技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明實施例公開一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括第一金屬布線層，形成在所述第一金屬布線層上方的層間絕緣層，內(nèi)嵌于所述層間介電層且連接到所述第一金屬布線層的第二金屬布線層，以及設(shè)置于所述第一金屬布線層和所述第一層間絕緣層之間的蝕刻停止層。所述蝕刻停止層包括一個或多個子層。所述蝕刻停止層包括由基于鋁的絕緣材料、氧化鉿、氧化鋯或氧化鈦制成的第一子層。本發(fā)明實施例涉及半導(dǎo)體集成電路，以及更具體地涉及具有通過雙鑲嵌工藝形成的金屬層的半導(dǎo)體器件。

技術(shù)研發(fā)人員：黃心巖;鄭凱方;鄧志霖;李劭寬;陳海清
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.05
技術(shù)公布日：2017.08.11