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包含納米結(jié)構(gòu)體的二氧化硅復(fù)合微粒的制作方法

文檔序號:40442491發(fā)布日期:2024-12-24 15:16閱讀:30來源:國知局
包含納米結(jié)構(gòu)體的二氧化硅復(fù)合微粒的制作方法

本發(fā)明涉及納米結(jié)構(gòu)體的領(lǐng)域。提供了包含納米結(jié)構(gòu)體的二氧化硅復(fù)合微粒。還提供了制備所述微粒的方法,包含所述微粒的膜,以及包含所述微粒的器件。還提供了不包含阻隔層的顯示器背光單元(blu)。


背景技術(shù):

1、量子點增強(qiáng)膜(qdef)是由嵌入夾在一個或多個阻隔層之間的聚合物樹脂中的納米結(jié)構(gòu)體組成的多層結(jié)構(gòu)體。所述阻隔層提供操作條件例如通量(flux)、溫度和濕度方面的穩(wěn)定性。然而,所述阻隔層對產(chǎn)品施加額外的成本。

2、存在對于包含納米結(jié)構(gòu)體組合物的膜的需要,其具有改善的穩(wěn)定性而不需要阻隔層。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、提供了獨特的方法以提供qdef膜,所述qdef膜不需要阻隔層且包含含有納米結(jié)構(gòu)體的二氧化硅微粒。所述含有納米結(jié)構(gòu)體的二氧化硅微??赏ㄟ^擠出或類似的工藝嵌入任何光學(xué)級別聚合物膜中,并且所述膜可在顯示器器件中用作qdef。由于顆粒是穩(wěn)定的,并且不需要阻隔層,因此含有所述微粒的器件的成本降低。在一些實施方式中,qdef如圖1中顯示的。

2、本公開內(nèi)容提供包含納米結(jié)構(gòu)體群的組合物,所述納米結(jié)構(gòu)體包含納米晶體核,其中所述納米結(jié)構(gòu)體嵌入二氧化硅微粒中。

3、在一些實施方式中,所述納米晶體核選自si、ge、sn、se、te、b、c、p、bn、bp、bas、aln、alp、alas、alsb、gan、gap、gaas、gasb、inn、inp、inas、insb、zno、zns、znse、znte、cds、cdse、cdsezn、cdte、hgs、hgse、hgte、bes、bese、bete、mgs、mgse、ges、gese、gete、sns、snse、snte、pbo、pbs、pbse、pbte、cuf、cucl、cubr、cui、si3n4、ge3n4、al2o3、al2co、aglngas、及其組合。

4、在一些實施方式中,所述納米晶體核包含inp。

5、在一些實施方式中,所述納米晶體核包含cdse。

6、在一些實施方式中,所述納米晶體核包含至少一個殼。

7、在一些實施方式中,所述至少一個殼為znse。

8、在一些實施方式中,所述至少一個殼為zns。

9、在一些實施方式中,所述納米結(jié)構(gòu)體包含銀、銦、鎵和硫(aigs)。

10、在一些實施方式中,硅酸鹽微粒具有約1μm至約20μm的直徑。

11、在一些實施方式中,所述二氧化硅微粒具有約2μm至約12μm的平均粒度。

12、本公開內(nèi)容還提供制造本文中描述的組合物的方法,所述方法包括:

13、(a)將納米結(jié)構(gòu)體與金屬或銨硅酸鹽在水中摻混;

14、(b)將在(a)中獲得的摻混物添加至在非極性非質(zhì)子溶劑中包含非離子表面活性劑的溶液,并混合以得到第一微乳液;

15、(c)從在(b)中獲得的第一微乳液中除去水;

16、(d)將乙酸、非離子表面活性劑和非極性非質(zhì)子溶劑摻混以得到第二微乳液;

17、(e)將所述第一和第二微乳液摻混以得到包含所述納米結(jié)構(gòu)體的二氧化硅微粒;以及

18、(f)分離在(e)中獲得的所述微粒。

19、在一些實施方式中,在(e)中的摻混之前,使所述第一和第二微乳液通過具有小于10μm的孔的過濾器。

20、在一些實施方式中,所述非極性非質(zhì)子溶劑包含1-十八烯、1-十六烯、1-二十烯、二十烷、十八烷、十六烷、十四烷、角鯊烯、或角鯊?fù)?、或其組合。

21、在一些實施方式中,所述非極性非質(zhì)子溶劑包含1-十八烯。

22、本公開內(nèi)容還提供包含以下的納米結(jié)構(gòu)體膜:

23、(a)本文中描述的組合物;和

24、(b)至少一種有機(jī)樹脂。

25、在一些實施方式中,所述微粒嵌入形成所述膜的至少一種有機(jī)樹脂中。

26、在一些實施方式中,所述膜是固化的。

27、在一些實施方式中,所述膜是通過擠出形成的。

28、在一些實施方式中,所述膜不包含與所述膜相鄰的具有低的氧氣和水分滲透性的阻隔層。

29、本公開內(nèi)容還提供包含以下的納米結(jié)構(gòu)體模塑制品:

30、(a)第一導(dǎo)電層;

31、(b)第二導(dǎo)電層;和

32、(c)在所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層之間的納米結(jié)構(gòu)體層,其中所述納米結(jié)構(gòu)體層包含本文中描述的組合物。

33、在一些實施方式中,所述納米結(jié)構(gòu)體模塑制品不包含與所述膜相鄰的具有低的氧氣和水分滲透性的阻隔層。

34、本公開內(nèi)容還提供包含本文中描述的組合物的顯示器器件。

35、在一些實施方式中,所述微粒嵌入所述顯示器器件內(nèi)形成膜的基質(zhì)中。

36、在一些實施方式中,所述膜布置在導(dǎo)光板上。

37、在一些實施方式中,所述顯示器器件不包含與所述膜相鄰的具有低的氧氣和水分滲透性的阻隔層。

38、本公開內(nèi)容還提供包含以下的顯示器背光單元(blu):

39、(a)發(fā)射初級光的至少一個初級光源;

40、(b)光耦合至所述至少一個初級光源的導(dǎo)光板(lgp),由此所述初級光均勻地透射通過所述lg;以及

41、(c)布置在所述lgp上的擠出的膜,其中所述初級光均勻地透射通過所述lgp并透射到所述擠出的膜中;

42、(d)其中所述擠出的膜不直接地物理耦合到所述lgp且包含配置成發(fā)射次級光的一個或多個納米結(jié)構(gòu)體群,其中所述初級光的至少一部分被所述納米結(jié)構(gòu)體吸收并且被所述納米結(jié)構(gòu)體重新發(fā)射作為所述次級光,并且其中所述blu不包含阻隔層。

43、在一些實施方式中,所述納米結(jié)構(gòu)體包含選自如下的納米晶體核:si、ge、sn、se、te、b、c、p、bn、bp、bas、aln、alp、alas、alsb、gan、gap、gaas、gasb、inn、inp、inas、insb、zno、zns、znse、znte、cds、cdse、cdsezn、cdte、hgs、hgse、hgte、bes、bese、bete、mgs、mgse、ges、gese、gete、sns、snse、snte、pbo、pbs、pbse、pbte、cuf、cucl、cubr、cui、si3n4、ge3n4、al2o3、al2co、aglngas、及其組合。

44、在一些實施方式中,所述納米晶體核包含inp。

45、在一些實施方式中,所述納米晶體核包含cdse。

46、在一些實施方式中,所述納米晶體核包含至少一個殼。

47、在一些實施方式中,所述至少一個殼為znse。

48、在一些實施方式中,所述至少一個殼為zns。

49、在一些實施方式中,所述納米結(jié)構(gòu)體包含銀、銦、鎵和硫(aigs)。

50、在一些實施方式中,所述擠出的膜包含至少一種有機(jī)樹脂。

51、在一些實施方式中,所述至少一種有機(jī)樹脂為聚(甲基丙烯酸甲酯)(pmma)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(pet)、或其組合。

52、在一些實施方式中,所述一個或多個納米結(jié)構(gòu)體群被無機(jī)材料包封。

53、在一些實施方式中,所述無機(jī)材料包含二氧化硅微粒。

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