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一種適于近紫外激發(fā)的光譜可調(diào)控的熒光粉及其制備方法與流程

文檔序號:11245861閱讀:1334來源:國知局
一種適于近紫外激發(fā)的光譜可調(diào)控的熒光粉及其制備方法與流程

本發(fā)明涉及一種適于近紫外激發(fā)的光譜可調(diào)控的熒光粉及其制備方法,屬于發(fā)光技術領域。



背景技術:

白光發(fā)光二極管是一種新型全固態(tài)照明光源,相對于傳統(tǒng)照明光源具有高效、節(jié)能、環(huán)保、綠色照明、長壽命等優(yōu)點,被稱為21世紀的綠色光源。

通常采用藍光led芯片和yag:ce3+黃色熒光粉組合產(chǎn)生白光的配色方案。這樣的組合制作簡單,在所有白光led的組合方式中成本最低而效率最高,制備工藝成熟,產(chǎn)品穩(wěn)定。但是獲得的白光led光譜缺少紅色光譜部分,使得光源具有顯色指數(shù)偏低、色溫偏高,很難滿足醫(yī)學、建筑和家庭照明等特殊使用環(huán)境的要求。利用近紫外光led芯片激發(fā)藍、綠、紅三基色熒光粉,產(chǎn)生的多色光復合也可以得到白光。與藍光led基pc-w-led相比,這種方式獲得的白光具有較高的顯色指數(shù)和較低色溫。但是,在近紫外led芯片激發(fā)下熒光粉的能量轉(zhuǎn)換效率較低,限制了其在白光led中的應用。

在積極開發(fā)新型熒光粉的同時,如何在現(xiàn)有熒光粉中實現(xiàn)對光譜的調(diào)控,提高與白光led的匹配性和滿足不同場合的需求逐漸引起了人們的關注。eu2+離子的發(fā)光屬于4f65d1→4f1躍遷發(fā)光,5d1能態(tài)能量比較低,處于離子的最外層,電子裸露。因此,5d1軌道的能級劈裂程度受晶體場影響很大。而不同基質(zhì)的晶體場環(huán)境可以影響eu2+離子的發(fā)光顏色和強度。我們可以通過其他元素進行取代來改變熒光粉基質(zhì)的結(jié)構(gòu),使得晶體場環(huán)境發(fā)生變化,來改善熒光粉的發(fā)光性能。



技術實現(xiàn)要素:

針對以上問題,本發(fā)明提供一種適于近紫外光激發(fā)的光譜可調(diào)控的磷酸鹽熒光粉。

本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種適于近紫外光激發(fā)的光譜可調(diào)控的磷酸鹽熒光粉,其化學式為:(sr9-xeux)(y1-ymg1.5y)(po4)7,其中x,y為摩爾分數(shù),x的取值范圍:0.005≤x≤0.30,y的取值范圍:0≤y≤0.80。

一種適于近紫外光激發(fā)的光譜可調(diào)控的磷酸鹽熒光粉的制備方法,其包括如下步驟:

(1)按化學式(sr9-xeux)(y1-ymg1.5y)(po4)7的化學計量比,其中x,y為摩爾分數(shù),x的取值范圍:0.005≤x≤0.30,y取值范圍:0≤y≤0.80,分別稱取含有sr2+的化合物、含有y3+的化合物、含有mg2+的化合物、含有eu2+的化合物以及含有p5+的化合物,在瑪瑙研缽中充分研磨并混合均勻,得到混合物。

(2)將步驟(1)得到的混合物置入剛玉坩鍋中,在還原氣氛下放入高溫爐中焙燒,焙燒溫度為1200~1400℃,焙燒時間為3~5小時。

(3)將步驟(2)得到的燒結(jié)體自然冷卻后取出,研磨粉碎后即得。

所述含有sr2+和mg2+的化合物為含有相應離子的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合,所述含有y3+和eu2+的化合物均為含有相應離子的氧化物、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合,所述含有p5+的化合物為含有相應離子的氧化物和磷酸鹽中的一種或二者組合。

所述的高溫爐為馬弗爐或管式爐。

所述的還原氣氛為co氣氛或氮氫混合氣氛。

本發(fā)明提供的適于近紫外光激發(fā)的光譜可調(diào)控的磷酸鹽熒光粉,通過mg2+取代y3+離子格位,改變其晶體場環(huán)境,制備出發(fā)光光譜從綠色到黃色顏色可調(diào)熒光粉,其色度坐標從(0.2527,0.5111)變化到(0.4104,0.5083)。

當mg2+取代y3+離子時的(sr8.95eu0.05)(y1-xmg1.5x)(po4)7熒光粉,所得到的熒光粉隨著mg2+離子濃度增加,位于330nm和370nm處的激發(fā)峰強度明顯增加,使熒光粉能夠更好地與近紫外led芯片匹配。

在400nm激發(fā)光激發(fā)下,所得熒光粉的發(fā)射光譜位于430~750nm范圍內(nèi),隨著mg2+摻雜濃度的增加,來自于eu2+的發(fā)光峰逐漸從515nm調(diào)節(jié)到569nm,并且紅光成分顯著增加。

該熒光粉在200~480nm激發(fā)波長范圍內(nèi)有很強的吸收,發(fā)光波長位于425~750nm范圍內(nèi),熒光光譜可調(diào)控。本發(fā)明的熒光粉以磷酸鹽為基質(zhì),原料成本低廉、無污染,制備方法簡單,易于操作,適合工業(yè)化生產(chǎn)。

附圖說明

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。

圖1為本發(fā)明實施例1~5中熒光粉的激發(fā)光譜圖。

圖2為本發(fā)明實施例1~5中熒光粉的發(fā)射光譜圖。

具體實施方式

現(xiàn)在結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖,僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu),因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構(gòu)成。

一種適于近紫外光激發(fā)的光譜可調(diào)控的磷酸鹽熒光粉,其化學式為:(sr9-xeux)(y1-ymg1.5y)(po4)7,其中x,y為摩爾分數(shù),x的取值范圍:0.005≤x≤0.30,y的取值范圍:0≤y≤0.80。

一種適于近紫外光激發(fā)的光譜可調(diào)控的磷酸鹽熒光粉的制備方法,其包括如下步驟:

(1)按化學式(sr9-xeux)(y1-ymg1.5y)(po4)7的化學計量比,其中x,y為摩爾分數(shù),x的取值范圍:0.005≤x≤0.30,y取值范圍:0≤y≤0.80,分別稱取含有sr2+的化合物、含有y3+的化合物、含有mg2+的化合物、含有eu2+的化合物以及含有p5+的化合物,在瑪瑙研缽中充分研磨并混合均勻,得到混合物。

(2)將步驟(1)得到的混合物置入剛玉坩鍋中,在還原氣氛下放入高溫爐中焙燒,焙燒溫度為1200~1400℃,焙燒時間為3~5小時。

(3)將步驟(2)得到的燒結(jié)體自然冷卻后取出,研磨粉碎后即得。

所述含有sr2+和mg2+的化合物為含有相應離子的氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合,所述含有y3+和eu2+的化合物均為含有相應離子的氧化物、硝酸鹽、鹵化物中的一種或其任意組合,所述含有p5+的化合物為含有相應離子的氧化物和磷酸鹽中的一種或二者組合。

所述的高溫爐為馬弗爐或管式爐。

所述的還原氣氛為co氣氛或氮氫混合氣氛。

實施例1

(sr8.95eu0.05)y(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9249克,y2o3:0.0779克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0062克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)y(po4)7熒光粉。

實施例2

(sr8.95eu0.05)(y0.8mg0.3)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9249克,y2o3:0.0632克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0062克,mgo:0.0085克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.8mg0.3)(po4)7熒光粉。

實施例3

(sr8.95eu0.05)(y0.6mg0.6)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9249克,y2o3:0.0474克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0062克,mgo:0.0169克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.6mg0.6)(po4)7熒光粉。

實施例4

(sr8.95eu0.05)(y0.4mg0.9)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9249克,y2o3:0.0316克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0062克,mgo:0.0254克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.4mg0.9)(po4)7熒光粉。

實施例5

(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9249克,y2o3:0.0158克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0062克,mgo:0.0339克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉。

實施例1-5中給出了mg2+取代y3+離子時的(sr8.95eu0.05)(y1-xmg1.5x)(po4)7熒光粉,所得到的熒光粉在監(jiān)測515nm時測得的激發(fā)光譜如圖1所示,可以看出,隨著mg2+離子濃度增加,位于330nm和370nm處的激發(fā)峰強度明顯增加,使熒光粉能夠更好地與近紫外led芯片匹配。

同時,在400nm激發(fā)光激發(fā)下,所得熒光粉的發(fā)射光譜如圖2所示,發(fā)射光譜位于430~750nm范圍內(nèi),隨著mg2+摻雜濃度的增加,來自于eu2+的發(fā)光峰逐漸從515nm調(diào)節(jié)到569nm,并且紅光成分顯著增加。

實施例6

(sr8.995eu0.005)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9295克,y2o3:0.0158克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0006克,mgo:0.0339克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉。

實施例7

(sr8.9eu0.10)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9197克,y2o3:0.0158克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0123克,mgo:0.0339克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉。

實施例8

(sr8.8eu0.20)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9094克,y2o3:0.0158克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0246克,mgo:0.0339克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉。

實施例9

(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9249克,y2o3:0.0158克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0062克,mgo:0.0339克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1200℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉。

實施例10

(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9249克,y2o3:0.0158克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0062克,mgo:0.0339克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1400℃溫度下燒結(jié)4小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉。

實施例11

(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9249克,y2o3:0.0158克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0062克,mgo:0.0339克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)3小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉。

實施例12

(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉的制備。

按化學計量比稱取srco3:0.9249克,y2o3:0.0158克,nh4h2po4:0.5636克,eu2o3:0.0062克,mgo:0.0339克,在瑪瑙研缽中混合研磨均勻后,放入剛玉坩堝中,置于高溫爐內(nèi),在氫氣還原氣氛下于1300℃溫度下燒結(jié)5小時,自然冷卻后研磨,即得到(sr8.95eu0.05)(y0.2mg1.2)(po4)7熒光粉。

最后說明的是,以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案而非限制,盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明,本領域的普通技術人員應當理解,可以對本發(fā)明的技術方案進行修改或者等同替換,而不脫離本發(fā)明技術方案的宗旨和范圍,其均應涵蓋在本發(fā)明的權利要求范圍當中。

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