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綠色熒光粉及其合成方法

文檔序號(hào):9574915閱讀:2408來(lái)源:國(guó)知局
綠色熒光粉及其合成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及巧光粉,具體的說(shuō)是一種β-SiAlON:化2+綠色巧光粉及其合成方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 20世紀(jì)90年代W來(lái),LED技術(shù)的長(zhǎng)足發(fā)展,使其白光LED、L邸背光等領(lǐng)域的應(yīng)用 越來(lái)越深入和廣泛。
[0003] 白光L邸相對(duì)于傳統(tǒng)照明技術(shù)具有低能耗、高效率、無(wú)污染、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),在民 用照明方面前途樂觀。L邸照明技術(shù)中,巧光粉是其關(guān)鍵技術(shù)和原材料之一。目前白光LED 常用的綠色巧光粉主要為硫化物基巧光粉(例如化S:化,A1、SrGa2S4:Eu2+),運(yùn)類巧光粉因 其普遍發(fā)光效率低、化學(xué)穩(wěn)定性差、易潮解,并會(huì)產(chǎn)生對(duì)人體和環(huán)境有害的硫化物氣體等問 題而使其應(yīng)用受到限制。
[0004] 在L邸背光領(lǐng)域,目前的市場(chǎng)主流趨勢(shì)仍為巧光粉加忍片的背光源方式,其所用 綠色巧光粉主要為寬譜帶的侶酸鹽體系(YAG體系、LuAG體系)及窄譜帶的娃酸鹽體系。 YAG侶酸鹽體系主要為黃綠粉,其光譜的半峰寬在106nm左右,色純度較低,很難達(dá)到NTSC 標(biāo)準(zhǔn)值的要求;LuAG侶酸鹽體系,同樣亮度較高,半峰寬較寬(FWHM= 106nm),色彩飽和度 低,其顆粒密度較大,混膠配粉時(shí)容易出現(xiàn)沉降分層的現(xiàn)象,影響出光均勻性,并且原料成 本較高。而娃酸鹽體系雖然半峰寬較窄,為65nm左右,但該體系本身具有極高的熱衰減和 濕氣衰減,僅適合于一些低端的顯示產(chǎn)品。因此,研究新的基質(zhì)穩(wěn)定且合成條件簡(jiǎn)單的適合 白光LED、L邸背光顯示用綠色巧光粉就顯得尤為必要。
[0005] 近年來(lái),稀±滲雜的新型氧氮化物、氮化物體系光轉(zhuǎn)換材料W其良好的穩(wěn)定性和 可靠性引起了研究者的廣泛關(guān)注。稀±滲雜的Sialon有獨(dú)特的光譜學(xué)性能,具有優(yōu)異的光 轉(zhuǎn)換效率,是一種具有良好應(yīng)用前景的LED光轉(zhuǎn)換材料,因而受到了研究者的廣泛關(guān)注和 研究。
[0006] 2005 年化otoHirosaki等人在"AP化IEDPHYSICSLETT邸S"上發(fā)表的 文章《Characterizationandpropertiesofgreen-emittingβ-SiAlON:Eu^^po wderphosphorsforwhiteli曲t-emittingdiodes》義用傳統(tǒng)高溫固相法合成 e-SiA10N:Eu2+巧光粉,工藝簡(jiǎn)單,其實(shí)驗(yàn)樣品顆粒長(zhǎng)度為4μπι,顆粒直徑僅為0. 5μπι; 2014 年HimYang等人在"J.AM.Ceram.Soc"雜志上發(fā)表的《Eu-DopedP-SiAlON Phosphors:Template-AssistantLowTemperaturesynthesis,DualBandEmission,and 化曲-ThermalSt油ility》通過低溫固相合成得到實(shí)驗(yàn)樣品,其細(xì)粉顆粒多,成型顆粒 少,最粗的顆粒直徑僅為0. 7μπι;中國(guó)專利CN102701745B通過碳熱還原一溶膠凝膠法 制備亞微米結(jié)構(gòu)的β-SiAlON,顆粒直徑僅為0. 3~0. 5μπι。歐洲專利ΕΡ2570400Α1和 ΕΡ2662430Α1提供了一種制備0-SiAlON:Eu2+巧光粉的工藝方法,通過熱處理、強(qiáng)酸(氨 氣酸加硝酸)酸處理等工藝,獲得的最終樣品顆粒均勻性差、粒徑短、顆粒直徑D50 = 5~ 6μm,并且整體工藝復(fù)雜,流程長(zhǎng),操作具有一定的危險(xiǎn)性,能耗高,生產(chǎn)成本高。
[0007] 由W上的運(yùn)些文獻(xiàn)可W看出,現(xiàn)有0-SiAlON:Eu2+綠色巧光粉固相燒結(jié)法中,低 溫?zé)Y(jié)獲得的產(chǎn)品顆粒直徑均小于1μπι,顆粒形貌不均勻,嚴(yán)重影響巧光粉的亮度、光效; 而采用歐洲專利ΕΡ2570400Α1介紹的制備方法,雖然能夠獲得稍粗顆粒的β-SiA10N:Eu2+ 綠色巧光粉,顆粒直徑D50 = 5~6μm,但整體工藝復(fù)雜,流程長(zhǎng),操作具有一定的危險(xiǎn)性, 能耗高,生產(chǎn)成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 本發(fā)明的目的是要提供一種形貌規(guī)則、尺寸均勻、粒徑較粗的β-SiA10N:Eu2+巧 光粉,同時(shí)還要提供操作性好、環(huán)境友好的巧光粉的有效合成方法。
[0009] 本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)W上目的所采用的技術(shù)方案如下:
[0010] 本發(fā)明提供了一種β-SiA10N:Eu2+綠色巧光粉,其化學(xué)通式為化,SigAlbOeNd,式中 0. 003《X《0. 030,4. 0 <a< 5. 2,0. 10 <b< 0. 3,0. 04《C< 0. 1,5. 6《d< 7. 2。
[0011] 本發(fā)明還提供了一種β-SiA10N:Eu2+綠色巧光粉的制備方法,它包括如下步驟:
[001引 (1)所述巧光粉的化學(xué)通式為化xSiaAlbOcNd,式中0.003《X《0.030,4.0 <a < 5. 2,0. 10 <b< 0. 3,0. 04《C< 0. 1,5.6《d< 7. 2 ;
[001引 (2伯氣氛保護(hù)下,按通式化xSigAlANd中各元素化學(xué)計(jì)量比分別稱取原料,然后 加入助烙劑,得混合物料;
[0014] 所述混合物料中原料占94-99. 9wt%,助烙劑占0.l-6wt%;
[001引所述原料為SisN4、A1N、Al203和化2化,所述SisN4為α-SiΛ和/或β-Si3N4;所 述助烙劑為面化物;
[0016] (3)將混合物料置于球磨混料器中,干混,然后過篩,裝入相蝸,然后放入高溫氣壓 燒結(jié)爐中,抽真空至爐內(nèi)壓力低于10化,然后充入成,至爐內(nèi)壓力為0. 75~0. 85MPa,然后 加熱升溫;
[0017] 所述加熱升溫過程分為兩個(gè)階段,具體為:
[001引 階段一:室溫~Τ1,Τ1為1400~1600°C,5°C/min<升溫速率《10°C/min;在此 升溫階段,爐內(nèi)壓力隨溫度升高而上升至1.OMPa;
[0019]階段二:T1 ~T2,T2 為 1850°C~2000°C,0°C/min<升溫速率《5°C/min;到達(dá) T2后,在T2溫度下保溫8~12h;此階段過程中維持爐內(nèi)1.OMPa的壓力不變;
[0020] (4)步驟(3)之后,自然降溫至室溫,所得產(chǎn)物研磨后過篩,然后使用36~38wt% 濃度的鹽酸進(jìn)行酸處理,再水洗至洗涂液pH為6~7,然后加熱烘干,即得β-SiA10N:Eu2+ 綠色巧光粉。
[00引]本發(fā)明的方法中,步驟似中,所述SisN4優(yōu)選為α-Si3N4或α-Si3N4和β-Si3N4的混合物,所述a-Si3N4和e-Si3N4的混合物中a-Si3N4比例大于95%。
[0022] 本發(fā)明的方法中,步驟(3)優(yōu)選的方案是:將混合物料置于球磨混料器中,干混 0. 5h,然后過50~100目篩,裝入相蝸,然后放入高溫氣壓燒結(jié)爐中,抽真空至爐內(nèi)壓力為 0~10化,然后充入成氣至爐內(nèi)壓力為0. 75~0. 85MPa,然后加熱升溫;
[0023] 所述加熱升溫過程分為兩個(gè)階段,具體為:
[0024] 階段一:室溫~Τ1,Τ1為1400~1600°C,5°C/min<升溫速率《10°C/min;在此 升溫階段,爐內(nèi)壓力隨溫度升高而上升至1.OMPa;
[00巧]階段二:T1 ~T2,T2 為 1850°C~2000°C,0°C/min<升溫速率《5°C/min;到達(dá) Τ2后,在Τ2溫度下保溫8~12h;此階段過程中維持爐內(nèi)1.OMPa的壓力不變。
[002引本發(fā)明的方法中,所述面化物為L(zhǎng)i、化、K、Mg、Ca、Sr、Ba、A1、Ga和Ce中的任意一 種的面化物或任意兩種或兩種W上的面化物的混合物。
[0027] 優(yōu)選的方案是,本發(fā)明的方法中,所述面化物中所含面素為氣、氯或艦。
[0028] 具體的,所述面化物為下列化合物中的至少一種:LiCl、化C1、KC1、MgClz、化〇2、 SrClz、BaClz、AICI3、GaCls、CeCls、LiF、NaF、KF、MgFz、CaFz、SrFz、BaFz、AIF3、GaFs、CeFs、Lil、 Nal、KI、Mgiz、Calz、Sriz、Balz、A113、Gals、Cels。其中,優(yōu)選的為:KF、CeFs、Nal、BaFz、SrFz、 化CI2、"F、NaF、AIF3、MgFz、CaFz、GaFs、KI。
[0029] 本發(fā)明的方法中,步驟(4)優(yōu)選的方案是:步驟(3)之后,自然降溫至室溫,所得產(chǎn) 物研磨后過50~100目篩,然后使用36~38wt%濃度的鹽酸進(jìn)行酸處理,再水洗至洗涂液 抑為6~7,然后加熱烘干
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