專利名稱：抗輻射加固電荷耦合器件非光敏區(qū)保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種航空航天抗輻射加固技術(shù)，尤其是涉及一種抗輻射加固電荷耦合器件非光敏區(qū)保護(hù)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
由于電荷耦合器件(Charge Coupled Device，簡稱CCD)具有低噪聲、高的光響應(yīng)一致性、直接光電轉(zhuǎn)換、高動(dòng)態(tài)范圍等優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于偵察、預(yù)警、測繪、氣象、資源等衛(wèi)星，成為其核心器件。
然而，空間輻射環(huán)境的存在對(duì)CCD的抗輻射性能提出了嚴(yán)格要求。地球磁場的存在，捕獲了大量的高能帶電離子，象一條很寬很厚的帶子圍繞在地球周圍，其主要成分是質(zhì)子和電子。人造地球衛(wèi)星和宇宙飛船在空間飛行時(shí)，將受到這些電子和質(zhì)子的轟擊。衛(wèi)星、飛船及它們使用的電子設(shè)備，如不具備抗輻射能力，就可能受到空間輻射損傷。
因此，提高現(xiàn)有CCD器件的抗輻射能力，就非常重要。

發(fā)明內(nèi)容
為了提高CCD器件的抗輻射能力，本實(shí)用新型提供了一種抗輻射加固電荷耦合器件非光敏區(qū)保護(hù)結(jié)構(gòu)，即在CCD器件的存儲(chǔ)區(qū)及水平區(qū)的表面設(shè)置有銦保護(hù)層。
該銦保護(hù)層的厚度可選擇在8-30微米之間，其最佳厚度為10微米。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是CCD器件的抗輻射能力提高了30％。


圖1為未采用保護(hù)結(jié)構(gòu)的CCD器件的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為采用了保護(hù)結(jié)構(gòu)的CCD器件的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為采用了保護(hù)結(jié)構(gòu)后CCD器件的非光敏區(qū)截面圖。
具體實(shí)施方式
CCD器件可分為光敏區(qū)4和非光敏區(qū)(包括存儲(chǔ)區(qū)1及水平區(qū)2)，在非光敏區(qū)，即存儲(chǔ)區(qū)1及水平區(qū)2的表面設(shè)置銦保護(hù)層3。該銦保護(hù)層的厚度可選擇在8-30微米之間，其最佳厚度為10微米。
權(quán)利要求1.一種抗輻射加固電荷耦合器件非光敏區(qū)保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于在電荷耦合器件的存儲(chǔ)區(qū)(1)及水平區(qū)(2)的表面設(shè)置有銦保護(hù)層(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗輻射加固電荷耦合器件非光敏區(qū)保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的銦保護(hù)層(3)的厚度為8-30微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗輻射加固電荷耦合器件非光敏區(qū)保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的銦保護(hù)層(3)的最佳厚度為10微米。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種抗輻射加固電荷耦合器件非光敏區(qū)保護(hù)結(jié)構(gòu)。在電荷耦合器件的存儲(chǔ)區(qū)及水平區(qū)的表面設(shè)置有銦保護(hù)層。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是電荷耦合器件的抗輻射能力提高了30％。
文檔編號(hào)B64G1/54GK2776847SQ200420105749
公開日2006年5月3日 申請(qǐng)日期2004年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月22日
發(fā)明者汪朝敏, 陳于偉 申請(qǐng)人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所