專利名稱：聚對二甲苯涂層的制備方法
本申請是題為“聚對二甲苯聚合物層”、申請日1997年1月31日的美國專利申請序列號08/791,609的繼續(xù)申請(根據(jù)35 U.S.C.§120)，上述申請又是題為“聚對二甲苯聚合物層”、申請日1996年10月25日的美國專利申請序列號08/738,319的繼續(xù)申請(根據(jù)35 U.S.C.§120)。發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及改進的聚對二甲苯聚合物層、其制備方法和其使用方法。發(fā)明背景半導體材料廣泛用在用于制造電子產(chǎn)品如計算機和電視的集成電路中。這些集成電路通常是將許多的晶體管集成在單晶硅芯片上以實現(xiàn)復雜的功能和貯藏數(shù)據(jù)。半導體和電子元件的生產(chǎn)商以及最終的消費者均希望集成電路在完成更多的工作的同時可花費更少的時間、產(chǎn)品包裝更小以及消耗更少的能量。然而，這些愿望相互之間存在著矛盾。例如，對于給定的電路而言，簡單地將特性尺寸從0.5微米壓縮至0.25微米將使能量消耗增加30％。類似地，運行速度增加一倍通常也使能量消耗增加一倍。微型化一般也會導致攜帶信號穿過芯片的半導體之間增加電容耦合或交擾現(xiàn)象。這可能會限制可達到的速度并使用于確保正常裝置運行的噪聲容限降級。
減少能耗及交擾的方式之一是降低電絕緣層的介電常數(shù)，所述電絕緣層將集成電路中導電材料分層。此外，由于操作過程可能在高溫下進行，因而應(yīng)優(yōu)選采用具有較高熱穩(wěn)定性的材料來形成絕緣層。
二氧化硅是最常見的用于集成電路絕緣層的材料。但是，由于二氧化硅的介電常數(shù)較高約為3.9，使得其也不甚理想。
業(yè)已提出采用由聚對二甲苯聚合物形成的層作為集成電路的絕緣層，其原因是這種材料具有較低的介電常數(shù)及較高的熔點。聚對二甲苯聚合物為可由具有下述結(jié)構(gòu)的二聚體為原料制備的聚對二甲苯
其中，X通常為氫或鹵素。聚對二甲苯二聚體的最普通形式包括下述結(jié)構(gòu)
由這些聚對二甲苯二聚體形成的聚合物膜具有比較低的介電常數(shù)和較高的熔點。但是，這些聚對二甲苯聚合物膜的介電常數(shù)還是較高，并且熱穩(wěn)定性較差，因此將它們用于集成電路中不具吸引力。
通常，采用氣相沉積法由聚對二甲苯二聚體形成聚對二甲苯聚合物層。“應(yīng)用聚合物科學雜志”，13，2325(1969)公開了一種氣相沉積方法。按照這種通常被稱之為Gorham法的方法，聚對二甲苯二聚體在升高的溫度下裂解以產(chǎn)生具有下述結(jié)構(gòu)的聚對二甲苯單體
這種聚對二甲苯單體在從約室溫至約-35℃的溫度下凝結(jié)在基片上。在這些條件下，聚對二甲苯單體同時在基片上進行聚合以形成粘結(jié)在基片上的聚對二甲苯聚合物層。
US 5,268,202(You)公開了由除聚對二甲苯二聚體之外的物質(zhì)形成聚對二甲苯膜的氣相沉積法。該文獻所公開的方法包括在進行沉積的真空室內(nèi)形成單體蒸氣，排除了在基片上沉積之前由聚對二甲苯二聚體方法提供的純化機會。因而，形成的除對二甲苯層雜質(zhì)含量較高。例如，“真空科學與技術(shù)雜志”，A11(6)，3057(1993)表明，采用US5,268,202的方法形成的聚對二甲苯膜的鋅雜質(zhì)含量為約3％。鋅含量如此高導致與聚對二甲苯膜相關(guān)的一系列問題，例如，當聚對二甲苯膜用于多層結(jié)構(gòu)中時，將使介電常數(shù)增加、表面電阻率下降、層內(nèi)離子運動、膜表面帶電效應(yīng)和/或電子擾動形成。結(jié)果，這些聚對二甲苯膜并不能用于集成電路中。
在許多系統(tǒng)中已提出聯(lián)合使用等離子體與氣相沉積。例如，下述文獻即公開了使用脈沖等離子體以控制硅上的氟碳薄膜DUMIC會議，1997年2月11日，ISMIC-222D/97/0098-105(以下稱為“DUMIC”)。這次參考文獻致力于控制CF3、CF2和CF的相對數(shù)量而不是對沉積速度、沉積效率或形成的表面的粘附性的作用。進而，DUMIC并未提出采用脈沖等離子體來形成聚對二甲苯聚合物膜。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的那樣，用于脈沖等離子體技術(shù)中的參數(shù)變化(如峰值功率振輻、峰值功率頻率和占空系數(shù))將取決于沉積過程中產(chǎn)生的表面。
因此，人們?nèi)约南Ｍ陂_發(fā)一種電絕緣層用于電子裝置的集成電路中，這種電絕緣層應(yīng)具有較低的介電常數(shù)和較高的熔點。另外，人們還希望找到一種由聚對二甲苯聚合物形成的絕緣層。發(fā)明概述廣義而言，本發(fā)明涉及改進的聚對二甲苯聚合物層，其制備方法以及聚合物層的使用方法。一方面，改進的聚對二甲苯聚合物層具有含量較低的雜質(zhì)如鋅。另一方面，改進的聚對二甲苯聚合物層是采用脈沖等離子體處理形成的。另一方面，改進的聚對二甲苯聚合物層中摻雜入其它化學物質(zhì)。另一方面，上述各不同方面組合形成改進聚對二甲苯聚合物層，其具有含量較低的雜質(zhì)、由脈沖等離子體處理形成和/或其中摻雜入其它化學物質(zhì)。
在一個說明性實施方案中，本發(fā)明提供了一種形成聚對二甲苯聚合物層的方法。該方法包括將聚對二甲苯的單體沉積于基片表面上形成一層，用脈沖等離子體對該層進行處理。
在另一個說明性實施方案中，本發(fā)明提供了一種多層結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包含第一層、聚對二甲苯聚合物層和粘附增進物料層。聚對二甲苯聚合物層沿第一層進行設(shè)置，粘附增進物料層沿粘附增進物料層設(shè)置。聚對二甲苯聚合物層是由具有下述結(jié)構(gòu)的物質(zhì)形成的
其中，m為0、1、2、3或4的整數(shù)，z大于1，G為鹵素、烷基、環(huán)烴基、具有通式CnHyXw的烯基或炔基，其中X為鹵素，n為大于0的整數(shù)，y和w之和至多等于2n+1，其中，聚對二甲苯聚合物層具有鋅雜質(zhì)含量至多為66ppb(十億分之66)。
在另一個說明性實施方案中，本發(fā)明提供了一種制備多層結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括將一種單體沉積于一種基片的表面上以形成一層，用脈沖等離子體處理該層形成于第一層表面上的聚對二甲苯聚合物層。聚對二甲苯聚合物具有下述結(jié)構(gòu)
其中，m為0、1、2、3或4的整數(shù)，z大于1，G為鹵素、烷基、環(huán)烴基、具有通式CnHyXw的烯基或炔基，其中X為鹵素，n為大于0的整數(shù)，y和w之和至多等于2n+1，其中，聚對二甲苯聚合物層具有鋅雜質(zhì)含量至多為66ppb。
在另一個說明性實施方案中，本發(fā)明提供了一種多層結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包含第一層和沿第一層表面上設(shè)置的聚對二甲苯聚合物層。聚對二甲苯聚合物層是由具有下述結(jié)構(gòu)的物質(zhì)形成的
其中，m為0、1、2、3或4的整數(shù)，z大于1，G為鹵素、烷基、環(huán)烴基、具有通式CnHyXw的烯基或炔基，其中X為鹵素，n為大于0的整數(shù)，y和w之和至多等于2n+1，其中，聚對二甲苯聚合物層具有鋅雜質(zhì)含量至多為66ppb。聚對二甲苯聚合物層是通過下述方法形成的，所述方法包括下述步驟將聚對二甲苯單體沉積于一種基片的表面上以形成一層；用脈沖等離子體處理該層。
在另一個說明性實施方案中，本發(fā)明提供了一種多層結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包含第一層和沿第一層表面上設(shè)置的聚對二甲苯聚合物層。聚對二甲苯聚合物層是通過下述方法形成的，所述方法包括下述步驟將聚對二甲苯單體沉積于一種基片的表面上以形成一層，用脈沖等離子體處理該層。附圖簡述參考下述附圖以及下述詳細說明，可更清楚地理解本發(fā)明的優(yōu)點和特點，其中

圖1為本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)的一種實施方案的截面圖；圖2為本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)的另一種實施方案的截面圖；圖3為真空沉積系統(tǒng)實施方案的方框圖，該系統(tǒng)用于形成本發(fā)明的聚對二甲苯聚合物層；圖4為一種包含本發(fā)明多層結(jié)構(gòu)的集成電路的實施方案的一部分的截面圖；和圖5為一種真空室實施方案的方框圖，該真空室可用于形成本發(fā)明的聚對二甲苯聚合物層。發(fā)明詳述圖1描述了本發(fā)明的多層結(jié)構(gòu)10。結(jié)構(gòu)10包括基片層12和聚對二甲苯聚合物層14。所謂“聚對二甲苯聚合物”是指聚對二甲苯。通常聚對二甲苯聚合物是由聚對二甲苯二聚體形成的。
基片層12可由任一種能在其上沉積聚對二甲苯聚合物層14的材料形成。這些材料可包括導電材料和非導電材料。根據(jù)應(yīng)用場合不同可選擇具體的由其形成層12的材料，這種材料對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是公知的。例如，基片層12可由有機材料或無機材料形成，包括但不限于鋁、鐵、鋼、鉬、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉛、氧化銅、氧化鐵、氧化鈹、氧化錳、氧化鎢、氧化鉭、氧化釩、硅氧烷、天然橡膠、塑料、復合塑料、纖維素材料、環(huán)氧化合物、熱固性化合物、熱塑性化合物、硅氧化物(如飛灰、水合二氧化硅、二氧化硅、石英、氣凝膠、干凝膠和煙化二氧化硅)等。進而，層12可包含砷化鎵或其它二元(binary)半導體。
基片層12也可由真空可相容的液體形成。本文中所謂“真空可相容”是指一種在所用真空室的操作壓力下具有某一蒸氣壓的物質(zhì)，以致真空室可抽吸的最小壓力與該真空可相容材料的存在與否無關(guān)。真空可相容的液體的一個實施例為γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。
在某些實施方案中，基片層12為以是印刷電路板、硅板、玻璃纖維板、硅晶片、紙、鍵墊、導管、起搏器蓋、皮下探針、鳥羽毛、硅氧烷0-環(huán)、機械設(shè)備如機動車的部件等。
聚對二甲苯聚合物層14是由具有下述結(jié)構(gòu)的物質(zhì)形成的
其中，m為0、1、2、3或4的整數(shù)，z大于1，G為鹵素、烷基、環(huán)烴基、具有通式CnHyXw的烯基或炔基，其中X為鹵素，n為大于0的整數(shù)，z為1。如果G為烷基(即飽和烴基)，則y和w之和等于2n+1。如果G為環(huán)烴基、烯基或炔基(即G至少具有一個不飽和度)，則y和w之和小于2n+1乘以兩倍不飽和度。
圖2描述了另一種本發(fā)明的多層結(jié)構(gòu)20。結(jié)構(gòu)20包含設(shè)置在第一層材料16與第二層材料18之間的聚對二甲苯聚合物層14。雖然不限這這些材料，但是，層16和18可由上述關(guān)于基片層12所列出的材料中的任一種形成。進而，層16和/或?qū)?8可具有上述基片層12的任一種形狀。層16和/或?qū)?8也可取其它形狀。
在某些實施方案中，層16和層18每一層均可由至少部分導電的材料形成。在這些實施方案中，層16和18可由使用標準光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)的金屬形成。對于這些實施方案，層16和層18可分別相應(yīng)于接電層、接地層或金屬內(nèi)連交線層。其它用于形成層16和18的方法是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，它們也在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
在某些實施方案中，聚對二甲苯聚合物層14可能較難粘附于某些其它材料上。對于這些實施方案，希望增進層14與其它表面的粘附。因此，聚對二甲苯聚合物層14可進行某些表面處理以增加其粘附于其它表面的能力。這種處理例如包括連續(xù)等離子體處理(即基本上100％占空系數(shù))、電暈處理、電荷處理和/或其它表面粗糙化處理。這些處理方式是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，它們也在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。例如，在連續(xù)等離子體處理中，射頻(RF)發(fā)生器可與一種或多種氣體的本底壓力結(jié)合使用以產(chǎn)生等離子體。
在聚對二甲苯單體沉積過程中，發(fā)現(xiàn)采用等離子體脈沖可增加聚對二甲苯單體的粘附性。所謂“脈沖等離子體處理”是指其中占空系數(shù)(即在處理期間等離子體所需時間的百分數(shù))小于約100％的等離子體處理。通常，脈沖等離子體處理的占空系數(shù)至多為約50％。優(yōu)選脈沖等離子體處理的占空系數(shù)為約0.1％-約50％，更優(yōu)選約0.1％-約10％，首選約0.2％。
圖3顯示了一種實施方案中具有適宜用于本發(fā)明形成聚對二甲苯聚合物層的脈沖等離子體源的真空系統(tǒng)80的方框圖。系統(tǒng)80包括聚對二甲苯單體源82、沉積室84、基片86和壓盤88(見以下討論)。此外，系統(tǒng)80還包括與室84相連的脈沖等離子體源90，其對沉積至基片86上的聚對二甲苯聚合物層進行脈沖等離子體處理。脈沖等離子體源90包括RF發(fā)生器92(300-1型RF發(fā)生器，購自Technics Company，Alexandria，VA)。定時組件93(DMP10-、1-、4-型，購自Dynatronics，Amery，WI)使脈沖等離子體92與定時電路94相連接以控制脈沖等離子體處理的占空系數(shù)。這種定時電路94是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的。進而，雖然在本發(fā)明公開了特定的RF發(fā)生器和定時組件，但其它此類裝置是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，并屬于本發(fā)明范圍之內(nèi)。
在脈沖等離子體處理期間，在室82中存在聚對二甲苯單體的本底壓力(如約10-約15毫托)。當聚對二甲苯單體沉積至基片86的表面上時，發(fā)生脈沖等離子體處理。例如，如果脈沖等離子體的占空系數(shù)為約0.2％，則RF發(fā)生器的接通時間占聚對二甲苯單體沉積至基片86表面上的時間的約0.2％。在等離子體內(nèi)，各種離子、基團和其它形式均由聚對二甲苯單體氣體形成。這些形式通常具有很高的粘附系數(shù)，并高效沉積至基片86的表面上，使得聚對二甲苯聚合物層具有如前所述的增強性能。
在脈沖等離子體期間RF發(fā)生器92的峰值功率可根據(jù)形成的聚對二甲苯聚合物層所需的性能而進行變化。通常，該峰值功率取決于沉積室的體積，隨沉積室體積的增大峰值功率增加。如果發(fā)生器92的峰值功率太低，則脈沖等離子體處理對于改進聚對二甲苯聚合物層的的性能的作用可能很小。然而，如果發(fā)生器92的峰值功率太高，則形成的聚對二甲苯聚合物層太脆、不透明或具有其它不希望的性能。因此，脈沖等離子體處理期間的RF發(fā)生器92的峰值功率與沉積室的體積之比優(yōu)選為約0.05-約100瓦特/英寸3，優(yōu)選約0.1-約20瓦特/英寸3，首選約0.1-約10瓦特/英寸3。
與聚對二甲苯單體沉積期間采用脈沖等離子體處理相關(guān)的粘附性增加將導致形成的聚對二甲苯聚合物膜厚度增加以及聚對二甲苯單體沉積速度增加。
在保持其它變量恒定時，相對于未采用脈沖等離子體處理形成的聚對二甲苯聚合物膜來說，采用脈沖等離子體處理形成的聚對二甲苯聚合物層的厚度優(yōu)選至少為約1.5倍，更優(yōu)選至少約2倍，首選至少約3倍。
在保持其它變量恒定時，相對于未采用脈沖等離子體處理形成的聚對二甲苯聚合物膜來說，采用脈沖等離子體處理聚對二甲苯單體的沉積速度優(yōu)選至少為約1.5倍，更優(yōu)選至少約2倍，首選至少約3倍。
令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，除了能增強粘附性外，采用脈沖等離子體對聚對二甲苯聚合物層表面進行處理還有其它優(yōu)點。優(yōu)點之一是，對聚對二甲苯聚合物層形成于其上的表面的控制得到改善。通常，當在基片表面上形成用于電子工業(yè)的聚對二甲苯聚合物層時，最好是在基片邊緣處留下約1毫米厚度的面積，其基本上無聚對二甲苯聚合物。這一概念通常在本領(lǐng)域內(nèi)被稱之為邊緣排除。此外，最大地減少于基片底面(即不直接面對聚對二甲苯單體氣體的一側(cè))上形成的聚對二甲苯聚合物的量也是有益的。在實現(xiàn)這些目標的同時也會產(chǎn)生其它問題，這是由于沉積過程中基片通常僅在選擇的幾個位置(例如6個位置)上被夾緊在臺板上而造成的，如US 5,546,473所述，該文獻引入本文作為參考。令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，相對于聚對二甲苯聚合物層不進行脈沖等離子體處理或進行連續(xù)等離子體處理來說，當聚對二甲苯聚合物層進行脈沖等離子體處理時，可以實現(xiàn)增強邊緣排除并減少在基片的底面上形成聚對二甲苯聚合物層。
當形成聚對二甲苯聚合物層時采用脈沖等離子體處理的另一個優(yōu)點涉及形成的聚對二甲苯聚合物層的介電常數(shù)。在許多實施方案中，如當聚對二甲苯聚合物層用作絕緣層時(如電子工業(yè)中)，聚對二甲苯聚合物層最好是具有很小的介電常數(shù)。進而，通常希望聚對二甲苯聚合物層的面內(nèi)介電常數(shù)(即，與基片平面平行的介電常數(shù))和面外介電常數(shù)(即，與基片垂直平面上的介電常數(shù))基本相等。出人意料地發(fā)現(xiàn)，與未進行脈沖等離子體處理或進行連續(xù)等離子體處理的聚對二甲苯聚合物層的介電常數(shù)相比，對聚對二甲苯聚合物層進行脈沖等離子體處理使得聚對二甲苯聚合物層具有減小的介電常數(shù)，并且令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，與未進行脈沖等離子體處理或進行連續(xù)等離子體處理的聚對二甲苯聚合物層的面內(nèi)介電常數(shù)值與面外介電常數(shù)值相比，進行脈沖等離子體處理的聚對二甲苯聚合物層的面內(nèi)介電常數(shù)值與面外介電常數(shù)值更接近相同。因此，相對于未采用脈沖等離子體處理形成的聚對二甲苯聚合物層來說，采用了脈沖等離子體處理形成的聚對二甲苯聚合物層可減小介電常數(shù)和/或介電常數(shù)更為各向同性。
可在以聚對二甲苯單體沉積過程中或沉積之后對聚對二甲苯聚合物層進行脈沖等離子體處理或連續(xù)等離子體處理。此外，在等離子體處理過程中，除聚對二甲苯單體之外的氣體(即本底氣體)的本底壓力也可存在。優(yōu)選在沉積室中本底氣體的壓力為約125-約375毫托，更優(yōu)選約200-約300毫托，首選約240-約260毫托。在某些實施方案中，本底氣體由一種或多種惰性氣體組成。這些惰性氣體的實例包括氦、氖、氬和氙。在其它實施方案中，本底氣體可包括一種或多種烴。此類烴本底氣體為飽和烴、不飽和烴、芳香烴、直鏈烴、支鏈烴、環(huán)烴等。適用于作為本底氣體的烴的實例包括但不限于甲烷、乙烷、乙烯和乙炔。在某些實施方案中，本底氣體可包含一種或多種惰性氣體和一種或多種烴氣體。業(yè)已發(fā)現(xiàn)，采用一種或多種烴氣體將使聚對二甲苯聚合物層具有改進的性能(見下述討論)。
可以理解，上述聚對二甲苯聚合物層的處理可對整個聚對二甲苯聚合物層進行或?qū)Σ糠志蹖Χ妆骄酆衔飳舆M行。此外，當公開了某些聚對二甲苯聚合物層的處理方式后，可以理解，對聚對二甲苯聚合物層的其它處理以增強這些層的增粘附性或其它性能對本領(lǐng)域的技術(shù)人員是很明顯的，它們也在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
聚對二甲苯聚合物通常為高度結(jié)晶的線型物質(zhì)，它可限制這些層的強度或物理性質(zhì)。為了改進聚對二甲苯聚合物層的強度，除聚對二甲苯單體外的其它化學物質(zhì)(如單體)也可在形成層的過程中加至層中。當向聚對二甲苯聚合物層中摻雜時，這些附加組分應(yīng)允許交聯(lián)，增強形成層的強度和/或粘附性。這些化學物質(zhì)的代表性和非限定性實例包括具有分子式CxHy的那些，其中，x和y為至少1的整數(shù)。
可通過例如在聚對二甲苯單體沉積過程中在沉積室內(nèi)形成這些其它組分的本底壓力來完成這些化學物質(zhì)向聚對二甲苯聚合物層的摻入。在某些實施方案中，當一種或多種這些化學物質(zhì)的本底壓力存在于沉積室中時，可采用脈沖等離子體處理或連續(xù)等離子體進行處理，當然，這種脈沖等離子體處理或連續(xù)等離子體處理并非必須的。
在本發(fā)明向聚對二甲苯聚合物中摻入除聚對二甲苯單體之外的化學物質(zhì)的實施方案中，優(yōu)選向聚對二甲苯聚合物中摻入的化學物質(zhì)的量應(yīng)使聚對二甲苯聚合物層的性質(zhì)得到改進，如實現(xiàn)如前所述本發(fā)明的至少一個優(yōu)點。
在某些實施方案中，可通過在層16與層14間和/或在層18與層14間提供粘附增進材料以達到增強粘附性的要求。
或者，層16和/或?qū)?8可由粘附增進材料形成。適用于本發(fā)明的粘附增進材料包括但不限于有機硅烷化合物、金屬、金屬氧化物和半導體氧化物。有機硅烷化合物的實例包括A-150(購自UnionCarbide Technologies)、A-174(Union Carbide Technologies)和VM 651(購自DuPont Chemicals)。其它此類粘附增進材料是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，它們也屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。可以理解，對這些實施方案而言，層14可以進行或不進行任何上述表面處理。
對于某些應(yīng)用場合，防止材料通過聚對二甲苯聚合物層14擴散是有利的。對這些應(yīng)用場合，層16和/或?qū)?8可由減少或消除材料通過聚對二甲苯聚合物層14擴散的材料形成。適用于這些應(yīng)用場合的材料例如公開于US 5,470,802中。其它此類材料在本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，它們也屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
對某些應(yīng)用如電子線路而言，希望形成較平的層，但是，由于聚對二甲苯聚合物層14比較共形的，層14可能不會具有理想的平整度。因此，通過研磨或處理層14以使其更為平整是有益的，本領(lǐng)域中通常將該過程稱為平面化。然而，在某些實施方案中，層14可能難于進行平面化處理。對這些實施方案，層16和/或?qū)?8可由更易于平面化的材料形成。一般說來，這樣一種材料為介電材料，但是，在某些時候，其可成為一種導電體。
圖4顯示了按照本發(fā)明的多層電子線路的一部分30。該部分30包括硅晶片基片22、電絕緣層24、導電層26、導電層28和設(shè)置在層26與28之間的聚對二甲苯聚合物層14。
硅晶片基片22可由任一種用于電子工業(yè)中的標準基片材料形成，例如硅板或玻璃纖維板。其它用于晶片基片22的適宜結(jié)構(gòu)是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的，它們也在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
電子絕緣層24通常用于保護晶片基片22不受導電層26和28的影響。層24通常由二氧化硅形成，當然也可以使用其它適宜的材料。電絕緣層24可按照本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的任一種標準技術(shù)形成。
導電層26和28可由金屬或其它適用于電子線路的材料形成。層26和28可包含金屬導體線，其按照標準光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)形成。對于該實施方案，層26和28可均相應(yīng)于接電層、接地層或內(nèi)連交線層。
導電層26和28可通過聚對二甲苯聚合物層14使用通路(vias)或孔(未示出)內(nèi)連，它們是由本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的常規(guī)方法在聚對二甲苯聚合物層中形成的。
按照本發(fā)明，聚對二甲苯聚合物層14采用蒸氣沉積法形成。優(yōu)選蒸氣沉積法允許在真空室的沉積部分之外形成單體，從而使單體在沉積至基片上之前可進行純化處理。在特別優(yōu)選的實施方案中，聚對二甲苯聚合物層14采用如圖5所示的真空室40形成。真空室40包括氣化區(qū)42、熱解區(qū)44、熱解后區(qū)46和沉積區(qū)48。這種真空室的實例公開于US 5,546,473中，該文獻引入本文作為參考。
將具有以下結(jié)構(gòu)的二聚體物質(zhì)置于約室溫的氣化區(qū)42中，隨后，加熱至約70-約150℃使二聚體氣化
將氣化后的二聚體通入溫度保持在約600-約720℃的熱解區(qū)44中以使二聚體熱解(即，使某些化學鍵斷裂)并形成具有下述結(jié)構(gòu)的單體
將該單體通入熱解后區(qū)46中，該區(qū)46的溫度保持在至多約室溫下。在該溫度下，殘余的氣化后的二聚體可粘附于熱解后區(qū)46的壁上，而單體則通常不會粘附于區(qū)46的壁上，而是通過熱解后區(qū)46。因此，熱解后區(qū)46減少了最終進入沉積室48中的氣化后的二聚體的量。在某些實施方案中，這點可能是非常有利的，這是因為，氣化后的二聚體可能構(gòu)成聚對二甲苯聚合物層14中的雜質(zhì)，其可能會對層14的介電常數(shù)或其它性能有不利的局部影響。
在通過熱解后區(qū)46后，單體進入包括基片50的沉積室48。將基片50置于臺板52上，該臺板52具有控制裝置54的標準溫度，它通過加熱和/或或冷卻裝置54由臺板來控制溫度。通過采用裝置54，在單體沉積至基片50上的過程中，基片50和臺板52的溫度通常可保持在約室溫至約-25℃。
業(yè)已發(fā)現(xiàn)，在單體沉積過程中減小基片50和臺板52的溫度可帶來幾個優(yōu)點，包括通過允許增加單體操作，可更多地控制整個制備聚對二甲苯聚合物層14的過程。例如，冷卻基片50和臺板52可使沉積室48的壁在沉積過程中被加熱。此外，減小單體沉積過程中基片50和臺板52的溫度可使沉積過程更有效，聚對二甲苯二聚體原料的使用也更有效。
單體沉積后，裝置54可用于增加基片50和臺板52的溫度到約100℃至約400℃以使聚對二甲苯聚合物層退火。然而，需要指出，聚對二甲苯單體會在如上所述基片50的溫度下自發(fā)聚合。
在將二聚體放入氣化區(qū)46之前，首先將二聚體進行純化處理。由于本發(fā)明的二聚體具有高度對稱性，其易于通過結(jié)晶法進行純化。通常，這些溶劑是較不對稱的從而具有高溫溶解度系數(shù)。然而，如果溶劑太對稱，使溶劑與二聚體分離將是困難的。盡管不受任何理論的限制，但據(jù)信，溶劑/二聚體分離難度增加是由于溶劑在二聚體晶格中的偶然容納造成的。適用于本發(fā)明二聚體結(jié)晶的溶劑包括但不限于氯仿、四氯化碳、二氯甲烷和直鏈烴如正己烷和正庚烷。在優(yōu)選的實施方案中，溶劑為正己烷。在將二聚體溶解于溶劑中后，通常將所得溶液通過色譜床，該色譜床包括極性物質(zhì)如氧化鋁。色譜床的極性性質(zhì)將除去存在于溶液中的多數(shù)極性或離子性雜質(zhì)。進而，通過色譜床過濾可除去存在于溶液中的微細雜質(zhì)。
采用上述過程可減少聚對二甲苯聚合物層中的雜質(zhì)含量。例如，按照本發(fā)明，聚對二甲苯聚合物層的鋅雜質(zhì)含量可為66ppb或更少。本發(fā)明的這一特點是非常有益的，這是因為，聚對二甲苯聚合物中的雜質(zhì)可能導致若干種不同的負作用，包括但不限于增加聚對二甲苯聚合物層的介電常數(shù)、降低聚對二甲苯聚合物層的表面電阻率和/或降低多層結(jié)構(gòu)內(nèi)的電子擾動。
在本發(fā)明中具體公開制備聚對二甲苯聚合物層14的具體裝置和方法的同時，本領(lǐng)域技術(shù)人員將可以理解，至少這些裝置和方法的一部分是可以改變或改進的，這種改變和改進也在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。例如，除了采用如前所述升高溫度以使聚對二甲苯二聚體鍵斷裂之外，聚對二甲苯二聚體還可采用等離子體使其斷裂。這種方法公開于例如俄羅斯專利RU 2,000,850和RU 2,002,519中。
當用于集成電路或用于其它電子應(yīng)用場合時，聚對二甲苯聚合物層14應(yīng)具有最小的介電常數(shù)以增強電路運行速度并降低能量消耗。因而，這些聚對二甲苯聚合物層的介電常數(shù)優(yōu)選至多為約2.6，更優(yōu)選至多為約2.4，首選至多約2.2。
具有較低的耗散因子可降低在集成電路中的信號損失。因此，本發(fā)明的聚對二甲苯聚合物層的耗散因子優(yōu)選小于約0.001。
按照本發(fā)明，厚度約1微米的聚對二甲苯聚合物層優(yōu)選具有至少約750伏的擊穿電壓。
聚對二甲苯聚合物層14的楊氏系數(shù)約為5千兆帕斯卡。使聚對二甲苯聚合物層斷裂的伸長率優(yōu)選至少為約20％。
聚對二甲苯聚合物層14的最終拉伸強度優(yōu)選至少為約122百萬帕斯卡。
按照本發(fā)明，聚對二甲苯聚合物層的吸水值至多為約0.5％(重量)，更優(yōu)選至多約0.2％(重量)，首選至多約0.1％(重量)。
按照本發(fā)明，聚對二甲苯聚合物層的熱穩(wěn)定性應(yīng)優(yōu)選在至少約450℃下2小時時，這些層顯示出重量損失小于1％(重量)。
聚對二甲苯聚合物層的結(jié)晶熔點優(yōu)選高于約500℃。
按照本發(fā)明，聚對二甲苯聚合物層的表面電阻率優(yōu)選約1.3×1014歐姆。
聚對二甲苯聚合物層14的體積電阻率優(yōu)選約5.3×1016歐姆。
按照本發(fā)明，聚對二甲苯聚合物層的比重優(yōu)選約為1.58。
聚對二甲苯聚合物層14在25℃時的熱膨脹優(yōu)選至多為約35ppm。
按照本發(fā)明，聚對二甲苯聚合物層的磨擦系數(shù)為約0.2。
以下是本發(fā)明實施方案的說明性實施例，它們并不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。
實施例1下述方法是在夾套索氏萃取器(可由Lab Glass，Vineland，NJ以目錄號LG-6950獲得，或者從Chem Glass，Vineland，NJ以目錄號CG-1328獲得)中進行。將一定量用于合成本發(fā)明聚對二甲苯聚合物層的粗二聚體放置在玻璃萃取錐形管中，在該管的底部設(shè)有燒結(jié)玻璃圓板。在錐形管的底部放置顆粒氧化鋁的短色譜床。所購買的該錐形管直徑為41毫米，高度為130毫米。錐形管的高度增至180毫米以適應(yīng)粗二聚體更多的試樣(即，多達約70克)。
將沸騰的正己烷的燒瓶放置在錐形管的下面，氣體正己烷在安裝于錐形管上方的冷凝器中冷凝。冷凝后的正己烷滴在粗二聚體上形成冷凝正己烷、純化的二聚體和雜質(zhì)的浸取液，其包含臟物、灰塵和/或由二聚體形成的聚合物或低聚物。浸取液通過色譜床和在錐形管底部的燒結(jié)玻璃。由于氧化鋁的極性性質(zhì)，色譜床可除去存在于浸取液中的多數(shù)極性或離子性雜質(zhì)。
采用虹吸機理定期性地將容納于索氏萃取器中的浸取液放空。該過程使來自浸取液的正己烷再返回至沸騰正己烷燒瓶中。在約10-約20小時以后，粗二聚體終止于沸騰正己烷燒瓶中。
在沸騰正己烷中進行的萃取加速了二聚體的溶解過程。為此，在萃取器(extraction volume)周圍圍繞導管夾套，從而通過正己烷蒸氣使萃取器加熱，這些蒸氣由沸騰燒瓶移動至冷凝器。盡管這種熱過濾方法是有益的，因為，當溶液被加熱時，雜質(zhì)被除去；但需要指出的是，在常規(guī)結(jié)晶設(shè)備中，當使用可燃性溶劑時，這種熱濾方法可能是困難的和/或危險的。進而，對于實際原因，這種過濾過程可在低于溶劑沸點的溫度下進行，導致增加溶劑使用并降低二聚體的溶解性。然而，采用索氏萃取器后，沸騰溶劑蒸氣通過夾套保持在裝置內(nèi)，增加了純化過程的效率。
本發(fā)明制得的純化的二聚體可通過對氣化的二聚體的電感耦合等離子體-質(zhì)譜進行試驗。在此過程中，試樣形成灰分以除去含碳組分，留下待檢測的不揮發(fā)性痕量元素的氧化物。這種灰分吸收入緩沖水溶液中。試樣灰分的緩沖水溶液供入已激勵的等離子體中。等離子體的高溫使痕量元素霧化。將霧化的等離子體送入對每一種具體雜質(zhì)元素進行定量的質(zhì)譜儀源中。
表1示出了結(jié)果，該結(jié)果表明，鋅雜質(zhì)含量為約66ppb。該方法并不涉及直接測定由單體形成的聚對二甲苯聚合物層中雜質(zhì)含量。然而，通過測量用于聚對二甲苯聚合物膜合成原料(即，二聚體)中的雜質(zhì)含量，該方法確實可提供本發(fā)明聚對二甲苯聚合物膜可能的雜質(zhì)含量的上限值。
表1
<p>按照本方法，為了純化約70克的粗二聚體，采用約3升的正己烷。在該方法的實施方案中，采用1升的燒瓶，其含有初始體積為約0.7升的正己烷。
實施例2按照如下所述在不采用脈沖等離子體處理時形成聚對二甲苯聚合物層。沉積裝置如US 5,546,473所述。將0.5克的聚對二甲苯二聚體置于氣化區(qū)內(nèi)的坩堝中。聚對二甲苯二聚體具有下述分子結(jié)構(gòu)
將坩堝加熱至105℃并加熱30分鐘，將二聚體氣化。將氣化后的二聚體通入保持在640℃的熱解區(qū)。二聚體熱解在熱解區(qū)形成聚對二甲苯單體，將聚對二甲苯單體通入保持在-100℃下的熱解后區(qū)。硅片被置于-15℃下的臺板上，向6英寸的硅晶片表面上沉積聚對二甲苯單體。形成的聚對二甲苯聚合物層的厚度為1微米，沉積速度為700/分鐘。
實施例3采用實施例2所述的方法形成聚對二甲苯聚合物層，只是在聚對二甲苯單體沉積過程中用脈沖等離子體進行處理。形成的聚對二甲苯聚合物層的厚度為3微米，沉積速度為2100/分鐘。
以上已描述了本發(fā)明的具體實施方案，其各種變化、改變及改進均是本領(lǐng)域技術(shù)人員易于想到的。這些改變、變化及改進也是本發(fā)明公開的一部分，也屬本發(fā)明的精神實質(zhì)及保護范圍。因此，上述描述僅是舉例性質(zhì)，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。本發(fā)明的保護范圍由權(quán)利要求進行限定。
權(quán)利要求
1.一種形成聚對二甲苯聚合物層的方法，該方法包括下述步驟在一種基片的表面上沉積聚對二甲苯單體以形成一層；和用脈沖等離子體處理該層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，沉積步驟與處理步驟同時進行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，處理步驟在沉積步驟之后進行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，還包含下述步驟建立本底氣體的壓力，使其足以使本底氣體沉積在基片表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，所述建立步驟與沉積步驟同時進行。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，本底氣體的壓力為約125-約375毫托。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，本底氣體為一種烴。
8.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，本底氣體選自甲烷、乙烷、乙烯、乙炔和其混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，處理步驟包括采用約0.1-約50％的占空系數(shù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，處理步驟包括采用約0.2-約10％的占空系數(shù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，處理步驟包括采用約0.2％的占空系數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，處理步驟包括使用約0.05-約100瓦特/英寸3的峰值功率。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，處理步驟包括使用約0.1-約20瓦特/英寸3的峰值功率。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，處理步驟包括使用約0.1-約10瓦特/英寸3的峰值功率。
15.一種多層結(jié)構(gòu)，其包含具有一個表面的第一層；和具有第一和第二表面的聚對二甲苯聚合物層，聚對二甲苯聚合物層的第一表面與聚對二甲苯聚合物層的第二表面相對，聚對二甲苯聚合物層沿第一層的表面設(shè)置，聚對二甲苯聚合物層由具有下述結(jié)構(gòu)的物質(zhì)形成
其中，m為0、1、2、3或4的整數(shù)，z大于1，G為鹵素、烷基、環(huán)烴基、具有通式CnHyXw的烯基或炔基，其中X為鹵素，n為大于0的整數(shù)，y和w之和至多等于2n+1，其中，聚對二甲苯聚合物層具有鋅雜質(zhì)含量至多為66ppb；和具有第一表面和第二表面的粘附增進物料層，該粘附物料層的第一表面沿聚對二甲苯聚合物層的第二表面設(shè)置。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的多層結(jié)構(gòu)，其中，粘附增進物料為有機硅烷。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的多層結(jié)構(gòu)，其中，粘附增進物料選自有機硅烷化合物、金屬、金屬氧化物和硅氧化物。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的多層結(jié)構(gòu)，其中，粘附增進物料選自金屬、金屬氧化物和半導體氧化物。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的多層結(jié)構(gòu)，還包含具有一個表面的第二層，其中，粘附物料的第二層沿第二層的表面設(shè)置，從而聚對二甲苯聚合物層設(shè)置在第一層與第二層之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的多層結(jié)構(gòu)，其中，第一層為導電層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的多層結(jié)構(gòu)，其中，第二層是由導電材料形成的。
22.根據(jù)權(quán)利要求15的多層結(jié)構(gòu)，其中，聚對二甲苯聚合物層的介電常數(shù)至多為約2.6。
23.根據(jù)權(quán)利要求15的多層結(jié)構(gòu)，其中，聚對二甲苯聚合物層的鋅雜質(zhì)含量為約66ppb。
24.一種制備多層結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括下述步驟將一種單體沉積于一種基片的表面上以形成一層；和用脈沖等離子體處理該層，以形成于第一層表面上的聚對二甲苯聚合物層。聚對二甲苯聚合物具有下述結(jié)構(gòu)
其中，m為0、1、2、3或4的整數(shù)，z大于1，G為鹵素、烷基、環(huán)烴基、具有通式CnHyXw的烯基或炔基，其中X為鹵素，n為大于0的整數(shù)，y和w之和至多等于2n+1，其中，聚對二甲苯聚合物層具有鋅雜質(zhì)含量至多為66ppb。
25.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，還包含下述步驟將聚對二甲苯二聚體氣化；和將聚對二甲苯二聚體熱解以形成單體。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中，沉積步驟在真空室的沉積區(qū)中進行。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其中，熱解步驟在真空室的沉積區(qū)外部進行。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，還包含將單體送入真空室的沉積區(qū)的步驟。
29.根據(jù)權(quán)利要求27的方法，其中，聚合步驟包括將單體聚合以形成鋅雜質(zhì)含量為約66ppb的聚對二甲苯聚合物膜。
30.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中，沉積步驟與處理步驟同時進行。
31.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中，處理步驟在沉積步驟之后進行。
32.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，還包含下述步驟建立本底氣體的壓力，足以使本底氣體沉積在基片表面上。
33.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其中，建立步驟與沉積步驟同時進行。
34.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其中，本底氣體的壓力為約125-約375毫托。
35.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其中，本底氣體為一種烴。
36.根據(jù)權(quán)利要求32的方法，其中，本底氣體選自甲烷、乙烷、乙烯、乙炔和其混合物。
37.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中，處理步驟包括使用約0.1-約50％的占空系數(shù)。
38.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中，處理步驟包括使用約0.2-約10％的占空系數(shù)。
39.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中，處理步驟包括使用約0.2％的占空系數(shù)。
40.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中，處理步驟包括使用使用約0.05-約100瓦特/英寸3的峰值功率。
41.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中，處理步驟包括使用約0.1-約20瓦特/英寸3的峰值功率。
42.根據(jù)權(quán)利要求24的方法，其中，處理步驟包括使用約0.1-約10瓦特/英寸3的峰值功率。
43.一種多層結(jié)構(gòu)，其包含具有一個表面的第一層；和沿第一層表面設(shè)置的聚對二甲苯聚合物層，聚對二甲苯聚合物層由具有下述結(jié)構(gòu)的物質(zhì)形成
其中，m為0、1、2、3或4的整數(shù)，z大于1，G為鹵素、烷基、環(huán)烴基、具有通式CnHyXw的烯基或炔基，其中X為鹵素，n為大于0的整數(shù)，y和w之和至多等于2n+1，其中，聚對二甲苯聚合物層具有鋅雜質(zhì)含量至多為66ppb；并且，其中聚對二甲苯聚合物層是通過下述方法形成的，所述方法包括下述步驟將聚對二甲苯單體沉積于一種基片的表面上以形成一層；和用脈沖等離子體處理該層。
44.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，其中，沉積步驟與處理步驟同時進行。
45.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟在沉積步驟之后進行。
46.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，還包含下述步驟建立本底氣體的壓力，足以使本底氣體沉積在基片表面上。
47.根據(jù)權(quán)利要求46的多層結(jié)構(gòu)，其中，建立步驟與沉積步驟同時進行。
48.根據(jù)權(quán)利要求46的多層結(jié)構(gòu)，其中，本底氣體的壓力為約125-約375毫托。
49.根據(jù)權(quán)利要求46的多層結(jié)構(gòu)，其中，本底氣體為一種烴。
50.根據(jù)權(quán)利要求46的多層結(jié)構(gòu)，其中，本底氣體選自甲烷、乙烷、乙烯、乙炔和其混合物。
51.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.1-約50％的占空系數(shù)。
52.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.2-約10％的占空系數(shù)。
53.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.2％的占空系數(shù)。
54.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.05-約100瓦特/英寸3的峰值功率。
55.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.1-約20瓦特/英寸3的峰值功率。
56.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.1-約10瓦特/英寸3的峰值功率。
57.一種多層結(jié)構(gòu)，其包含具有一個表面的第一層；和沿第一層表面設(shè)置的聚對二甲苯聚合物層，其中，聚對二甲苯聚合物層是通過下述方法形成的，所述方法包括下述步驟將聚對二甲苯單體沉積于一種基片的表面上以形成一層；和用脈沖等離子體處理該層。
58.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，其中，沉積步驟與處理步驟同時進行。
59.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟在沉積步驟之后進行。
60.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，還包含下述步驟建立本底氣體的壓力，足以使本底氣體沉積在基片表面上。
61.根據(jù)權(quán)利要求60的多層結(jié)構(gòu)，其中，建立步驟與沉積步驟同時進行。
62.根據(jù)權(quán)利要求60的多層結(jié)構(gòu)，其中，本底氣體的壓力為約125-約375毫托。
63.根據(jù)權(quán)利要求60的多層結(jié)構(gòu)，其中，本底氣體為一種烴。
64.根據(jù)權(quán)利要求60的多層結(jié)構(gòu)，其中，本底氣體選自甲烷、乙烷、乙烯、乙炔和其混合物。
65.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.1-約50％的占空系數(shù)。
66.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.2-約10％的占空系數(shù)。
67.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.2％的占空系數(shù)。
68.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用使用約0.05-約100瓦特/英寸3的峰值功率。
69.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.1-約20瓦特/英寸3的峰值功率。
70.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，其中，處理步驟包括使用約0.1-約10瓦特/英寸3的峰值功率。
71.根據(jù)權(quán)利要求15的多層結(jié)構(gòu)，其中，聚對二甲苯聚合物層還包括除聚對二甲苯單體之外的化學物質(zhì)。
72.根據(jù)權(quán)利要求43的多層結(jié)構(gòu)，其中，聚對二甲苯聚合物層還包括除聚對二甲苯單體之外的化學物質(zhì)。
73.根據(jù)權(quán)利要求57的多層結(jié)構(gòu)，其中，聚對二甲苯聚合物層還包括除聚對二甲苯單體之外的化學物質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多層結(jié)構(gòu),其包括聚對二甲苯聚合物層沉積其上的第一層,還公開了制備該多層結(jié)構(gòu)的方法。聚對二甲苯聚合物層顯示出在粘附性和/或強度方向得到改進。聚對二甲苯聚合物層可具有較少的雜質(zhì)含量。在某些實施方案中,聚對二甲苯聚合物層是在采用脈沖等離子體進行處理下形成的。
文檔編號B05D7/24GK1244143SQ97181002
公開日2000年2月9日 申請日期1997年10月24日 優(yōu)先權(quán)日1996年10月25日
發(fā)明者約翰·沃里, 羅杰A·奧爾森, 威廉F·比奇 申請人:特殊涂覆系統(tǒng)公司, 約翰·沃里, 羅杰·A·奧爾森, 威廉·F·比奇