本發(fā)明涉及一種粘合劑組合物及膜片。

背景技術(shù)：

1、作為用于半導(dǎo)體加工用膠帶的粘合劑，通常已知有以切割膠帶用粘合劑為代表的所謂uv剝離粘合劑(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。uv剝離粘合劑在uv照射后粘合力降低至1n以下，從而變得容易剝離。

2、專利文獻(xiàn)1：日本專利第6713864號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、近來的半導(dǎo)體工序變得復(fù)雜，對半導(dǎo)體加工用膠帶要求的要求條件也逐漸嚴(yán)格。特別是，在用于扇出型晶片級封裝(fo-wlp)等在晶片上直接承載ic的工序中的半導(dǎo)體加工用膠帶的情況下，還需要具有回流工序等的耐熱性。而且，考慮到對ic等電子部件的損害，有時還需要具有剝離工序膠帶時的抗靜電功能。

2、本發(fā)明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于：提供一種能夠適合用作半導(dǎo)體加工用的uv剝離粘合劑且抗靜電性能和耐熱性均優(yōu)異的粘合劑組合物及膜片。

3、第一方案為：一種粘合劑組合物，含有(甲基)丙烯酸類聚合物、4官能以上的不飽和雙鍵化合物、交聯(lián)劑、(f)硅烷偶聯(lián)劑、(g)抗靜電劑以及(h)光引發(fā)劑，所述(甲基)丙烯酸類聚合物為包含一種以上的(a)烷基的碳原子數(shù)為c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯和不含羧基的能夠共聚的單體且重均分子量100萬～350萬的共聚物，所述不含羧基的能夠共聚的單體為一種以上的(b)能夠共聚的含氮乙烯基單體以及一種以上的(c)含有羥基的共聚性單體，所述不飽和雙鍵化合物為選自(d)在分子內(nèi)具有4個以上的不飽和雙鍵的丙烯酸酯中的一種以上，所述粘合劑組合物含有相對于所述(a)烷基的碳原子數(shù)為c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯和所述(b)能夠共聚的含氮乙烯基單體的合計100重量份為0.1重量份～10重量份得到比例的所述交聯(lián)劑、0.1重量份～3重量份的比例的所述(f)硅烷偶聯(lián)劑、0.5重量份～30重量份的比例的所述(g)抗靜電劑以及0.1重量份～5.0重量份的比例的所述(h)光引發(fā)劑，所述交聯(lián)劑為(e)3官能以上的芳香族類異氰酸酯化合，所述(g)抗靜電劑為一種以上的熔點(diǎn)25℃以上的離子性化合物。

4、第二方案為：根據(jù)第一方案所述的粘合劑組合物，其中，將由所述粘合劑組合物進(jìn)行加熱干燥處理而形成的厚度20μm的粘合劑層層疊于厚度27μm的peek基材上的粘合膜對經(jīng)過pbo處理的硅晶片的90°剝離粘合力為1n/25mm以上，之后用金屬鹵化物燈或365nm波長的led-uv燈對直徑30.48cm(12英寸)的所述硅晶片以3000mj的比例進(jìn)行uv照射后，進(jìn)行240℃×5分鐘的加熱，進(jìn)一步進(jìn)行165℃×2.5hr的加熱而施行的試驗(yàn)后的粘合力為0.5n/25mm以下，從所述硅晶片剝離后的粘合劑層的表面的表面電阻率為1.0×10+10ω/□以下，與所述硅晶片進(jìn)行相同試驗(yàn)時的所述粘合膜對經(jīng)過ba處理的不銹鋼的90°剝離粘合力為0.5n/25mm以上，經(jīng)過剝離后的所述硅晶片的表面不被污染。

5、第三方案為：根據(jù)第一方案或第二方案所述的粘合劑組合物，其中，所述(甲基)丙烯酸類聚合物包含至少一種以上的所述(a)烷基的碳原子數(shù)為c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯、一種以上的所述(b)能夠共聚的含氮乙烯基單體以及一種以上的所述(c)含有羥基的共聚性單體，至少一種以上的所述(a)和所述(b)的合計100重量份中，至少一種以上的所述(a)為70重量份～95重量份，所述(b)為5重量份～30重量份，所述(a)包含40重量份以上的丙烯酸正丁酯，所述(b)為不含有羥基的含氮乙烯基單體。

6、第四方案為：根據(jù)第一方案～第三方案中任一項(xiàng)所述的粘合劑組合物，其中，所述(甲基)丙烯酸類聚合物包含相對于所述(a)烷基的碳原子數(shù)為c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯和所述(b)能夠共聚的含氮乙烯基單體的合計100重量份為0.1重量份～5重量份的比例的所述(c)含有羥基的共聚性單體，所述(c)含有羥基的共聚性單體為選自含有羥基的(甲基)丙烯酸酯、含有羥基的(甲基)丙烯酰胺中的一種以上。

7、第五方案為：根據(jù)第一方案～第四方案中任一項(xiàng)所述的粘合劑組合物，其中，作為所述(g)抗靜電劑的熔點(diǎn)25℃以上的離子性化合物包含0.5重量份～30重量份的以下成分：(g-1)是具有含氟基陰離子的銨類離子性化合物，含氟基陰離子為選自由五氟苯磺酸鹽、六氟磷酸鹽、雙(三氟甲烷磺?；?酰亞胺、雙(氟磺?；?酰亞胺、三氟甲磺酸鹽組成的組的一種；(g-2)是由具有五氟苯基(c6f5基)的硼酸鹽陰離子和陽離子構(gòu)成的離子性化合物，陽離子為選自由吡啶鎓、咪唑鎓、锍、鏻、吡咯烷鎓、胍、銨、異脲鎓、硫脲鎓、哌啶鎓、吡唑鎓、甲基鎓、鋰、銨組成的陽離子組的一種；以及(g-3)是由九氟丁烷磺酸鹽陰離子和陽離子構(gòu)成的離子性化合物，包含選自由如下成分組成的離子性化合物組的一種以上，所述成分為選自由吡啶鎓、咪唑鎓、鏻、锍、吡咯烷鎓、胍、銨、異脲鎓、硫脲鎓、哌啶鎓、吡唑鎓、甲基鎓、鋰、銨組成的組的一種。

8、第六方案為：根據(jù)第一方案～第五方案中任一項(xiàng)所述的粘合劑組合物，其中，所述(c)含有羥基的共聚性單體為選自由(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、n-羥基(甲基)丙烯酰胺、n-羥基甲基(甲基)丙烯酰胺、n-羥基乙基(甲基)丙烯酰胺組成的化合物組的一種以上。

9、第七方案為：根據(jù)第一方案～第六方案中任一項(xiàng)所述的粘合劑組合物，所述粘合劑組合物包含相對于所述(a)烷基的碳原子數(shù)為c1～c18的(甲基)丙烯酸烷基酯和所述(b)能夠共聚的含氮乙烯基單體的合計100重量份為5重量份～30重量份的所述(d)在分子內(nèi)具有4個以上的不飽和雙鍵的丙烯酸酯，所述(d)在分子內(nèi)具有4個以上的不飽和雙鍵的丙烯酸酯為選自由季戊四醇四丙烯酸酯、二(三羥甲基)丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇聚丙烯酸酯、聚季戊四醇聚丙烯酸酯組成的組的一種以上的丙烯酸酯化合物。

10、第八方案為：根據(jù)第一方案～第七方案中任一項(xiàng)所述的粘合劑組合物，其中，所述(e)3官能以上的芳香族類異氰酸酯化合物為選自甲苯二異氰酸酯的加合物、苯二亞甲基二異氰酸酯的加合物中的一種以上。

11、第九方案為：根據(jù)第一方案～第八方案中任一項(xiàng)所述的粘合劑組合物，其中，所述(f)硅烷偶聯(lián)劑具有選自由環(huán)氧基、(甲基)丙烯酰氧基、巰基、氨基、聚醚基組成的組的一種以上作為有機(jī)官能團(tuán)。

12、第十方案為：一種膜片，具有由第一方案～第九方案中任一項(xiàng)所述的粘合劑組合物形成的粘合劑層。

13、第十一方案為：根據(jù)第十方案所述的膜片，其中，所述粘合劑層的基材為厚度25μm以上的耐熱基材。

14、第十二方案為：根據(jù)第十一方案所述的膜片，其中，所述耐熱基材選自聚酰亞胺類膜、peek、pen、聚酰胺類膜、聚苯乙烯類膜。

15、第十三方案為：根據(jù)第十方案～第十二方案中任一項(xiàng)所述的膜片，其中，所述膜片用于半導(dǎo)體加工工序中。

16、第十四方案為：根據(jù)第十三方案的膜片，其中，所述膜片用于作為半導(dǎo)體加工工序的晶片級封裝工序中。

17、根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠適合用作半導(dǎo)體加工用的uv剝離粘合劑且抗靜電性能和耐熱性均優(yōu)異的粘合劑組合物及膜片。

18、本發(fā)明的粘合劑組合物能夠用作在維持以往的uv剝離粘合劑的性能的狀態(tài)下還保持了耐熱性的粘合劑，在需要耐熱性的工序之后也能夠容易剝離。以往的uv剝離粘合劑在uv照射后的加熱工序中粘合力大幅上升而不能應(yīng)對新的制造工序，但是，在本發(fā)明中，通過使用含有特定組成的(甲基)丙烯酸類聚合物和其它化合物的粘合劑組合物，能夠兼具uv剝離性能和耐熱性能。