組合物、有機光電元件、以及顯示設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 公開了組合物、有機光電器件和顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機光電器件是將電能轉(zhuǎn)化成光能(反之亦然)的設(shè)備。
[0003] 根據(jù)它的驅(qū)動原理可以將有機光電器件如下分類。一種是光電設(shè)備，其中通過光 能產(chǎn)生激子，將其分離成電子和空穴(hole)，并且轉(zhuǎn)移至不同的電極以產(chǎn)生電能，以及另一 種是發(fā)光設(shè)備，其中將電壓或電流施加至電極以從電能產(chǎn)生光能。
[0004] 有機光電器件的實例可以是有機光電器件、有機發(fā)光二極管、有機太陽能電池、和 有機光電導(dǎo)體鼓(photo conductor drum，感光鼓）。
[0005] 其中，由于對于平板顯示器的需求增加，有機發(fā)光二極管(OLED)最近引起了關(guān)注。 通過將電流施加至有機發(fā)光材料，這樣的有機發(fā)光二極管將電能轉(zhuǎn)化成光。它具有在正極 和負(fù)極之間插入有機層的結(jié)構(gòu)。本文中，所述有機層可以包括發(fā)光層(emi ssion layer)以 及可選的輔助層(auxiliary layer)，并且輔助層可以是，例如選自空穴注入層、空穴傳輸 層、電子阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、和空穴阻擋層中的至少一種用于改善有機發(fā)光 二極管的效率和穩(wěn)定性。
[0006] 有機發(fā)光二極管的性能可以受有機層的特性影響，并且其中，主要受有機層的有 機材料的特性影響。
[0007]尤其是，需要開發(fā)能夠增加空穴和電子迀移率并且同時增加電化學(xué)穩(wěn)定性的有機 材料，以使有機發(fā)光二極管可以應(yīng)用于大尺寸的平板顯示器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 【技術(shù)目標(biāo)】
[0009] -個實施方式提供了用于有機光電器件的組合物，所述組合物能夠?qū)崿F(xiàn)具有高效 率和長壽命的有機光電器件。
[0010] 另一個實施方式提供了包含所述組合物的有機光電器件。
[0011] 又一個實施方式提供了包括所述有機光電器件的顯示設(shè)備。
[0012]【技術(shù)解決方法】
[0013] 根據(jù)一個實施方式，組合物包含由化學(xué)式I表示的第一主體化合物(first host compound)以及由化學(xué)式II表示的第二主體化合物(second host compound)。
[0016] 在化學(xué)式I中，
[0017]父1是〇、50、5、5〇、5〇2、卩〇、或〇)，
[0018] X2 是 CRaRb 或 SiRcRd，并且
[0019] R1SR5以及RaSRA自獨立地是氫、氖、取代的或未取代的Cl至C30烷基、取代的或 未取代的C3至C30環(huán)烷基、取代的或未取代的C3至C30雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C6至C30 芳基、取代的或未取代的C3至C30雜芳基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的C6至 C30芳基胺基、取代的或未取代的C3至C30雜芳基胺基、取代的或未取代的Cl至C30烷氧基、 取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基、取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基氨基、取代的或 未取代的C7至C30芳氧羰基氨基、取代的或未取代的Cl至C30氨磺酰氨基、取代的或未取代 的C2至C30烯基、取代的或未取代的C2至C30炔基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未 取代的甲硅烷氧基、取代的或未取代的Cl至C30?；⑷〈幕蛭慈〈腃l至C20酰氧基、取 代的或未取代的Cl至C20酰氨基、取代的或未取代的Cl至C30磺?；?、取代的或未取代的Cl 至C30烷基硫醇基（alkylthiol group)、取代的或未取代的Cl至C30雜環(huán)硫醇基 (heterocyclothiol group)、取代的或未取代的C6至C30芳基硫醇基(arylthiol group)、 取代的或未取代的Cl至C30雜芳基硫醇基(heteroarylthiol group)、取代的或未取代的Cl 至C30酰脲基團（ureide group)、鹵素、含鹵素基團、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵 基、或它們的組合。
[0022] 在化學(xué)式II中，
[0023] X3是〇、S、CRuRv、SiRwRx、或 NRy，
[0024] HTU是取代的或未取代的咔唑基或取代的或未取代的三亞苯基，并且
[0025] Rn至R13以及Ru至Ry各自獨立地是氫、氘、取代的或未取代的Cl至C20烷基、取代的 或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C3至C30雜芳基、或它們的組合。
[0026]根據(jù)另一個實施方式，有機光電器件包括彼此相對的正極和負(fù)極，在正極和負(fù)極 之間的至少一個有機層，其中，有機層包括所述組合物。
[0027]根據(jù)又一個實施方式，提供了包括所述有機光電器件的顯示設(shè)備。
[0028]【有利的效果】
[0029] 可以實現(xiàn)具有高效率和長壽命的有機光電器件。
【附圖說明】
[0030] 圖1和2分別是示出根據(jù)一個實施方式的有機發(fā)光二極管的截面圖。
【具體實施方式】
[0031] 在下文中，詳細(xì)描述了本發(fā)明的實施方式。然而，這些實施方式是示例性的，本發(fā) 明并不限制于此并且由權(quán)利要求的范圍定義本發(fā)明。
[0032] 在本發(fā)明的說明書中，當(dāng)并未另外提供定義時，術(shù)語"取代的"是指使用以下各項 進行取代代替取代基或化合物的至少一個氫:氘、鹵素、羥基、氨基、取代的或未取代的Cl至 C30胺基、硝基、取代的或未取代的Cl至C40甲硅烷基、Cl至C30烷基、Cl至ClO烷基甲硅烷基、 C3至C30環(huán)烷基、C3至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C6至C30雜芳基、Cl至C20烷氧基、氟基團、 Cl至ClO三氟烷基諸如三氟甲基、或氰基。
[0033] 另外，以下兩種相鄰的取代基可以相互稠合以形成環(huán)：鹵素、羥基、氨基、取代的或 未取代的Cl至C20胺基、硝基、取代的或未取代的C3至C40甲硅烷基、Cl至C30烷基、Cl至ClO 烷基甲硅烷基、C3至C30環(huán)烷基、C3至C30雜環(huán)烷基、C6至C30芳基、C6至C30雜芳基、Cl至C20 烷氧基、氟基團、Cl至ClO三氟烷基諸如三氟甲基等、或氰基。例如，取代的C6至C30芳基可以 與另一種相鄰的取代的C6至C30芳基稠合以形成取代的或未取代的芴環(huán)。
[0034]在本發(fā)明的說明書中，當(dāng)并未另外提供具體定義時，"雜"是指在一種化合物或取 代基中包括選自由N、0、S、P、和Si組成的組的1至3個雜原子，并且剩余為碳（remaining carbon)〇
[0035] 在本發(fā)明的說明書中，當(dāng)并未另外提供定義時，"烷基"是指脂肪族烴基團。在沒有 任何雙鍵或三鍵的情況下，烷基可以是"飽和的烷基"。
[0036] 烷基可以是Cl至C30烷基。更具體地，烷基可以是Cl至C20烷基或Cl至ClO烷基。例 如，Cl至C4烷基可以在烷基鏈中具有1至4個碳原子，其可以選自甲基、乙基、丙基、異丙基、 正丁基、異丁基、仲丁基、和叔丁基。
[0037] 烷基特定的實例可以是甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、己 基、環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。
[0038] 在本發(fā)明的說明書中，"芳基"是指環(huán)狀取代基，其中所有的元素具有P-軌道，并且 這些P-軌道形成共輒，以及包括單環(huán)的、多環(huán)的或稠環(huán)多環(huán)的（即，共享相鄰配對碳原子的 環(huán))官能團。
[0039] 在本發(fā)明的說明書中，"雜芳基"是指包含1至3個選自N、0、S、P和Si的雜原子，并且 剩余為碳的芳基。當(dāng)雜芳基是稠環(huán)時，每個環(huán)可以包含1至3個雜原子。
[0040] 更具體地，取代的或未取代的C6至C30芳基和/或取代的或未取代的C2至C30雜芳 基是指取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的蒽基、取代的或 未取代的菲基、取代的或未取代的并四苯基、取代的或未取代的芘基、取代的或未取代的聯(lián) 苯基、取代的或未取代的對-三聯(lián)苯基、取代的或未取代的間-三聯(lián)苯基、取代的或未取代的 屈基、取代的或未取代的三亞苯基、取代的或未取代的茈基、取代的或未取代的茚基、取代 的或未取代的呋喃基、取代的或未取代的苯硫基、取代的或未取代的吡咯基、取代的或未取 代的吡唑基、取代的或未取代的咪唑基、取代的或未取代的三唑基、取代的或未取代的噁唑 基、取代的或未取代的噻唑基、取代的或未取代的噁二唑基、取代的或未取代的噻二唑基、 取代的或未取代的吡啶基、取代的或未取代的嘧啶基、取代的或未取代的吡嗪基、取代的或 未取代的三嗪基、取代的或未取代的苯并呋喃基、取代的或未取代的苯并苯硫基、取代的或 未取代的苯并咪唑基、取代的或未取代的吲哚基、取代的或未取代的喹啉基、取代的或未取 代的異喹啉基、取代的或未取代的喹唑啉基、取代的或未取代的喹喔啉基、取代的或未取代 的萘啶基、取代的或未取代的苯并噁嗪基、取代的或未取代的苯并噻嗪基、取代的或未取代 的吖啶基、取代的或未取代的吩嗪基、取代的或未取代的酚噻嗪基、取代的或未取代的酚噁 嗪基、取代的或未取代的芴基、取代的或未取代的二苯并呋喃基、取代的或未取代的二苯并 苯硫基、取代的或未取代的咔唑基、或它們的組合，但不限于此。
[0041] 在本發(fā)明的說明書中，空穴特征是指當(dāng)施加電場時提供電子并且形成空穴的特 征，以及將在正極形成的空穴輕易地注入發(fā)光層中并且由于根據(jù)HOMO水平的導(dǎo)電性特性在 發(fā)光層中傳輸?shù)奶卣鳌?br>[0042] 電子特征是指當(dāng)施加電場時接受電子的特征，以及將在負(fù)極形成的電子輕易地注 入發(fā)光層中并且由于根據(jù)LUMO水平的導(dǎo)電性特征在發(fā)光層中傳輸?shù)奶卣鳌?br>[0043] 在下文中，描述了根據(jù)一個實施方式的組合物。
[0044] 根據(jù)一個實施方式的組合物包含至少兩種主體和摻雜劑，其中，主體包含具有雙 極性特征的第一主體化合物以及具有空穴特征的第二主體化合物（以及至少兩個稠環(huán)）。
[0045] 第一主體化合物是由化學(xué)式I表示的。
[0048] 在化學(xué)式I中，
[0049] 父1是〇、56、5、50、5〇2、卩0、或0)，
[0050] X2 是 CRaRb 或 SiRcRd，以及
[0051] 心至抱以及1^至心各自獨立地是氫、氘、取代的或未取代的Cl至C30烷基、取代的或 未取代的C3至C30環(huán)烷基、取代的或未取代的C3至C30雜環(huán)烷基、取代的或未取代的C6至C30 芳基、取代的或未取代的C3至C30雜芳基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的C6至 C30芳基胺基、取代的或未取代的C3至C30雜芳基胺基、取代的或未取代的Cl至C30烷氧基、 取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基、取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基氨基、取代的或 未取代的C7至C30芳氧羰基氨基、取代的或未取代的Cl至C30氨磺酰氨基、取代的或未取代 的C2至C30烯基、取代的或未取代的C2至C30炔基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未 取代的甲硅烷氧基、取代的或未取代的Cl至C30?；?、取代的或未取代的Cl至C20酰氧基、取 代的或未取代的Cl至C20酰氨基、取代的或未取代的Cl至C30磺酰基、取代的或未取代的Cl 至C30烷基硫醇基、取代的或未取代的Cl至C30雜環(huán)硫醇基、取代的或未取代的C6至C30芳基 硫醇基、取代的或未取代的Cl至C30雜芳基硫醇基、取代的或未取代的Cl至C30酰脲基團、鹵 素、含鹵素基團、氰基、羥基、氨基、硝基、羧基、二茂鐵基、或它們的組合。第一主體化合物可 以是，例如根據(jù)取代基的鍵合位置由化學(xué)式Ia至Ic中的一種表示。
[0053] 在化學(xué)式Ia至Ic中，乂^乂^心至抱以及匕至尺邊與上述相同的。
[0054] 例如可以是通過化學(xué)式1-1至1-6中的一種表示第一主體化合物。
[0056] 在化學(xué)式1-1至1-6中，
[0057] Ri至R5是與上述相同的，例如Ri至R5各自獨立地是氫、氘、取代的或未取代的Cl至 C20烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C3至C30雜芳基、或它們的組 合。
[0058] 在化學(xué)式I、化學(xué)式Ia至Ic以及化學(xué)式1-1至1-6中的心至抱以及1^至1^中的至少一 種可以是具有空穴特征或電子特征的取代基，并且可以是，例如選