本申請涉及顯示，尤其是涉及量子點材料、量子點圖案化方法以及相關(guān)器件、裝置。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體量子點(quantum?dot，qd)是一種重要的熒光納米材料，將量子點材料作為發(fā)光層材料，應(yīng)用于光電顯示領(lǐng)域，逐漸成為未來發(fā)展的趨勢。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，通常通過噴墨打印或光刻的方式實現(xiàn)量子點的圖案化工藝。然而，現(xiàn)有技術(shù)無法制作高分辨率且性能良好的量子點。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了解決上述問題或其他問題，本申請?zhí)峁┝艘韵录夹g(shù)方案。

2、本申請采用的第一技術(shù)方案是提供一種量子點材料，包括：量子點本體；以及，至少一光敏基團，與量子點本體連接，光敏基團被配置為與相鄰量子點本體連接的光敏基團發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)；其中，光敏基團為查爾酮基團。

3、其中，查爾酮基團包括：酮基；以及，苯環(huán)，與酮基連接；其中，苯環(huán)上修飾有至少一個給電子基團。

4、其中，給電子基團修飾在酮基的鄰位和/或?qū)ξ弧?/p>

5、其中，給電子基團包括強給電子基團、中等給電子基團以及弱給電子基團中的至少一種。

6、其中，查爾酮基團包括式1表示的化合物：

7、式1

8、其中，查爾酮基團為芳香醛酮發(fā)生交叉羥醛縮合的產(chǎn)物；優(yōu)選地，查爾酮基團中與酮基連接的苯環(huán)上修飾有至少一個給電子基團。

9、其中，量子點材料還包括：其他配體基團，與量子點本體連接；其中，光敏基團的數(shù)量為第一數(shù)值，光敏基團與其他配體基團的數(shù)量之和為第二數(shù)值，第一數(shù)值與第二數(shù)值的比值為40％至60％中的任一值。

10、為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的第二技術(shù)方案是提供一種量子點圖案化方法，包括：獲取到量子點材料；其中，量子點材料包括量子點本體以及與量子點本體連接的至少一光敏基團，光敏基團被配置為與相鄰量子點本體連接的光敏基團發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)；其中，光敏基團為查爾酮基團；基于量子點材料獲取到量子點溶液；在基板上沉積量子點溶液，以形成量子點薄膜；對量子點薄膜進行曝光，以發(fā)生光交聯(lián)反應(yīng)；其中，光交聯(lián)反應(yīng)包括相鄰兩個量子點本體連接的查爾酮基團之間發(fā)生的交聯(lián)反應(yīng)；對量子點薄膜進行顯影，以在量子點膜層上形成預(yù)設(shè)的圖案。

11、其中，對量子點薄膜進行曝光，以發(fā)生光交聯(lián)反應(yīng)的步驟，包括：利用紫外光照射量子點薄膜，以發(fā)生光交聯(lián)反應(yīng)；其中，紫外光的波長為365nm或405nm。

12、為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的第三技術(shù)方案是提供一種量子點發(fā)光器件，量子點發(fā)光器件包括基板、依次層疊設(shè)置在基板上的陽極、發(fā)光層以及陰極，發(fā)光層包括量子點膜層，量子點膜層由上述的量子點圖案化方法制成；其中，量子點膜層中的量子點材料包括量子點本體以及與量子點本體連接的至少一光敏基團，光敏基團被配置為與相鄰量子點本體連接的光敏基團發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)；其中，光敏基團為查爾酮基團。

13、為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的第四技術(shù)方案是提供一種顯示裝置，包括上述的量子點發(fā)光器件。

14、本申請的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請?zhí)峁┝孔狱c材料、量子點圖案化方法以及相關(guān)器件、裝置，通過在量子點本體上修飾光敏基團，并將光敏基團配置為與相鄰量子點本體連接的光敏基團發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，能夠利用不同量子點之間形成的交聯(lián)結(jié)構(gòu)將兩個量子點結(jié)合在一起，以提高量子點膜層的穩(wěn)定性以及保留區(qū)域的抗顯影性能，從而實現(xiàn)量子點膜層的圖案化。進一步地，通過限定光敏基團為查爾酮基團，能夠利用酮基以及苯環(huán)增加碳碳雙鍵的電子云密度，進而降低碳碳雙鍵在光交聯(lián)反應(yīng)中斷裂所需的能量，從而降低量子點本體損壞的概率，繼而提高顯示器件的分辨率以及顯示效果。

技術(shù)特征：

1.一種量子點材料，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點材料，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點材料，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點材料，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點材料，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點材料，其特征在于，

7.一種量子點圖案化方法，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的量子點圖案化方法，其特征在于，

9.一種量子點發(fā)光器件，所述量子點發(fā)光器件包括基板、依次層疊設(shè)置在所述基板上的陽極、發(fā)光層以及陰極，所述發(fā)光層包括量子點膜層，其特征在于，

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求9中所述的量子點發(fā)光器件。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了量子點材料、量子點圖案化方法以及相關(guān)器件、裝置，量子點材料包括：量子點本體以及與量子點本體連接的至少一光敏基團，光敏基團被配置為與相鄰量子點本體連接的光敏基團發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)；其中，光敏基團為查爾酮基團。本申請通過在量子點本體上修飾光敏基團，并將光敏基團配置為與相鄰量子點本體連接的光敏基團發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)，能夠?qū)崿F(xiàn)量子點膜層的圖案化。進一步地，通過限定光敏基團為查爾酮基團，能夠利用酮基以及苯環(huán)增加碳碳雙鍵的電子云密度，進而降低碳碳雙鍵在光交聯(lián)反應(yīng)中斷裂所需的能量，從而降低量子點本體損壞的概率，繼而提高顯示器件的分辨率以及顯示效果。

技術(shù)研發(fā)人員：焦福星,顏志敏
受保護的技術(shù)使用者：云谷（固安）科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2