專利名稱：電子元件包裝容器其外覆薄膜之改良結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電子元件包裝容器的外覆薄膜，特指一種電子元件被取出加工前，所容置的包裝容器，藉著該容器的外覆薄膜可揮發(fā)出抗氧化氣體，使容器中的電子元件端子金屬接腳不會(huì)氧化。
請(qǐng)參閱圖6、7，按裝納晶片以供取料加工的容器，其習(xí)知技藝，由塑膠制，且呈薄膜狀的連結(jié)體A所構(gòu)成，其中連結(jié)體A中具有數(shù)個(gè)容置槽A1，容置槽A1中具有一穿孔A2，側(cè)邊延伸一側(cè)片A3，該側(cè)片A3中設(shè)有數(shù)個(gè)帶料孔A4；一電子元件B(如晶片)系裝納在容置槽A1，該電子元件B具有金屬制的端子接腳B1；一由PET(Polyethylene Terephthalate)等有關(guān)材質(zhì)構(gòu)成的薄膜C，藉熱封在連結(jié)體A的表面上，藉以封閉容置槽A1的槽口。
如圖9所示，連結(jié)體A被席卷為卷筒體E，其中薄膜C由卷輪F1、F2予以卷起，使薄膜C脫離容置槽A1；利用工作臺(tái)的機(jī)具G(如吸盤裝置或磁鐵裝置)將容置槽A1中的電子元件B吸取移向其它工作臺(tái)供焊接定位在電路板上，紅外線偵測(cè)器可針對(duì)穿孔A2偵測(cè)，以控制連結(jié)體A是否前進(jìn)、位移。此技藝在使用上有如下缺陷顯現(xiàn)(1)請(qǐng)參閱圖7，電子元件B的接腳B1均由銅制品或其他導(dǎo)電的金屬材質(zhì)所構(gòu)成，而容置槽A1的穿孔A2卻又是必須的設(shè)置，因此呈封閉狀的容置槽A1內(nèi)乃充塞空氣、濕氣，并又隨溫度高低變化非常容易使電子元件B的接腳B1氧化。(2)薄膜C系以熱封在連結(jié)體A的表面上，當(dāng)薄膜C被拉剝離在連結(jié)體A的表面時(shí)，常由于薄膜C緊密粘結(jié)在連結(jié)體A上，因此在被剝離的過程中，常導(dǎo)致薄膜C被撕破而使薄膜連續(xù)帶狀體斷掉，如圖8所示，無法做自動(dòng)化的加工。
居于以上缺陷，如何使電子元件B其接腳B1在容置槽A1，不易氧化，以及薄膜C被撕離在連結(jié)體A的表面能易于有效的撕離，乃是本實(shí)用新型鉆研的主要課題。
本實(shí)用新型的再一目的，在于提供一種電子元件包裝容器其外覆薄膜之改良結(jié)構(gòu)，發(fā)揮薄膜確實(shí)有效易于被剝離在連結(jié)體表面，以防止薄膜受力而撕破斷料。
本實(shí)用新型的再一目的，在于提供一種電子元件包裝容器其外覆薄膜之改良結(jié)構(gòu)，藉著薄膜下層具有抗靜電劑，可有效防止下層表面產(chǎn)生電荷，使薄膜被剝離連結(jié)體時(shí)，可有效防止容置槽中的電子元件上表面貼被吸附在薄膜下層的表面，導(dǎo)致無法做自動(dòng)化的加工。
為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型的電子元件包裝容器其外覆薄膜之改良結(jié)構(gòu)，包含一具有容置槽的連結(jié)體，一薄膜被熱封在連結(jié)體的表面層上，其中，薄膜，由上、中、下層材料淋膜結(jié)合而成，上層為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PolyethyleneTerephthalate)材質(zhì)所構(gòu)成，中層為聚乙稀(Polyethylene)材質(zhì)，下層由低接著性樹脂混合氣化性抗氧化劑(Anti-oxidant)及抗靜電劑(Anti-static)所組成；其中下層因具有氣化性抗氧化劑的組合物，可揮發(fā)出氣化性抗氧化氣體在容置槽的空間中，下層因具有抗靜電劑的組合物，可防止薄膜下層表面產(chǎn)生靜電，下層還因具有低著性樹脂組合物，因此與連結(jié)體表面熱封合時(shí)僅會(huì)有適度的貼附，使薄膜受力剝離時(shí)能整齊的從連結(jié)體的表面剝離。
本實(shí)用新型的優(yōu)越功效在于中層薄膜做為上、下層的淋膜媒介，能有效結(jié)合上、下層之間，由于下層薄膜具有氣化性抗氧化劑、抗靜電劑組合物，可揮發(fā)出氣化性抗氧化氣體在容置槽的空間，并可防止薄膜下層表面產(chǎn)生靜電；又因下層薄膜具有低接著性樹脂組合物，因此與連結(jié)體表面熱封合時(shí)，僅會(huì)有適度的貼附，使薄膜受力剝離時(shí)能整齊的從連結(jié)體的表面剝離，而不虞使薄膜被撕斷。
權(quán)利要求1.一種電子元件包裝容器其外覆薄膜之改良結(jié)構(gòu)，包含一具有容置槽的連結(jié)體，一薄膜被熱封在連結(jié)體的表面層上，其特征在于薄膜，由上、中、下層材料淋膜結(jié)合而成，由聚對(duì)苯二甲酸乙二酯層為上層，以聚乙稀層為中層，由低接著性樹脂混合氣化性抗氧化劑及抗靜電劑組合為下層。
2，根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件包裝容器其外覆薄膜之改良結(jié)構(gòu)，其特征在于具有氣化性抗氧化劑的組合物為下層。
3，根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件包裝容器其外覆薄膜之改良結(jié)構(gòu)，其特征在于具有抗靜電劑的組合物為下層。
4，根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件包裝容器其外覆薄膜之改良結(jié)構(gòu)，其特征在于具有低接著性樹脂組合物為下層。
專利摘要一種電子元件包裝容器其外覆薄膜之改良結(jié)構(gòu)，包含一具有容置槽的連結(jié)體，一薄膜被熱封在連結(jié)體的表面層上，其特點(diǎn)是薄膜由上、中、下層材料淋膜結(jié)合而成，上層為聚對(duì)苯二甲酸乙二酯材質(zhì)所構(gòu)成，中層為聚乙稀材質(zhì)，下層由低接著性樹脂混合氣化性抗氧化劑及抗靜電劑所組成，可有效防止容置槽中之電子元件其端子金屬接腳氧化及產(chǎn)生靜電損害為其主要目的。由于下層薄膜具有氣化性抗氧化劑及抗靜電劑的組合物，可揮發(fā)出氣化性抗氧化氣體在容置槽的空間中，并可防止薄膜下層表面產(chǎn)生靜電；又因下層薄膜具有低接著性樹脂組合物，因此與連結(jié)體表面熱封合時(shí)僅會(huì)有適度的貼附，使薄膜受力剝離時(shí)能整齊的從連結(jié)體的表面剝離。
文檔編號(hào)B65D65/40GK2554111SQ0221704
公開日2003年6月4日 申請(qǐng)日期2002年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年4月24日
發(fā)明者江煉欽 申請(qǐng)人:江煉欽