有機(jī)發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光器件，包括：陰極；陽極；設(shè)置在陰極與陽極之間的發(fā)光層；以及設(shè)置在陽極與發(fā)光層之間的空穴傳輸層；其中所述發(fā)光層包含由化學(xué)式(1)表示的咔唑衍生物，并且所述空穴傳輸層包含由化學(xué)式(2)表示的螺環(huán)化合物，其中包含在所述發(fā)光層中并由化學(xué)式(1)表示的咔唑衍生物的LUMO能級(jí)與包含在所述空穴傳輸層中并由化學(xué)式(2)表示的螺環(huán)化合物的LUMO能級(jí)之間相差0.5eV或更大。
【專利說明】
有機(jī)發(fā)光器件
技術(shù)領(lǐng)域
[00011 本發(fā)明要求于2014年8月20日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2014-0108557號(hào)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過引用并入本文。
[0002] 本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0003] 有機(jī)發(fā)光現(xiàn)象是通過特定有機(jī)分子的內(nèi)部過程將電流轉(zhuǎn)化為可見光的實(shí)例之一。 有機(jī)發(fā)光現(xiàn)象的原理如下。
[0004] 當(dāng)將有機(jī)材料層設(shè)置在正電極與負(fù)電極之間時(shí)，如果在兩極之間施加電壓，則電 子和空穴分別從負(fù)電極和正電極注入到有機(jī)材料層中。注入到有機(jī)材料層中的電子與空穴 復(fù)合形成激子，并且激子再次返回到基態(tài)而發(fā)光。使用該原理的有機(jī)發(fā)光二極管可由以下 構(gòu)成:負(fù)電極;正電極;和設(shè)置在其間的有機(jī)材料層，例如，包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層和電子傳輸層的有機(jī)材料層。
[0005] 在有機(jī)發(fā)光二極管中使用的材料大部分是純有機(jī)材料或其中有機(jī)材料和金屬形 成配合物化合物的配合物化合物，并且根據(jù)其用途可分為空穴注入材料、空穴傳輸材料、發(fā) 光材料、電子傳輸材料、電子注入材料等。在此，通常使用具有P型特性的有機(jī)材料（即，容易 被氧化且當(dāng)該材料被氧化時(shí)電化學(xué)穩(wěn)定的有機(jī)材料)作為空穴注入材料或空穴傳輸材料。 同時(shí)，通常使用具有η型特性的有機(jī)材料（即，容易被還原且當(dāng)該材料被還原時(shí)電化學(xué)穩(wěn)定 的有機(jī)材料)作為電子注入材料或電子傳輸材料。作為發(fā)光層材料，具有Ρ型特性和η型特性 二者的材料(即，在氧化態(tài)和還原態(tài)期間均穩(wěn)定的材料)是優(yōu)選的，并且當(dāng)形成激子時(shí)，對(duì)激 子轉(zhuǎn)化為光具有高發(fā)光效率的材料是優(yōu)選的。
[0006] 本領(lǐng)域需要開發(fā)具有高效率的有機(jī)發(fā)光二極管。
[0007] [引用列表]
[0008] [非專利文獻(xiàn)]
[0009] Organic Electroluminescence Display ,Shizuo Tokito,Chihaya Adchi, Hideyuki Murata
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010] 技術(shù)問題
[0011] 本發(fā)明的一個(gè)目的是提供驅(qū)動(dòng)電壓低、使用壽命長(zhǎng)且發(fā)光效率高的有機(jī)發(fā)光二極 管。
[0012]技術(shù)方案
[0013] 本發(fā)明提供了有機(jī)發(fā)光二極管，包括：陰極；陽極;設(shè)置在陰極與陽極之間的發(fā)光 層；以及設(shè)置在陽極與發(fā)光層之間的空穴傳輸層，
[0014] 其中發(fā)光層包含由下式1表示的咔唑衍生物，
[0015] 空穴傳輸層包含由下式2表示的螺環(huán)化合物，并且
[0016] 包含在發(fā)光層中的由式1表示的咔唑衍生物的LUM0能級(jí)與包含在空穴傳輸層中的 由式2表示的螺環(huán)化合物的LUM0能級(jí)之間相差0.5eV或更大。
[0017] [式 1]
[0019] 在式1中，
[0020] L為直接鍵、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基，
[0021] X為未經(jīng)取代或經(jīng)選自雜環(huán)基和芳基的一個(gè)或兩個(gè)或更多個(gè)取代基取代的雜環(huán) 基，
[0022] R3和R4彼此結(jié)合形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳香環(huán)，
[0023]所形成的芳香環(huán)的取代基、R1、R2和R5至R8彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為 氫、氘、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜環(huán)基，
[0024] 所形成的芳香環(huán)的取代基、R1、R2和R5至R8中的至少一者為-L1-A，
[0025] L1為直接鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二價(jià)雜環(huán)基，
[0026] A為包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代的N原子和S原子中的一者或更多者的雜環(huán)基，
[0027] [式2]
[0029] 在式2中，
[0030] XI為C或Si，
[0031] Y1和Y2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為直接鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基、 或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二價(jià)雜環(huán)基，
[0032] A1和A2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氫、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的苯并咔唑基、或者-NZ1Z2，
[0033] A1和A2中的至少一者為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并咔 唑基、或者-NZ1Z2，
[0034] Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氫、氘、鹵素基團(tuán)、腈基、硝基、酰亞胺 基、酰胺基、羥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的芳基硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基磺?；⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基磺?；⒔?jīng)取代 或未經(jīng)取代的烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的甲硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的硼基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基胺基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的雜芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基、或者經(jīng)取代或未取代的雜環(huán)基，
[0035] R10至R20彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氫、氘、鹵素基團(tuán)、腈基、硝基、酰亞 胺基、酰胺基、酯基、羥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)烷基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基硫基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的芳基硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基磺?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基磺酰 基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的甲硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的硼基、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳 基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的雜環(huán)基;或者，R10和R20可通過直接鍵或選自0、S、NR、PR、C=0、CRR'和SiRR'的基團(tuán)形 成環(huán)，以及
[0036] R和R'彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氫、腈基、硝基、酰胺基、酯基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基胺基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜環(huán)基；或者R和R'可 彼此結(jié)合形成螺環(huán)化合物。
[0037]有益效果
[0038] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管包含由式1表示的咔唑衍生 物作為發(fā)光層的基質(zhì)，并且包含由式2表示的螺環(huán)化合物，式1的LUM0能級(jí)與式2的LUM0能級(jí) 之間相差〇.5eV或更大。
[0039] 在這種情況下，從陽極注入的空穴可通過具有合適空穴迀移率和LUM0能級(jí)的空穴 傳輸層進(jìn)入發(fā)光層。在這種情況下，整個(gè)二極管的使用壽命可通過抑制激子和正電極化子 的激子-極化子誘導(dǎo)的聚集(ΕΡΙΑ)(其引起發(fā)射磷光的基質(zhì)材料的使用壽命縮短)而改善。 此外，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管具有這樣的效果:通過使激子 產(chǎn)生區(qū)域均勻地分布在整個(gè)發(fā)光層中而改善發(fā)光效率。
[0040] 由根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管可以預(yù)期低驅(qū)動(dòng)電壓、高 發(fā)光效率和/或長(zhǎng)使用壽命的效果。
【附圖說明】
[0041] 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管的實(shí)例。
[0042] 圖2是示出了發(fā)光層中包含由式1-1-1表示的咔唑衍生物作為基質(zhì)的有機(jī)發(fā)光二 極管經(jīng)過一段時(shí)間的發(fā)光光譜的圖。
[0043]〈附圖標(biāo)記說明〉
[0044] 101:陽極
[0045] 201:空穴注入層 [0046] 301:發(fā)光層
[0047] 401:電子注入層
[0048] 501:空穴傳輸層
[0049] 601:電子傳輸層
[0050] 701:陰極
【具體實(shí)施方式】
[0051] 下文中，將詳細(xì)地描述本發(fā)明。
[0052] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，由式1表示的咔唑衍生物作為發(fā)光層的基質(zhì) 包含在有機(jī)發(fā)光二極管中。
[0053]由有機(jī)發(fā)光二極管中的基質(zhì)產(chǎn)生的激子可與正電極化子相互作用形成聚集，從而 導(dǎo)致二極管的使用壽命縮短。對(duì)于上述聚集(ΕΡΙΑ:激子-極化子引起的聚集），當(dāng)驅(qū)動(dòng)僅包 含基質(zhì)而沒有摻雜劑的二極管預(yù)定時(shí)間時(shí)，可以證實(shí)，由激子-極化子引起的聚集(ΕΡΙΑ)在 長(zhǎng)波長(zhǎng)處產(chǎn)生了新的發(fā)射帶。
[0054]圖2是示出了在驅(qū)動(dòng)包含由本發(fā)明的式1-1-1表示的咔唑衍生物作為基質(zhì)而沒有 摻雜劑的二極管50小時(shí)和100小時(shí)之后發(fā)光光譜的變化的圖（@50mA/cm2)。
[0055] 在圖2中，可以證實(shí)，隨著驅(qū)動(dòng)時(shí)間增加出現(xiàn)了新的紅移發(fā)射帶，并且出現(xiàn)了激子 和極化子的聚集(ΕΡΙΑ:激子-極化子引起的聚集）。
[0056] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，包含在發(fā)光層中的由式1表示的咔唑衍生物 的三線態(tài)能級(jí)為2.5eV或更小。
[0057] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的空穴傳輸材料對(duì)于由摻雜劑產(chǎn)生的三線態(tài) 激子具有這樣的三線態(tài)能級(jí):使得由摻雜劑產(chǎn)生的三線態(tài)激子不迀移到空穴傳輸層中。當(dāng) 空穴傳輸層中包含具有所述能級(jí)關(guān)系的由式2表示的空穴傳輸材料時(shí)，從陽極注入的空穴 通過具有合適空穴迀移率的空穴傳輸層傳輸?shù)桨l(fā)光層中，從而抑制了聚集(ΕΡΙΑ:激子-極 化子引起的聚集)的形成。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管可改 善高效率、低驅(qū)動(dòng)電壓和/或使用壽命特性。
[0058]此外，在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，空穴傳輸層包含由式2表示的螺環(huán)化合 物。
[0059]在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，由式2表示的空穴傳輸材料的LUM0能級(jí)與由 式1表示的咔唑衍生物的LUM0能級(jí)之間相差0.5eV或更大。
[0000]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)不例性實(shí)施方案的空穴傳輸材料的最低未占分子軌道(LUM0) 能級(jí)比包含在發(fā)光層中的由式1表示的咔唑衍生物的LUM0能級(jí)更接近于真空能級(jí)(Oev)。
[0061]在種情況下，可防止從陰極注入的電子從發(fā)光層流動(dòng)至空穴傳輸層，并且電子在 鄰近空穴傳輸層/發(fā)光層的部分可相對(duì)地集中。因此，通過將發(fā)光層中的激子產(chǎn)生位置從發(fā) 光層與電子傳輸層之間的界面移動(dòng)至空穴傳輸層與發(fā)光層之間的界面，可在發(fā)光層中總體 上均勻地產(chǎn)生激子。當(dāng)激子產(chǎn)生區(qū)域變得遠(yuǎn)離發(fā)光層與電子傳輸層之間的界面時(shí)，注入到 發(fā)光層中的空穴的量可相對(duì)地減少以防止發(fā)光層中產(chǎn)生的激子和正電極化子的聚集 (ΕΡΙΑ:激子-極化子引起的聚集）。
[0062] 即，從陰極注入的電子可被轉(zhuǎn)移至空穴傳輸層與發(fā)光層之間的界面以使激子產(chǎn)生 區(qū)域在整個(gè)發(fā)光層均勻地分布并增加發(fā)光層中產(chǎn)生激子的概率。在這種情況下，電子可流 入電子傳輸層而未能貢獻(xiàn)于發(fā)光層，并因此降低產(chǎn)生非輻射衰減的激子的概率，從而可以 預(yù)期有機(jī)發(fā)光二極管的效率得到改善。此外，激子可在某部分集中以防止發(fā)光層中特定部 分的老化加速，從而可以預(yù)期有機(jī)發(fā)光二極管的使用壽命得到改善。
[0063] 在本發(fā)明中，能級(jí)意指能量的大小。因此，即使當(dāng)以真空能級(jí)的負(fù)（_)方向表示能 級(jí)時(shí)，也應(yīng)解釋為，能級(jí)意指相應(yīng)的能量值的絕對(duì)值。例如，HOMO能級(jí)意指真空能級(jí)至最高 占據(jù)分子軌道的距離。此外，LUM0能級(jí)意指真空能級(jí)至最低未占分子軌道的距離。
[0064]為了測(cè)量本發(fā)明中HOMO能級(jí)，可使用UV光電子能譜法通過在薄膜的表面上照射UV 來測(cè)量材料的電離電位并檢測(cè)在這種情況下躍迀的電子。另外，為了測(cè)量HOMO能級(jí)，可使用 循環(huán)伏安法(CV)，將待測(cè)材料連同電解質(zhì)一起溶解于溶劑中，然后通過電壓掃描測(cè)量氧化 電位。此外，可使用空氣中光電發(fā)射效率光譜儀(PYSA)的方法，其通過在大氣中使用機(jī)器 AC_3(由RKI Instruments，Inc.制造）來測(cè)量電離電位。
[0065]具體地，通過以下步驟測(cè)量本發(fā)明的Η0Μ0能級(jí):在ΙΤ0基板上真空沉積目標(biāo)材料至 50nm或更大的厚度，然后使用AC-3測(cè)量?jī)x（由RKI Instruments，Inc ·制造）。此外，為了LUM0 能級(jí)，測(cè)量以上制備的樣品的吸收光譜(abs.)和光致發(fā)光光譜(PL)，然后計(jì)算各光譜邊緣 能量，將差值作為能帶隙(Eg)，并且以通過由AC-3測(cè)量的Η0Μ0能級(jí)減去能帶隙的差值獲得 的值計(jì)算LUM0能級(jí)。
[0066]在本發(fā)明中，LUM0能級(jí)可通過測(cè)量反向光電子能譜（IPES)或電化學(xué)還原電位獲 得。IPES是通過在薄膜上照射電子束并測(cè)量這種情況下的發(fā)光來測(cè)定LUM0能級(jí)的方法。此 外，為了測(cè)量電化學(xué)還原電位，將測(cè)量目標(biāo)材料連同電解質(zhì)一起溶解于溶劑中，然后可通過 電壓掃描測(cè)量還原電位。另外，LUM0能級(jí)可通過使用Η0Μ0能級(jí)和通過測(cè)量目標(biāo)材料的UV吸 收度獲得的單線態(tài)能級(jí)來計(jì)算。
[0067] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，由式1表示且包含在發(fā)光層中的咔唑衍生物 的LUM0能級(jí)(其通過空氣中光電發(fā)射效率光譜儀(PYSA)的方法測(cè)量)與由式2表示且包含在 空穴傳輸層中的螺環(huán)化合物的LUM0能級(jí)(其通過空氣中光電發(fā)射效率光譜儀(PYSA)的方法 測(cè)量)之間相差〇.5eV或更大。
[0068] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，由式2表示的空穴傳輸材料的空穴迀移率為5 X 10_4cm2/Vs或更小。在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，在0. lMV/cm的電場(chǎng)條件下空穴傳輸材料的 空穴迀移率為5 X l(T4Cm2/VS或更小。在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，空穴傳輸材料的空穴迀 移率為1 (T4cm2/Vs或更小。
[0069]空穴迀移率可通過本領(lǐng)域中使用的方法測(cè)量。具體地，可使用飛行時(shí)間（T0F)或測(cè) 量空間電荷限制電流(SCLC)的方法，并且方法不限于此。在本發(fā)明中，空穴迀移率可通過將 材料的膜厚度設(shè)置為l〇〇〇nm或更大以便測(cè)量空間電荷限制電流(SCLC)來測(cè)量。
[0070] 當(dāng)包含空穴迀移率在所述范圍中的空穴傳輸材料時(shí)，降低了可能與激子結(jié)合的正 電極化子的概率，并因此，可有利于改善二極管的使用壽命。
[0071] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，通過飛行時(shí)間（T0F)測(cè)量的包含在空穴傳輸 層中的空穴傳輸材料的空穴迀移率為5 X l(T4Cm2/VS或更小。
[0072] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，通過以下步驟制備樣品:在真空下在ΙΤ0基板 上加熱六腈六氮雜三亞苯基以沉積至5nm的厚度，使包含在空穴傳輸層中的空穴傳輸材料 沉積至200nm的厚度，然后使鋁沉積至100nm或更大的厚度。空間電荷限制電流(SCLC)區(qū)域 中的迀移率可通過測(cè)量樣品在電流密度(mA/cm 2)下的電壓來計(jì)算。
[0073] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，發(fā)光層包含:包含由式1表示的咔唑衍生物的 基質(zhì);和摻雜劑。
[0074] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射紅色光。
[0075] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)不例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管為磷光有機(jī)發(fā)光二極管。
[0076] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管包含紅色磷光發(fā)光摻雜劑 時(shí)，包含在發(fā)光層中且三線態(tài)能級(jí)為2.5eV或更小的由式1表示的咔唑衍生物鄰近三線態(tài)能 態(tài)，并因此，可預(yù)期高的發(fā)光效率。
[0077] 根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射紅色磷光。
[0078] 以下將描述取代基的實(shí)例，但不限于此。
[0079] 術(shù)語"取代"意指與化合物的碳原子鍵合的氫原子變?yōu)榱硪蝗〈?，并且取代的?置不受限制，只要該位置為氫原子被取代的位置（即，取代基可進(jìn)行取代的位置）即可，并且 當(dāng)兩個(gè)或更多個(gè)被取代時(shí)，所述兩個(gè)或更多個(gè)取代基可彼此相同或不同。
[0080] 在本發(fā)明中，術(shù)語"經(jīng)取代或未經(jīng)取代的"意指經(jīng)選自以下的一個(gè)或兩個(gè)或更多個(gè) 取代基取代的基團(tuán)：氘、鹵素基團(tuán)、腈基、硝基、酰亞胺基、酰胺基、羥基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳 氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 烷基磺?；⒔?jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基磺?；?、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的甲硅烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的硼基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的芳烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜芳基胺基、經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的芳基、和經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜環(huán)基，或者經(jīng)以上所舉例的取代基中的兩個(gè) 或更多個(gè)取代基連接的取代基取代，或者不具有取代基。例如，"兩個(gè)或更多個(gè)取代基連接 的取代基"可為聯(lián)苯基。即，聯(lián)苯基還可為芳基，并且可解釋為兩個(gè)苯基連接的取代基。
[0081] 在本發(fā)明中
、意指與另一取代基鍵合的部分。
[0082] 在本發(fā)明中，鹵素基團(tuán)可為氟、氯、溴或碘。
[0083]在本發(fā)明中，酰亞胺基的碳原子數(shù)沒有特別限制，但優(yōu)選為1至25。具體地，酰亞胺 基可為具有以下結(jié)構(gòu)的化合物，但不限于此。
[0085]在本發(fā)明中，對(duì)于酰胺基，酰胺基的一個(gè)或兩個(gè)氮原子可被以下取代基取代:氫； 具有1至25個(gè)碳原子的直鏈、支化或環(huán)狀烷基;或者具有6至25個(gè)碳原子的芳基。具體地，酰 胺基可為具有以下結(jié)構(gòu)式的化合物，但不限于此。
[0087]在本發(fā)明中，烷基可以是直鏈或支化的，并且其碳原子數(shù)沒有特別限制，但優(yōu)選為 1至50。其具體實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、正丙基、異丙基、丁基、正丁基、異丁基、叔丁基、仲 丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、異戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3，3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲 基己基、環(huán)戊基甲基、環(huán)己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基 戊基、正壬基、2,2_二甲基庚基、1-乙基丙基、1，1_二甲基丙基、異己基、2-甲基戊基、4-甲基 己基、5-甲基己基等，但不限于此。
[0088]在本發(fā)明中，環(huán)烷基沒有特別限制，但優(yōu)選為具有3至60個(gè)碳原子的環(huán)烷基，并且 其具體實(shí)例包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、3-甲基環(huán)戊基、2,3_二甲基環(huán)戊基、環(huán)己基、3-甲 基環(huán)己基、4-甲基環(huán)己基、2,3_二甲基環(huán)己基、3,4,5_三甲基環(huán)己基、4-叔丁基環(huán)己基、環(huán)庚 基、環(huán)辛基等，但不限于此。
[0089] 在本發(fā)明中，烷氧基可為直鏈、支化或環(huán)狀的。烷氧基的碳原子數(shù)沒有特別限制， 但優(yōu)選為1至20。其具體實(shí)例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基（i sopropoxy)、異丙 氧基（i-propyloxy)、正丁氧基、異丁氧基、叔丁氧基、仲丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、異戊 氧基、正己氧基、3，3_二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、芐氧 基、對(duì)甲基芐氧基等，但不限于此。
[0090] 在本發(fā)明中，烯基可為直鏈或支化的，并且其碳原子數(shù)沒有特別限制，但優(yōu)選為2 至40。其具體實(shí)例可包括乙烯基、1-丙烯基、異丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊 烯基、2_戊烯基、3_戊烯基、3_甲基-1-丁烯基、1，3_丁二烯基、稀丙基、1_苯基乙烯基-1-基、 2-苯基乙烯基-1-基、2，2-二苯基乙烯基基、2-苯基-2 -(蔡基基）乙烯基基、2，2-雙(二苯基-1-基）乙烯基-1-基、芪基、苯乙烯基等，但不限于此。
[0091] 在本發(fā)明中，甲硅烷基的具體實(shí)例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基 二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基 甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但不限于此。
[0092] 在本發(fā)明中，芳基可為單環(huán)芳基或多環(huán)芳基，并且包括被具有1至25個(gè)碳原子的烷 基或具有1至25個(gè)碳原子的烷氧基取代的情況。此外，本發(fā)明中的芳基可意指芳香環(huán)。
[0093] 當(dāng)芳基為單環(huán)芳基時(shí)，其碳原子數(shù)沒有特別限制，但優(yōu)選為6至25。單環(huán)芳基的具 體實(shí)例可包括苯基、聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基等，但不限于此。
[0094] 當(dāng)芳基是多環(huán)芳基時(shí)，其碳原子數(shù)沒有特別限制，但優(yōu)選為10至24。多環(huán)芳基的具 體實(shí)例包括萘基、蒽基、菲基、芘基、茈基、窟基、芴基等，但不限于此。
[0095] 在本發(fā)明中，芴基可被取代，并且相鄰的取代基可彼此結(jié)合形成環(huán)。
[0096] 當(dāng)芴基被取代時(shí)，取代基可為
然而，芴基不限于此。 Ο
[0097] 在本發(fā)明中，雜環(huán)基包含一個(gè)或更多個(gè)除碳之外的原子和雜原子，并且具體地，雜 原子可包括選自〇、N、Se和S等的一個(gè)或更多個(gè)原子。其碳原子數(shù)沒有特別限制，但優(yōu)選為2 至60。雜環(huán)基的實(shí)例包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基，惡脞基、P惡二唑基、吡啶 基、聯(lián)吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、噠嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉 基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、異喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并 夂惡唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、 菲咯啉基、噻唑基、異P惡唑基、P惡二唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、吩噻嗪基、二苯并呋喃基 等，但不限于此。
[0098] 在本發(fā)明中，包含N原子和S原子中一者或更多者的雜環(huán)基可選自雜環(huán)基的定義。
[0099] 雜環(huán)基可為單環(huán)或多環(huán)的，并且可為芳香環(huán)、脂族環(huán)、或芳香環(huán)和脂族環(huán)的稠環(huán)。
[0100] 在本發(fā)明中，芳基胺基的實(shí)例包括經(jīng)取代或未經(jīng)取代的單芳基胺基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的二芳基胺基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三芳基胺基。芳基胺基中的芳基可為單環(huán) 芳基或多環(huán)芳基。芳基包含的兩個(gè)或更多個(gè)芳基胺基可包含單環(huán)芳基、多環(huán)芳基或者單環(huán) 芳基和多環(huán)芳基二者。
[0101 ]芳基胺基的具體實(shí)例包括苯基胺基、萘基胺基、聯(lián)苯基胺基、蒽基胺基、3-甲基-苯 基胺基、4-甲基萘基胺基、2-甲基聯(lián)苯基胺基、9-甲基蒽基胺基、二苯基胺基、苯基萘基胺 基、二甲苯基胺基、苯基甲苯基胺基、咔唑、三苯基胺基等，但不限于此。
[0102] 在本發(fā)明中，雜芳基胺基中的雜芳基可選自雜環(huán)基的上述實(shí)例。
[0103] 在本發(fā)明中，芳氧基、芳基硫基、芳基磺酰基和芳烷基胺基中的芳基與芳基的上述 實(shí)例相同。具體地，芳氧基的實(shí)例包括苯氧基、對(duì)甲苯氧基、間甲苯氧基、3,5_二甲基-苯氧 基、2，4，6_二甲基苯氧基、對(duì)叔丁基苯氧基、3_聯(lián)苯氧基、4_聯(lián)苯氧基、1_蔡氧基、2_蔡氧基、 4-甲基-1-蔡氧基、5_甲基_2_蔡氧基、1-蒽氧基、2_蒽氧基、9_蒽氧基、1_菲氧基、3_菲氧基、 9_非氧基等，芳基硫基的實(shí)例包括苯基硫基、2-甲基苯基硫基、4-叔丁基苯基硫基等，并且 芳基磺?；膶?shí)例包括苯磺?；?duì)甲苯磺?；?，但不限于此。
[0104] 在本發(fā)明中，烷基硫基和烷基磺酰基中的烷基與烷基的上述實(shí)例相同。具體地，烷 基硫基的實(shí)例包括甲基硫基、乙基硫基、叔丁基硫基、己基硫基、辛基硫基等，并且烷基橫醜 基的實(shí)例包括甲基磺酰基、乙基磺?；?、丙基磺?；⒍』酋；?，但不限于此。
[0105] 在本發(fā)明中，亞芳基意指在芳基中有兩個(gè)鍵合位置，即，二價(jià)基團(tuán)。芳基的上述描 述也適用，不同之處在于這些亞芳基各自為二價(jià)基團(tuán)。
[0106] 在本發(fā)明中，R10和R20形成環(huán)的含義意指R10和R20彼此結(jié)合形成烴環(huán)或雜環(huán)，并 且可意指未經(jīng)取代或經(jīng)烴或雜環(huán)取代的亞烴基或者未經(jīng)取代或經(jīng)烴或雜環(huán)取代的亞烯基 可彼此結(jié)合形成環(huán)。
[0107] 在本發(fā)明中，烴環(huán)可為脂族環(huán)、芳香環(huán)、或芳香環(huán)和脂族環(huán)的稠環(huán)，并且可選自除 了非單價(jià)烴環(huán)之外的環(huán)烷基或芳基的實(shí)例。雜環(huán)可為脂族環(huán)、芳香環(huán)或者芳香環(huán)和脂族環(huán) 的稠環(huán)，并且可選自除了非單價(jià)雜環(huán)之外的雜環(huán)基的實(shí)例。
[0108] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R3和R4彼此結(jié)合形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳 香環(huán)。
[0109] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R3和R4彼此結(jié)合形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯環(huán)。
[0110] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，由式1表示的咔唑衍生物由下式1-1表示。
[0111] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，發(fā)光層包含:包含由下式1-1表示的咔唑衍生 物的基質(zhì);和摻雜劑。
[0112] [式 1-1]
[0114] 在式 1-1 中，
[0115] L、X、R1、R2和R5至R8與式1中所限定的那些相同，
[0116] Q1至Q4彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氫；氘;經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基;或 者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜環(huán)基，
[0117] 1?1、1?2、1?5至1?8和〇1至〇4中的至少一者為-1^1-4，并且 [0118] L1和A與式1中所限定的那些相同。
[0119] 根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案，L為直接鍵，或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基，并 且
[0120] X為未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的三嗪基、未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的嘧啶基、或者未經(jīng) 取代或經(jīng)芳基取代的喹唑啉基。
[0121] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，X為三嗪基、嘧啶基或喹唑啉基，并且
[0122] 三嗪基、嘧啶基和喹唑啉基各自獨(dú)立地為未經(jīng)取代或者經(jīng)選自以下的一個(gè)或兩個(gè) 或更多個(gè)取代基取代:苯基、萘基和聯(lián)苯基。
[0123] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，L是直接鍵。
[0124] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，L是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基。
[0125] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，L是亞苯基。
[0126] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，X是未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的三嗪基。
[0127] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，X是經(jīng)苯基取代的三嗪基。
[0128] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，X是未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的嘧啶基。
[0129] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，X是經(jīng)苯基取代的嘧啶基。
[0130] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，X是未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的喹唑啉基。
[0131 ]在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，X是經(jīng)苯基取代的喹唑啉基。
[0132] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，X是經(jīng)聯(lián)苯基取代的喹唑啉基。
[0133] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，X是經(jīng)萘基取代的喹唑啉基。
[0134] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，-L-X選自以下結(jié)構(gòu)。
[0136] 在本發(fā)明的一個(gè)不例性實(shí)施方案中，R1是氫。
[0137] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R2是氫。
[0138] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R2是-L1-A。
[0139] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R3是氫。
[0140] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R4是氫。
[0141] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R5是氫。
[0142] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R6是氫。
[0143] 在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R6是-L1-A。
[0144] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R7是氫。
[0145] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R7是-L1-A。
[0146] 在又一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R8是氫.
[0147] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Q1是氫。
[0148]在一個(gè)不例性實(shí)施方案中，Q2是氫。
[0149] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Q2是-L1-A。
[0150] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Q3是氫。
[0151] 在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Q3是-L1-A。
[0152 ]在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Q4是氫。
[0153]在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，L1是直接鍵、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳 基，并且A是包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代的N原子和S原子中一者或更多者的雜環(huán)基。
[0154] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，L1是直接鍵、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的具有6 至30個(gè)碳原子的亞芳基，并且A是具有2至30個(gè)碳原子的雜環(huán)基，其包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的N和S原子中的一者或更多者。
[0155] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案，L是直接鍵、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯 基，并且
[0156] A為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻吩基、或者經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的二苯并噻吩基。
[0157] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，L是直接鍵、或者未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的亞 苯基，并且
[0158] A為未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的咔唑基、未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的噻吩基、或者未經(jīng) 取代或經(jīng)芳基取代的二苯并噻吩基。
[0159] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，L1是直接鍵。
[0160]在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，L1是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞苯基。
[0161] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，L1是亞苯基。
[0162] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代的N原子的雜環(huán) 基。
[0163] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基。
[0164] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的咔唑基。
[0165] 在又一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是經(jīng)苯基取代的咔唑基。
[0166] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是經(jīng)聯(lián)苯基取代的咔唑基。
[0167] 在又一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是未經(jīng)取代的咔唑基。
[0168] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代的S原子的雜環(huán) 基。
[0169] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二苯并噻吩基。
[0170] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是二苯并噻吩基。
[0171]在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的噻吩基。
[0172] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是經(jīng)芳基取代的噻吩基。
[0173] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A是經(jīng)苯基取代的噻吩基。
[0174] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，-Ll-Α選自以下結(jié)構(gòu)。
[0176]在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，由式1表示的咔唑衍生物由下式1-1-1至1-1-50中任一者表不。
[0189 ]在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，R10至R20是氫。
[0190] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1和A2中的至少一者是未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取 代的咔唑基、或者-NZ1Z2,并且Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的芳基。
[0191] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Y1是直接鍵。
[0192] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Y2是直接鍵。
[0193] 在本發(fā)明的一個(gè)不例性實(shí)施方案中，A1是氫。
[0194] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基。
[0195] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是經(jīng)芳基取代的咔唑基。
[0196] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是未經(jīng)取代或經(jīng)具有6至30個(gè)碳原子的芳 基取代的咔唑基。
[0197] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是經(jīng)苯基取代的咔唑基。
[0198] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是經(jīng)芳基取代的咔唑基，并且在咔唑基中， 咔唑基的2號(hào)碳位與式2連接。
[0199] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是經(jīng)具有6至30個(gè)碳原子的芳基取代的咔 唑基，并且在咔唑基中，咔唑基的2號(hào)碳位與式2連接。
[0200] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是經(jīng)芳基取代的咔唑基，并且在咔唑基中，咔唑基 的3號(hào)碳位與式2連接。
[0201] 在又一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是經(jīng)具有6至30個(gè)碳原子的芳基取代的咔唑基，并 且在咔唑基中，咔唑基的3號(hào)碳位與式2連接。
[0202] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是咔唑基。
[0203] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是咔唑基，并且在咔唑基中，咔唑基的N原子與式2 連接。
[0204] 在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A1是-NZ1Z2。
[0205] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是氫。
[0206] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是經(jīng)取代或未經(jīng)取代的咔唑基。
[0207] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是經(jīng)芳基取代的咔唑基。
[0208] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是未經(jīng)取代或經(jīng)具有6至30個(gè)碳原子的芳 基取代的咔唑基。
[0209] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是經(jīng)苯基取代的咔唑基。
[0210] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是經(jīng)芳基取代的咔唑基，并且在咔唑基中， 咔唑基的2號(hào)碳位與式2連接。
[0211] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是經(jīng)具有6至30個(gè)碳原子的芳基取代的咔 唑基，并且在咔唑基中，咔唑基的2號(hào)碳位與式2連接。
[0212] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是經(jīng)芳基取代的咔唑基，并且在咔唑基中，咔唑基 的3號(hào)碳位與式2連接。
[0213] 在又一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是經(jīng)具有6至30個(gè)碳原子的芳基取代的咔唑基，并 且在咔唑基中，咔唑基的3號(hào)碳位與式2連接。
[0214] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是咔唑基。
[0215] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是咔唑基，并且在咔唑基中，咔唑基的N原子與式2 連接。
[0216] 在本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，A2是-NZ1Z2。
[0217] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基。
[0218] 在另一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為經(jīng)取代 或未經(jīng)取代的具有6至30個(gè)碳原子的芳基。
[0219] 在又一個(gè)實(shí)施方案中，Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為經(jīng)選自烷基或 芳基中的一個(gè)或兩個(gè)或更多個(gè)取代或未經(jīng)取代的具有6至30個(gè)碳原子的芳基。
[0220] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為 未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的芳基。
[0221] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為 具有6至30個(gè)碳原子的芳基，其未經(jīng)取代或經(jīng)具有6至30個(gè)碳原子的芳基取代。
[0222] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為 未經(jīng)取代或經(jīng)烷基取代的芳基。
[0223] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為 具有6至30個(gè)碳原子的芳基，其為未經(jīng)取代的或經(jīng)具有6至30個(gè)碳原子的烷基取代。
[0224] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的三聯(lián)苯基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的芴基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的萘基。
[0225] 在一個(gè)示例性實(shí)施方案中，Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為苯基;聯(lián)苯 基;三聯(lián)苯基;經(jīng)烷基取代的芴基;或萘基。
[0226] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，-Y1-A1和-Y2-A2中的至少一者為以下結(jié)構(gòu)的 任一者。
[0228]在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，由式2表示的化合物由下式2-1至2-14中的任 一者表不。
[0232] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，包含咔唑衍生物的發(fā)光層被設(shè)置成與包含由 式2表示的螺環(huán)化合物的空穴傳輸層相接觸。當(dāng)發(fā)光層不與空穴傳輸層接觸時(shí)，由空穴傳輸 層注入到發(fā)光層的空穴的量得不到調(diào)節(jié)，從而不可預(yù)期上述效果。
[0233] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，發(fā)光層僅包含由式1表示的咔唑衍生物作為 基質(zhì)。
[0234] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，空穴傳輸層可還包含除由式2表示的空穴傳 輸材料之外的空穴傳輸材料。
[0235] 本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管可通過本領(lǐng)域已知的材料和方法制造，不同之處在于由 式1表示的咔唑衍生物包含在發(fā)光層中，并且由式2表示的空穴傳輸材料包含在空穴傳輸層 中。
[0236] 例如，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管可通過在基板上依次堆疊陽極、有機(jī)材料層和陰 極來制造。在這種情況下，有機(jī)發(fā)光二極管可通過以下步驟制造:通過使用物理氣相沉積 (PVD)法(如濺射法或電子束蒸發(fā)法)使金屬或具有導(dǎo)電性的金屬氧化物或其合金沉積在基 板上形成陽極，在其上形成包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層的有機(jī)材料 層，然后使可用作陰極的材料沉積在其上。除了上述方法之外，有機(jī)發(fā)光二極管還可通過使 陰極材料、有機(jī)材料層和陽極材料依次沉積在基板上來制造。
[0237] 此外，當(dāng)制造有機(jī)發(fā)光二極管時(shí)，由式1和2表示的化合物不僅可通過真空沉積法 還可通過溶液施用法形成為有機(jī)材料層。在此，溶液施用法意指旋涂、浸涂、刮涂、噴墨印 屆IJ、絲網(wǎng)印刷、噴涂法、輥涂法等，但不限于此。
[0238] 本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)材料層可由其中堆疊有兩個(gè)或更多個(gè)有機(jī)材料 層的多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。
[0239] 在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案中，有機(jī)發(fā)光二極管還可包括選自以下的一個(gè)或 兩個(gè)或更多個(gè)層:空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電子調(diào)節(jié)層、電子阻 擋層和空穴阻擋層。
[0240] 例如，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)可具有如圖1中所示的結(jié)構(gòu)，但不限于此。
[0241] 圖1示出了有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)，其中陽極101、空穴注入層201、空穴傳輸層 501、發(fā)光層301、電子傳輸層601、電子注入層401和陰極701依次堆疊。
[0242] 當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管包括多個(gè)有機(jī)材料層時(shí)，所述有機(jī)材料層可由相同材料或不同 材料形成。
[0243] 作為陽極材料，通常優(yōu)選的是具有大功函的材料以使空穴平穩(wěn)注入有機(jī)材料層。 本發(fā)明中可使用的正電極材料的具體實(shí)例包括:金屬，如釩、鉻、銅、鋅和金或其合金;金屬 氧化物，如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫（ΙΤ0)和氧化銦鋅（ΙΖ0);金屬和氧化物的組合，如ZnO: A1或Sn02:Sb;電子導(dǎo)電聚合物，如聚（3-甲基噻吩）、聚[3,4-(亞乙基-1,2-二氧基）噻吩] (PED0T)、聚吡咯和聚苯胺等，但不限于此。
[0244] 作為陰極材料，通常優(yōu)選的是具有小功函的材料以使電子平穩(wěn)注入有機(jī)材料層。 陰極材料的具體實(shí)例包括金屬，例如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫和鉛或其合 金;多層結(jié)構(gòu)材料，如LiF/Al或Li0 2/Al等，但不限于此。
[0245] 空穴注入層是注入來自電極的空穴的層，并且優(yōu)選為這樣的化合物，其具有傳輸 空穴的能力，從而對(duì)陽極具有空穴注入作用，并對(duì)發(fā)光層或發(fā)光材料具有優(yōu)異的空穴注入 作用，防止發(fā)光層中產(chǎn)生的激子移動(dòng)至電子注入層或電子注入材料，并且具有優(yōu)異的薄膜 形成能力。優(yōu)選的是，空穴注入層的最高占據(jù)分子軌道(HOMO)介于正電極材料的功函數(shù)與 周圍有機(jī)材料層的HOMO之間。空穴注入材料的具體實(shí)例包括金屬撲啉、低聚噻吩、芳胺類有 機(jī)材料、六腈六氮雜三亞苯基類有機(jī)材料、喹吖啶酮類有機(jī)材料、茈類有機(jī)材料、蒽醌、聚苯 胺和聚噻吩類導(dǎo)電聚合物等，但不限于此。
[0246] 空穴傳輸層是接收來自空穴注入層的空穴并將空穴傳輸至發(fā)光層的層，并且空穴 傳輸材料是這樣的合適的材料，其可接收來自正電極或空穴注入層的空穴并將空穴轉(zhuǎn)移至 發(fā)光層，并且對(duì)空穴具有高迀移率。其具體的實(shí)例包括芳胺類有機(jī)材料、導(dǎo)電聚合物、同時(shí) 存在共輒部分和非共輒部分的嵌段共聚物等，但不限于此。
[0247] 發(fā)光材料是這樣的材料，其可接收分別來自空穴傳輸層和來自電子傳輸層的空穴 和電子并使空穴與電子結(jié)合而在可見光區(qū)內(nèi)發(fā)光，并且優(yōu)選為對(duì)焚光和磷光具有良好量子 效率的材料。其具體實(shí)例包括8-羥基喹啉鋁配合物(Alq 3);咔唑類化合物;二聚苯乙烯基化 合物;BAlq; 10-羥基苯并喹啉金屬化合物;苯并惡唑、苯并噻唑、苯并咪唑類化合物;聚(對(duì) 苯乙炔）（PPV)類聚合物;螺環(huán)化合物;聚芴、紅熒烯等，但不限于此。
[0248] 發(fā)光層可包含基質(zhì)材料和摻雜劑材料。基質(zhì)材料的實(shí)例包括稠合芳香環(huán)衍生物或 含雜環(huán)的化合物等。具體地，稠合芳香環(huán)衍生物包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯 衍生物、菲化合物、熒蒽化合物等，并且含雜環(huán)的化合物的實(shí)例包括咔唑衍生物、二苯并呋 喃衍生物、梯型呋喃化合物、嘧啶衍生物等，但其實(shí)例不限于此。
[0249]摻雜劑材料的實(shí)例包括有機(jī)化合物、金屬或金屬化合物。
[0250] 作為摻雜劑材料的有機(jī)化合物的實(shí)例包括芳香族胺衍生物、苯乙烯胺化合物、硼 配合物、熒蒽化合物等。具體地，芳香族胺衍生物為具有經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基氨基的稠 合芳香環(huán)衍生物并且其實(shí)例包括具有芳基氨基的芘、蒽、遍和二茚并芘等，并且苯乙烯胺化 合物是這樣的化合物，其中經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基胺經(jīng)至少一個(gè)芳基乙烯基取代，并且 選自芳基、甲硅烷基、烷基、環(huán)烷基和芳基氨基中的一個(gè)或兩個(gè)或更多個(gè)取代基是經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的。其具體實(shí)例包括苯乙烯胺、苯乙烯二胺、苯乙烯三胺、苯乙烯四胺等，但不限于 此。此外，作為金屬或金屬化合物，可使用典型的金屬或金屬化合物，并且具體地，可使用金 屬配合物。金屬配合物的實(shí)例包括銥配合物、鉑配合物等，但不限于此。
[0251] 電子傳輸材料是接收來自電子注入層的電子并將電子傳輸至發(fā)光層的材料，并且 電子傳輸材料為可很好地注入來自負(fù)電極的電子并可將電子轉(zhuǎn)移至發(fā)光層的材料，并且電 子傳輸材料是對(duì)電子具有高迀移率的合適的材料。其具體實(shí)例包括8_羥基喹啉的A1配合 物、包含Alq 3的配合物、有機(jī)自由基化合物、羥基黃酮-金屬配合物等，但不限于此。電子傳 輸層可以與如根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所使用的任意期望的陰極材料一起使用。特別地，合適陰極材 料的實(shí)例是具有小功函且其后接著鋁層或銀層的典型材料。其具體實(shí)例包括銫、鋇、鈣、鐿 和釤，在每種情況下之后都接著鋁層或銀層。
[0252] 電子注入層是注入來自電極的電子的層，并且優(yōu)選為這樣的化合物，其具有傳輸 電子的能力、具有從負(fù)電極注入電子的效應(yīng)并且對(duì)發(fā)光層或發(fā)光材料具有優(yōu)異的電子注入 效應(yīng)，防止發(fā)光層中產(chǎn)生的激子移動(dòng)至空穴注入層，并且還具有優(yōu)異的薄膜形成能力。其具 體實(shí)例包括芴酮、蒽醌二甲烷、二苯酚合苯醌、噻喃二氧化物、V惡唑、Pf二唑、三唑、咪唑、 茈四羧酸、亞芴基甲烷、蒽酮及其衍生物、金屬配合物化合物、含氮5元環(huán)衍生物等，但不限 于此。
[0253] 金屬配合物化合物的實(shí)例包括8-羥基喹啉鋰、雙（8-羥基喹啉）鋅、雙（8-羥基喹 啉）銅、雙（8-羥基喹啉)錳、三(8-羥基喹啉）鋁、三（2-甲基-8-羥基喹啉）鋁、三(8-羥基喹 啉)鎵、雙（10-羥基苯并[h ]喹啉)鈹、雙（10-羥基苯并[h ]喹啉)鋅、雙（2-甲基-8-喹啉)氯 鎵、雙(2-甲基-8-喹啉）（鄰甲酚)鎵、雙(2-甲基-8-喹啉）（1-萘酚)鋁、雙（2-甲基-8-喹啉） (2-萘酚)鎵等，但不限于此。
[0254] 空穴阻擋層是阻擋空穴到達(dá)正電極的層，并且一般可在與空穴注入層相同的條件 下形成。其具體實(shí)例包括F惡二唑衍生物或三唑衍生物、菲咯啉衍生物、BCP、鋁配合物等，但 不限于此。
[0255] 電子阻擋層是阻擋電子到達(dá)正電極的層，并且一般可在與電子注入層相同的條件 下形成。電子阻擋層由具有顯著低的傳輸電子的能力同時(shí)具有傳輸空穴的功能的材料構(gòu) 成，并且可通過阻擋電子同時(shí)傳輸空穴來改善電子和空穴復(fù)合的概率。
[0256] 電子調(diào)節(jié)層意指用于根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管中發(fā)光層的能級(jí)來調(diào)節(jié)電子迀移率的 層。用于電子調(diào)節(jié)層的材料可包括含芳香族雜環(huán)的有機(jī)化合物。
[0257] 在本發(fā)明的一個(gè)不例性實(shí)施方案中，可以在陰極與發(fā)光層之間包括電子傳輸層 和/或電子調(diào)節(jié)層。具體地，可在陰極與發(fā)光層之間設(shè)置電子傳輸層，并且可在發(fā)光層與電 子傳輸層之間設(shè)置電子調(diào)節(jié)層。
[0258] 根據(jù)所使用的材料，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管可為頂部發(fā)光型、底部發(fā)光型 或雙發(fā)光型。
[0259] 此外，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管可為其中下部電極是陽極且上部電極是陰極 的常規(guī)型，而且也可為其中下部電極是陰極且上部電極是陽極的倒置型。
[0260] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)可通過與有機(jī)發(fā)光二極管所應(yīng)用的原 理類似的原理進(jìn)行操作，即使在包括有機(jī)太陽能電池、有機(jī)光電導(dǎo)體、有機(jī)晶體管等的有機(jī) 電子二極管中也是如此。
[0261] 本發(fā)明的實(shí)施方式
[0262] 下文中，將通過實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。然而，以下實(shí)施例僅用于例示本發(fā) 明，并且本發(fā)明的范圍不旨在通過實(shí)施例限制。
[0263] 實(shí)驗(yàn)例1.
[0264] 表 1 中描述了通過測(cè)量下式[cp 4]至[。？8]、2-1、2-10、2-11、2-12、2-13、2-14、1_ 1-1、1-1-3、1-1-5、1-1-6、1-1-19、1-1-21、1-1-27、1-1-31 和 1-1-42 的 LUM0 能級(jí)獲得的值。
[0265] 使11'0沉積在玻璃上至厚度為5〇11111或更大，使由式[0?4]至[0?8]、2-1、2-10、2-11、2-12、2-13、2-14、卜1-1、卜1-3、卜卜5、卜卜6、卜卜19、1-1-21、卜1-27、1-1-31和1-1-42 表示的化合物真空沉積至厚度為l〇〇nm，并且通過由Riken Keiki Co.，Ltd制造的AC-3測(cè)量 HOMO能級(jí)。
[0266] 為了 LUM0能級(jí)，測(cè)量以上制備的各樣品的吸收光譜(abs.)和光致發(fā)光光譜，然后 計(jì)算各光譜邊緣能量，將差值作為能帶隙(Eg)，并且以通過由AC-3測(cè)量的Η0Μ0能級(jí)減去能 帶隙的差值獲得的值計(jì)算LUM0能級(jí)。
[0267] [表1]
[0269] 〈實(shí)施例1>
[0270] 將薄薄地涂覆有氧化銦錫(ΙΤ0)至5〇〇 Λ的厚度的玻璃基板放入其中溶解有洗滌 劑的蒸餾水中，并用超聲波清洗。在這種情況下，使用由Fischer Corporation制造的產(chǎn)品 作為洗滌劑，并且將使用由Millipore Corporation制造的過濾器過濾兩次的蒸餾水用作 蒸餾水。在將ΙΤ0清洗30分鐘之后，使用蒸餾水進(jìn)行兩次超聲清洗10分鐘。在使用蒸餾水的 清洗完成之后，使用異丙醇、丙酮和甲醇溶劑進(jìn)行超聲清洗，并進(jìn)行干燥，然后將產(chǎn)物轉(zhuǎn)移 至等離子體清洗機(jī)。此外，使用氧等離子體清洗基板5分鐘，然后將其轉(zhuǎn)移至真空蒸發(fā)器。
[0271] 使下式[cp 1]的六腈六氮雜三亞苯基熱真空沉積在由此制備的透明ΙΤ0電極上至 5nm的厚度，從而形成空穴注入層。
[0272]通過使式2-1沉積在空穴注入層上至5nm的厚度來形成空穴傳輸層。
[0276] 使用摻雜劑化合物[cp 2]以在空穴傳輸層上的式1-1-1的基質(zhì)材料中具有5重 量％的摻雜劑濃度，從而形成膜厚度為40nm的發(fā)光層。
[0277] 使作為用于電子傳輸層的材料的式[cp 3]的化合物(30nm)和氟化鋰(LiF)(lnm) 依次真空沉積在發(fā)光層上，從而形成電子注入層和電子傳輸層。
[0278] 使鋁沉積在電子注入層和電子傳輸層上至lOOnm的厚度，從而形成陰極。
[0279] 在前述步驟中，使有機(jī)材料的沉積速率保持在〇.4蓋/秒至0.7 17#,使負(fù)電極 的氟化鋰和鋁的沉積速率分別保持在0.3 A/淨(jìng)少和2蓋/#、并使沉積期間的真空度保持在 2 X 10-7托至5 X 10-8托，從而制造了有機(jī)發(fā)光二極管。
[0280] 〈實(shí)施例2>
[0281] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-3代替 實(shí)施例1的式1-1-1。
[0282] 〈實(shí)施例3>
[0283] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-5代替 實(shí)施例1的式1-1-1。
[0284] 〈實(shí)施例4>
[0285] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-6代替 實(shí)施例1的式1-1-1，并使用式2-11代替式2-1。
[0286] 〈實(shí)施例5>
[0287] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-6代替 實(shí)施例1的式1-1-1，并使用式2-12代替式2-1。
[0288] 〈實(shí)施例6>
[0289] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-19代 替實(shí)施例1的式1-1-1。
[0290] 〈實(shí)施例7>
[0291] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-21代 替實(shí)施例1的式1-1-1。
[0292] 〈實(shí)施例8>
[0293] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-27代 替實(shí)施例1的式1-1-1。
[0294] 〈實(shí)施例9>
[0295] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-31代 替實(shí)施例1的式1-1-1。
[0296] 〈實(shí)施例 10>
[0297] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式2-10代替 實(shí)施例1的式2-1。
[0298] 〈實(shí)施例 11>
[0299] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-3代替 實(shí)施例1的式1-1-1，并且使用式2-10代替式2-1。
[0300]〈實(shí)施例 12>
[0301]以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-5代替 實(shí)施例1的式1-1-1，并且使用式2-10代替式2-1。
[0302]〈實(shí)施例 13>
[0303]以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-19代 替實(shí)施例1的式1-1-1，并且使用式2-10代替式2-1。
[0304]〈實(shí)施例 14>
[0305] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-21代 替實(shí)施例1的式1-1-1，并且使用式2-10代替式2-1。
[0306] 〈實(shí)施例 15>
[0307] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-27代 替實(shí)施例1的式1-1-1，并且使用式2-10代替式2-1。
[0308] 〈實(shí)施例 16>
[0309] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-31代 替實(shí)施例1的式1-1-1，并且使用式2-10代替式2-1。
[0310] 〈實(shí)施例 17>
[0311] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-42代 替實(shí)施例1的式1-1-1。
[0315]〈比較例1>
[0316]以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 4]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式[cp 8]代替式1-1-1。
[0317]〈比較例2>
[0318]以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 5]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式[cp 8]代替式1-1-1。
[0319]〈比較例3>
[0320] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 6]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式[cp 8]代替式1-1-1。
[0321] 〈比較例4>
[0322] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 7]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式[cp 8]代替式1-1-1。
[0323] 〈比較例5>
[0324] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 4]代 替實(shí)施例1的式2-1。
[0325] 〈比較例6>
[0326] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 5]代 替實(shí)施例1的式2-1。
[0327] 〈比較例7>
[0328] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 6]代 替實(shí)施例1的式2-1。
[0329] 〈比較例8>
[0330] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 7]代 替實(shí)施例1的式2-1。
[0331] 〈比較例9>
[0332] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 4]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-3代替式1-1-1。
[0333]〈比較例 1〇>
[0334] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 5]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-3代替式1-1-1。
[0335] 〈比較例 11>
[0336] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 6]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-3代替式1-1-1。
[0337] 〈比較例 12>
[0338] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 7]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-3代替式1-1-1。
[0339] 〈比較例 13>
[0340] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 4]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-5代替式1-1-1。
[0341] 〈比較例 14>
[0342] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 5]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-5代替式1-1-1。
[0343] 〈比較例 15>
[0344] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 6]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-5代替式1-1-1。
[0345] 〈比較例 16>
[0346] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 7]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-5代替式1-1-1。
[0347] 〈比較例 17>
[0348] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 4]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-19代替式1-1-1。
[0349] 〈比較例 18>
[0350] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 5]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-19代替式1-1-1。
[0351] 〈比較例 19>
[0352] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 6]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-19代替式1-1-1。
[0353] 〈比較例 20>
[0354] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 7]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-19代替式1-1-1。
[0355] 〈比較例21 >
[0356] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 4]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-21代替式1-1-1。
[0357] 〈比較例 22>
[0358] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 5]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-21代替式1-1-1。
[0359] 〈比較例 23>
[0360] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 6]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-21代替式1-1-1。
[0361] 〈比較例 24>
[0362] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 7]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-21代替式1-1-1。
[0363] 〈比較例 25>
[0364] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 4]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-27代替式1-1-1。
[0365] 〈比較例 26>
[0366] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 5]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-27代替式1-1-1。
[0367] 〈比較例 27>
[0368] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 6]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-27代替式1-1-1。
[0369] 〈比較例 28>
[0370] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 7]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-27代替式1-1-1。
[0371] 〈比較例 29>
[0372] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 4]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-31代替式1-1-1。
[0373] 〈比較例 30>
[0374] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 5]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-31代替式1-1-1。
[0375] 〈比較例31 >
[0376] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 6]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-31代替式1-1-1。
[0377] 〈比較例 32>
[0378] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式[cp 7]代 替實(shí)施例1的式2-1，并且使用式1-1-31代替式1-1-1。
[0379] 〈比較例 33>
[0380] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-6代替 實(shí)施例1的式1-1-1，并且使用式2-13代替式2-1。
[0381] 〈比較例 34>
[0382] 以與實(shí)施例1中相同的方式制造有機(jī)發(fā)光二極管，不同之處在于使用式1-1-6代替 實(shí)施例1的式1-1-1，并且使用式2-14代替式2-1。
[0383] 〈實(shí)驗(yàn)實(shí)施例1>
[0384] 當(dāng)向?qū)嵤├?至17和比較例1至34中制造的有機(jī)發(fā)光二極管施加電流（lOmA/cm2) 和電流(20mA/cm 2)時(shí)，獲得下表2的結(jié)果。
[0385] [表 2]
[0389] 從表2的結(jié)果可以證實(shí)，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的有機(jī)發(fā)光二極管在效率、 驅(qū)動(dòng)電壓和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出優(yōu)異的特性。具體地，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方案的有機(jī) 發(fā)光二極管可通過降低驅(qū)動(dòng)電壓并引起效率增加來改善功率消耗。
[0390] 具體地，可以證實(shí)，相比于如比較例5至32中的情況(空穴傳輸層中包含由式1表示 的咔唑衍生物，但不包含由式2表示的螺環(huán)化合物），如實(shí)施例1至17中的情況(發(fā)光層中包 含由式1表示的咔唑衍生物，空穴傳輸層中包含由式2表示的螺環(huán)化合物，并且同時(shí)，空穴傳 輸層中包含與用于發(fā)光層的基質(zhì)材料的LUM0能級(jí)相差0.5eV或更大的空穴傳輸材料)在效 率、驅(qū)動(dòng)電壓和穩(wěn)定性方面是優(yōu)異的。
[0391] 更具體地，可以證實(shí)，相比于如比較例3和4中的情況(空穴傳輸材料與發(fā)光層的基 質(zhì)材料的LUM0能級(jí)之間相差0.5eV或更大，但不包含由式1表示的咔唑衍生物），如實(shí)施例1 至17中的情況(發(fā)光層中包含由式1表示的咔唑衍生物，空穴傳輸層中包含由式2表示的螺 環(huán)化合物，并且同時(shí)，空穴傳輸層中包含與用于發(fā)光層的基質(zhì)材料的LUM0能級(jí)相差0.5eV或 更大的空穴傳輸材料)在效率、驅(qū)動(dòng)電壓和穩(wěn)定性方面是優(yōu)異的。
[0392]此外，在比較例33和34的情況下，可以證實(shí)，與LUM0能級(jí)相差0.5eV或更大的情況 相比，這樣的情況(發(fā)光層中包含根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案的由式1表示的咔唑衍生物， 空穴傳輸層中包含根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施方案的由式2表示的螺環(huán)化合物，但是不滿足 LUM0能級(jí)差值)在效率、驅(qū)動(dòng)電壓和穩(wěn)定性方面是不利的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種有機(jī)發(fā)光二極管，包括： 陰極； 陽極； 設(shè)置在所述陰極與所述陽極之間的發(fā)光層；W及 設(shè)置在所述陽極與所述發(fā)光層之間的空穴傳輸層， 其中所述發(fā)光層包含由下式1表示的巧挫衍生物， 所述空穴傳輸層包含由下式2表示的螺環(huán)化合物，并且 包含在所述發(fā)光層中的由式1表示的所述巧挫衍生物的LUMO能級(jí)與包含在所述空穴傳 輸層中的由式2表示的所述螺環(huán)化合物的LUMO能級(jí)之間相差0.5eV或更大， 試1] 化玉心丄·^，L為直接鍵、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基， X為未經(jīng)取代或者經(jīng)選自雜環(huán)基和芳基的一個(gè)或兩個(gè)或更多個(gè)取代基取代的雜環(huán)基， R3和R4彼此結(jié)合形成經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳香環(huán)， 所形成的芳香環(huán)的取代基、R1、R2和R5至R8彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氨、気、 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜環(huán)基， 所形成的芳香環(huán)的取代基、R1、R2和R5至R8中的至少一者為-L1-A， L1為直接鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二價(jià)雜環(huán)基， A為包含經(jīng)取代或未經(jīng)取代的N原子和S原子中的一者或更多者的雜環(huán)基， 試2]在式2中， XI為C或Si， Y1和Y2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為直接鍵、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的亞芳基、或者 經(jīng)取代或未經(jīng)取代的二價(jià)雜環(huán)基， A1和A2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氨、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧挫基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的苯并巧挫基、或者-NZ1Z2， A1和A2中的至少一者為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧挫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的苯并巧挫 基、或者-NZ1Z2， Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氨、気、面素基團(tuán)、臘基、硝基、酷亞胺基、酷 胺基、徑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 芳基硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基橫酷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基橫酷基、經(jīng)取代或未 經(jīng)取代的締基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的甲娃烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的棚基、經(jīng)取代或未經(jīng)取 代的烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基胺基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的雜芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜環(huán)基， R10至R20彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氨、気、面素基團(tuán)、臘基、硝基、酷亞胺基、 酷胺基、醋基、徑基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的環(huán)烷基、經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基硫基、經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的芳基硫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷基橫酷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基橫酷基、經(jīng)取 代或未經(jīng)取代的締基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的甲娃烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的棚基、經(jīng)取代或 未經(jīng)取代的烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳烷基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基胺基、經(jīng) 取代或未經(jīng)取代的雜芳基胺基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基、或者經(jīng)取代或未取代的雜環(huán)基； 或者，R10和R20能夠通過直接鍵或者選自0、S、NR、PR、C = 0、CRR'和SiRR'的基團(tuán)形成環(huán)，W 及 R和R'彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氨、臘基、硝基、酷胺基、醋基、經(jīng)取代或未經(jīng) 取代的烷基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的烷氧基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的締基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 芳基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基胺基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的雜環(huán)基;或者，R和R'能夠彼 此結(jié)合形成螺環(huán)化合物。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光層包含:包含由式1表示的巧 挫衍生物的基質(zhì);和滲雜劑。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光層包含:包含由下式1-1表示 的巧挫衍生物的基質(zhì);和滲雜劑： 試1-。在式1-1中， L、X、R1、R2和R5至R8與式1中所限定的那些相同， Q1至Q4彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為氨、気、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基、或者經(jīng) 取代或未經(jīng)取代的雜環(huán)基， 尺1、32、1?5至1?8和91至94中的至少一者為-1^-4，并且 L1和A與式1中所限定的那些相同。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中L為直接鍵、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 亞苯基，并且 A為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的巧挫基、經(jīng)取代或未經(jīng)取代的嚷吩基、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代 的二苯并嚷吩基。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中L為直接鍵、或者經(jīng)取代或未經(jīng)取代的 亞苯基，并且 X為未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的Ξ嗦基、未經(jīng)取代或經(jīng)芳基取代的喀晚基、或者未經(jīng)取代 或經(jīng)芳基取代的哇挫嘟基。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中由式1表示的所述巧挫衍生物為下式1- 1-1至1-1-50中的任一者：7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中包含由式1表示的所述巧挫衍生物的所 述發(fā)光層設(shè)置成與包含由式2表示的所述螺環(huán)化合物的所述空穴傳輸層相接觸。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射紅色憐光。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中A1和A2中的至少一者為未經(jīng)取代或經(jīng) 芳基取代的巧挫基、或者-NZ1Z2,并且 Z1和Z2彼此相同或不同，并且各自獨(dú)立地為經(jīng)取代或未經(jīng)取代的芳基。10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中由式2表示的化合物為下式2-1至2-14 中的任一者：11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管還包括選自W下 的一者或兩者或更多者：空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層、電子調(diào)節(jié)層、 電子阻擋層和空穴阻擋層。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK105980520SQ201580008261
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2015年7月14日
【發(fā)明人】千民承, 全相映, 崔愍偶, 權(quán)赫俊, 金亨哲, 金旼俊
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社Lg化學(xué)