用于電子器件的材料的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及包含至少兩種不同的式（I)化合物的混合物。所述混合物適用于電子 器件、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件中，特別適用于空穴傳輸層中。
【背景技術(shù)】
[0002] 在本申請意義上的電子器件被認(rèn)為特別是指包含有機(jī)半導(dǎo)體材料作為功能材料 的所謂的有機(jī)電子器件。此外特別地，這些被認(rèn)為是指有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)和下文提 及的其它電子器件。
[0003] 0LED已在許多方面達(dá)到優(yōu)異的結(jié)果，但特別是在功率效率、壽命和所發(fā)光的顏色 坐標(biāo)方面仍然需要改進(jìn)。為了改進(jìn)所述性質(zhì)，用于所述器件中的新型材料和混合物非常受 關(guān)注。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)公開了在0LED中使用簡單的三芳基氨基化合物，例如三（對聯(lián)苯）胺 或三（對三聯(lián)苯）胺（Tris (para-triphenyl) amin) (JPl"5/〇53955A)。還已知使用具有 單獨(dú)苯基基團(tuán)的對位和間位連接的簡單的三芳基氨基化合物（WO 2006/123667A1和JP 2010/222268A)。所述化合物優(yōu)選用作空穴傳輸材料。它們簡單且廉價(jià)地以高純度制備并 且因此對于用作0LED中的功能材料是非常有吸引力的。
[0005] 然而，所述化合物具有在高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度下加熱時部分結(jié)晶化的性質(zhì)。這通 常導(dǎo)致0LED在操作中的性能數(shù)據(jù)的劣化，這是由于操作伴隨著0LED的升溫。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 因此，本發(fā)明的技術(shù)目的是提供如下的材料，其能夠恒定保持0LED在操作中的性 能數(shù)據(jù)，即在由于操作而升溫時或0LED由于其它原因而升溫時的性能數(shù)據(jù)，所述其它原因 例如是升高的環(huán)境溫度。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明通過包含兩種或更多種不同的式（I)化合物的混合物來實(shí)現(xiàn)這個目 的：
[0008]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種包含兩種或更多種不同的式（I)化合物的混合物
其中下列適用于所述式（I)化合物： Ar1在每次出現(xiàn)時相同或不同地是具有5至60個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所 述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R1取代； R1在每次出現(xiàn)時相同或不同地是 H，D，F(xiàn)，C( = 0)R2, CN，Si(R2)3, P( = 0) (R2)2, S(= 0. R2, S ( = 0) 2R2,具有I至20個C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有3至20 個C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)，或具有2至20個C原子的烯基或炔 基基團(tuán)，其中上述基團(tuán)可各自被一個或多個基團(tuán)R 2取代，并且其中上述基團(tuán)中的一個或多 個 012基團(tuán)可被-R2C = CR2-、-C E c-、Si(R2)2、C = 0、C = S、C = NR2、-C( = 0)0-、-C(= 0)NR2-、P( = 0)(妒）、-0-、-5-、50或502代替，并且其中上述基團(tuán)中的一個或多個!1原子可 被D、F或CN代替，或具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況 下可被一個或多個基團(tuán)R 2取代，或具有5至30個芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所 述基團(tuán)可被一個或多個基團(tuán)R2取代，其中兩個或更多個基團(tuán)R 1可彼此連接并且可形成環(huán)； R2在每次出現(xiàn)時相同或不同地是H，D，F(xiàn)，或具有1至20個C原子的脂族、芳族或雜芳 族有機(jī)基團(tuán)，其中一個或多個H原子還可被D或F代替；此處兩個或更多個取代基R2可彼 此連接并且可形成環(huán)； 其中一個、兩個或三個基團(tuán)Ar1相同或不同地選自具有12至60個芳族環(huán)原子的芳族 環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R1取代。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合物，其特征在于它確切地包含兩種、三種或四種不同的 式⑴化合物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的混合物，其特征在于它包含小于10%的不符合式（I)的 化合物。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合物，其特征在于它包含一種或多種 P型摻雜劑。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合物，其特征在于，各自單獨(dú)地考慮， 所述至少兩種式（I)化合物具有至少10 %的比例。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合物，其特征在于除了式（I)中所示 出的氮原子之外，所述至少兩種式（I)化合物不含另外的帶有三個取代基的氮原子。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合物，其特征在于兩個或三個基團(tuán)Ar1 選自具有12至60個芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R1取代。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合物，其特征在于所述式（I)化合物 中的至少一個基團(tuán)Ar1符合式（II)、（III)或（IV)
其中標(biāo)記的鍵對應(yīng)于與氮原子鍵合的鍵， Z在每次出現(xiàn)時相同或不同地是CR1或N，其中不多于2個相鄰基團(tuán)Z表示N， Ar2和Ar 3在每次出現(xiàn)時相同或不同地是具有5至10個芳族環(huán)原子的芳基或雜芳基基 團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個或多個如權(quán)利要求1中所限定的基團(tuán)R1取代， η具有0至3的值， m具有2至4的值， 并且所述式（II)、（III)和（IV)的基團(tuán)可在所有自由位置處被如權(quán)利要求1中所限定 的基團(tuán)R1取代。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的混合物，其特征在于所述至少兩種式（I)化合物中的至少兩 個基團(tuán)Ar1符合所述式（II)、（III)或（IV)中的一個。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合物，其特征在于所述至少兩種式 (I)化合物中的至少一種符合式（V)至（IX)中
的一個
其中下列適用： Z在每次出現(xiàn)時相同或不同地是CR1或N，其中不多于兩個相鄰基團(tuán)Z表示N ; X在每次出現(xiàn)時相同或不同地是單鍵、0、S、Se、BR1、C(R%、Si(R%、NR1、PR 1、 C(R1)2-C(R1)2*CR1= CR1; Ar1如權(quán)利要求1中所限定的； Ar4在每次出現(xiàn)時相同或不同地是具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所 述環(huán)系可被一個或多個基團(tuán)R1取代； R1如權(quán)利要求1中所限定的； R2如權(quán)利要求1中所限定的； P等于〇或1 ; q、r相同或不同地是0或1，其中q與r的總和等于1或2。
11. 一種制劑，其包含根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合物和至少一種 溶劑。
12. -種電子器件，其選自有機(jī)集成電路（OIC)、有機(jī)場效應(yīng)晶體管（OFET)、有機(jī)薄膜 晶體管（OTFT)、有機(jī)發(fā)光晶體管（OLET)、有機(jī)太陽能電池（OSC)、有機(jī)光學(xué)檢測器、有機(jī)光 感受器、有機(jī)場粹熄器件（OFQD)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池（OLEC)、有機(jī)激光二極管（O-Iaser) 和有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED)，其特征在于它在有機(jī)層中包含根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng) 或多項(xiàng)所述的混合物。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子器件，其選自有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于將根據(jù) 權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合物用于空穴傳輸層中。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于它另外包含至少一個另外 的空穴傳輸層，該空穴傳輸層布置在包含根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合 物的空穴傳輸層的陽極側(cè)。
15. -種根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的混合物在電子器件中的用途，所 述電子器件選自有機(jī)集成電路（OIC)、有機(jī)場效應(yīng)晶體管（OFET)、有機(jī)薄膜晶體管（OTFT)、 有機(jī)發(fā)光晶體管（OLET)、有機(jī)太陽能電池（OSC)、有機(jī)光學(xué)檢測器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場 猝熄器件（OFQD)、有機(jī)發(fā)光電化學(xué)電池（OLEC)、有機(jī)激光二極管（Ο-laser)和有機(jī)電致發(fā) 光器件（OLED)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及包含至少兩種不同的式(I)三芳基氨基化合物的混合物。所述混合物適用于電子器件中，優(yōu)選用于有機(jī)電致發(fā)光器件中，特別是用作空穴傳輸層。
【IPC分類】H01L51-50, C09K11-06, H05B33-22
【公開號】CN104640958
【申請?zhí)枴緾N201380048572
【發(fā)明人】菲利普·斯托塞爾, 弗蘭克·福格斯, 阿爾內(nèi)·比辛, 克里斯托夫·普夫盧姆, 特雷莎·穆?？?費(fèi)爾瑙德, 喬納斯·瓦倫丁·克羅巴
【申請人】默克專利有限公司
【公開日】2015年5月20日
【申請日】2013年8月20日
【公告號】EP2898042A1, US20150236261, WO2014044344A1