用于有機(jī)電致發(fā)光器件的材料的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及適合用于電子器件中的化合物，以及含有所述化合物的電子器件、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件。
【專利說明】用于有機(jī)電致發(fā)光器件的材料
[0001] 本發(fā)明涉及用于電子器件中、特別是用于有機(jī)電致發(fā)光器件中的材料，還涉及包 含這些材料的電子器件、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0002] 在有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)中，使用的發(fā)光材料通常是表現(xiàn)出磷光而不是熒光的 有機(jī)金屬絡(luò)合物，因為這能夠?qū)崿F(xiàn)比使用熒光發(fā)光體時可能實現(xiàn)的明顯更高的能量和功率 效率。磷光0LED的性能不僅僅由所使用的三重態(tài)發(fā)光體決定。在此同樣特別重要的尤其是 所使用的其它材料，例如基質(zhì)材料、空穴阻擋材料、電子傳輸材料、空穴傳輸材料和電子或 激子阻擋材料。因此，對這些材料的改進(jìn)也導(dǎo)致0LED性能的明顯提高。然而，一般來講，在 0LED中、特別還在表現(xiàn)出三重態(tài)發(fā)光(磷光）的0LED中，仍需要例如在效率、工作電壓和壽命 方面的改進(jìn)。
[0003] 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，例如根據(jù)WO 2010/136109、W0 2011/000455或KR 20120081539的 茚并咔唑衍生物或者例如根據(jù)W0 2012/074210的芴或螺二芴衍生物屬于用于有機(jī)電致發(fā) 光器件中的磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料。在此，尤其是在材料的效率、壽命和熱穩(wěn)定性方面需要 進(jìn)一步的改進(jìn)。
[0004] 本發(fā)明的一個目的是提供適合用于0LED，特別是作為磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料，以 及作為空穴傳輸和/或電子阻擋材料，或者如果適合的話則作為空穴阻擋和/或電子傳輸材 料的化合物。本發(fā)明的另一個目的是提供另外的用于有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)半導(dǎo)體，以 便由此使得本領(lǐng)域技術(shù)人員對于0LED的生產(chǎn)具有更多可行的材料選擇。
[0005] 令人驚訝地，已發(fā)現(xiàn)下文描述的特定化合物實現(xiàn)了這一目的，并且良好地適用于 0LED中并導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件的改進(jìn)。這些改進(jìn)特別涉及壽命和/或工作電壓。因此，本 發(fā)明提供了這些化合物和包含這種化合物的電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006] 本發(fā)明提供了式（1)、式(2)或式(3)的化合物：
[0008] 其中所使用的符號和標(biāo)記如下：
[0009] X在每種情況下相同或不同，并且是CR1或N;或者兩個相鄰的X是下列式(4)、（5)或 (6)的基團(tuán)：
[0011] 其中?'指示式⑴或⑵或⑶中相應(yīng)的相鄰X基團(tuán)，即所述式(4)、（5)或(6)的基團(tuán) 在這些位置處稠合到式（1)、（ 2)或(3)的化合物；
[0012] V在每種情況下相同或不同，并且是
[0013] Z在每種情況下相同或不同，并且是CR1或N;
[0014] Ar在每種情況下相同或不同，并且是具有6至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多 個R2基團(tuán)取代的芳族環(huán)系，或者是具有5至40個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子雜芳基基團(tuán)并 且可被一個或多個R2基團(tuán)取代的雜芳族環(huán)系；
[0015] R、#在每種情況下相同或不同，并且選自mF^LBr^CNJOhNUriLNU3)〗， 以=0)厶4，(：（=0)1?3，？（=0)以4)2，？以4)2,8(厶4) 2,31(厶4)3,31(1?3)3，具有1至20個碳原 子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)或具有3至20個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基 或硫代烷基基團(tuán)或具有2至20個碳原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個R 3 基團(tuán)取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被R3C = CR3、Si(R3)2、C = 0、C = S、C = NR3、P (=0)(妒）、50、302、順3、0、5或0)冊3代替，并且其中一個或多個氫原子可被0、？、(：1、8匕1、〇~ 或N02代替，具有5至40個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個R3基團(tuán)取代的芳族 或雜芳族環(huán)系，具有5至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個R 3基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳 氧基基團(tuán)，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個R3基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷 基基團(tuán)；同時，任選地，鍵合至同一碳原子的兩個R 1取代基可以形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳 族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個R3基團(tuán)取代；
[0016] R2在每種情況下相同或不同，并且選自 (=0從八以=0)1?3，？（=0)(厶4)2，？(厶4)2,8(厶4) 2,31(厶4)3,31(1?3)3，具有1至20個碳原子 的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)或具有3至20個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或 硫代烷基基團(tuán)或具有2至20個碳原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個R 3基 團(tuán)取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被R3C = CR3、Si(R3)2、C = 0、C=S、C = NR3、P( = 0)(護(hù)）、30、302、冊3、0、5或0)置3代替，并且其中一個或多個氫原子可被0、？、(：1、8^1、0~或 N0 2代替，具有5至40個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子雜芳基基團(tuán)并且在每種情況下可被一 個或多個R3基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，具有5至40個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子雜芳 基基團(tuán)并且可被一個或多個R 3基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，或具有5至40個芳族環(huán) 原子、不含任何缺電子雜芳基基團(tuán)并且可被一個或多個R 3基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基 團(tuán)；同時，兩個或更多個相鄰的R3取代基可一起形成單環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系；
[0017] Ar1在每種情況下相同或不同，并且是具有5-30個芳族環(huán)原子并且可被一個或多 個非芳族R 3基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時，鍵合至同一氮原子、磷原子或硼原子的兩 個Ar1基團(tuán)也可以通過單鍵或選自N(R 3)、C(R3)2、0和S的橋連基彼此橋連；
[0018] R3在每種情況下相同或不同，并且選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1至20個碳原子的脂族烴基 基團(tuán)和具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，在所述基團(tuán)或環(huán)系中一個或多個氫 原子可被〇;、(：1、8^1或0_戈替，其中兩個或更多個相鄰的1? 3取代基可一起形成單環(huán)或多 環(huán)的脂族環(huán)系；
[0019] p在每種情況下相同或不同，并且是0、1、2、3或4;
[0020] q是〇、1 或2;
[0021] 其中從本發(fā)明排除下述兩種化合物：
[0023]在本發(fā)明上下文中的芳基基團(tuán)含有6至60個碳原子;在本發(fā)明上下文中的雜芳基 基團(tuán)含有2至60個碳原子和至少一個雜原子，條件是碳原子和雜原子的總數(shù)至少為5。所述 雜原子優(yōu)選地選自N、0和/或S。芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)在此被理解為是指簡單的芳族環(huán)即 苯，或簡單的雜芳族環(huán)例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合的（縮合的）芳基或雜芳基基團(tuán)例如 萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉等。相反，通過單鍵彼此連接的芳族體系例如聯(lián)苯，不被稱為芳基或 雜芳基基團(tuán)而是被稱為芳族環(huán)系。
[0024]在本發(fā)明上下文中的缺電子雜芳基基團(tuán)是具有5個芳族環(huán)原子和至少兩個雜原子 的雜芳基基團(tuán)或具有6個芳族環(huán)原子和至少一個雜原子的雜芳基基團(tuán)，以及含有具有至少 兩個雜原子的5元環(huán)和/或具有至少一個雜原子的6元環(huán)的稠合雜芳基基團(tuán)。稠合雜芳基基 團(tuán)是其中至少一個雜芳基基團(tuán)與至少一個另外的芳基或雜芳基基團(tuán)通過共同的邊彼此直 接稠合的雜芳基基團(tuán)。例如，咪唑J惡唑、苯并咪唑、吡啶、嘧啶、三嗪、喹啉、喹喔啉、菲咯啉 等被視為缺電子雜芳基基團(tuán)，而例如吡咯、呋喃、噻吩、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、咔唑、二 苯并呋喃和二苯并噻吩不被視為本發(fā)明上下文中的缺電子雜芳基基團(tuán)，因為這些既不含具 有兩個或更多個雜原子的雜芳族5元環(huán)，又不含具有至少一個雜原子的雜芳族6元環(huán)。
[0025]在本發(fā)明上下文中的芳族環(huán)系在所述環(huán)系中含有6至60個碳原子。在本發(fā)明上下 文中的雜芳族環(huán)系在所述環(huán)系中含有2至60個碳原子和至少一個雜原子，條件是碳原子和 雜原子的總數(shù)至少為5。所述雜原子優(yōu)選地選自N、0和/或S。在本發(fā)明上下文中的芳族或雜 芳族環(huán)系應(yīng)被理解為是指如下的體系，其不必只含有芳基或雜芳基基團(tuán)，而是其中兩個或 更多個芳基或雜芳基基團(tuán)可以被非芳族單元例如碳、氮或氧原子連接。例如，諸如芴、9,9'_ 螺二芴、9,9_二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、芪等的體系也應(yīng)被視為本發(fā)明上下文中的芳 族環(huán)系，其中兩個或更多個芳基基團(tuán)例如被短的烷基基團(tuán)連接的體系也是如此。
[0026]在本發(fā)明上下文中，可含有1至40個碳原子并且其中單獨的氫原子或CH2基團(tuán)也可 被上面提到的基團(tuán)代替的脂族烴基基團(tuán)或烷基基團(tuán)或烯基或炔基基團(tuán)優(yōu)選地被理解為是 指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊 基、新戊基、環(huán)戊基、正己基、新己基、環(huán)己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2-乙基己基、 三氟甲基、五氟乙基、2,2,2_三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環(huán)戊烯基、己烯基、 環(huán)己烯基、庚烯基、環(huán)庚烯基、辛烯基、環(huán)辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、 庚炔基或辛炔基基團(tuán)。具有1至40個碳原子的烷氧基基團(tuán)優(yōu)選被理解為是指甲氧基、三氟甲 氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲 戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環(huán)己氧基、正庚氧基、環(huán)庚氧基、正辛氧基、環(huán)辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基和2,2,2_三氟乙氧基。具有1至40個碳原子的硫代烷基基團(tuán)被理解 為特別是指甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫 基、正戊硫基、仲戊硫基、2-甲基丁硫基、正己硫基、環(huán)己硫基、正庚硫基、環(huán)庚硫基、正辛硫 基、環(huán)辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2_三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯 硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環(huán)戊烯硫基、己烯硫基、環(huán)己烯硫基、庚烯硫基、環(huán)庚烯硫基、辛 稀硫基、環(huán)辛稀硫基、乙塊硫基、丙塊硫基、丁塊硫基、戊塊硫基、己塊硫基、庚塊硫基或辛塊 硫基。一般來說，根據(jù)本發(fā)明的烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)可以是直鏈、支鏈或環(huán)狀的，其 中一個或多個非相鄰的CH 2基團(tuán)可被上面提到的基團(tuán)代替;此外，一個或多個氫原子也可被 D、F、Cl、Br、I、CN或N02，優(yōu)選被F、C1或CN，更優(yōu)選被F或CN，特別優(yōu)選被CN代替。
[0027]具有5-60個芳族環(huán)原子并且在每種情況下也可被上面提到的R2基團(tuán)或烴基基團(tuán) 取代并且可經(jīng)任何期望的位置連接到所述芳族或雜芳族體系的芳族或雜芳族環(huán)系尤其被 理解為是指衍生自下述物質(zhì)的基團(tuán)：苯，萘，蒽，苯并蒽，菲，芘，題，花，熒蒽，并四苯，并五 苯，苯并芘，聯(lián)苯，偶苯，三聯(lián)苯，苯并菲，芴，螺二芴，二氫菲，二氫芘，四氫芘，順式或反式茚 并芴，順式或反式茚并咔唑，順式或反式吲哚并咔唑，三聚茚，異三聚茚，螺三聚茚，螺異三 聚茚，呋喃，苯并呋喃，異苯并呋喃，二苯并呋喃，噻吩，苯并噻吩，異苯并噻吩，二苯并噻吩， 吡咯，吲哚，異吲哚，咔唑，吡啶，喹啉，異喹啉，吖啶，菲啶，苯并-5，6-喹啉，苯并-6，7-喹啉， 苯并-7，8-喹啉，吩噻嗪，吩醺嗪，吡唑，吲唑，咪唑，苯并咪唑，萘并咪唑，菲并咪唑，吡啶并 咪唑，吡嗪并咪唑，喹喔啉并咪唑，_唑，苯并f惡唑，萘并_唑，蒽并曝唑，菲并5惡唑，異I惡 唑，1，2-噻唑，1，3-噻唑，苯并噻唑，噠嗪，六氮雜苯并菲，苯并噠嗪，嘧啶，苯并嘧啶，喹喔 啉，1，5_二氮雜蒽，2，7_二氮雜芘，2，3_二氮雜芘，1，6_二氮雜芘，1，8_二氮雜芘，4,5-二氮 雜芘，4，5，9，10-四氮雜茈，吡嗪，吩嗪，吩睡嗪，吩噻嗪，熒紅環(huán)，萘啶，氮雜咔唑，苯并咔啉， 菲咯啉，1，2，3-三唑，1，2，4-三唑，苯并三唑，1，2，3-曝二唑，1，2，4-囌二唑，1，2，5-||二唑， 1，3,4_ 曝二唑，1，2,3_ 噻二唑，1，2,4_ 噻二唑，1，2,5_ 噻二唑，1，3,4_ 噻二唑，1，3,5_ 三嗪， 1，2,4_三嗪，1，2,3_三嗪，四唑，1，2,4,5_四嗪，1，2,3,4_四嗪，1，2,3,5_四嗪，嘌呤，蝶啶， 吲嗪和苯并噻二唑，或者衍生自這些體系的組合的基團(tuán)。
[0028] 在本申請上下文中的相鄰的基團(tuán)或相鄰的取代基被理解為是指鍵合到彼此又直 接鍵合的碳原子的取代基。
[0029] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，X在每種情況下相同或不同并且是CR1或N，其中 每個環(huán)不超過一個X基團(tuán)是N;或者兩個相鄰的X基團(tuán)是式(4)的基團(tuán)，其中Z在每種情況下相 同或不同并且是CRSV在每種情況下相同或不同并且是NR^CXR 1)^?；騍。更優(yōu)選地，X在每 種情況下相同或不同并且是CR1。當(dāng)相鄰的X基團(tuán)是式(4)的基團(tuán)時，優(yōu)選地該環(huán)中其余的X 基團(tuán)是CR 1。
[0030] 式（1)化合物的優(yōu)選實施方式是下列式(7)至（13)的化合物，式(2)化合物的優(yōu)選 實施方式是下列式（14)的化合物，并且式(3)化合物的優(yōu)選實施方式是下列式（15)的化合 物：
[0033]其中所使用的符號和標(biāo)記具有上面給出的定義。在這些式中，V優(yōu)選為NR^CXR1)^ 0或S。當(dāng)V = C( R1) 2時，可優(yōu)選兩個R1基團(tuán)一起形成環(huán)并因此形成螺環(huán)體系。
[0034]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，p在每種情況下相同或不同并且是0、1或2,更優(yōu) 選為〇或1，最優(yōu)選為0。
[0035] 此外，q在每種情況下相同或不同并且是0或1，更優(yōu)選為0。
[0036] 式(7)至（15)的結(jié)構(gòu)的特別優(yōu)選的實施方式是式(7a)至（15a)的結(jié)構(gòu)：
[0039] 其中所使用的符號和標(biāo)記具上面給出的定義。
[0040] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，R在每種情況下相同或不同并且選自H，F(xiàn)，CN，N (APh，具有1至10個碳原子的直鏈烷基基團(tuán)和具有3至10個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基 團(tuán)以及具有6至30個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個非芳族R 3基團(tuán)取代的芳族環(huán)系。在本 發(fā)明的一種特別優(yōu)選的實施方式中，R在每種情況下相同或不同并且選自H，具有1至4個碳 原子的直鏈烷基基團(tuán)或具有3至8個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，最優(yōu)選為H。
[00411因此，非常特別優(yōu)選下式(7b)至（15b)的化合物：
[0043] 其中所使用的符號具有上面給出的定義。
[0044] 下面描述式（1)、（2)和(3)的化合物以及上文詳細(xì)描述的優(yōu)選實施方式中的優(yōu)選 的取代基Ar和R1。
[0045]優(yōu)選地，式(1)和(3)或優(yōu)選實施方式的化合物在Ar、!?1和R2取代基中含有總共至少 12個芳族環(huán)原子，并且式(2)或優(yōu)選實施方式的化合物在Ar、!?1和R2取代基中含有總共至少 24個芳族環(huán)原子。這可以以不同的方式實現(xiàn)。首先，Ar或者Ar與鍵合到Ar的R 2取代基一起可 以是具有至少12個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系。在這種情況下，所有的R1基團(tuán)也可以 是H或者不是芳族或雜芳族環(huán)系。此外，至少一個R 1基團(tuán)可以是具有至少6個芳族環(huán)原子的 芳族或雜芳族環(huán)系或NUPh基團(tuán)。在這種情況下，Ar基團(tuán)也可以例如優(yōu)選是苯基基團(tuán)，因為 盡管如此，本發(fā)明的化合物中的Ar、!? 1和R2取代基仍然含有總共12或更多個芳族環(huán)原子。 [0046]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，Ar在每種情況下相同或不同并且是具有12至30 個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系中的每個可被一個或多個R 2基團(tuán)取代。在這 種情況下，如上所限定的，所述雜芳族環(huán)系不含任何缺電子雜芳基基團(tuán)。特別優(yōu)選的芳族或 雜芳族環(huán)系含有12至24個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個R 2基團(tuán)取代。同時，所述芳族或 雜芳族環(huán)系除了任何苯并菲基團(tuán)之外，優(yōu)選不含其中超過兩個芳族6元環(huán)彼此直接稠合的 任何稠合芳基或雜芳基基團(tuán)。更優(yōu)選地，它們完全不含其中芳族6元環(huán)彼此直接稠合的任何 芳基或雜芳基基團(tuán)。這種優(yōu)選方式在本發(fā)明的化合物被用作磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料或用于 直接鄰接磷光發(fā)光層的層中時特別適用，并且可以由非稠合取代基的較高三重態(tài)能量來解 釋。因此，特別優(yōu)選Ar不具有例如任何萘基基團(tuán)或更高級的稠合芳基基團(tuán)，并且同樣地不具 有任何喹啉基團(tuán)、吖啶基團(tuán)等。相反，Ar可以包括例如咔唑基團(tuán)、二苯并呋喃基團(tuán)、芴基團(tuán) 等，因為在這些結(jié)構(gòu)中不存在彼此直接稠合、即具有共同邊的6員芳族或雜芳族環(huán)。
[0047]優(yōu)選的Ar基團(tuán)在每種情況下相同或不同，并且選自苯基，鄰聯(lián)苯、間聯(lián)苯或?qū)β?lián) 苯，鄰三聯(lián)苯、間三聯(lián)苯、對三聯(lián)苯或支鏈的三聯(lián)苯，鄰四聯(lián)苯、間四聯(lián)苯、對四聯(lián)苯或支鏈 的四聯(lián)苯，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺 二芴基、1-萘基或2-萘基，吡咯，呋喃，噻吩，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，1-咔唑、2-咔唑或3-咔唑，1-二苯并呋喃、2-二苯并呋喃或3-二苯并呋喃，1-二苯并噻吩、2-二苯并噻吩或3-二 苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑或這些基團(tuán)中的兩種或三種的組合，所述基團(tuán)中的每個可 被一個或多個R 2基團(tuán)取代。另外的適合的Ar基團(tuán)是蒽、菲、苯并菲、芘或苯并蒽，所述基團(tuán)中 的每個可被一個或多個R2基團(tuán)取代，或者這些基團(tuán)中的兩種或三種彼此和/或與上面提到 的基團(tuán)的組合。特別是當(dāng)本發(fā)明化合物的三重態(tài)能量不重要時，這些基團(tuán)是適合的。
[0048]優(yōu)選的芳族和雜芳族環(huán)系A(chǔ)r是下列式Ar-1至Ar-57的基團(tuán)：
[0054] 其中R2具有上面給出的定義，虛線鍵表示與式（1)或(2)或(3)的基團(tuán)連接的鍵，并 且此外：
[0055] Ar2在每種情況下相同或不同，并且是具有6至18個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子 雜芳基基團(tuán)并且在每種情況下可被一個或多個R 2基團(tuán)取代的二價芳族或雜芳族環(huán)系；
[0056] Y在每種情況下相同或不同，并且是C(R2)2、NR 2、0或S;
[0057] n是0或1，其中n = 0是指在該位置處沒有鍵合Y基團(tuán)，而是其R2基團(tuán)鍵合到相應(yīng)的 碳原子。
[0058]當(dāng)Ar的上述基團(tuán)具有兩個或更多個Y基團(tuán)時，這些的可能選項包括來自Y的定義的 所有組合。優(yōu)選的是其中一個Y基團(tuán)是NR2并且另一個Y基團(tuán)是C(R2)2或其中兩個Y基團(tuán)都是 NR 2或其中兩個Y基團(tuán)都是0的基團(tuán)。
[0059]在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方式中，至少一個Y基團(tuán)是C(R2)2或NR2。
[0060]當(dāng)Y是NR2時，鍵合到氮原子的取代基R2優(yōu)選為具有5至24個芳族環(huán)原子并且還可被 一個或多個R3基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。在一種特別優(yōu)選的實施方式中，該取代基R2在 每種情況下相同或不同，并且是具有6至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系不 具有任何稠合芳基基團(tuán)并且所述環(huán)系不具有其中兩個或更多個芳族或雜芳族6元環(huán)基團(tuán)彼 此直接稠合的任何稠合雜芳基基團(tuán)，并且所述環(huán)系在每種情況下還可被一個或多個R 3基團(tuán) 取代。特別優(yōu)選具有上文關(guān)于Ar-1至Ar-11所列出的連接方式的苯基、聯(lián)苯、三聯(lián)苯和四聯(lián) 苯，這些結(jié)構(gòu)優(yōu)選是未取代的。
[0061]當(dāng)Y是C(R2)2時，R2優(yōu)選在每種情況下相同或不同，并且是具有1至10個碳原子的直 鏈烷基基團(tuán)或具有3至10個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)或具有5至24個芳族環(huán)原子的 芳族或雜芳族環(huán)系，所述基團(tuán)或環(huán)系也可被一個或多個R 3基團(tuán)取代。最優(yōu)選地，R2是甲基基 團(tuán)或苯基基團(tuán)。在這種情況下，R2基團(tuán)也可以一起形成環(huán)系，這產(chǎn)生螺環(huán)體系。
[0062]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，Ar2是鄰、間或?qū)啽交蚵?lián)苯基團(tuán)，所述基團(tuán) 中的每個可被一個或多個R2基團(tuán)取代，但優(yōu)選是未取代的。
[0063]另外優(yōu)選地，Ar-1至Ar-57基團(tuán)不與式（1)或式（2)或式（3)中的氮原子直接鍵合， 而是通過橋連基團(tuán)鍵合。優(yōu)選的橋連基團(tuán)是鄰、間或?qū)啽交蚵?lián)苯基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每 個可被一個或多個R2基團(tuán)取代，但優(yōu)選是未取代的。
[0064]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，R2選自H，D，和具有1至10個碳原子、優(yōu)選1至4個 碳原子的烷基基團(tuán)。更優(yōu)選地，R2是H。
[0065]在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方式中，Ar是可被一個或多個R1基團(tuán)取代的三芳基胺 基團(tuán)。后者優(yōu)選地選自下式Ar-58的結(jié)構(gòu)：
[0067]其中虛線鍵指示與氮原子連接的鍵，Ar2具有上面給出的定義，Ar3在每種情況下相 同或不同并且是優(yōu)選具有6至18個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子雜芳基基團(tuán)并且在每種情 況下可被一個或多個R2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。
[0068]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，R1在每種情況下相同或不同并且選自選自H，D， NUr1)^具有1至10個碳原子的直鏈烷基基團(tuán)或具有3至10個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基 團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個R 3基團(tuán)取代，其中一個或多個氫原子可被D或F代替， 或具有5至30個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個R 3基團(tuán)取代的芳族或雜芳族 環(huán)系。更優(yōu)選地，R1在每種情況下相同或不同并選自H^Ar%，具有1至4個碳原子的直鏈烷 基基團(tuán)或具有3或4個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個 R 3基團(tuán)取代，或具有5至18個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個R3基團(tuán)取代的芳 族或雜芳族環(huán)系。
[0069] 在此優(yōu)選地，Ar和R2基團(tuán)一起具有少于12個芳族環(huán)原子，至少一個R1基團(tuán)、優(yōu)選正 好一個Ri基團(tuán)是N(Ari)2基團(tuán)或芳族或雜芳族環(huán)系。
[0070]同時，在式（1)或優(yōu)選實施方式(7)至（13)、（7a)至（13a)和（7b)至（13b)的化合物 中，優(yōu)選地在每種情況下R1基團(tuán)中不超過一個不是H，并且其它R1基團(tuán)各自為H。此外，在式 (2)或(3)或優(yōu)選實施方式（14)、（15)、（14 &)、（1413)、（15&)和（1513)中的化合物，優(yōu)選地與同 一個環(huán)鍵合的R 1基團(tuán)中不超過一個不是H，并且與同一個環(huán)鍵合的其它R1基團(tuán)各自為H。還優(yōu) 選所有的R 1基團(tuán)都是H。
[0071 ]在所述式（1)或優(yōu)選實施方式的一種優(yōu)選實施方式中，R1取代基中的正好一個是N (Ar1》基團(tuán)或具有5至24個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個R2基團(tuán)取代的芳 族或雜芳族環(huán)系，并且其它R 1取代基各自為H。在所述式(2)和(3)或優(yōu)選實施方式的一種優(yōu) 選實施方式中，與同一個環(huán)鍵合的R1取代基中的正好一個是NUr 1)〗基團(tuán)或具有5至24個芳 族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個R2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，并且其它的 R1取代基各自為H。
[0072] 當(dāng)所有R1基團(tuán)都是H或D或烷基時，優(yōu)選地，Ar基團(tuán)是具有至少12個芳族環(huán)原子的 芳族或雜芳族環(huán)系。
[0073] 當(dāng)R1是芳族或雜芳族環(huán)系時，該R1基團(tuán)優(yōu)選選自妒-1至妒-42基團(tuán)：
[0078] 其中R3具有上面給出的定義，虛線鍵表示與式（1)或(2)或(3)的基團(tuán)連接的鍵，此 外：
[0079] A在每種情況下相同或不同并且是CR3或N，其中每個環(huán)不超過3個X符號是N;
[0080] Y在每種情況下相同或不同，并且是C(R3)2、NR 3、0或S;
[0081] n是0或1，其中n = 0是指在該位置處沒有鍵合Y基團(tuán)，而是其R3基團(tuán)鍵合到相應(yīng)的 碳原子。
[0082] 上面提到的并且也在下文中使用的表述"每個環(huán)"在本申請上下文中是指所述化 合物中存在的每個單獨的環(huán)，即每個單獨的5元或6元環(huán)。
[0083]在上面提到的式妒-1至妒-42的優(yōu)選基團(tuán)中，每個環(huán)不超過一個A符號是N。更優(yōu)選 地，A符號在每種情況下相同或不同并且是CR3,特別是CH。
[0084] 當(dāng)式妒-1至妒-42的基團(tuán)具有兩個或更多個Y基團(tuán)時，這些的可行選項包括來自Y的 定義的所有組合。優(yōu)選的是其中一個Y基團(tuán)是NR 3并且另一個Y基團(tuán)是C(R3)2或其中兩個Y基 團(tuán)都是NR3或其中兩個Y基團(tuán)都是0的基團(tuán)。
[0085] 當(dāng)式M-1至妒-42中的Y是NR3時，鍵合到氮原子的R3取代基優(yōu)選為具有5至24個芳 族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系。在一種特別優(yōu)選的實施方式中，該取代基R 3在每種情況下 相同或不同，并且是具有6至24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系不具有任何稠 合芳基基團(tuán)并且所述環(huán)系不具有任何其中兩個或更多個芳族或雜芳族6元環(huán)基團(tuán)彼此直接 稠合的稠合雜芳基基團(tuán)。特別優(yōu)選的是具有如上文關(guān)于Ar-1至Ar-11列出的連鍵方式的苯 基、聯(lián)苯、三聯(lián)苯和四聯(lián)苯，這些結(jié)構(gòu)優(yōu)選是未取代的。
[0086] 當(dāng)式妒-1至妒-42中的Y是C(R3)2時，R3優(yōu)選在每種情況下相同或不同，并且是具有1 至10個碳原子的直鏈烷基基團(tuán)或具有3至10個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)或具有5至 24個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系。最優(yōu)選地，R 3是甲基基團(tuán)或苯基基團(tuán)。在這種情況 下，R3基團(tuán)也可以一起形成環(huán)系，這產(chǎn)生螺環(huán)體系。
[0087] 可以另外優(yōu)選地，Rll至妒-42基團(tuán)不與式（1)或式（2)或式(3)中的氮原子直接鍵 合，而是通過橋連基團(tuán)鍵合。優(yōu)選的橋連基團(tuán)是鄰、間或?qū)啽交蚵?lián)苯基團(tuán)，所述基團(tuán)中 的每個可被一個或多個R 3基團(tuán)取代，但優(yōu)選是未取代的。
[0088]在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施方式中，R1是可被一個或多個R1基團(tuán)取代的三芳基胺 基團(tuán)。后者優(yōu)選選自下式妒-43的結(jié)構(gòu)：
[0090]其中虛線鍵指示與基本骨架中的碳原子連接的鍵，Ar2和Ar3是具有5至14個芳族環(huán) 原子并且在每種情況下可被一個或多個R3基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。
[0091] 同時，在通過真空蒸發(fā)處理的化合物中，所述烷基基團(tuán)優(yōu)選具有不超過5個碳原 子，更優(yōu)選不超過4個碳原子，最優(yōu)選不超過1個碳原子。對于從溶液中處理的化合物，合適 的化合物也是被具有最多達(dá)10個碳原子的烷基基團(tuán)、特別是支鏈烷基基團(tuán)取代的化合物， 或者是被低聚亞芳基基團(tuán)例如鄰、間、對或支鏈的三聯(lián)苯或四聯(lián)苯基團(tuán)取代的化合物。
[0092] 根據(jù)需要，可以將上述優(yōu)選實施方式相互組合。在本發(fā)明的一種特別優(yōu)選的實施 方式中，上述優(yōu)選方式同時出現(xiàn)。
[0093] 當(dāng)式（1)或式(2)或式(3)或優(yōu)選實施方式的化合物被用作磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料 或用于直接鄰接磷光層的層中時，另外優(yōu)選地，所述化合物不含任何其中超過兩個6元環(huán)彼 此直接稠合的稠合芳基或雜芳基基團(tuán)。特別優(yōu)選地，lU^R 2和Ar基團(tuán)不含任何其中兩個或 更多個6元環(huán)彼此直接稠合的稠合芳基或雜芳基基團(tuán)。
[0094] 根據(jù)上面詳細(xì)描述的實施方式的合適化合物的實例是在下表中詳述的化合物：
[0102 ]可以通過方案1中概述的途徑來制備本發(fā)明的式(1)的化合物。
[0103]方案 1:
[0105]可以從任選取代的1-鹵代芴酮開始進(jìn)行該合成，其中所述鹵素優(yōu)選為Br或I。例如 在Pd或Cu催化下，將它與任選取代的鄰鹵代氨基苯以C-N偶聯(lián)反應(yīng)進(jìn)行反應(yīng)，其中所述鹵素 優(yōu)選為Cl、Br或I。以完全類似的方式，可以例如使用芴、二苯并呋喃、二苯并噻吩或萘衍生 物，這產(chǎn)生含有式(4)或(5)的基團(tuán)的化合物。通過Pd催化的分子內(nèi)偶聯(lián)反應(yīng)實現(xiàn)閉環(huán)，以給 出相應(yīng)的味唑衍生物。通過Buchwald或Ullmann偶聯(lián)反應(yīng)，該味唑衍生物可以在氮上被Ar基 團(tuán)取代。在最后一步中，然后通過與鋰化的聯(lián)苯衍生物反應(yīng)，隨后進(jìn)行酸性環(huán)化來實現(xiàn)閉環(huán) 反應(yīng)，以給出所述螺二芴衍生物。
[0106]式（3)化合物的合成示于方案2中，并且可以從根據(jù)方案1合成的吲哚并芴酮開始 進(jìn)行。在這種情況下，使用2，2 二溴聯(lián)苯衍生物來形成螺環(huán)化合物，因此獲得的螺環(huán)化合 物在4'位置中具有溴原子。從這種物質(zhì)開始，類似于方案1，可以合成稠合的吲哚并基團(tuán)。 [0107]方案 2:
[0109] 可以類似地進(jìn)行式(2)化合物的合成。
[0110] 本發(fā)明的上述化合物，特別是被反應(yīng)性離去基團(tuán)例如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯取 代或被可聚合的反應(yīng)性基團(tuán)例如烯烴、苯乙烯、丙烯酸酯或氧雜環(huán)丁烷取代的化合物，可以 用作生產(chǎn)相應(yīng)的低聚物、樹枝狀大分子或聚合物的單體。優(yōu)選地通過鹵素官能團(tuán)或硼酸官 能團(tuán)或通過可聚合的基團(tuán)來進(jìn)行低聚或聚合。此外，可以通過這類基團(tuán)使所述聚合物交聯(lián)。 本發(fā)明的化合物和聚合物可以以交聯(lián)或未交聯(lián)層的形式使用。
[0111] 因此，本發(fā)明還提供含有上面詳述的本發(fā)明化合物中的一種或多種的低聚物、聚 合物或樹枝狀大分子，其中代替在一個或多個位置處的取代基，存在一個或多個從本發(fā)明 的化合物到所述聚合物、低聚物或樹枝狀大分子的鍵。根據(jù)本發(fā)明化合物的連接，它形成所 述低聚物或聚合物的側(cè)鏈或者被并入到主鏈中或形成樹枝狀大分子的核心。所述聚合物、 低聚物或樹枝狀大分子可以是共輒的、部分共輒的或非共輒的。所述低聚物或聚合物可能 是直鏈、支鏈或樹枝狀的。對于低聚物、樹枝狀大分子和聚合物中的本發(fā)明化合物的重復(fù)單 元，如上所述適用相同的優(yōu)選方式。
[0112] 為了制備低聚物或聚合物，將本發(fā)明的單體均聚或與其它單體共聚。優(yōu)選其中式 (1)或（2)或(3)或上述優(yōu)選實施方式的單元以0.01~99.9mol%、優(yōu)選5~90mol%、更優(yōu)選 20~80mol %的程度存在的均聚物或共聚物。形成所述聚合物基本骨架的適合和優(yōu)選的共 聚單體選自芴（例如根據(jù)EP 842208或W0 2000/22026)、螺二芴（例如根據(jù)EP 707020、EP 894107或W0 2006/061181)、對亞苯基（例如根據(jù)W0 92/18552)、咔唑（例如根據(jù)W0 2004/ 070772或W0 2004/113468)、噻吩（例如根據(jù)EP 1028136)、二氫菲（例如根據(jù)W0 2005/ 014689)、順式和反式茚并芴（例如根據(jù)W0 2004/041901或W0 2004/113412)、酮（例如根據(jù) TO 2005/040302)、菲（例如根據(jù)W0 2005/104264或W0 2007/017066)或多種這些單元。所述 聚合物、低聚物和樹枝狀大分子可還含有另外的單元，例如空穴傳輸單元特別是基于三芳 基胺的空穴傳輸單元，和/或電子傳輸單元。此外，所述聚合物可含有呈共聚形式或作為摻 合物混合的三重態(tài)發(fā)光體。具體來說，本發(fā)明的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子與三重態(tài)發(fā) 光體的組合引起特別良好的結(jié)果。
[0113] 為了從液相例如通過旋涂或通過印刷方法處理本發(fā)明的化合物，需要本發(fā)明化合 物的制劑。這些制劑可以例如是溶液、分散體或乳液。為此目的，可優(yōu)選使用兩種或更多種 溶劑的混合物。適合且優(yōu)選的溶劑例如是甲苯，苯甲醚，鄰、間或?qū)Χ妆剑郊姿峒柞?，?三甲苯，萘滿，鄰二甲氧苯，THF，甲基-THF，THP，氯苯，二囉烷，苯氧基甲苯特別是3-苯氧基 甲苯，（-)_蔚酮，1，2,3,5_四甲基苯，1，2,4,5_四甲基苯，1-甲基萘，2-甲基苯并噻唑，2-苯 氧基乙醇，2-吡咯烷酮，3-甲基苯甲醚，4-甲基苯甲醚，3,4_二甲基苯甲醚，3,5_二甲基苯甲 醚，苯乙酮，萜品醇，苯并噻唑，苯甲酸丁酯，異丙苯，環(huán)己醇，環(huán)己酮，環(huán)己基苯，十氫化 萘，十二烷基苯，苯甲酸乙酯，茚滿，苯甲酸甲酯，NMP，對甲基異丙基苯，苯乙醚，1，4_二異丙 基苯，二芐醚，二乙二醇丁基甲基醚，三乙二醇丁基甲基醚，二乙二醇二丁基醚，三乙二醇二 甲基醚，二乙二醇單丁基醚，三丙二醇二甲基醚，四乙二醇二甲基醚，2-異丙基萘，戊基苯， 己基苯，庚基苯，辛基苯，1，1-雙(3，4-二甲基苯基）乙烷，或這些溶劑的混合物。
[0114] 因此，本發(fā)明還提供了包含本發(fā)明的化合物和至少一種另外的化合物的制劑。所 述另外的化合物可以例如是溶劑，特別是上面提到的溶劑之一或這些溶劑的混合物?；蛘撸?所述另外的化合物可以是至少一種另外的同樣用于電子器件中的有機(jī)或無機(jī)化合物，例如 發(fā)光化合物和/或其它基質(zhì)材料。在后面關(guān)于有機(jī)電致發(fā)光器件列出了合適的發(fā)光化合物 和另外的基質(zhì)材料。這種另外的化合物也可以是聚合的。
[0115] 本發(fā)明的化合物適用于電子器件中，特別是適用于有機(jī)電致發(fā)光器件中。
[0116] 因此，本發(fā)明還提供了本發(fā)明的化合物在電子器件中、特別是在有機(jī)電致發(fā)光器 件中的用途。
[0117] 本發(fā)明還提供了包含至少一種本發(fā)明的化合物的電子器件。
[0118] 在本發(fā)明上下文中的電子器件是包含至少一個含有至少一種有機(jī)化合物的層的 器件。該組件也可以包含無機(jī)材料或完全由無機(jī)材料形成的層。
[0119] 所述電子器件優(yōu)選選自有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)、有機(jī)集成電路(0-IC)、有機(jī)場 效應(yīng)晶體管(0-FET)、有機(jī)薄膜晶體管(0-TFT)、有機(jī)發(fā)光晶體管(0-LET)、有機(jī)太陽能電池 (O-SC)、染料敏化有機(jī)太陽能電池(DSSC)、有機(jī)光學(xué)檢測器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場猝熄器 件(0-FQD)、發(fā)光電化學(xué)電池(LEC)、有機(jī)激光二極管(O-laser)和有機(jī)等離子體發(fā)射裝置， 但優(yōu)選為有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)，更優(yōu)選為磷光OLED。
[0120] 所述有機(jī)電致發(fā)光器件包含陰極、陽極和至少一個發(fā)光層。除了這些層之外，它還 可包含另外的層，例如在每種情況下一個或多個空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電 子傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層和/或電荷產(chǎn)生層。同樣地，可以在兩個發(fā) 光層之間引入具有激子阻擋功能的中間層。然而，應(yīng)該指出，并非這些層中的每一層都必需 存在。在這種情況下，有機(jī)電致發(fā)光器件可以含有一個發(fā)光層，或者它可以含有多個發(fā)光 層。如果存在多個發(fā)光層，則這些優(yōu)選在380nm至750nm之間總共具有幾個發(fā)光峰值，使得總 體結(jié)果是白色發(fā)光;換句話說，在發(fā)光層中使用可以發(fā)射熒光或磷光的多種發(fā)光化合物。特 別優(yōu)選的是具有三個發(fā)光層的體系，其中所述三個層顯示藍(lán)光、綠光和橙光或紅光發(fā)光(對 于基本構(gòu)造，參見例如W0 2005/011013)。本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件也可以是串聯(lián)0LED， 特別還對于白光發(fā)光0LED是這樣。
[0121] 根據(jù)精確的結(jié)構(gòu)，根據(jù)上面詳細(xì)描述的實施方式的本發(fā)明化合物可用于不同的層 中。根據(jù)精確的取代，優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其含有式（1)或式(2)或式(3)或上面 陳述的優(yōu)選實施方式的化合物作為磷光或熒光發(fā)光體、特別是磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料，和/ 或在電子阻擋或激子阻擋層中和/或在空穴傳輸層中和/或在空穴阻擋層中和/或在空穴阻 擋或電子傳輸層中含有式(1)或式(2)或式(3)或上面陳述的優(yōu)選實施方式的化合物。
[0122] 在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的化合物被用作發(fā)光層中磷光化合物的 基質(zhì)材料。在這種情況下，有機(jī)電致發(fā)光器件可以含有一個發(fā)光層或者它可含有多個發(fā)光 層，其中至少一個發(fā)光層含有至少一種本發(fā)明的化合物作為基質(zhì)材料。
[0123] 當(dāng)本發(fā)明的化合物被用作發(fā)光層中磷光化合物的基質(zhì)材料時，它優(yōu)選地與一種或 多種磷光材料(三重態(tài)發(fā)光體)組合使用。在本發(fā)明上下文中的磷光被理解為是指來自于具 有較高自旋多重度，例如自旋態(tài)>1的激發(fā)態(tài)，特別是來自于激發(fā)三重態(tài)的發(fā)光。在本申請的 上下文中，所有具有過渡金屬或鑭系元素的發(fā)光絡(luò)合物，特別是所有銥、鉑和銅絡(luò)合物，應(yīng) 被視為磷光化合物。
[0124] 基于發(fā)光體和基質(zhì)材料的總體混合物，本發(fā)明化合物和發(fā)光化合物的混合物含99 體積％和1體積％之間、優(yōu)選98體積％和10體積％之間、更優(yōu)選97體積％和60體積％之間、 特別是95體積％和80體積％之間的本發(fā)明化合物。相應(yīng)地，基于發(fā)光體和基質(zhì)材料的總體 混合物，所述混合物含1體積％和99體積％之間、優(yōu)選2體積％和90體積％之間、更優(yōu)選3體 積％和40體積％之間、特別是5體積％和20體積％之間的發(fā)光體。
[0125] 本發(fā)明的另一種優(yōu)選實施方式是本發(fā)明的化合物作為磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料與 其它基質(zhì)材料組合使用?？膳c本發(fā)明的化合物組合使用的特別適合的基質(zhì)材料是芳族酮、 芳族氧化膦或芳族亞砜或砜，例如根據(jù)WO 2004/013080、W0 2004/093207、W0 2006/005627 或WO 2010/006680的，三芳基胺，咔唑衍生物，例如CBP(N，N-雙咔唑基聯(lián)苯)或在WO 2005/ 039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP 1205527、W0 2008/086851或TO 2013/ 041176中公開的咔唑衍生物，吲哚并咔唑衍生物，例如根據(jù)WO 2007/063754或WO 2008/ 056746的，茚并咔唑衍生物，例如根據(jù)W0 2010/136109、W0 2011/000455、W0 2013/041176 或TO 2013/056776的，氮雜咔唑衍生物，例如根據(jù)EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160的，雙極性基質(zhì)材料，例如根據(jù)WO 2007/137725的，硅烷，例如根據(jù)WO 2005/ 111172的，氮雜硼雜環(huán)戊二烯或硼酸酯，例如根據(jù)W0 2006/117052的，三嗪衍生物，例如根 據(jù)TO 2007/063754、TO 2008/056746、TO 2010/015306、TO 2011/057706、TO 2011/060859 或WO 2011/060877的，鋅絡(luò)合物，例如根據(jù)EP 652273或WO 2009/062578的，二氮雜硅雜環(huán) 戊二烯和四氮雜硅雜環(huán)戊二烯衍生物，例如根據(jù)W0 2010/054729的，二氮雜磷雜環(huán)戊二烯 衍生物，例如根據(jù)W0 2010/054730的，橋連咔唑衍生物，例如根據(jù)W0 2011/042107、W0 2011/060867、W0 2011/088877和W0 2012/143080的，或苯并菲衍生物，例如根據(jù)W0 2012/ 048781的。具有比實際發(fā)光體更短的波長發(fā)射的其它磷光發(fā)光體也可以作為共主體存在于 混合物中，或者如果參與則不顯著程度參與電荷傳輸?shù)幕衔铮缭诶鏦0 2010/108579 中所描述的。
[0126] 合適的磷光化合物（=三重態(tài)發(fā)光體)尤其是如下的化合物，其在適當(dāng)激發(fā)時發(fā) 光、優(yōu)選在可見光區(qū)發(fā)光，并且還含有至少一個原子序數(shù)大于20、優(yōu)選大于38且小于84、更 優(yōu)選大于56且小于80的原子，特別是具有該原子序數(shù)的金屬。所使用的優(yōu)選磷光發(fā)光體是 含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別是含有銥或鉑的化合物。
[0127] 上述發(fā)光體的實例可在申請W0 00/70655、W0 2001/41512、W0 2002/02714、W0 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、W0 2005/033244、W0 2005/019373、US 2005/0258742、TO 2010/086089、W0 2011/157339、TO 2012/007086、W0 2012/163471、TO 2013/000531 和W0 2013/020631、W0 2014/008982和W0 2014/023377中找到。一般來講，根 據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于磷光0LED和在有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域中為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的所有磷光絡(luò) 合物都是適合的，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠在不運(yùn)用創(chuàng)造性技能的情況下使用其它磷光 絡(luò)合物。
[0128] 本發(fā)明的化合物尤其也適合作為有機(jī)電致發(fā)光器件中的磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料， 如在例如US 2011/0248247和US 2012/0223633中所描述的。在這些多色顯示組件中，通過 氣相沉積將另外的藍(lán)光發(fā)光層在全部面積上施加到所有像素，包括具有藍(lán)色之外的顏色的 像素。令人驚訝地發(fā)現(xiàn)，當(dāng)本發(fā)明的化合物用作紅色和/或綠色像素的基質(zhì)材料時，它們與 通過氣相沉積施加的藍(lán)光發(fā)光層一起仍產(chǎn)生非常好的發(fā)光。
[0129] 在本發(fā)明的另一個實施方式中，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件不含任何單獨的空穴 注入層和/或空穴傳輸層和/或空穴阻擋層和/或電子傳輸層，意味著所述發(fā)光層直接鄰接 空穴注入層或陽極，和/或所述發(fā)光層直接鄰接電子傳輸層或電子注入層或陰極，如在例如 TO 2005/053051中所述的。另外，可以使用與發(fā)光層中的金屬絡(luò)合物相同或相似的金屬絡(luò) 合物作為直接鄰接發(fā)光層的空穴傳輸或空穴注入材料，如在例如W0 2009/030981中所述 的。
[0130] 在本發(fā)明的另一個實施方式中，本發(fā)明的化合物被用于空穴傳輸層中或用于電子 阻擋層或激子阻擋層中。
[0131] 在本發(fā)明的又一個優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的化合物被用作電子傳輸或電子注入 層中的電子傳輸材料。在這種情況下，所述發(fā)光層可以發(fā)熒光或發(fā)磷光的。當(dāng)所述化合物被 用作電子傳輸材料時，可以優(yōu)選例如用堿金屬絡(luò)合物例如LiQ(羥基喹啉鋰)對其進(jìn)行摻雜。
[0132] 在本發(fā)明的又一個優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的化合物被用于空穴阻擋層中。空穴 阻擋層被理解為是直接鄰接陰極側(cè)上的發(fā)光層的層。
[0133] 在本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件的其它層中，可以使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)通常使用的任 何材料。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠在不運(yùn)用創(chuàng)造性技能的情況下將已知用于有機(jī)電致 發(fā)光器件的任何材料與本發(fā)明的式（1)或式(2)或式(3)或上述優(yōu)選實施方式的化合物組合 使用。
[0134] 此外，優(yōu)選如下有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于通過升華方法涂布一個或多個層。 在這種情況下，在真空升華體系中，在低于10- 5毫巴、優(yōu)選地低于10-6毫巴的初始壓力下，通 過氣相沉積來施加材料。所述初始壓力也可以甚至更低，例如低于1〇_ 7毫巴。
[0135] 同樣地，優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于通過0VPD(有機(jī)氣相沉積)法 或借助于載氣升華來涂布一個或多個層。在這種情況下，在1〇_ 5毫巴至1巴之間的壓力下施 加材料。這種方法的特例是0VJP (有機(jī)蒸氣噴?。┓椒ǎ渲胁牧贤ㄟ^噴嘴直接施加并因此 結(jié)構(gòu)化(例如M. S.Arnold等，Appl ? Phys ? Lett ?(應(yīng)用物理學(xué)快報)2008，92，053301)。
[0136] 此外，優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于從溶液中，例如通過旋涂或通過 任何印刷方法例如絲網(wǎng)印刷、柔性版印刷、平版印刷、LITI(光誘導(dǎo)的熱成像、熱轉(zhuǎn)移印刷）、 噴墨印刷或噴嘴印刷，來產(chǎn)生一個或多個層。為此目的，需要例如通過適合的取代而獲得的 可溶性化合物。
[0137] 此外，其中例如從溶液施加一個或多個層并且通過氣相沉積來施加另外一個或多 個層的混合方法是可行的。
[0138] 這些方法總的來說對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是已知的，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員無需 運(yùn)用創(chuàng)造性技能就可將這些方法應(yīng)用到包含本發(fā)明化合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0139] 本發(fā)明的化合物和本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件相比于現(xiàn)有技術(shù)的突出之處在于 以下令人驚訝的優(yōu)點中的一個或多個：
[0140] 1.用作熒光或磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料的本發(fā)明化合物導(dǎo)致長的壽命。當(dāng)所述化合 物用作磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料時尤其如此。
[0141] 2.本發(fā)明的化合物導(dǎo)致非常低的工作電壓。當(dāng)所述化合物用作磷光發(fā)光體的基質(zhì) 材料時尤其如此。
[0142] 上述這些優(yōu)點不伴有其它電子性能的損害。
[0143] 通過下面的實施例更詳細(xì)地例示本發(fā)明，而不意在由此限制本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù) 人員將能夠使用給出的信息在所公開的整個范圍內(nèi)實施本發(fā)明，能夠在不運(yùn)用創(chuàng)造性技能 的情況下制備本發(fā)明的其它化合物并且將它們用于電子器件中或能夠利用本發(fā)明的方法。 實施例：
[0144] 除非另有陳述，否則在保護(hù)性氣氛下，在干燥溶劑中進(jìn)行以下合稱。溶劑和試劑可 以購自ALDRICH或ABCR。為不可商購的反應(yīng)物給出的編號是相應(yīng)的CAS編號。
[0145] 合成實施例
[0146] 實施例la: 1_(2_氯苯基氨基)芴-9-酮
[0148] 在1L四頸燒瓶中，將52g(166mmol)l-碘芴-9-酮（CAS 52086-21-2)、19.0mL (171111111〇1)的2-氯苯胺（〇厶5 95-51-2)、59.88(432111111〇1)的碳酸鉀、3.858(6.6111111〇1)的 XantPhos (4，5-雙二苯基膦-9，9-二甲基氧雜蒽）和746mg(3.3mmo 1)二乙酸鈀溶解在390mL 甲苯中，并在回流下加熱13小時直至轉(zhuǎn)化完成。在冷卻至室溫后，將有機(jī)相用200mL甲苯擴(kuò) 充，并使用500mL水進(jìn)行水解。將有機(jī)相用300mL水洗滌一次，并用每次200mL的3M HC1溶液 洗滌兩次。將有機(jī)相通過Al2〇3過濾。在減壓下除去溶劑后，獲得作為橙色固體的產(chǎn)物。產(chǎn)量 為 48.0g(157mmol，對應(yīng)于 95%)。
[0149] 以類似的方式，可以制備下述化合物：
[0153] 實施例2a:llH-ll_氮雜茚并[2，l_a]芴-12-酮
[0155] 首先用250mL DMAc中的24g(78mmol)la、28? 2g(204mmol)碳酸鐘、35mg( 1 ? 5mmol) 二乙酸鈀、1.2g(3.0mmol)三環(huán)己基膦四氟硼酸鹽裝載500mL的四頸燒瓶，并將混合物在145 °C下攪拌3天。在轉(zhuǎn)化完成后，將混合物冷卻至室溫并用200mL水進(jìn)行水解。將沉淀的固體過 濾出來并用水洗滌（2X300mL)。通過在60°C下用乙醇攪拌兩次進(jìn)行萃取后，獲得作為赭色 固體的產(chǎn)物。產(chǎn)量為18.3g(68mmol，對應(yīng)于理論的87% )。
[0156] 以類似的方式，可以制備下列化合物：
[0159] 實施例3&:11-聯(lián)苯-4_基-1111-11-氮雜茚并[2，1-&]芴-12-酮
[0161 ]首先用對二甲苯中的 16g(59mmol)2a、29? 6mL( 119mmol)4_漠聯(lián)苯和30? 5g NaOtBu (32mmol)裝載1L的四頸燒瓶。向該懸浮液添加0.33g(l.5mmol)的Pd(0Ac)2和2.9mL的1M三 叔丁基膦的甲苯溶液。將反應(yīng)混合物在回流下加熱16小時。在冷卻后，移出有機(jī)相，用每次 200mL的水洗滌三次，然后濃縮至干。將殘留物用甲苯進(jìn)行熱萃取，并從甲苯中重結(jié)晶。產(chǎn)量 為22.3g(53mmol，對應(yīng)于90% )。
[0162]以類似方式，可以制備下列化合物：
[0165]
[0166] *利用從甲苯/庚烷中重結(jié)晶和區(qū)域升華(340°C，1 (T5巴）進(jìn)一步純化，直至HPLC純 度 >99.9%。
[0167] 實施例4a:溴化
[0169]在lOOOmL的四頸燒瓶中，將 19?5g(72?5mmol)的llH-ll-氮雜茚并[2，l-a]芴-12-酮和13.5g(75mmOl)的NBS溶解在700mLTHF中，并在室溫下攪拌48小時直至轉(zhuǎn)化完成。然后 使用50mL水進(jìn)行水解，在減壓下除去有機(jī)溶劑。通過用300mL熱乙醇攪拌將獲得的固體萃取 一次。在冷卻至室溫后，過濾出固體。在減壓下干燥后，獲得作為無色固體的產(chǎn)物。產(chǎn)量為 22.6g(65mmol，對應(yīng)于理論的90% )。
[0170] 實施例5a:硼化
[0172] 在2L的四頸燒瓶中，將24.7g(71mmol)的8-溴-11H-11-氮雜茚并[2，l-a]芴-12-酮、21.9g(86mmol)的雙頻哪醇根合二硼烷(73183-34-3)、21.7g(221mmol)的乙酸鉀和 1.7g (2 ? lmmo 1)的1，1-雙(二苯基膦基)二茂鐵二氯化鈀（II)與DCM的絡(luò)合物在lOOOmL無水二_ 烷中在回流下加熱16小時，直至轉(zhuǎn)化完成。在冷卻至室溫后，將有機(jī)相用乙酸乙酯擴(kuò)充，用 300mL水洗滌三次，并在硫酸鈉上干燥。通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)將合并的有機(jī)相濃縮至干。在從庚烷 中重結(jié)晶后，獲得固體形式的產(chǎn)物。產(chǎn)量為21.3g(54mmo 1; 61 % )。
[0173] 實施例6a
[0175] 將 12.6g(32mmol)的 8-(4,4,5,5_ 四甲基 _[1，3,2]二氧雜環(huán)戊硼烷-2-基 11-氮雜茚并[2，1-3]芴-12-酮、10.38(32111111〇1)的3-溴-9-苯基-911-咔唑[1153-85-1]和 31mL(63mmol)的Na2C〇3(2M溶液)懸浮在120mL甲苯和120mL乙醇中。向該懸浮液添加0.73g (0.63mmol)的Pd(PPh 3)4,并將反應(yīng)混合物在回流下加熱16小時。在冷卻后，移出有機(jī)相，通 過硅膠過濾，用200mL水洗滌三次，然后濃縮至干。將殘留物從甲苯中重結(jié)晶。產(chǎn)量為14.8g (29mmol)，對應(yīng)于理論的91 %。
[0176] 以類似方式，可以制備下列化合物：
[0178]
[0179] 實施例7a: 12 ' -聯(lián)苯-4-基螺[9H-芴-9，11 (12H)-茚并[2，la]咔唑]
[0181] 首先用100mL THF中的23g(99mol)2-溴聯(lián)苯裝載1L的四頸燒瓶并冷卻至-78°C。利 用滴液漏斗，在該溫度下逐滴加入41.0mL(103mmol)的正丁基鋰(2.5M，在正己烷中），并將 混合物攪拌1小時。隨后，利用滴液漏斗添加溶解在300mL THF中的20.6g(49mmo 1) 11 -聯(lián)苯-4-基-11H-11-氮雜茚并[2,1-a]芴-12-酮，并將混合物在3小時內(nèi)升溫至室溫。然后使用 500mL水進(jìn)行水解，并在旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀上除去有機(jī)溶劑。將沉淀出的固體過濾出來，懸浮在 400mL冰乙酸中，并在添加150mL濃鹽酸后，在100°C下攪拌2小時。在冷卻至室溫后，使用 400mL水進(jìn)行水解，將沉淀的固體過濾出來，用200mL水、乙醇(200mL)并在最后用200mL正庚 烷洗滌。對固體進(jìn)行熱萃取，并使用正庚烷/甲苯在氧化鋁上重結(jié)晶。獲得20.1g(42.0mmol， 對應(yīng)于85 % )作為白色固體的產(chǎn)物。利用從甲苯/庚烷中重結(jié)晶和區(qū)域升華(265 °C，1 (T5巴） 進(jìn)行進(jìn)一步純化。產(chǎn)量為8.4g( 15mmol，對應(yīng)于32 %，HPLC純度>99.9 % )。
[0182] 以類似方式，可以制備下列化合物：
[0185]
[0186] 0LED 的制造
[0187] 在下面的實施例Cl至I16(參見表1和2)中給出各種不同OLED的數(shù)據(jù)。
[0188] 實施例C1-I16的預(yù)處理：
[0189] 對為了改進(jìn)加工而涂布有50nm厚度的結(jié)構(gòu)化IT0(氧化銦錫)的玻璃板涂布20nm的 PED0T:PSS(聚（3,4_亞乙基二氧噻吩）聚（苯乙烯磺酸酯），作為CLEVIOS? P VP AI 4083購 自德國賀利氏貴金屬材料有限公司（Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland)，從水 性溶液旋涂）。這些涂布的玻璃板形成施加OLED的基底。
[0190] 0LED基本上具有下述層結(jié)構(gòu):基底/空穴傳輸層(HTL)/任選的中間層（IL)/電子阻 擋層(EBL)/發(fā)光層(EML)/任選的空穴阻擋層(HBL)/電子傳輸層(ETL)/任選的電子注入層 (EIL)和最后的陰極。所述陰極由厚度為100nm的鋁層形成。0LED的確切結(jié)構(gòu)可以在表1中找 到。例如關(guān)于"7a"是指實施例7a的化合物。用于制造0LED的其它材料示于表3中。
[0191] 在真空室中通過熱氣相沉積來施加所有材料。在這種情況下，發(fā)光層總是由至少 一種基質(zhì)材料(主體材料)和通過共蒸發(fā)以特定體積比例添加到所述一種或多種基質(zhì)材料 的發(fā)光摻雜劑(發(fā)光體)構(gòu)成。在此，以諸如IC1 :IC3:TEG1(55%:35%:10%)的形式給出的 詳細(xì)信息是指材料IC1以55 %的體積比例、IC3以35 %的體積比例、TEG 1以10 %的體積比例 存在于所述層中。類似地，電子傳輸層也可以由兩種材料的混合物構(gòu)成。
[0192] 以標(biāo)準(zhǔn)方式表征0LED。為此目的，從呈現(xiàn)郎伯(Lambertian)發(fā)射特征的電流-電 壓-亮度特征（IUL特征)計算作為亮度的函數(shù)的電致發(fā)光光譜、電流效率（以cd/A度量）、功 率效率（以lm/W度量)和外量子效率(EQE，&%度量）。在lOOOcd/m 2的亮度下測定電致發(fā)光 光譜，并從其計算CIE 1931x和y顏色坐標(biāo)。表2中的參數(shù)U1000是指lOOOcd/m2的亮度所需的 電壓。CE1000和PE1000分別是指在1000cd/m 2下達(dá)到的電流和功率效率。最后，EQE1000是指 在lOOOcd/m2的工作亮度下的外量子效率。
[0193] 各種0LED的數(shù)據(jù)整理在表2中。實施例C1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的比較例;實施例11-116 例示了本發(fā)明的0LED的數(shù)據(jù)。
[0194] 下文中對實施例中的一些進(jìn)行詳細(xì)闡述，以便例示本發(fā)明的0LED的優(yōu)點。
[0195] 本發(fā)明的混合物在磷光0LED的發(fā)光層中的用途
[0196] 當(dāng)在磷光0LED中用作基質(zhì)材料時，本發(fā)明的材料與現(xiàn)有技術(shù)相比顯示出功率效率 的提高。通過將本發(fā)明的化合物7a與發(fā)綠光的摻雜劑TEG1和基質(zhì)ST1組合使用，與現(xiàn)有技術(shù) 7〇相比可以實現(xiàn)約15%的功率效率提高(實施例C1、II)。
[0197] 表1:0LED的結(jié)構(gòu)
【主權(quán)項】
1. 一種式(1)、式(2)或式(3)的化合物其中所使用的符號和標(biāo)記如下： X在每種情況下相同或不同，并且是CR1或N;或者兩個相鄰的X是下列式(4)、（5)或(6)的 基團(tuán)：其中'指示式（1)或(2)或(3)中相應(yīng)的相鄰X基團(tuán)； V在每種情況下相同或不同，并且是C(R1)2 JR1J^BR1 Ji(R1)2或C = O; Z在每種情況下相同或不同，并且是CR1SN; Ar在每種情況下相同或不同，并且是具有6至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個R2基 團(tuán)取代的芳族環(huán)系，或者是具有5至40個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子雜芳基基團(tuán)并且可被 一個或多個R2基團(tuán)取代的雜芳族環(huán)系； KR1在每種情況下相同或不同，并且選自H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I ,CNJOhN(Ar1)2J(R3)2, C(= 0)ΑΛ(Χ=0)Κ3，Ρ(=0) (Ar1)2,P(Ar1)2,B(Ar 1)2, Si(Ar1)3, Si(R3)3,具有 1 至20個碳原子的 直鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)或具有3至20個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫 代烷基基團(tuán)或具有2至20個碳原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個R 3基團(tuán) 取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被R3C = CR3、Si(R3)2、C = 0、C = S、C = NR3、P(=0) (妒）、50、302、冊3、0、5或0)冊3代替，并且其中一個或多個氫原子可被0、？、(：1、8廣1、0~或勵 2 代替，具有5至40個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個R3基團(tuán)取代的芳族或雜 芳族環(huán)系，具有5至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個R 3基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基 基團(tuán)，或具有5至40個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個R3基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基 團(tuán)；同時，任選地，鍵合至同一碳原子的兩個R 1取代基可以形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或 雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可被一個或多個R3基團(tuán)取代； R2在每種情況下相同或不同，并且選自mFALBrlCtNOhNUrOhNUSLChO) ΑΛ(Χ =0)R3，P(=0) (Ar1)2,P(Ar1)2 ,B(Ar1)2, Si (Ar1)3, Si(R3)3,具有 1 至20個碳原子的直 鏈烷基、烷氧基或硫代烷基基團(tuán)或具有3至20個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代 烷基基團(tuán)或具有2至20個碳原子的烯基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個R 3基團(tuán)取 代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán)可被R3C = CR3、Si(R3)2、C = 0、C = S、C = NR3、P( = 0) (妒）、50、302、冊3、0、5或0)冊3代替，并且其中一個或多個氫原子可被0、？、(：1、8廣1、0~或勵 2 代替，具有5至40個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子雜芳基基團(tuán)并且在每種情況下可被一個或 多個R3基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系，具有5至40個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子雜芳基基 團(tuán)并且可被一個或多個R 3基團(tuán)取代的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，或具有5至40個芳族環(huán)原子、 不含任何缺電子雜芳基基團(tuán)并且可被一個或多個R 3基團(tuán)取代的芳烷基或雜芳烷基基團(tuán)；同 時，兩個或更多個相鄰的R3取代基可一起形成單環(huán)或多環(huán)的脂族環(huán)系； Ar1在每種情況下相同或不同，并且是具有5-30個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個非芳 族R3基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時，鍵合至同一氮原子、磷原子或硼原子的兩個Ar1基 團(tuán)也可以通過單鍵或選自N(R 3)、C(R3)2、0和S的橋連基彼此橋連； R3在每種情況下相同或不同，并且選自H，D，F(xiàn)，CN，具有1至20個碳原子的脂族烴基基團(tuán) 和具有5至30個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，在所述基團(tuán)或環(huán)系中一個或多個氫原子 可被0;、(：1、8^1或0_戈替，其中兩個或更多個相鄰的1? 3取代基可一起形成單環(huán)或多環(huán)的 脂族環(huán)系； P在每種情況下相同或不同，并且是〇、1、2、3或4; q是0、1或2; 其中從本發(fā)明排除下述兩種化合物：2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于X在每種情況下相同或不同并且是CR1SN, 其中每個環(huán)不超過一個X基團(tuán)是N，或者特征在于兩個相鄰的X基團(tuán)是式(4)的基團(tuán)，其中Z在 每種情況下相同或不同并且是CR 1J在每種情況下相同或不同并且是NR1X(R1)^O或S，并 且環(huán)中的其余X基團(tuán)是CR 1。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物，所述化合物選自式(7)至（15)的化合物：其中所使用的符號和標(biāo)記具有權(quán)利要求1中給出的定義。5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中的一項或多項所述的化合物，其特征在于R在每種情況下相同 或不同，并且選自HJAN^(Ar1) 2,具有1至10個碳原子的直鏈烷基基團(tuán)和具有3至10個碳原 子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)和具有6至30個芳族環(huán)原子并且可被一個或多個非芳族R 3基團(tuán) 取代的芳族環(huán)系。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中的一項或多項所述的化合物，所述化合物選自式(7b)至（15b) 的化合物：其中所使用的符號具有權(quán)利要求1中給出的定義。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的一項或多項所述的化合物，其特征在于所述式（1)和(3)的化 合物在Ar A1和R2取代基中總共含有至少12個芳族環(huán)原子，以及特征在于所述式(2)的化合 物在Ar A1和R2取代基中總共含有至少24個芳族環(huán)原子。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的一項或多項所述的化合物，其特征在于Ar選自式Ar-I至Ar-58的基團(tuán)：其中R2具有權(quán)利要求1中給出的定義，虛線鍵表示與式(1)或(2)或(3)的基團(tuán)連接的鍵， 并且此外： Ar2在每種情況下相同或不同，并且是具有6至18個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子雜芳基 基團(tuán)并且在每種情況下可被一個或多個R2基團(tuán)取代的二價芳族或雜芳族環(huán)系； Ar3在每種情況下相同或不同，并且是具有6至18個芳族環(huán)原子、不含任何缺電子雜芳基 基團(tuán)并且在每種情況下可被一個或多個R2基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系； Y在每種情況下相同或不同，并且是C(R2)2、NR2、0或S; η是O或1，其中n = 0是指在該位置處沒有鍵合Y基團(tuán)，而是其R2基團(tuán)鍵合到相應(yīng)的碳原 子； 其中Ar-I至Ar-57基團(tuán)也可通過橋連基團(tuán)鍵合到式（1)或式(2)或式(3)中的氮原子。9. 根據(jù)權(quán)利要求1至8中的一項或多項所述的化合物，其特征在于R1在每種情況下相同 或不同，并且選自Hjj(Ar 1)2,具有1至10個碳原子的直鏈烷基基團(tuán)或具有3至10個碳原子 的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可被一個或多個R 3基團(tuán)取代，其中一個或多 個氫原子可被D或F代替，或具有5至30個芳族環(huán)原子并且在每種情況下可被一個或多個R 3 基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系。10. 根據(jù)權(quán)利要求1至9中的一項或多項所述的化合物，其特征在于當(dāng)R1是芳族或雜芳族 環(huán)系時，它選自基團(tuán)R 1-I至妒-43:其中R3具有權(quán)利要求1中給出的定義，虛線鍵表示與式(1)或(2)或(3)的基團(tuán)連接的鍵， 并且此外： A在每種情況下相同或不同，并且是CR3或N，其中每個環(huán)不超過3個X符號是N; Y在每種情況下相同或不同，并且是C(R3)2、NR3、0或S; Ar2、Ar3在每種情況下相同或不同，并且是具有5至18個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán) 系，所述環(huán)系中的每個在每種情況下可被一個或多個R3基團(tuán)取代； η是O或1，其中n = 0是指在該位置處沒有鍵合Y基團(tuán)，而是其R3基團(tuán)鍵合到相應(yīng)的碳原 子； 其中R1-I至妒-42基團(tuán)還可通過橋連基團(tuán)鍵合到式(1)或式(2)或式(3)中的氮原子。11. 一種低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，其含有一種或多種根據(jù)權(quán)利要求1至10中的 一項或多項所述的化合物，其中代替在一個或多個位置處的取代基，存在一個或多個從所 述化合物到所述聚合物、低聚物或樹枝狀大分子的鍵。12. -種制劑，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項或多項所述的化合物和/ 或至少一種根據(jù)權(quán)利要求11所述的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子和至少一種另外的化合 物，特別是溶劑。13. 根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項或多項所述的化合物和/或根據(jù)權(quán)利要求11所述的低 聚物、聚合物或樹枝狀大分子在電子器件中的用途。14. 一種電子器件，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至10中的一項或多項所述的化合物 和/或至少一種根據(jù)權(quán)利要求11所述的低聚物、聚合物或樹枝狀大分子，所述器件優(yōu)選選自 有機(jī)電致發(fā)光器件、有機(jī)集成電路、有機(jī)場效應(yīng)晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、有機(jī)發(fā)光晶體管、 有機(jī)太陽能電池、染料敏化有機(jī)太陽能電池、有機(jī)光學(xué)檢測器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場猝熄 器件、發(fā)光電化學(xué)電池、有機(jī)激光二極管和有機(jī)等離子體發(fā)射器件。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子器件，所述電子器件是有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于 根據(jù)權(quán)利要求1至12的一項或多項所述的化合物用作磷光或熒光發(fā)光體的基質(zhì)材料，和/或 用于電子阻擋或激子阻擋層中和/或用于空穴傳輸層中和/或用于空穴阻擋層中和/或用于 空穴阻擋或電子傳輸層中。
【文檔編號】H01L33/00GK106029830SQ201580009489
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年1月27日
【發(fā)明人】安雅·雅提斯奇, 托比亞斯·格羅斯曼, 埃米爾·侯賽因·帕勒姆, 托馬斯·埃伯利, 克里斯托夫·普夫盧姆, 喬納斯·瓦倫丁·克羅巴, 菲利普·斯托塞爾, 埃爾維拉·蒙特內(nèi)格羅, 魯文·林格
【申請人】默克專利有限公司