說明

本發(fā)明涉及苯并噻吩并噻吩異靛聚合物、這些聚合物的制備方法、中間體、包含這些聚合物的電子器件以及這些聚合物作為半導(dǎo)體材料的用途。

有機(jī)半導(dǎo)體材料可用于電子器件，如有機(jī)光伏器件(opvs)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ofets)、有機(jī)發(fā)光二極管(oleds)、有機(jī)光電二極管(opds)和有機(jī)電致變色器件(ecds)。

有機(jī)半導(dǎo)體材料最好與液體加工技術(shù)(如旋涂)相容，因?yàn)橐后w加工技術(shù)從可加工性的角度看方便，因此能夠制造基于低成本有機(jī)半導(dǎo)體材料的電子器件。此外，液體加工技術(shù)也與塑料基底相容，因此能夠制造基于輕質(zhì)和機(jī)械柔性的有機(jī)半導(dǎo)體材料的電子器件。

為了用于有機(jī)光伏器件(opvs)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ofets)和有機(jī)光電二極管(opds)，該有機(jī)半導(dǎo)體材料更合意地表現(xiàn)出高載流子遷移率。

為了用于有機(jī)光伏器件(opvs)和有機(jī)光電二極管(opds)，該有機(jī)半導(dǎo)體材料還應(yīng)表現(xiàn)出對(duì)可見光和近紅外線的強(qiáng)吸收。

異靛型化合物作為電子器件中的半導(dǎo)體材料的用途是本領(lǐng)域中已知的。

wo2009/053291描述了包含下列單元的半導(dǎo)體聚合物

和包含這些聚合物的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

本發(fā)明的目的是提供有機(jī)半導(dǎo)體材料。

通過權(quán)利要求1的聚合物、權(quán)利要求10的方法、權(quán)利要求11的中間體和權(quán)利要求12和13的電子器件和權(quán)利要求14的用途解決這一目的。

本發(fā)明的聚合物包含至少一種式(1)的單元

其中

r¹在每種情況下選自h、c1-100-烷基、c2-100-烯基、c2-100-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基、5至20元雜芳基、c(o)-c1-100-烷基、c(o)-c5-12-環(huán)烷基和c(o)-oc1-100-烷基，

其中

c1-100-烷基、c2-100-烯基和c2-100-炔基可以被1至40個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^a、oc(o)-r^a、c(o)-or^a、c(o)-r^a、nr^ar^b、nr^a-c(o)r^b、c(o)-nr^ar^b、n[c(o)r^a][c(o)r^b]、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素、cn和no2的取代基取代；且c1-100-烷基、c2-100-烯基和c2-100-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-12-環(huán)烷基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^a、oc(o)-r^a、c(o)-or^a、c(o)-r^a、nr^ar^b、nr^a-c(o)r^b、c(o)-nr^ar^b、n[c(o)r^a][c(o)r^b]、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素、cn和no2的取代基取代；且c5-12-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nr^a或nr^a-co替代，

c6-18-芳基和5至20元雜芳基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^a、oc(o)-r^a、c(o)-or^a、c(o)-r^a、nr^ar^b、nr^a-c(o)r^b、c(o)-nr^ar^b、n[c(o)r^a][c(o)r^b]、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素、cn和no2的取代基取代，

其中

r^a和r^b獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

r^sia、r^sib和r^sic獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、o-c1-60-烷基、o-c2-60-烯基、o-c2-60-炔基、o-c5-8-環(huán)烷基、o-c6-14-芳基、o-5至14元雜芳基、-[o-sir^sidr^sie]o-r^sif、nr⁵r⁶、鹵素和o-c(o)-r⁵，

其中

o是1至50的整數(shù)，

r^sid、r^sie、r^sif獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、o-c1-60-烷基、o-c2-60-烯基、o-c2-60-炔基、o-c5-8-環(huán)烷基、o-c6-14-芳基、o-5至14元雜芳基、-[o-sir^sigr^sih]p-r^sii、nr⁵⁰r⁶⁰、鹵素和o-c(o)-r⁵⁰；

其中

p是1至50的整數(shù)，

r^sigr^sih、r^sii獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、o-c1-30-烷基、o-c2-30-烯基、o-c2-30-炔基、o-c5-6-環(huán)烷基、o-c6-10-芳基、o-5至10元雜芳基、o-si(ch3)3、nr⁵⁰⁰r⁶⁰⁰、鹵素和o-c(o)-r⁵⁰⁰，

r⁵、r⁶、r⁵⁰、r⁶⁰、r⁵⁰⁰和r⁶⁰⁰獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

c1-60-烷基、c2-60-烯基和c2-60-炔基可以被1至20個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、or^c、oc(o)-r^c、c(o)-or^c、c(o)-r^c、nr^cr^d、nr^c-c(o)r^d、c(o)-nr^cr^d、n[c(o)r^c][c(o)r^d]、sr^c、si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、-o-si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、鹵素、cn和no2的取代基取代；且c1-60-烷基、c2-60-烯基和c2-60-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、or^c、oc(o)-r^c、c(o)-or^c、c(o)-r^c、nr^cr^d、nr^c-c(o)r^d、c(o)-nr^cr^d、n[c(o)r^c][c(o)r^d]、sr^c、si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、-o-si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、鹵素、cn和no2的取代基取代；且c5-8-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nr^c或nr^c-co替代，

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、or^c、oc(o)-r^c、c(o)-or^c、c(o)-r^c、nr^cr^d、nr^c-c(o)r^d、c(o)-nr^cr^d、n[c(o)r^c][c(o)r^d]、sr^c、si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、-o-si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^c和r^d獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基，

r^sij、r^sik和r^sil獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、o-c1-30-烷基、o-c2-30-烯基、o-c2-30-炔基、o-c5-6-環(huán)烷基、o-c6-10-芳基、o-5至10元雜芳基、-[o-sir^simr^sin]q-r^sio、nr⁷r⁸、鹵素和o-c(o)-r⁷，

其中

q是1至50的整數(shù)，

r^sim、r^sin、r^sio獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、o-c1-30-烷基、o-c2-30-烯基、o-c2-30-炔基、o-c5-6-環(huán)烷基、o-c6-10-芳基、o-5至10元雜芳基、-[o-sir^sipr^siq]r-r^sir、nr⁷⁰r⁸⁰、鹵素和o-c(o)-r⁷⁰；

其中

r是1至50的整數(shù)，

r^sip、r^siq、r^sir獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、o-c1-30-烷基、o-c2-30-烯基、o-c2-30-炔基、o-c5-6-環(huán)烷基、o-c6-10-芳基、o-5至10元雜芳基、o-si(ch3)3、nr⁷⁰⁰r⁸⁰⁰、鹵素和o-c(o)-r⁷⁰⁰，

r⁷、r⁸、r⁷⁰、r⁸⁰、r⁷⁰⁰和r⁸⁰⁰獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基和5至10元雜芳基，

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代，

r²在每種情況下選自氫、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基、5至20元雜芳基、or²¹、oc(o)-r²¹、c(o)-or²¹、c(o)-r²¹、nr²¹r²²、nr²¹-c(o)r²²、c(o)-nr²¹r²²、n[c(o)r²¹][c(o)r²²]、sr²¹、鹵素、cn、sir^sisr^sitr^siu和oh，

其中

r²¹和r²²獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基，且

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^e、oc(o)-r^e、c(o)-or^e、c(o)-r^e、nr^er^f、nr^e-c(o)r^f、c(o)-nr^er^f、n[c(o)r^e][c(o)r^f]、sr^e、鹵素、cn、sir^sisr^sitr^siu和no2的取代基取代；且c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-12-環(huán)烷基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^e、oc(o)-r^e、c(o)-or^e、c(o)-r^e、nr^er^f、nr^e-c(o)r^f、c(o)-nr^er^f、n[c(o)r^e][c(o)r^f]、sr^e、鹵素、cn、sir^sisr^sitr^siu和no2的取代基取代；且c5-12-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nr^e或nr^e-co替代，

c6-18-芳基和5至20元雜芳基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^e、oc(o)-r^e、c(o)-or^e、c(o)-r^e、nr^er^f、nr^e-c(o)r^f、c(o)-nr^er^f、n[c(o)r^e][c(o)r^f]、sr^e、鹵素、cn、sir^sisr^sitr^siu和no2的取代基取代，

其中

r^sis、r^sit和r^siu互相獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、苯基和o-si(ch3)3，

r^e和r^f獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^g、oc(o)-r^g、c(o)-or^g、c(o)-r^g、nr^gr^h、nr^g-c(o)r^h、c(o)-nr^gr^h、n[c(o)r^g][c(o)r^h]、sr^g、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^g、oc(o)-r^g、c(o)-or^g、c(o)-r^g、nr^gr^h、nr^g-c(o)r^h、c(o)-nr^gr^h、n[c(o)r^g][c(o)r^h]、sr^g、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^g、oc(o)-r^g、c(o)-or^g、c(o)-r^g、nr^gr^h、nr^g-c(o)r^h、c(o)-nr^gr^h、n[c(o)r^g][c(o)r^h]、sr^g、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^g和r^h獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代，

n是0、1、2或3，

m是0、1、2或3，

且

l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自c6-18-亞芳基、5至20元雜亞芳基，

其中

c6-18-亞芳基和5至20元雜亞芳基可以被1至6個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、or³¹、oc(o)-r³¹、c(o)-or³¹、c(o)-r³¹、nr³¹r³²、nr³¹-c(o)r³²、c(o)-nr³¹r³²、n[c(o)r³¹][c(o)r³²]、sr³¹、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和oh的取代基r³取代，且

其中

可以被1或2個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、c(o)-r⁴¹、c(o)-nr⁴¹r⁴²、c(o)-or⁴¹和cn的取代基r⁴取代，

其中

r³¹、r³²、r⁴¹和r⁴²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基，且

其中

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-12-環(huán)烷基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c5-12-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nrⁱ或nrⁱ-co替代，

c6-18-芳基和5至20元雜芳基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代，

其中

r^siv、r^siw、r^six互相獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、苯基和o-si(ch3)3，

rⁱ和r^j獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^k和r^l獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代。

鹵素可以是f、cl、br和i。

c1-4-烷基、c1-10-烷基、c1-20-烷基、c1-30-烷基、c1-36-烷基、c1-50-烷基、c1-60-烷基和c1-100-烷基可以是支化或未支化的。c1-4-烷基的實(shí)例是甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基和叔丁基。c1-10-烷基的實(shí)例是c1-4-烷基、正戊基、新戊基、異戊基、正-(1-乙基)丙基、正己基、正庚基、正辛基、正(2-乙基)己基、正壬基和正癸基。c1-20-烷基的實(shí)例是c1-10-烷基和正十一烷基、正十二烷基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基和正二十烷基(c20)。c1-30-烷基、c1-36-烷基、c1-50-烷基、c1-60-烷基和c1-100-烷基的實(shí)例是c1-20-烷基和正-二十二烷基(c22)、正-二十四烷基(c24)、正-二十六烷基(c26)、正-二十八烷基(c28)和正-三十烷基(c30)。

c2-10-烯基、c2-20-烯基、c2-30-烯基、c2-60-烯基和c2-100-烯基可以是支化或未支化的。c1-20-烯基的實(shí)例是乙烯基、丙烯基、順式-2-丁烯基、反式-2-丁烯基、3-丁烯基、順式-2-戊烯基、反式-2-戊烯基、順式-3-戊烯基、反式-3-戊烯基、4-戊烯基、2-甲基-3-丁烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基、壬烯基和十二碳烯基(docenyl)。c2-20-烯基、c2-60-烯基和c2-100-烯基的實(shí)例是c2-10-烯基和亞油基(c18)、亞麻基(c18)、油基(c18)和廿碳四烯基(arachidonyl)(c20)。c2-30-烯基的實(shí)例是c2-20-烯基和二十二烯基(c22)。

c2-10-炔基、c2-20-炔基、c2-30-炔基、c2-60-炔基和c2-100-炔基可以是支化或未支化的。c2-10-炔基的實(shí)例是乙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基、壬炔基和癸炔基。c2-20-炔基、c2-30-烯基、c2-60-炔基和c2-100-炔基的實(shí)例是十一炔基、十二炔基、十一炔基(undecynyl)、十二炔基(dodecynyl)、十三炔基、十四炔基、十五炔基、十六炔基、十七炔基、十八炔基、十九炔基和二十炔基(c20)。

c5-6-環(huán)烷基的實(shí)例是環(huán)戊基和環(huán)己基。c5-8-環(huán)烷基的實(shí)例是c5-6-環(huán)烷基和環(huán)庚基和環(huán)辛基。c5-12-環(huán)烷基是c5-8-環(huán)烷基和環(huán)壬基、環(huán)癸基、環(huán)十一烷基和環(huán)十二烷基。

c6-10-芳基的實(shí)例是苯基、

c6-14-芳基的實(shí)例是c6-10-芳基和

c6-18-芳基的實(shí)例是c6-14-芳基和

5至10元雜芳基是5至10元單環(huán)或多環(huán)，如二環(huán)、三環(huán)或四環(huán)的環(huán)系，其包含至少一個(gè)雜芳環(huán)并且還可包含非芳環(huán)，其可被＝o取代。

5至14元雜芳基是5至14元單環(huán)或多環(huán)，如二環(huán)、三環(huán)或四環(huán)的環(huán)系，其包含至少一個(gè)雜芳環(huán)并且還可包含非芳環(huán)，其可被＝o取代。

5至20元雜芳基是5至20元單環(huán)或多環(huán)，如二環(huán)、三環(huán)或四環(huán)的環(huán)系，其包含至少一個(gè)雜芳環(huán)并且還可包含非芳環(huán)，其可被＝o取代。

5至10元雜芳基的實(shí)例是

5至14元雜芳基的實(shí)例是對(duì)5至10元雜芳基給出的實(shí)例和

5至20元雜芳基的實(shí)例是對(duì)5至14元雜芳基給出的實(shí)例和

其中

r¹⁰⁰和r¹⁰¹獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，或r¹⁰⁰和r¹⁰¹如果連接到相同原子上，與它們連向的原子一起形成5至12元環(huán)系，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^q、oc(o)-r^q、c(o)-or^q、c(o)-r^q、nr^qr^r、nr^q-c(o)r^r、c(o)-nr^qr^r、n[c(o)r^q][c(o)r^r]、sr^q、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^q、oc(o)-r^q、c(o)-or^q、c(o)-r^q、nr^qr^r、nr^q-c(o)r^r、c(o)-nr^qr^r、n[c(o)r^q][c(o)r^r]、sr^q、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^q、oc(o)-r^q、c(o)-or^q、c(o)-r^q、nr^qr^r、nr^q-c(o)r^r、c(o)-nr^qr^r、n[c(o)r^q][c(o)r^r]、sr^q、鹵素、cn和no2的取代基取代；

5至12元環(huán)系可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^q、oc(o)-r^q、c(o)-or^q、c(o)-r^q、nr^qr^r、nr^q-c(o)r^r、c(o)-nr^qr^r、n[c(o)r^q][c(o)r^r]、sr^q、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^q和r^r獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代。

c6-18-亞芳基是6至18元單環(huán)或多環(huán)，如二環(huán)、三環(huán)或四環(huán)環(huán)系，其包含至少一個(gè)c-芳環(huán)并且還可包含非芳環(huán)，其可被＝o取代。

c6-18-亞芳基的實(shí)例是

其中

r¹⁰²和r¹⁰³獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，或r¹⁰²和r¹⁰³如果連接到相同原子上，與它們連向的原子一起形成5至12元環(huán)系，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

5至12元環(huán)系可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^s和r^t獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代。

5至20元雜亞芳基是5至20元單環(huán)或多環(huán)，如二環(huán)、三環(huán)或四環(huán)環(huán)系，其包含至少一個(gè)雜芳環(huán)并且還可包含非芳環(huán)，其可被＝o取代。

5至20元雜亞芳基的實(shí)例是

其中

r¹⁰⁴和r¹⁰⁵獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，或r¹⁰⁴和r¹⁰⁵如果連接到相同原子上，與它們連向的原子一起形成5至12元環(huán)系，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

5至12元環(huán)系可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^s和r^t獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代。

該5至12元環(huán)系除r¹⁰⁰和r¹⁰¹、或r¹⁰²和r¹⁰³、或r¹⁰⁴和r¹⁰⁵連向的原子外還可含有選自ch2、o、s和nr^u的環(huán)成員，其中r^u在每種情況下選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基。

優(yōu)選地，本發(fā)明的聚合物包含基于該聚合物的重量計(jì)至少60重量％的式(i)的單元。

更優(yōu)選地，本發(fā)明的聚合物包含基于該聚合物的重量計(jì)至少80重量％的式(i)的單元。

最優(yōu)選地，本發(fā)明的聚合物基本由式(i)的單元構(gòu)成。

優(yōu)選地，r¹在每種情況下選自h、c1-100-烷基、c2-100-烯基、c2-100-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基，

其中

c1-100-烷基、c2-100-烯基和c2-100-炔基可以被1至40個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^a、oc(o)-r^a、c(o)-or^a、c(o)-r^a、nr^a-c(o)r^b、c(o)-nr^ar^b、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素和cn的取代基取代；且c1-100-烷基、c2-100-烯基和c2-100-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-12-環(huán)烷基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^a、oc(o)-r^a、c(o)-or^a、c(o)-r^a、nr^a-c(o)r^b、c(o)-nr^ar^b、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素和cn的取代基取代；且c5-12-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nr^a或nr^a-co替代，

c6-18-芳基和5至20元雜芳基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^a、oc(o)-r^a、c(o)-or^a、c(o)-r^a、nr^a-c(o)r^b、c(o)-nr^ar^b、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素和cn的取代基取代，

其中

r^a和r^b獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

r^sia、r^sib和r^sic獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、o-c1-60-烷基、o-c2-60-烯基、o-c2-60-炔基、o-c5-8-環(huán)烷基、-[o-sir^sidr^sie]o-r^sif，

其中

o是1至50的整數(shù)，

r^sid、r^sie和r^sif獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、-[o-sir^sigr^sih]p-r^sii，

其中

p是1至50的整數(shù)，

r^sigr^sih和r^sii獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、o-si(ch3)3，

c1-60-烷基、c2-60-烯基和c2-60-炔基可以被1至20個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、or^c、oc(o)-r^c、c(o)-or^c、c(o)-r^c、nr^c-c(o)r^d、c(o)-nr^cr^d、sr^c、si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、-o-si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、鹵素和cn的取代基取代；且c1-60-烷基、c2-60-烯基和c2-60-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、or^c、oc(o)-r^c、c(o)-or^c、c(o)-r^c、nr^c-c(o)r^d、c(o)-nr^cr^d、sr^c、si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、-o-si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、鹵素和cn的取代基取代；且c5-8-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nr^c或nr^c-co替代，

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、or^c、oc(o)-r^c、c(o)-or^c、c(o)-r^c、nr^c-c(o)r^d、c(o)-nr^cr^d、sr^c、si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、-o-si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、鹵素和cn的取代基取代；

其中

r^c和r^d獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基，

r^sij、r^sik和r^sil獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^simr^sin]q-r^sio，

其中

q是1至50的整數(shù)，

r^sim、r^sin、r^sio獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、o-c1-30-烷基、o-c2-30-烯基、o-c2-30-炔基、o-c5-6-環(huán)烷基、o-c6-10-芳基、o-5至10元雜芳基、-[o-sir^sipr^siq]r-r^sir、nr⁷⁰r⁸⁰、鹵素和o-c(o)-r⁷⁰；

其中

r是1至50的整數(shù)，

r^sip、r^siq、r^sir獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、o-c1-30-烷基、o-c2-30-烯基、o-c2-30-炔基、o-c5-6-環(huán)烷基、o-c6-10-芳基、o-5至10元雜芳基、o-si(ch3)3、nr⁷⁰⁰r⁸⁰⁰、鹵素和o-c(o)-r⁷⁰⁰，

r⁷⁰、r⁸⁰、r⁷⁰⁰和r⁸⁰⁰獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基和5至10元雜芳基，

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)選自鹵素和cn的取代基取代。

更優(yōu)選地，r¹在每種情況下選自c1-100-烷基、c2-100-烯基和c2-100-炔基，

其中

c1-100-烷基、c2-100-烯基和c2-100-炔基可以被1至40個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^a、oc(o)-r^a、c(o)-or^a、c(o)-r^a、nr^a-c(o)r^b、c(o)-nr^ar^b、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素和cn的取代基取代；且c1-100-烷基、c2-100-烯基和c2-100-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

其中

r^a和r^b獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

r^sia、r^sib和r^sic獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、-[o-sir^sidr^sie]o-r^sif，

其中

o是1至50的整數(shù)，

r^sid、r^sie和r^sif獨(dú)立地選自h、c1-60-烷基、c2-60-烯基、c2-60-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、-[o-sir^sigr^sih]p-r^sii，

其中

p是1至50的整數(shù)，

r^sigr^sih、r^sii獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、o-si(ch3)3，

c1-60-烷基、c2-60-烯基和c2-60-炔基可以被1至20個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、or^c、oc(o)-r^c、c(o)-or^c、c(o)-r^c、nr^c-c(o)r^d、c(o)-nr^cr^d、sr^c、si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、-o-si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、鹵素和cn的取代基取代；且c1-60-烷基、c2-60-烯基和c2-60-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、or^c、oc(o)-r^c、c(o)-or^c、c(o)-r^c、nr^c-c(o)r^d、c(o)-nr^cr^d、sr^c、si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、-o-si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、鹵素和cn的取代基取代；且c5-8-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nr^c或nr^c-co替代，

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、or^c、oc(o)-r^c、c(o)-or^c、c(o)-r^c、nr^c-c(o)r^d、c(o)-nr^cr^d、sr^c、si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、-o-si(r^sij)(r^sik)(r^sil)、鹵素和cn的取代基取代；

其中

r^c和r^d獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基，

r^sij、r^sik和r^sil獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^simr^sin]q-r^sio，

其中

q是1至50的整數(shù)，

r^sim、r^sin、r^sio獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sipr^siq]r-r^sir，

其中

r是1至50的整數(shù)，

r^sip、r^siq、r^sir獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、o-si(ch3)3，

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)選自鹵素和cn的取代基取代。

再更優(yōu)選地，r¹在每種情況下選自c1-50-烷基、c2-50-烯基和c2-50-炔基，

其中

c1-50-烷基、c2-50-烯基和c2-50-炔基可以被1至20個(gè)獨(dú)立地選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^a、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素和cn的取代基取代；且c1-50-烷基、c2-50-烯基和c2-50-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

其中

r^a獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基和c6-10-芳基，

r^sia、r^sib和r^sic獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sidr^sie]o-r^sif，

其中

o是1至50的整數(shù)，

r^sid、r^sie、r^sif獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sigr^sih]p-r^sii，

其中

p是1至50的整數(shù)，

r^sigr^sih、r^sii獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、o-si(ch3)3，

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)選自鹵素和cn的取代基取代。

最優(yōu)選地，r¹在每種情況下選自c1-36-烷基、c2-36-烯基和c2-36-炔基，

其中

c1-36-烷基、c2-36-烯基和c2-36-炔基可以被1至20個(gè)獨(dú)立地選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^a、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素和cn的取代基取代；且c1-36-烷基、c2-36-烯基和c2-36-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

其中

r^a獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基和c6-10-芳基

r^sia、r^sib和r^sic獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sidr^sie]o-r^sif

其中

o是1至50的整數(shù)，

r^sid、r^sie、r^sif獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sigr^sih]p-r^sii，

其中

p是1至50的整數(shù)，

r^sigr^sih、r^sii獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、o-si(ch3)3，

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至10個(gè)選自鹵素和cn的取代基取代。

特別地，r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基。

優(yōu)選地，r²在每種情況下選自氫、c1-30-烷基和鹵素，

其中

c1-30-烷基可以被1至10個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、or^e、oc(o)-r^e、c(o)-or^e、c(o)-r^e、nr^er^f、nr^e-c(o)r^f、c(o)-nr^er^f、n[c(o)r^e][c(o)r^f]、sr^e、鹵素、cn、sir^sisr^sitr^siu和no2的取代基取代；且c1-30-烷基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

其中

r^sis、r^sit和r^siu互相獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、苯基和o-si(ch3)3，

r^e和r^f獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^g、oc(o)-r^g、c(o)-or^g、c(o)-r^g、nr^gr^h、nr^g-c(o)r^h、c(o)-nr^gr^h、n[c(o)r^g][c(o)r^h]、sr^g、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^g、oc(o)-r^g、c(o)-or^g、c(o)-r^g、nr^gr^h、nr^g-c(o)r^h、c(o)-nr^gr^h、n[c(o)r^g][c(o)r^h]、sr^g、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^g、oc(o)-r^g、c(o)-or^g、c(o)-r^g、nr^gr^h、nr^g-c(o)r^h、c(o)-nr^gr^h、n[c(o)r^g][c(o)r^h]、sr^g、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^g和r^h獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代。

更優(yōu)選地，r²在每種情況下選自氫、未取代的c1-30-烷基和鹵素。

特別地，r²在每種情況下是氫。

n優(yōu)選是0、1或2。n更優(yōu)選是0或1。n最優(yōu)選是0。

m優(yōu)選是0、1或2。

優(yōu)選地，l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自c6-18-亞芳基、5至20元雜亞芳基

和

其中

c6-18-亞芳基和5至20元雜亞芳基可以被1至6個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、or³¹、oc(o)-r³¹、c(o)-or³¹、c(o)-r³¹、nr³¹r³²、nr³¹-c(o)r³²、c(o)-nr³¹r³²、sr³¹、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和oh的取代基r³取代，且

其中

可以被1或2個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、c(o)-r⁴¹、c(o)-nr⁴¹r⁴²、c(o)-or⁴¹和cn的取代基r⁴取代，

其中

r³¹、r³²、r⁴¹和r⁴²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基，且

其中

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-12-環(huán)烷基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c5-12-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nrⁱ或nrⁱ-co替代，

c6-18-芳基和5至20元雜芳基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代，

其中

r^siv、r^siw、r^six互相獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、苯基和o-si(ch3)3，

rⁱ和r^j獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^k和r^l獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代。

更優(yōu)選地，l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自5至20元雜亞芳基

和

其中

5至20元雜亞芳基可以被1至6個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、or³¹、oc(o)-r³¹、c(o)-or³¹、c(o)-r³¹、nr³¹r³²、nr³¹-c(o)r³²、c(o)-nr³¹r³²、sr³¹、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和oh的取代基r³取代，且

其中

可以被1或2個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、c(o)-r⁴¹、c(o)-nr⁴¹r⁴²、c(o)-or⁴¹和cn的取代基r⁴取代，

其中

r³¹、r³²、r⁴¹和r⁴²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基，且

其中

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-12-環(huán)烷基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c5-12-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nrⁱ或nrⁱ-co替代，

c6-18-芳基和5至20元雜芳基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代，

其中

r^siv、r^siw、r^six互相獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、苯基和o-si(ch3)3，

rⁱ和r^j獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^k和r^l獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代。

再更優(yōu)選地，l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自5至20元雜亞芳基

和

其中5至20元雜亞芳基選自

其中

r¹⁰⁴和r¹⁰⁵獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，或r¹⁰⁴和r¹⁰⁵如果連接到相同原子上，與它們連向的原子一起形成5至12元環(huán)系，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

5至12元環(huán)系可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^s和r^t獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代，

其中

5至20元雜亞芳基可以被1至6個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基和鹵素的取代基r³取代，且

其中

可以被1或2個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c(o)-r⁴¹、c(o)-or⁴¹和cn的取代基r⁴取代，

其中

r⁴¹在每種情況下是c1-30-烷基。

最優(yōu)選地，l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下是5至20元雜亞芳基，

其中5至20元雜亞芳基選自

其中

r¹⁰⁴和r¹⁰⁵獨(dú)立地并且在每種情況下選自h和c1-20-烷基，

其中

5至20元雜亞芳基可以被1至6個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基和鹵素的取代基r³取代。

特別地，l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下是5至20元雜亞芳基，

其中5至20元雜亞芳基選自

其中

5至20元雜亞芳基是未取代的。

在包含至少一個(gè)式(1)的單元的優(yōu)選聚合物中，

其中

n是0、1、2或3，

m是0、1、2或3，且

l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自c6-18-亞芳基、5至20元雜亞芳基

和

其中

c6-18-亞芳基和5至20元雜亞芳基可以被1至6個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、or³¹、oc(o)-r³¹、c(o)-or³¹、c(o)-r³¹、nr³¹r³²、nr³¹-c(o)r³²、c(o)-nr³¹r³²、sr³¹、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和oh的取代基r³取代，且

其中

可以被1或2個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、c(o)-r⁴¹、c(o)-nr⁴¹r⁴²、c(o)-or⁴¹和cn的取代基r⁴取代，

其中

r³¹、r³²、r⁴¹和r⁴²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基，且

其中

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-12-環(huán)烷基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c5-12-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nrⁱ或nrⁱ-co替代，

c6-18-芳基和5至20元雜芳基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代，

其中

r^siv、r^siw、r^six互相獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、苯基和o-si(ch3)3，

rⁱ和r^j獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^k、oc(o)-r^l、c(o)-or^k、c(o)-r^k、nr^kr^l、nr^k-c(o)r^l、c(o)-nr^kr^l、n[c(o)r^k][c(o)r^l]、sr^k、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^k和r^l獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代。

r²在每種情況下選自氫、未取代的c1-30-烷基和鹵素，

l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自5至20元雜亞芳基

和

其中

5至20元雜亞芳基可以被1至6個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、or³¹、oc(o)-r³¹、c(o)-or³¹、c(o)-r³¹、nr³¹r³²、nr³¹-c(o)r³²、c(o)-nr³¹r³²、sr³¹、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和oh的取代基r³取代，且

其中

可以被1或2個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基、c(o)-r⁴¹、c(o)-nr⁴¹r⁴²、c(o)-or⁴¹和cn的取代基r⁴取代，

其中

r³¹、r³²、r⁴¹和r⁴²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-12-環(huán)烷基、c6-18-芳基和5至20元雜芳基，且

其中

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)獨(dú)立地選自c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

c5-12-環(huán)烷基可以被1至6個(gè)獨(dú)立地選自c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基、5至14元雜芳基、orⁱ、oc(o)-r^j、c(o)-orⁱ、c(o)-rⁱ、nrⁱr^j、nrⁱ-c(o)r^j、c(o)-nrⁱr^j、n[c(o)rⁱ][c(o)r^j]、srⁱ、鹵素、cn、sir^sivr^siwr^six和no2的取代基取代；且c5-12-環(huán)烷基的一個(gè)或兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o、s、oc(o)、co、nrⁱ或nrⁱ-co替代。

在再更優(yōu)選的包含至少一個(gè)式(1)的單元的聚合物中

r¹在每種情況下選自c1-36-烷基、c2-36-烯基和c2-36-炔基，

其中

c1-36-烷基、c2-36-烯基和c2-36-炔基可以被1至20個(gè)獨(dú)立地選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^a、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素和cn的取代基取代；且c1-36-烷基、c2-36-烯基和c2-36-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

其中

r^a和r^b獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基和c6-10-芳基

r^sia、r^sib和r^sic獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sidr^sie]o-r^sif

其中

o是1至50的整數(shù)，

r^sid、r^sie、r^sif獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sigr^sih]p-r^sii，

其中

p是1至50的整數(shù)，

r^sigr^sih、r^sii獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、o-si(ch3)3，

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至10個(gè)選自鹵素和cn的取代基取代，

r²在每種情況下選自未取代的氫、c1-30-烷基和鹵素，

n是0或1，

m是0、1或2，且

l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下選自5至20元雜亞芳基

和

其中5至20元雜亞芳基選自

其中

r¹⁰⁴和r¹⁰⁵獨(dú)立地并且在每種情況下選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-8-環(huán)烷基、c6-14-芳基和5至14元雜芳基，或r¹⁰⁴和r¹⁰⁵如果連接到相同原子上，與它們連向的原子一起形成5至12元環(huán)系，

其中

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至5個(gè)選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c5-8-環(huán)烷基可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

c6-14-芳基和5至14元雜芳基可以被1至5個(gè)獨(dú)立地選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

5至12元環(huán)系可以被1至5個(gè)選自c1-10-烷基、c2-10-烯基、c2-10-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^s、oc(o)-r^t、c(o)-or^s、c(o)-r^s、nr^sr^t、nr^s-c(o)r^t、c(o)-nr^sr^t、n[c(o)r^s][c(o)r^t]、sr^s、鹵素、cn和no2的取代基取代；

其中

r^s和r^t獨(dú)立地選自h、c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基，

其中

c1-10-烷基、c2-10-烯基和c2-10-炔基可以被1至5個(gè)選自鹵素、cn和no2的取代基取代，

其中

5至20元雜亞芳基可以被1至6個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基和鹵素的取代基r³取代，且

其中

可以被1或2個(gè)在每種情況下選自c1-30-烷基、c(o)-r⁴¹、c(o)-or⁴¹和cn的取代基r⁴取代，

其中

r⁴¹在每種情況下是c1-30-烷基。

在最優(yōu)選的包含至少一個(gè)式(1)的單元的聚合物中

r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基，

r²是氫，

n是0，

m是0、1或2，且

l¹和l²彼此獨(dú)立地并且在每種情況下是5至20元雜亞芳基，

其中5至20元雜亞芳基選自

其中

5至20元雜亞芳基是未取代的。

本發(fā)明的特別優(yōu)選的聚合物包含至少一個(gè)下式的單元

本發(fā)明的聚合物優(yōu)選具有1至10000kda的重均分子量(mw)和1至10000kda的數(shù)均分子量(mn)。本發(fā)明的聚合物更優(yōu)選具有1至1000kda的重均分子量(mw)和1至100kda的數(shù)均分子量(mn)。本發(fā)明的聚合物最優(yōu)選具有10至100kda的重均分子量(mw)和5至60kda的數(shù)均分子量(mn)。重均分子量(mw)和數(shù)均分子量(mn)可以通過在80℃下使用氯苯作為洗脫劑和聚苯乙烯作為標(biāo)樣的凝膠滲透色譜法(gpc)測(cè)定。

本發(fā)明的聚合物可通過本領(lǐng)域中已知的方法制備。

例如，包含至少一個(gè)式(1)的單元的本發(fā)明的聚合物，其中n是0，并且其具有式(1-i)

其中

r¹、r²和l²如上定義，

m是0、1、2或3，

可通過使式(2)的化合物與1摩爾當(dāng)量式(3)的化合物反應(yīng)制備

其中y在每種情況下是i、br、cl或o-s(o)2cf3，且r¹和r²如上定義，

其中

l²如對(duì)式(1-i)的化合物所定義，且

z^a和z^b獨(dú)立地選自b(oz¹)(oz²)、snz¹z²z³、

其中z¹、z²、z³、z⁴、z⁵和z⁶彼此獨(dú)立地并且在每種情況下是h或c1-4-烷基。

例如，包含至少一個(gè)式(1)的單元的本發(fā)明的聚合物，其中n和m是0，并且其具有式(1-ii)

其中

r¹和r²如上定義

可通過使式(2)的化合物與式(8)的化合物反應(yīng)制備

其中y在每種情況下是i、br、cl或o-s(o)2cf3，且r¹和r²如上定義，

其中

r¹和r²如對(duì)式(1-ii)的化合物所定義，且

z^a和z^b獨(dú)立地選自b(oz¹)(oz²)、snz¹z²z³、

其中z¹、z²、z³、z⁴、z⁵和z⁶彼此獨(dú)立地并且在每種情況下是h或c1-4-烷基。

當(dāng)z^a和z^b獨(dú)立地選自b(oz¹)(oz²)、

時(shí)，

其中z¹、z²、z³、z⁴、z⁵和z⁶彼此獨(dú)立地并且在每種情況下是h或c1-4-烷基，

該反應(yīng)通常在催化劑，優(yōu)選pd催化劑，如pd(p(ph)3)4、pd(oac)2和pd2(dba)3，和堿，如k3po4、na2co3、k2co3、lioh和naome存在下進(jìn)行。根據(jù)pd催化劑，該反應(yīng)還可能要求存在膦配體，如p(ph)3、p(o-甲苯基)3和p(tert-bu)3。該反應(yīng)也通常在升高的溫度，如40至250℃，優(yōu)選60至200℃的溫度下進(jìn)行。該反應(yīng)可以在合適的溶劑，如四氫呋喃、甲苯或氯苯存在下進(jìn)行。該反應(yīng)通常在惰性氣體下進(jìn)行。

當(dāng)z^a和z^b獨(dú)立地為snz¹z²z³(其中z¹、z²和z³彼此獨(dú)立地為c1-4-烷基)時(shí)，該反應(yīng)通常在催化劑，優(yōu)選pd催化劑，如pd(p(ph)3)4和pd2(dba)3存在下進(jìn)行。根據(jù)pd催化劑，該反應(yīng)還可能要求存在膦配體，如p(ph)3、p(o-甲苯基)3和p(tert-bu)3。該反應(yīng)也通常在升高的溫度，如40至250℃，優(yōu)選60至200℃的溫度下進(jìn)行。該反應(yīng)可以在合適的溶劑，如甲苯或氯苯存在下進(jìn)行。該反應(yīng)通常在惰性氣體下進(jìn)行。

式(2)的化合物可通過本領(lǐng)域中已知的方法制備。

例如，式(2)的化合物，其中

其中y是i、br、cl或o-三氟甲磺酸根(o-triflate)，且r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基，

可通過用y-供體處理式(2’)的化合物制備

其中r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基。

例如，當(dāng)y是br時(shí)，y-供體可以是n-溴代琥珀酰亞胺。當(dāng)使用n-溴代琥珀酰亞胺作為y-供體時(shí)，該反應(yīng)可以在0℃下在chcl3/乙酸作為溶劑存在下進(jìn)行。

式(3)的化合物(其中r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基)可通過用eaton’s試劑處理式(4)的化合物制備

其中r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基。

式(4)的化合物(其中r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基)可通過用式(6)的化合物處理式(5)的化合物制備

其中r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基

該反應(yīng)通常在合適的溶劑中，如在甲苯中，和在合適的溫度，如0至140℃下進(jìn)行。

式(5)的化合物(其中r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基)可通過用雙(頻哪醇合)二硼(bis(pinacolato)diboron)處理式(7)的化合物制備

該反應(yīng)通常在催化劑，優(yōu)選鈀催化劑存在下進(jìn)行。該反應(yīng)通常在合適的溶劑，如無水甲苯中在升高的溫度，如40至160℃下進(jìn)行。

6,6’-二溴異靛(7)和溴-3-甲基亞硫酰基噻吩(6)可根據(jù)文獻(xiàn)合成(org.lett.2010,12,660-663；adv.mater.2013,25,838-843)。

下式的中間體也是本發(fā)明的一部分

其中

r¹和r²如上定義，

y在每種情況下是i、br、cl或o-s(o)2cf3。

在式(2)和(2’)的優(yōu)選中間體中

r¹在每種情況下選自c1-50-烷基、c2-50-烯基和c2-50-炔基，

其中

c1-50-烷基、c2-50-烯基和c2-50-炔基可以被1至20個(gè)獨(dú)立地選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^a、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素和cn的取代基取代；且c1-50-烷基、c2-50-烯基和c2-50-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

其中

r^a獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基和c6-10-芳基，

r^sia、r^sib和r^sic獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sidr^sie]o-r^sif，

其中

o是1至50的整數(shù)，

r^sid、r^sie、r^sif獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sigr^sih]p-r^sii，

其中

p是1至50的整數(shù)，

r^sigr^sih、r^sii獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-30-烯基、c2-30-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、o-si(ch3)3，

c1-30-烷基、c2-30-烯基和c2-30-炔基可以被1至10個(gè)選自鹵素和cn的取代基取代，

r²在每種情況下選自氫、未取代的c1-30-烷基和鹵素，且

y在每種情況下是i、br、cl或o-s(o)2cf3。

在更優(yōu)選的式(2)和(2’)的中間體中

r¹在每種情況下選自c1-36-烷基、c2-36-烯基和c2-36-炔基，

其中

c1-36-烷基、c2-36-烯基和c2-36-炔基可以被1至20個(gè)獨(dú)立地選自c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、5至10元雜芳基、or^a、sr^a、si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、-o-si(r^sia)(r^sib)(r^sic)、鹵素和cn的取代基取代；且c1-36-烷基、c2-36-烯基和c2-36-炔基的至少兩個(gè)ch2-基團(tuán)，但不是相鄰的ch2-基團(tuán)可以被o或s替代，

其中

r^a獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基和c6-10-芳基

r^sia、r^sib和r^sic獨(dú)立地選自h、c1-20-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sidr^sie]o-r^sif

其中

o是1至50的整數(shù)，

r^sid、r^sie、r^sif獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、-[o-sir^sigr^sih]p-r^sii，

其中

p是1至50的整數(shù)，

r^sigr^sih、r^sii獨(dú)立地選自h、c1-30-烷基、c2-20-烯基、c2-20-炔基、c5-6-環(huán)烷基、c6-10-芳基、o-si(ch3)3，

c1-20-烷基、c2-20-烯基和c2-20-炔基可以被1至10個(gè)選自鹵素和cn的取代基取代，

r²在每種情況下選自氫、未取代的c1-30-烷基和鹵素，且

y在每種情況下是i、br、cl或o-s(o)2cf3。

在式(2)和(2’)的更優(yōu)選的中間體中

r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基，r²是氫且

y在每種情況下是i、br、cl或o-s(o)2cf3。

在式(2)的最優(yōu)選的中間體中

y在每種情況下是i、br或o-s(o)2cf3，且r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基且r²是氫。

特別優(yōu)選的式(2)的中間體

其中r¹在每種情況下是未取代的c1-36-烷基且r²是氫。

包含本發(fā)明的聚合物的電子器件也是本發(fā)明的一部分。

該電子器件可以是有機(jī)光伏器件(opvs)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ofets)、有機(jī)發(fā)光二極管(oleds)或有機(jī)光電二極管(opds)。

優(yōu)選地，該電子器件是有機(jī)光伏器件(opvs)、有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ofets)或有機(jī)光電二極管(opds)。

更優(yōu)選地，該電子器件是有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ofet)。

通常，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管包含介電層、半導(dǎo)體層和基底。此外，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常包含柵電極和源/漏電極。

該半導(dǎo)體層優(yōu)選包含本發(fā)明的聚合物。該半導(dǎo)體層可具有5至500納米，優(yōu)選10至100納米，更優(yōu)選20至50納米的厚度。

該介電層包含介電材料。該介電材料可以是二氧化硅或氧化鋁，或有機(jī)聚合物，如聚苯乙烯(ps)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(pmma)、聚(4-乙烯基酚)(pvp)、聚(乙烯基醇)(pva)、苯并環(huán)丁烯(bcb)或聚酰亞胺(pi)。該介電層可具有10至2000納米，優(yōu)選50至1000納米，更優(yōu)選100至800納米的厚度。

該介電層除介電材料外還可包含有機(jī)硅烷衍生物或有機(jī)磷酸衍生物的自組裝單層。有機(jī)硅烷衍生物的一個(gè)實(shí)例是辛基三氯硅烷。有機(jī)磷酸衍生物的一個(gè)實(shí)例是辛基癸基磷酸。該介電層中所含的自組裝單層通常與半導(dǎo)體層接觸。

該源/漏電極可由任何合適的有機(jī)或無機(jī)源/漏電極材料制成。無機(jī)源/漏電極材料的實(shí)例是金(au)、銀(ag)或銅(cu)，以及包含至少一種這些金屬的合金。該源/漏電極可具有1至100納米，優(yōu)選20至70納米的厚度。

該柵電極可以由任何合適的柵材料，如高摻雜硅、鋁(al)、鎢(w)、氧化銦錫或金(au)或包含至少一種這些金屬的合金制成。該柵電極可具有1至200納米，優(yōu)選5至100納米的厚度。

該基底可以是任何合適的基底，如玻璃或塑料基底，如聚醚砜、聚碳酸酯、聚砜、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)和聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)。根據(jù)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的設(shè)計(jì)，柵電極，例如高摻雜硅也可充當(dāng)基底。

該有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可通過本領(lǐng)域中已知的方法制備。

例如，底柵頂接觸有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可如下制備：介電材料，例如al2o3或二氧化硅可通過合適的沉積方法(如原子層沉積或熱蒸發(fā))作為層施加在也充當(dāng)基底的柵電極(如高摻雜硅片)上?？梢詫⒂袡C(jī)磷酸衍生物或有機(jī)硅烷衍生物的自組裝單層施加到該介電材料層上。例如，可以由溶液使用溶液沉積技術(shù)施加有機(jī)磷酸衍生物或有機(jī)硅烷衍生物。可以在該有機(jī)磷酸衍生物或有機(jī)硅烷衍生物的自組裝單層上通過本發(fā)明的聚合物的溶液沉積或真空熱蒸發(fā)形成半導(dǎo)體層?？梢酝ㄟ^經(jīng)蔭罩在該半導(dǎo)體層上沉積合適的源/漏電極材料(例如鉭(ta)和/或金(au))而形成源/漏電極。通道寬度(w)通常是10至1000微米且通道長(zhǎng)度(l)通常是5至500微米。

例如，頂柵底接觸有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管可如下制備：可通過在合適的基底(例如玻璃基底)上的光刻劃定電極上蒸發(fā)合適的源/漏電極材料(例如金(au))而形成源/漏電極?？赏ㄟ^在源/漏電極上例如通過旋涂沉積本發(fā)明的聚合物的溶液、接著在升高的溫度下(例如在80至360℃的溫度下)將該層退火而形成半導(dǎo)體層。在將半導(dǎo)體層淬火后，可以通過在該半導(dǎo)體層上(例如通過旋涂)施加合適的介電材料(如聚(甲基丙烯酸甲酯))的溶液而形成介電層?？梢越?jīng)蔭罩在該介電層上蒸發(fā)合適的柵極材料(例如金(au))的柵電極。

本發(fā)明的聚合物作為半導(dǎo)體材料的用途也是本發(fā)明的一部分。

本發(fā)明的聚合物表現(xiàn)出高載流子遷移率。本發(fā)明的聚合物可表現(xiàn)出具有高空穴和電子遷移率的雙極性質(zhì)。此外，本發(fā)明的聚合物表現(xiàn)出高穩(wěn)定性，特別是高熱穩(wěn)定性。本發(fā)明的聚合物還與液體加工技術(shù)相容。此外，本發(fā)明的聚合物表現(xiàn)出對(duì)近紅外線的強(qiáng)吸收。

實(shí)施例

實(shí)施例1

a)類似于文獻(xiàn)通過6,6’-二溴異靛的烷基化進(jìn)行化合物i-1的合成：

b)6,6’-二硼酸酯-異靛(i-2)的合成

將6,6’-二溴異靛i-1(3克，2.75毫摩爾)、雙(頻哪醇合)二硼(bis(pinacolato)diboron)(1.75克，6.88毫摩爾)、pd(pph3)2cl2(190毫克，0.275毫摩爾)和乙酸鉀(1.08克，11毫摩爾)在無水甲苯(50毫升)中的混合物在氬氣下加熱至110℃16小時(shí)。然后將該反應(yīng)混合物冷卻至室溫并用二氯甲烷推過短硅膠柱。將收集的濾液濃縮并干燥以產(chǎn)生深紅色固體形式的6,6’-二硼酸酯異靛，不進(jìn)一步提純(2.65克，81％)。¹hnmr(400mhz,cdcl3,300k),δ(ppm):9.14(d,³j＝7.9hz,2h),7.48(dd,³j＝7.9,⁴j＝0.6hz,2h),7.16(s,2h),3.70-3.68(m,4h),1.96(t,2h),1.36(s,24h),1.35-1.24(m,80h),0.89-0.85(m,12h).¹³cnmr(100mhz,cdcl3,300k),δ(ppm):168.09,144.47,134.31,128.88,128.74,124.24,113.50,84.03,44.45,31.94,30.02,29.66,29.37,24.88,22.70,14.13.

c)6,6’-二(3-甲基亞硫?；绶?異靛(i-4)的合成：

向烘干的20毫升微波管瓶中加入6,6’-二硼酸酯-異靛(i-2)(1.0克，7.7毫摩爾)、pd2(dba)3(38毫克，0.038毫摩爾)和p-(o-tol)3(46毫克，0.15毫摩爾)、溴-3-甲基亞硫?；绶?i-3，類似于文獻(xiàn)制造)(430毫克，19.25摩爾)，密封該管，然后加入甲苯(10毫升)以及2滴季銨氯化物(aliquat)和2mk3po4(3.5毫升)。該混合物在氬氣下脫氣半小時(shí)，然后移除氬氣入口。對(duì)該管施以回流18小時(shí)。在冷卻至室溫后，該反應(yīng)混合物用ea萃取，收集有機(jī)相并用硫酸鎂干燥，通過減壓除去溶劑，通過柱色譜法(洗脫劑：dcm:ea＝10:1)提純以提供深紅色固體(530毫克，53％)。¹hnmr(400mhz,cdcl3,300k)δ(ppm):9.26(d,³j＝8.3hz,2h),7.66(d,³j＝5.4hz,2h),7.50(d,³j＝5.4hz,2h),7.12(dd,³j＝8.3,⁴j＝1.6hz,2h),6.95(d,⁴j＝1.4hz,2h),3.76-3.65(m,4h),2.79(s,6h),1.94(t,2h),1.37-1.23(m,80h),0.88-0.84(m,12h).¹³cnmr(100mhz,cdcl3,300k),δ(ppm):168.53,145.66,143.24,135.45,132.98,130.72,127.27,125.41,123.22,122.00,108.69,44.05,31.92,31.76,30.08,29.63,29.36,26.52,22.69,14.12.hrms(esi,pos.mode):c74h115n2o4s4的計(jì)算值:1223.7661,[m+h]⁺，實(shí)測(cè)值:1223.7594.

d)bttiid(i-5)的合成

6,6’-二(3-甲基亞硫?；绶?異靛(i-4)(800毫克，0.65毫摩爾)在室溫下在暗處與eaton’s試劑(6毫升)一起攪拌3天。將該混合物倒入冰水中，用氯仿萃取，有機(jī)相用mgso4干燥，減壓除去溶劑并將粗產(chǎn)物在真空中干燥，其隨后再溶解在吡啶(10毫升)中，然后將該混合物回流整夜。在將該混合物冷卻至室溫后，用氯仿和稀鹽酸萃取，分離的有機(jī)相經(jīng)mgso4干燥，并減壓除去溶劑。該粗產(chǎn)物通過在硅膠上的柱色譜法提純(洗脫劑：chcl3:pe＝1:3)以提供紅色固體bttiid(i-5)(450毫克，59％)。¹hnmr(400mhz,cdcl3,300k)δ(ppm):9.81(s,2h),7.56(d,³j＝5.1hz,2h),7.32(d,³j＝5.1hz,2h),6.98(s,2h),3.72-3.70(m,4h),1.99(t,2h),1.38-1.21(m,80h),0.88-0.83(m,12h).¹³cnmr(100mhz,cdcl3,300k),δ(ppm):168.52,142.60,142.18,136.62,134.86,134.48,132.12,129.38,125.86,120.74,120.07,99.45,44.74,31.93,31.67,30.05,29.68,29.36,26.54,22.69,14.12.ms(maldi-tof,chcl3):c72h106n2o2s4計(jì)算值:1158.71,實(shí)測(cè)值:1158.4.uv-vis(chcl3):lmax/nm(e/m-1cm-1)＝510(36700).cv(ch2cl2,0.1mtbahfp,vsfc/fc⁺):e1/2red(x/x^-)＝–1.28v,e1/2red(x-/x^2-)＝―1.64v,e1/2ox(x/x⁺)＝0.78v

實(shí)施例2

二溴bttiid(i-6)的合成

將nbs(65克，0.36毫摩爾)分小份添加到苯并噻吩并噻吩異靛(200克，0.17毫摩爾)在chcl3/acoh(20毫升:5毫升)中的溶液中，將反應(yīng)混合物在回流下攪拌大約5小時(shí)，其可通過tlc監(jiān)測(cè)。當(dāng)反應(yīng)完成時(shí)，冷卻至室溫，減壓除去溶劑并通過在硅膠上的柱色譜法提純(洗脫劑：chcl3:pe＝1:4)以提供紅色固體二溴-bttiid(i-6)(164毫克，72％)。¹hnmr(400mhz,cdcl3,300k),δ(ppm):9.70(s,2h),7.23(s,2h),6.67(s,2h),3.66-3.64(m,4h),1.92(t,2h),1.37-1.21(m,80h),0.88-0.83(m,12h).¹³cnmr(100mhz,cdcl3,300k),δ(ppm):168.25,142.62,140.63,135.07,134.79,133.61,131.87,125.68,123.27,120.07,116.14,98.77,44.72,31.94,30.08,29.75,29.69,29.39,26.61,22.71,14.13.ms(maldi-tof,chcl3):c72h104br2n2o2s4計(jì)算值:1314.5,實(shí)測(cè)值:1314.1.

實(shí)施例3

p1的合成

向微波管瓶中加入二溴bttiid(i-6)(100毫克，0.076毫摩爾，1當(dāng)量)和2,5-雙(三甲基甲錫烷基)噻吩(31.04毫克，0.076微摩爾，1當(dāng)量)、pd2(dba)3(1.50毫克)和p(o-tol)3(1.84毫克)。將該管密封并用氬氣吹掃，然后加入脫氣氯苯(2毫升)。該混合物在氬氣下充分脫氣，然后移除氬氣入口。在微波反應(yīng)器中對(duì)該管施以下列條件：100℃5分鐘、140℃5分鐘、160℃30分鐘。在冷卻至rt后，將該聚合物沉淀到甲醇中，并經(jīng)soxhlet套筒過濾。該聚合物使用soxhlet裝置用甲醇、丙酮、己烷、二氯甲烷、氯仿和氯苯萃取。將該氯苯溶液濃縮并沉淀到甲醇中。過濾沉淀物并在真空下干燥以提供深藍(lán)色固體形式的p1(40毫克，40％)。gpc(氯苯,80℃):mn33000,mw91135gmol-1,pdi＝2.74.¹hnmr(1,1,2,2-四氯乙烷-d2,130℃,400mhz),δ(ppm):9.68(寬),6.63(寬),3.96-3.89(寬),2.15-2.13(寬),1.76-0.96(寬).

實(shí)施例4

p2的合成

向微波管瓶中加入二溴bttiid(i-6)(68.6毫克，0.052毫摩爾，1當(dāng)量)和2,5-雙(三甲基甲錫烷基)硒吩(23.78毫克，0.052微摩爾，1當(dāng)量)、pd2(dba)3(2毫克)和p(o-tol)3(2.58毫克)。密封該管并用氬氣吹掃，然后加入脫氣氯苯(1.0毫升)。該混合物在氬氣下充分脫氣，然后移除氬氣入口。在微波反應(yīng)器中對(duì)該管施以下列條件：100℃5分鐘、140℃5分鐘、160℃30分鐘。在冷卻至rt后，將該聚合物沉淀到甲醇中，并經(jīng)soxhlet套筒過濾。該聚合物使用soxhlet裝置用甲醇、丙酮、己烷、二氯甲烷、氯仿和氯苯萃取。將該氯仿和氯苯溶液濃縮并沉淀到甲醇中。過濾沉淀物并在真空下干燥以提供深藍(lán)色固體形式的p2(55毫克(氯仿)和6毫克(氯苯)，87.1％)。¹hnmr(1,1,2,2-四氯乙烷-d2，130℃,400mhz).,δ(ppm):9.67(寬),6.49(寬),3.96-3.87(寬),1.64-0.96(寬)。gpc(氯仿餾分)(氯苯,80℃):mn51500,mw17966gmol-1,pdi＝3.49.

實(shí)施例5

p3的合成

與聚合物p2的合成類似地進(jìn)行聚合物p3的合成：

實(shí)施例6

p4的合成

與聚合物p2的合成類似地進(jìn)行聚合物p4的合成：

實(shí)施例7

p5的合成

與聚合物p2的合成類似地進(jìn)行聚合物p5的合成：

實(shí)施例8

化合物(i-7)的合成

與化合物i-5類似地合成化合物i-7

實(shí)施例9

化合物(i-8)的合成

與化合物i-6類似地由i-7合成化合物i-8

實(shí)施例10

聚合物(p6)的合成

與聚合物p2類似地由i-8合成聚合物p6

實(shí)施例11

化合物(i-9)的合成

與化合物i-5類似地合成化合物i-9

實(shí)施例12

基于本發(fā)明的化合物和聚合物的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(ofet)的制造和電學(xué)表征

背接觸式、頂柵fets的制備

將半導(dǎo)體化合物i-x或聚合物px以0,75wt％的濃度溶解在鄰二氯苯中，隨后涂布到具有充當(dāng)fet的源和漏極觸點(diǎn)的光刻預(yù)圖案化的金觸點(diǎn)的pet基底上。通過標(biāo)準(zhǔn)刮刀涂布器以20mm/s的涂布速度涂布100微升該制劑，在整個(gè)基底上產(chǎn)生該半導(dǎo)體的均勻?qū)印Ｔ谕坎纪瓿珊?，將該基底立即轉(zhuǎn)移到預(yù)熱熱板上并在90℃下加熱30秒。接著在有機(jī)半導(dǎo)體上旋涂由cytopctl-809m構(gòu)成的柵極介電層(1200rpm，30s)。在旋涂后，將該基底再轉(zhuǎn)移到熱板上并在100℃下退火另外5分鐘。通過輪廓儀測(cè)得該介電層的厚度為535納米。最后通過真空蒸發(fā)沉積50納米厚的蔭罩圖案化金柵電極以完成bgtc配置的fets(見圖1a-h)

電學(xué)表征

由在飽和區(qū)中計(jì)算的轉(zhuǎn)移特性曲線(實(shí)心灰色曲線)的rootrepresentation計(jì)算遷移率μ。由圖1中的黑色虛線測(cè)定斜率m。將圖1中的黑色虛線擬合至電流特性id的rootrepresentation區(qū)域以獲得與rootrepresentation的線性斜率的良好相關(guān)性。

閾值電壓uth可取自圖1中的黑色虛線與x軸部分(vgs)的交點(diǎn)。

為了計(jì)算ofet的電性質(zhì)，使用下列方程：

其中ε0是8.85x10^-12as/vm的真空電容率(vacuumpermittivity)。對(duì)于cytop，εr＝2,1且d＝535nm是電介質(zhì)的厚度。通道長(zhǎng)度l＝10μm和通道寬度w＝250μm.

對(duì)于各化合物計(jì)算下列遷移率：