3小時，對于所制得的樣品，使用芯片剪切測定儀(arc&tec制造、4000系列)測定了260℃下的剪切粘接力?！ct后的粘接力···對與上述相同的樣品進行－40～+150℃×200的冷熱沖擊(tct)處理，之后測定了260℃下的剪切粘接力?！sl－lv1、lv2后是否發(fā)生pkg剝離···將與粘接力相同的樣品用環(huán)氧系模制樹脂密封，之后通過jedecj－std－020d1中規(guī)定的吸濕后回流試驗(基于無鉛焊料)的msl－lv1、lv2(參照表3)進行處理，然后使用超聲波圖像裝置(日立powersolution制造、sat)觀察內(nèi)部是否發(fā)生了剝離。[表2][表3]msl吸濕條件回流等級溫度lv.185℃-85％rh×168小時260℃lv.285℃-60％rh×168小時260℃由上述結果證實：包含金屬顆粒、熱固性樹脂和作為助焊劑的具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑、且上述具有路易斯酸性的化合物或熱產(chǎn)酸劑的pka小于－0.4的實施例1～7的導電性粘接膜，盡管其中未使用環(huán)境負荷高的鉛焊料、而且助焊劑的添加量也少至1wt％，但卻兼具耐熱性、吸濕可靠性和結合可靠性，發(fā)揮著現(xiàn)有技術所沒有的顯著效果。相對于此，在作為助焊劑使用了不是路易斯酸或熱產(chǎn)酸劑的四甘醇的比較例1、以及使用了雖然是路易斯酸但pka高的松香酸的比較例2中，證實了由于tct后的粘接力低、而且在比較例1、2中使用了許多助焊劑，所以在msl試驗后仍顯示出內(nèi)部剝離等，難以實現(xiàn)吸濕可靠性和結合可靠性。另外，由松香酸的添加量與實施例一樣少的比較例3證實了：其與本申請實施例的差異越來越明顯，與實施例相比粘接力大幅變差。另外，由于松香酸是弱酸，所以當添加像實施例那樣少量的松香酸時無法除去氧化膜。因此，氧化膜成為阻礙，金屬間的擴散反應沒有進行，因此得到了燒結后仍殘留有吸熱峰的結果。附圖標記說明1：半導體晶片；1a：背面鍍au層2：半導體芯片；4：金屬引線框架；4a：鍍ag層；5：模制樹脂；6：al線；10：切割芯片接合膜；11：剝離處理pet；12：切割帶；12a：支撐基材；12b：粘合劑層；13：粘接膜；20：環(huán)形框架；21：切割刀片；22：吸附臺；30：帶上凸環(huán)；31：上凸銷；32：吸附筒夾。當前第1頁12