專利名稱：高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于制作彩色投影顯示管，特別是其中發(fā)光屏的制作技術(shù)。
彩色顯示管中的熒光屏是顯示技術(shù)中的一個關(guān)鍵部件。現(xiàn)在運用非常普遍的顯示設(shè)備CRT管(陰極射線管)，其發(fā)光材料是沉積于透明屏上的三色(紅、綠、蘭)粉末狀熒光物質(zhì)，CRT管的顯示亮度完全決定于熒光物質(zhì)的發(fā)光效率和入射激勵電子束能量的高低，目前普遍采用的熒光粉只有在較低的電子入射功率密度下＜104w/m2，才能保證一定的發(fā)光效率，若入射激發(fā)能量高于＞104w/m2時，熒光粉發(fā)光效率會迅速下降，這是因為熒光粉的熱性能較差，高入射能量的電子導(dǎo)致熒光粉的灼傷，制約了CRT管的亮度和壽命；對于粉末熒光屏，發(fā)光光斑的大小，不僅取決于電子束上屏束斑的尺寸，而且也取決于熒光物質(zhì)顆粒間的光散射。當精心設(shè)計電子槍使電子束上屏束斑變得足夠小時，熒光物質(zhì)顆粒間的光散射是限制熒光屏極限分辨率的決定性因素。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，近年來對高亮度、高分辨率顯示的要求日益迫切，傳統(tǒng)的采用粉未屏結(jié)構(gòu)的CRT管已無法滿足這種要求，有必要尋找一種新型的發(fā)光材料。研究中發(fā)現(xiàn)單晶熒光材料，特別是石榴石相單晶熒光體，具有較高的發(fā)光猝滅溫度，在高達109w/m2的入射能量激發(fā)時，其發(fā)光強度無明顯飽和現(xiàn)象，材料本身具有良好的熱性能，而且對顯示分辨率無限制等等優(yōu)異性能，是實現(xiàn)高亮度、高分辨率顯示的理想材料，因此成為近年來發(fā)光材料研究領(lǐng)域里的一個熱點，以下幾篇文獻可以體現(xiàn)出30年來這一研究方向的進展1、G.Blasse，A.Bril發(fā)表于《應(yīng)用物理快報》(Appl.phys.letts)1967.11卷53期上的一篇文章“發(fā)黃光的飛點掃描CRT的新型熒光體Ce3+∶Y3Al5O12”(A new phosphor for flying spot cathode-ray tubesfor yellow emitting Y3Al5O12∶Ce3+)以及他們在1971年申請的US.patentNo.3,564,322“飛點掃描CRT管”(Cathode-ray tube for flying-spotscanning)。報道中的Ce3+∶Y3Al5O12材料(Ce-鈰、YAG-釔鋁石榴石)是以YAG為主晶格的Ce3+離子為發(fā)光中心的波長λmax＝555nm的單晶熒光材料，發(fā)光顏色呈黃綠色，不適合視覺習慣，也不滿足彩色顯示要求的綠色標準，但它已充分地顯示出單晶石榴石相物質(zhì)作為熒光材料的優(yōu)越性，這一發(fā)現(xiàn)為后繼的進一步研究指明了方向。而后經(jīng)過眾多科研工作者許多年的研究實驗，總結(jié)出在該材料基礎(chǔ)上可用其他稀土元素代替Ce作發(fā)光離子，或用稀土元素和其它三價元素如鎵(Ga)、銦(In)、鈧(Sc)等等替代YAG主晶格中的釔(Y3+)、鋁(Al3+)晶格位置，以改變晶體場對發(fā)光離子的作用，從而調(diào)整Ce3+離子發(fā)光的光譜特性，并認為這類石榴石相熒光體應(yīng)具有如此的化學成分Y3-x-yCex REy Al5-wZw O12其中Y-釔、Ce-鈰、RE-指除Ce以外的一種或多種稀土元素Al-鋁，Z-指Ga、In、Sc三價元素，O-氧0≤x≤0.1，0≤y≤3，0≤w≤3
2.J.M.ROBERTSON等在《菲利普研究》(philips journal ofresearch)1981年第一期36卷上發(fā)表的文章“外延單晶石榴石層中Ce3+離子發(fā)光的顏色轉(zhuǎn)移”(Colour shift of the Ce3+emission inmonocrystalline epitaxially grown garnet layers)文章中報道了轉(zhuǎn)移Ce3+發(fā)光光譜特性的研究，他們在YAG襯底上外延了Y1.903Ce0.008Lu1.080Al4.339Gu0.668O12的熒光層，其λmax＝538nm，與Ce∶YAG的λmax＝555nm的光譜特性相比，這種材料具有理想的綠色光譜特性，但該材料中Ce3+離子發(fā)光效率比Ce∶YAG材料下降了40％；在Ce3+離子發(fā)光向長波方向轉(zhuǎn)移的研究方面，Robertson等人在YAG襯底上外延的Ce0.010Y1.587Gd1.395Al5.006O12熒光層，λmax＝574nm，但Ce3+離子發(fā)光效率比Ce∶YAG材料下降了15％，光譜特性也不太理想，外延膜缺陷嚴重；他們在Y3Al3.5Ga1.5O12襯底上外延的Ce∶Gd3Al5O12膜，發(fā)光效率接近于Ce∶YAG材料，λmax＝587nm，認為通過適當濾波，可以作為紅色熒光材料，但由于Gd3Al5O12的晶格常數(shù)較大，與現(xiàn)在可獲得的襯底材料無法匹配，因此，上述外延膜有大量刻面缺陷產(chǎn)生，成膜質(zhì)量差；為實現(xiàn)Ce3+離子發(fā)光向短波方向轉(zhuǎn)移，他們在YAG襯底上外延了成分為Ce0.006Lu2.967Al3.972Ga1.025In0.029O12的熒光膜，但膜中出現(xiàn)了嚴重的龜裂缺陷，由該材料發(fā)光譜可見λmax＝513nm+405nm，呈雙峰結(jié)構(gòu)，發(fā)光效率與Ce∶YAG材料相比下降了一個數(shù)量級，無法滿足藍色顯示的要求。
3、1985年Berkstresser、George、Wayne等人申請的歐洲專利EP014293號“利用高發(fā)光強度單晶石榴石材料的顯示系統(tǒng)”(Visualdisplay system utilizing high luminosity Single crystalgarnet material)指出成分為Y3-x-y-zCex Tby REz Al5-wXwO12(其中Tb-鋱、Al-鋁、RE-指Tb、Ce外的一種或幾種稀土元素，X-指Ga、In、Sc元素)的單晶石榴石相結(jié)構(gòu)外延膜是一種較理想的綠色熒光材料，并列舉了在YAG襯底上外延Y1.958Lu0.93Tb0.10Ce0.0122Al4.24Ga0.76O12膜的熔料配方和工藝參數(shù)，給出了光譜示意圖，可見其發(fā)光光譜為典型的Tb3+、Ce3+發(fā)光疊加譜，適合綠色顯示的需要，但外延膜中Lu/Ga≌1.22，比例不當造成外延膜與YAG襯底間晶格失配嚴重，缺陷明顯，成膜質(zhì)量差。
4、Berkstresser等在1985年的另一份PCT專利WO86/00633“發(fā)光顯示設(shè)備”(Luminescent display device)中指出利用Bi3+(鉍)離子發(fā)光的Y3-x-yBix REy Al5-zGazO12單晶石榴石相外延層，可以作為一種藍色熒光體。專利還具體給出了Y2.95Bi0.05Al5O12外延膜的熔料配方，制作工藝參數(shù)，由資料的光譜曲線可見該材料λmax≥425nm，波長偏短，且發(fā)光效率較低。
綜合上述文獻可以發(fā)現(xiàn)已見報導(dǎo)的工作僅僅局限于某種單一顏色發(fā)光的單晶熒光體材料，這些材料在能量轉(zhuǎn)換效率，外延膜晶格結(jié)構(gòu)(即外延層與襯底的匹配)上尚有不足，很難實現(xiàn)高亮度、高分辨率彩色顯示。
本發(fā)明的目的，是為了克服單晶顯示方面已有技術(shù)中的不足之處，以實現(xiàn)高亮度、高分辨率彩色投影顯示。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是通過采用新的熔料配方，外延工藝來制備新型的單晶石榴石相熒光材料，達到從成分結(jié)構(gòu)上優(yōu)化，晶格結(jié)構(gòu)上提高材料性能的目的。
本發(fā)明的高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，主要包含有激勵束源(電子束、紫外光束等)、激勵束的調(diào)制、會聚、偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)、玻璃或陶瓷材料制作的外殼以及特制的熒光屏，其特征是該熒光屏是單晶熒光材料，構(gòu)成這種屏的單晶熒光材料具有如下成分Y3-x-y-zCex REy Mz Al5-wQwO120≤x≤0.1 0≤y≤3 0≤z≤1.0 0≤w≤3其中Y(釔)、Ce(鈰)、RE(除Ce外的一種或幾種稀土元素)，M(Cr-鉻、Bi-鉍等元素)；Al(鋁)、Q(Sc-鈧、Cr-鉻、V-釩、Ga-鎵、In-銦等元素)；x、y、z、w為摩爾數(shù)。
根據(jù)熒光屏發(fā)光顏色的不同構(gòu)成屏的單晶熒光材料成分也不同，可分為三類。
一、綠色單晶熒光體構(gòu)成綠色單晶熒光體的外延膜具有如下成分Y3-x-y-zCex Tby REz AL5-wQwO120≤X≤0.1、 0≤y≤1.0 0≤z≤2 0≤w≤3RE指除Ce、Tb外的稀土元素，Q指Ga(鎵)、Sc(鈧)、V(釩)等元素。
采用Ce3++Tb3+離子的雙發(fā)光中心結(jié)構(gòu)，可使材料在光譜特性，能量轉(zhuǎn)換效率等性能上較Ce∶YAG材料有明顯的改善，為了進一步提高材料發(fā)光性能，采用V3+離子作為敏化劑，激發(fā)態(tài)的V3+離子能量向Ce3+、Tb3+離子的轉(zhuǎn)移，可使Ce3+、Tb3+離子發(fā)光強度得到極大的增強。
在YAG主晶格中用離子半徑較小的Lu3+、Yb3+等離子部分取代Y3+離子，用離子半徑較大的Ga3+、Sc3+離子替代部分Al3+離子，改變晶體場對Ce3+離子的作用，能使Ce3+離子發(fā)光光譜特性更適合綠色顯示的要求，但同時外延膜的晶格參數(shù)會隨著不同的離子摻入量而變化，為了確保外延膜與襯底的晶格匹配需要選擇控制膜中各種離子成分之間的比例，在YAG襯底上外延Lu3++Ga3+雙摻雜膜時(即在上述成分公式中用Lu代替RE，用Ga替代Q)，這時Lu/Ga比例應(yīng)保持在1.5左右，可實現(xiàn)外延膜與YAG襯底間良好的晶格匹配。
二、紅色單晶熒光體構(gòu)成紅色單晶體的外延膜具有如下成分Gd3-x-y-zCex REy Yz AL5-wQwO120≤X≤0.1 0≤y≤20≤z≤2 0≤w≤3RE指除Gd(釓)、Ce(鈰)外的其他稀土元素，Q指敏化元素V(釩)或Cr(鉻)等三價元素。
在Gd3Al5O12(釓鋁石榴石)的主晶格中，Ce3+離子所處的晶體場不同于YAG主晶格場，Ce3+離子發(fā)光向長波方向轉(zhuǎn)移，λmax可達到590nm以上，為了增強Ce3+離子發(fā)光強度，采用V3+離子作敏化劑，同時V3+離子半徑小于Al3+離子，可補償離子半徑較大的Gd3+離子，適當?shù)腉d/V比例可保證外延膜與YAG襯底良好的匹配。
采用雙發(fā)光中心Cr3++Ce3+結(jié)構(gòu)，可進一步改善材料光譜特性，提高能量轉(zhuǎn)換效率。
三、藍色單晶熒光體構(gòu)成藍色單晶體的外延膜具有如下成分Lu3-x-y-zCex REy Yz AL5-wQwO12
0≤X≤0.1 0≤y≤0.50≤z≤20≤w≤3RE指除Lu、Ce外的稀土元素，Q指Ga、V、Sc、In等元素镥鋁石榴石(Lu3Al5O12)主晶格的晶體場對Ce3+離子的作用，能有效地將Ce3+離子發(fā)光向短波方向轉(zhuǎn)移，λmax可達到500nm左右。
Tb3+離子濃度低于1.5×10-2時，受激輻射躍遷主要是5D3-7F態(tài)，能量高于受激Tb3+離子常見的5D4-7F態(tài)(λ＝540nm)躍遷，發(fā)光光譜處于藍色波段，采用Ce3++Tb3+的雙發(fā)光中心結(jié)構(gòu)，可改善材料的藍色光譜特性，提高能量轉(zhuǎn)換效率。利用Lu3+、Ga3+離子半徑補償效應(yīng)，適當調(diào)整Lu/Ga比例可有效地實現(xiàn)外延膜與襯底的晶格匹配。采用V3+離子作為敏化劑可使Ce5+、Tb3+離子發(fā)光得到極大的增強。
單晶外延膜的制備是采用在石榴石相襯底上液外相外延工藝生長的。
制作時，首先將含有外延膜成分的氧化物，按一定的熔料配方比例與相當量的熔助劑均勻混合，所有的配料純度要求4N(99.99％)以上，助熔劑采用氧化鉛(Pbo)、氧化硼(B2O3)，氧化鉍(Bi2O3)、氟化鉛(PbF)中的一種或幾種組合皆可。將混合均勻的配料盛放于鉑金鉗鍋中，在大氣氛圍下進行恒溫加熱勻料，溫度為1250℃-1300℃，讓含有石榴石相材料成分的氧化物在助熔劑使用下充分熔化，形成均勻的液狀熔料，然后將熔料降溫至過飽和狀態(tài)(過飽和溫度一般為10℃-50℃，最佳值在30℃左右)，此時將拋磨后清洗干凈的單晶石榴石相襯底(如YAG)伸入熔料中均勻旋轉(zhuǎn)，即可在襯底上外延生長一層所需的單晶熒光膜。
本發(fā)明通過選擇，控制熔料中各種氧代物成分間比例來實現(xiàn)在外延過程中對外延膜的選擇摻雜(即選擇控制外延膜中各成分的摩爾濃度x、y、z、w的大小)以及外延膜與襯底的晶格匹配，從而在選擇的石榴石相襯底上外延生長出晶格完整無缺陷發(fā)光性能優(yōu)良的紅、綠、藍單晶石榴石相熒光膜。采用上述三色單晶屏的CRT管，可實現(xiàn)高亮度、高分辨率的彩色投影顯示系統(tǒng)。


圖1 Ce3+∶Tb3+∶YLuAlGaO 材料發(fā)光光譜2 Ce3+∶Tb3+V3+∶YLuAlGaO 材料發(fā)光光譜3 Ce3+∶V3+∶GdYAlO 材料發(fā)光光譜4 Ce3+∶Cr3+∶V3+∶GdYAlO 材料發(fā)光光譜5 Ce3+∶Tb3+∶LuYAlGaO 材料發(fā)光光譜圖結(jié)合附圖通過實施例進一步說明本發(fā)明實施例一制作綠色熒光體熔料配方1Y2O3∶CeO2∶Tb4O7∶Lu2O3∶Al2O3∶Ga2O3∶B2O5∶PbO＝10.259∶3.670∶0.410∶8.418∶17.386∶17.186∶31.08∶1200將上述配料均勻熔化后，降溫至1060℃即可進行外延，在<111>取向直徑為54mm的YAG襯底上外延出了晶格完整的熒光膜，成分為Y2.177Ce0.014Tb0.042Lu0.860Al4.321Ga0.582O12，發(fā)光光譜見圖1λmax＝540nm是一種理想的綠色熒光材料，測試發(fā)現(xiàn)發(fā)光光強是早期工藝制備的Ce∶YAG材料的2倍，其Lu/Ga＝1.48，符合匹配要求。
熔料配方2Y2O3∶CeO2∶Tb4O7∶Lu2O3∶Al2O3∶Ga2O3∶V2O5∶B2O3∶PbO＝10.259∶3.155∶0.683∶5.413∶17.387∶13.067∶9.6∶31.08∶1200外延溫度為1030℃、襯底為<111>取向直徑達54mm的YAG晶片，外延膜成分為Y2.123Ce0.017Tb0.042Lu0.807Al4.462Ga0.546V0.002O12光譜見圖2，亮度測量是未加V3+敏化的前述熒光層亮度的1.6倍，采用這種熒光體作為CRT管熒光屏制備出的2英寸投影管在能量高達50W的激發(fā)功率下，能量轉(zhuǎn)換效率大于3.8Lu/w，分辨率大于2000線/寸，完全能滿足高亮度、高分辨率顯示要求。
實施例二制作紅色單晶熒光體熔料配方1CeO2∶Y2O3∶Gd2O3∶Al2O3∶V2O5∶B2O3∶PbO＝4.0∶4.159∶17.313∶23.58∶9.0∶29.126∶1125外延溫度為1060℃，襯底為<111>取向直徑為54mm的YAG晶片，外延膜成分Gd1.740Y0.969Ce0.015Al5.272V0.002O12光譜見圖3，λmax＝590nm，采用這種熒光體制備的CRT管結(jié)構(gòu)投影管，在50w的入射功率下，能量轉(zhuǎn)換效率可達到1.5Lu/W，分辨率大于2000線/寸，采用適當?shù)臑V色片(620nm濾色片)后，可以與前述綠色管達到匹配，滿足理想彩色顯示要求。
熔料配方2CeO2∶Y2O3∶Gd2O3∶Al2O3∶V2O5∶Cr2O3∶B2O3∶PbO＝3.2∶3.763∶15.66∶21.33∶9.05∶26.67∶31.07∶1200。
外延溫度為1060℃時，在YAG襯底上外延的熒光膜成分為Gd1.782Y0.894Ce0.019Al5.255Cr0.046V0.002O12，光譜圖見圖4。
實施例三制作藍色單晶熒光體熔料配方1CeO2∶Tb4O7∶Lu2O3∶Y2O3∶Al2O3∶Ga2O3∶B2O3∶PbO＝1.25∶0.042∶7.725∶0.997∶11.210∶39.642∶29.125∶1125外延溫度為1030℃，襯底為<111>取向直徑為54mm的單晶YAG，外延膜成分為Lu2.213Y0.780Ce0.011Tb0.011Al3.613Ga1.372O12，光譜見圖5，λmax≤490nm，亮度測試表明其發(fā)光強度達到早期工藝的Ce∶YAG材料，利用這種熒光材料制備的2英寸投影管在入射功率50w時，能量轉(zhuǎn)換效率大于0.5lu/w，分辨率高于2000線/寸，為了滿足藍色顯示要求，可采用λmax＝450nm的濾色片，過濾后其亮度能夠與前述的紅色、綠色投影管達到理想的混色要求。
熔料配方2CeO2∶Tb4O7∶Lu2O3∶Y2O3∶Al2O3∶Ga2O3∶V2O5∶B2O3∶PbO＝2.955∶0.034∶8.236∶1.05∶11.771∶31.833∶11.56∶29.125∶1125在外延溫度為1040℃，襯底為<111>取向直徑為54mm的YAG晶片上，外延出了晶格完整無缺陷的熒光膜，外延膜成分為Lu2.205Y0.773Ce0.018Tb0.009Al3.767Ga1.225V0.003O12其光譜與圖5相似為Ce3++Tb3+發(fā)光疊加譜結(jié)構(gòu)，亮度測試表明由于V3+的敏化作用以及熒光膜中發(fā)光離子Ce3+濃度的增加，其亮度達到了采用熔料配方1制備的熒光膜的2.5倍。
權(quán)利要求
1.高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，主要包含有激勵束源、激勵束的調(diào)制、會聚、偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，玻璃或陶瓷材料制作的外殼和熒光屏，其特征在于該熒光屏是單晶熒光材料，構(gòu)成這種屏的單晶熒光材料具有以下成分Y3-x-y-zCex REy Mz AL5-wQwO120≤X≤0.1 0≤y≤3 0≤z≤1.0 0≤w≤3RE指除Ce外的一種或幾種稀土元素，M指Bi、Cr、V元素，Q指V、Ga、Cr、Sc、In、F等元素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，其特征在于實現(xiàn)綠色屏的單晶熒光材料具有以下成分Y3-x-y-zCex TbyREz AL5-wQwO120≤X≤0.1 0≤y≤1.0 0≤z≤2 0≤w≤3RE指除Ce、Tb外的稀土元素，Q指Ga、Sc、V等元素。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，其特征在于實現(xiàn)紅色屏的單晶熒光材料具有以下成分Gd3-x-y-zCex REy Yz AL5-wQwO120≤X≤0.1 0≤y≤2 0≤z≤2 0≤w≤3RE指除Gd、Ce外的稀土元素，Q指V、Cr、Ga、Sc等元素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，其特征在于實現(xiàn)蘭色屏的單晶熒光材料具有以下成分Lu3-x-y-zCex REy Yz AL5-wQwO120≤X≤0.1 0≤y≤0.5 0≤z≤2 0≤w≤3RE指除Lu、Ce外的稀土元素，Q指Ga、V、Sc、In等元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，其特征在于制作綠色熒光體的外延熒光層熔料配方為Y2O3∶CeO2∶Tb4O7∶Lu2O3∶Al2O3∶Ga2O3∶B2O5∶PbO＝10.259∶3.670∶0.410∶8.418∶17.386∶17.186∶31.08∶1200；或熔料配方為Y2O3∶CeO2∶Tb4O7∶Lu2O3∶Al2O3∶Ga2O3∶V2O5∶B2O3∶PbO＝10.259∶3.155∶0.683∶5.413∶17.387∶13.067∶9.6∶31.08∶1200。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，其特征在于制作紅色熒光體的外延熒光層熔料配方為CeO2∶Y2O3∶Gd2O3∶Al2O3∶V2O5∶B2O3∶PbO＝4.0∶4.159∶17.313∶23.58∶9.0∶29.126∶1125；或熔料配方為CeO2∶Y2O3∶Gd2O3∶Al2O3∶V2O5∶Cr2O3∶B2O3∶PbO＝3.2∶3.763∶15.66∶21.33∶9.05∶26.67∶31.07∶1200。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，其特征在于制作蘭色熒光體的外延熒光層的熔料配方為CeO2∶Tb4O7∶Lu2O3∶Y2O3∶Al2O3∶Ga2O3∶B2O3∶PbO＝1.25∶0.042∶7.725∶0.997∶11.210∶39.642∶29.125∶1125；或熔料配方為CeO2∶Tb4O7∶Lu2O3∶Y2O3∶Al2O3∶Ga2O3∶V2O5∶B2O3∶PbO＝2.955∶0.034∶8.236∶1.05∶11.771∶31.833∶11.56∶29.125∶1125。
8.制作從權(quán)利要求1至權(quán)利要求7所述的高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，其特征在于單晶熒光材料是采用液相外延技術(shù)在單晶石榴石相襯底上外延生長的一層單晶熒光膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1、2、8所述的高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管，其特征在于制作綠色外延單晶熒光膜時，當采用YAG作襯底而外延膜成分中RE為Lu，Q為Ga時，要求z/w≌1.5。
全文摘要
本發(fā)明介紹了一種高亮度、高分辨率單晶彩色投影顯示管及制作工藝,其顯示屏是用外延技術(shù)制備的單晶熒光體。外延單晶石榴石相熒光膜成分為Y
文檔編號C09K11/08GK1169587SQ9611760
公開日1998年1月7日 申請日期1996年6月28日 優(yōu)先權(quán)日1996年6月28日
發(fā)明者成建波, 楊開愚, 鐃海波, 黃宗林, 朱建斌, 李軍建, 陳文斌 申請人:電子科技大學