專利名稱：匹配式多源頻譜治療儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種人們?nèi)粘Ｉ钪蓄A(yù)防和治疔疾病的匹配式多源頻譜治療儀。
目前市場上銷售的頻譜治療儀，在人體保健和疾病的治療方面已取得了較好的效果，使用的人數(shù)也在不斷增加，已備受用戶的歡迎；但也不同程度地存在著頻譜儀發(fā)射頻帶不夠?qū)?、發(fā)射峰值波長和人體吸收峰值波長距離較遠(yuǎn)的不足，即存在著和人體吸收匹配不好的缺點(diǎn)；另外，也存在著發(fā)射源體背面輻射能量過多、正面輻射能量分散造成能量散失及工作效率低的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的目的在于設(shè)計(jì)一種制作結(jié)構(gòu)合理、使用合理的中遠(yuǎn)紅外涂料配方和發(fā)射源體的適宜工作溫度的匹配式多源頻譜治療儀，達(dá)到發(fā)射頻帶寬、發(fā)射峰值波長接近人體吸收峰值波長即和人體吸收相匹配以及提高工作效率的目的。
本發(fā)明的設(shè)計(jì)方案匹配式多源頻譜治療儀，由可調(diào)支架、電源控制盒、接線板、五個(gè)發(fā)射源體、反射板和保護(hù)罩構(gòu)成；發(fā)射源體加熱片為五塊外形幾何尺寸相同、電阻值不同的直熱式碳化硅含量為(60～70)％的扁長方體陶瓷片，其背面為平面，正面為弧形柱面，發(fā)射源體加熱片的背面、兩側(cè)及正面縱向中心線的一側(cè)即50％的弧形柱面均涂有鋁粉涂層作為發(fā)射源體加熱片熱輻射的半阻擋層；發(fā)射源體上的中遠(yuǎn)紅外涂料的配比及范圍(重量百分比)的選擇A發(fā)射源體三氧化二鋁 15～25二氧化硅 25～35三氧化二鐵 45～55B發(fā)射源體二氧化鈦 30～40二氧化鋯 15～25氧化鋅 15～25三氧化二鐵 20～30C發(fā)射源體二氧化鋯 15～25二氧化硅 15～25三氧化二鎳 15～25三氧化二鐵 0～5三氧化二鉻 0～5二氧化錳 15～20氧化銅 10～20D發(fā)射源體三氧化二鉻 60～70二氧化硅 15～20二氧化鈦 15～20E發(fā)射源體二氧化鈦 25～35氧化鋅 25～35三氧化二鋁 5～15
二氧化硅15～25二氧化鋯5～15發(fā)射源體的工作溫度范圍A發(fā)射源體 90℃～120℃B發(fā)射源體130℃～140℃C發(fā)射源體150℃～170℃D發(fā)射源體130℃～160℃E發(fā)射源體140℃～160℃發(fā)射源體的安裝配置每個(gè)發(fā)射源體橫向放置，各發(fā)射源體成縱向排列，其兩端固定在接線板上，A、B發(fā)射源體未涂鋁粉涂層的弧形柱面在下，D、E發(fā)射源體未涂鋁粉涂層的弧形柱面在上，C發(fā)射源體未涂鋁粉涂層的弧形柱面在上或下；發(fā)射源體加熱片的阻值不同可實(shí)現(xiàn)通電加熱后的工作溫度不同；做為半阻擋層的鋁粉涂層可實(shí)現(xiàn)發(fā)射源體加熱片背面輻射能量減少50％左右，提高了發(fā)射源體加熱片的工作溫度，這樣既降低了反射板的溫度又提高了中遠(yuǎn)紅外涂料的輻射能量；半阻擋層的鋁粉涂層、發(fā)射源體上中遠(yuǎn)紅外涂料的配比、發(fā)射源體的工作溫度及發(fā)射源體的安裝配置共同保證了匹配式多源頻譜治療儀高的工作效率、足夠?qū)挼陌l(fā)射頻帶帶寬、發(fā)射峰值波長接近人體吸收峰值波長即匹配的實(shí)現(xiàn)。
匹配式多源頻譜治療儀的優(yōu)點(diǎn)、特點(diǎn)及積極效果1、具有足夠?qū)挼陌l(fā)射頻帶帶寬、發(fā)射峰值波長接近人體吸收峰值波長，即實(shí)現(xiàn)了同人體吸收頻譜的匹配；2、半阻擋層鋁粉涂層的使用，使有用的輻射能量集中、發(fā)射源體加熱片的輻射能量減少、提高了加熱板的溫度、提高了發(fā)射源體上中遠(yuǎn)紅外涂料的輻射能量，提高了工作效率；3、實(shí)現(xiàn)了匹配和輻射能量的集中，提高了保健及治療疾病的效果；4、半阻擋層鋁粉涂層的使用，也使發(fā)射源體上中遠(yuǎn)紅外涂料的輻射能量超過並大于加熱板的輻射能量。


圖1匹配式多源頻譜治療儀的整體結(jié)構(gòu)正視局剖圖；圖2匹配式多源頻譜治療儀的整體結(jié)構(gòu)左視局剖圖；圖3涂有鋁粉涂層的發(fā)射源體加熱片的橫向剖面圖；圖4只涂有鋁粉涂層的發(fā)射源體加熱片的橫向放置、縱向排列正視圖；圖5327℃時(shí)碳化硅的輻射特性曲線；橫座標(biāo)波長(微米)
刻度為0，1，2，3，4，5，6，……縱座標(biāo)輻射通量密度(10-2瓦/厘米2微米)刻度為0，10，20，30，……圖6匹配式多源頻譜治療儀的頻譜輻射特性曲線；橫座標(biāo)波長(微米)刻度為1，2，3，4，5，6，7，8，……縱座標(biāo)相對(duì)功率密度刻度為0，0.5，1.0圖中1可調(diào)支架，2電源控制盒，3接線板，4A發(fā)射源體，5B發(fā)射源體，6C發(fā)射源體、7D發(fā)射源體、8E發(fā)射源體、9反射板，10保護(hù)罩，11中遠(yuǎn)紅外涂料，12鋁粉涂層，13發(fā)射源體加熱片，14碳化硅的透過特性曲線，15頻譜輻射特性曲線。
下面結(jié)合附圖敘述本發(fā)明的最佳實(shí)施例匹配式多源頻譜治療儀由可調(diào)支架(1)、電源控制盒(2)、接線板(3)、A發(fā)射源體(4)、B發(fā)射源體(5)、C發(fā)射源體(6)、D發(fā)射源體(7)、E發(fā)射源體(8)、反射板(9)和保護(hù)罩(10)構(gòu)成(如圖1、圖2所示)；發(fā)射源體加熱片(13)為五塊外形幾何尺寸相同、電阻值不同的直熱式碳化硅含量為(60～70)％的扁長方體陶瓷片，其背面為平面，正面為弧形柱面，發(fā)射源體加熱片(12)的背面、兩側(cè)及正面縱向中心線的一側(cè)即50％的弧形柱面均涂有鋁粉涂層(7)作為發(fā)射源體加熱片(12)向外輻射能量的半阻擋層(如圖3所示)；發(fā)射源體上的中遠(yuǎn)紅外涂料(11)的配比(重量百分比)A發(fā)射源體(4)三氧化二鋁 15～25二氧化硅25～35三氧化二鐵 45～55B發(fā)射源體(5)二氧化鈦30～40二氧化鋯15～25氧化鋅 15～25三氧化二鐵 20～30C發(fā)射源體(6)二氧化鋯15～25二氧化硅15～25三氧化二鎳 15～25三氧化二鐵 0～5三氧化二鉻 0～5二氧化錳15～20氧化銅 10～20D發(fā)射源體(7)三氧化二鉻 60～70二氧化硅15～20二氧化鈦15～20E發(fā)射源體(8)二氧化鈦25～35氧化鋅 25～35
三氧化二鋁5～15二氧化硅15～25二氧化鋯5～15發(fā)射源體的工作溫度選擇為A發(fā)射源體120℃B發(fā)射源體135℃C發(fā)射源體162℃D發(fā)射源體160℃E發(fā)射源體158℃發(fā)射源體的安裝配置(如圖4所示)每個(gè)發(fā)射源體均橫向放置，各發(fā)射源體成縱向排列，其兩端固定在接線板(3)上，A發(fā)射源體(4)、B發(fā)射源體(5)未涂鋁粉涂層的弧形柱面在下，D發(fā)射源體(7)、E發(fā)射源體(8)未涂鋁粉涂層的弧形柱面在上，C發(fā)射源體(6)未涂鋁粉涂層的弧形柱面在上或下；發(fā)射源體加熱片(13)的阻值不同可實(shí)現(xiàn)通電加熱后的工作溫度不同；圖5是溫度為327℃時(shí)碳化硅的輻射特性曲線(14)；根據(jù)這一特性，在發(fā)射源體加熱片上涂上了半阻擋層的鋁粉涂層(12)，它可實(shí)現(xiàn)發(fā)射源體背面輻射能量減少50％左右，提高發(fā)射源體的工作溫度，這樣既降低了反射板的溫度又提高了中遠(yuǎn)紅外涂料的輻射能量；
圖6是匹配式多源頻譜治療儀的頻譜輻射特性曲線(15)；從圖中可見半功率帶寬為Δλ＝λ3-λ1＝9.6(微米)，發(fā)射峰值波長λ2≈8(微米)。
半阻擋層的鋁粉涂層(12)、發(fā)射源體上中遠(yuǎn)紅外涂料(11)的配比、發(fā)射源體的工作溫度及發(fā)射源體的安裝配置共同保證了匹配式多源頻譜治療儀高的工作效率、足夠?qū)挼陌l(fā)射頻帶帶寬即半功率帶寬達(dá)9.6微米、發(fā)射峰值波長為8微米接近人體吸收峰值波長9.5微米(如圖6所示)發(fā)明內(nèi)容的實(shí)現(xiàn)。
由實(shí)施例中可見匹配式多源頻譜治療儀具有如下的優(yōu)點(diǎn)、特點(diǎn)及積極效果1、具有足夠?qū)挼陌l(fā)射頻帶帶寬、發(fā)射峰值波長接近人體吸收峰值波長，即實(shí)現(xiàn)了同人體吸收頻譜的匹配；2、半阻擋層鋁粉涂層的使用，使有用的輻射能量集中、發(fā)射源體加熱片的輻射能量減少、提高了加熱板的溫度、提高了發(fā)射源體上中遠(yuǎn)紅外涂料的輻射能量，提高了工作效率；3、實(shí)現(xiàn)了匹配和輻射能量的集中，提高了保健及治療疾病的效果；4、半阻擋層鋁粉涂層的使用，也使發(fā)射源體上中遠(yuǎn)紅外涂料的輻射能量超過並大于加熱板的輻射能量。
權(quán)利要求
1.一種匹配式多源頻譜治療儀，由可調(diào)支架(1)、電源控制盒(2)、接線板(3)、A發(fā)射源體(4)、B發(fā)射源體(5)、C發(fā)射源體(6)、D發(fā)射源體(7)、E發(fā)射源體(8)、反射板(9)和保護(hù)罩(10)構(gòu)成，其特征在于a、發(fā)射源體加熱片(13)為五塊外形幾何尺寸相同、電阻值不同的直熱式碳化硅含量為(60～70)％的扁長方體陶瓷片，其背面為平面，正面為弧形柱面；b、發(fā)射源體加熱片(13)的背面、兩側(cè)及正面縱向中心線的一側(cè)即50％的弧形柱面均涂有鋁粉涂層(12)；c、發(fā)射源體上的中遠(yuǎn)紅外涂料(11)的配比及范圍(重量百分比)A發(fā)射源體(4)三氧化二鋁 15～25二氧化硅 25～35三氧化二鐵45～55B發(fā)射源體(5)二氧化鈦 30～40二氧化鋯 15～25氧化鋅15～25三氧化二鐵20～30C發(fā)射源體(6)二氧化鋯 15～25二氧化硅 15～25三氧化二鎳15～25三氧化二鐵0～5三氧化二鉻0～5二氧化錳 15～20氧化銅 10～20D發(fā)射源體(7)三氧化二鉻60～70二氧化硅 15～20二氧化鈦 15～20E發(fā)射源體(8)二氧化鈦 25～35氧化鋅 25～35三氧化二鋁5～15二氧化硅 15～25二氧化鋯 5～15d、發(fā)射源體的工作溫度范圍A發(fā)射源體(4) 90℃～120℃B發(fā)射源體(5)130℃～140℃C發(fā)射源體(6)150℃～170℃D發(fā)射源體(7)130℃～160℃E發(fā)射源體(8)140℃～160℃e、發(fā)射源體的安裝配置每個(gè)發(fā)射源體橫向放置，各發(fā)射源體成縱向排列，其兩端固定在接線板(3)上，A發(fā)射源體(4)、B發(fā)射源體(5)未涂鋁粉涂層(12)的弧形柱面在下，D發(fā)射源體(7)、E發(fā)射源體(8)未涂鋁粉涂層(12)的弧形柱面在上，C發(fā)射源體(6)未涂鋁粉涂層(12)的弧形柱面在上或下。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種匹配式多源頻譜治療儀，由可調(diào)支架、電源控制盒、接線板、五個(gè)發(fā)射源體、反射板和保護(hù)罩構(gòu)成，發(fā)射源體橫向放置，各發(fā)射源體成縱向排列，其兩端固定在接線板上；發(fā)射源體加熱片上的半阻擋層鋁粉涂層、中遠(yuǎn)紅外涂料的合理配比、發(fā)射源體在接線板上的合理配置及其工作溫度的合理選擇確定了匹配式多源頻譜治療儀具有發(fā)射頻帶寬、發(fā)射峰值波長接近人體吸收峰值波長即和人體吸收相匹配以及保健、治療疾病效率高的功能和特點(diǎn)。
文檔編號(hào)C09K11/08GK1132102SQ95119868
公開日1996年10月2日 申請日期1995年12月26日 優(yōu)先權(quán)日1995年12月26日
發(fā)明者王祥林, 趙錫林 申請人:哈爾濱市頻譜醫(yī)療技術(shù)開發(fā)有限公司