專利名稱：消除靜電的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種消除靜電的方法，且特別涉及一種適于在制造顯示面板時(shí)，可防止基板受到靜電破壞(electrostatic discharge，ESD)的消除靜電的方法。
背景技術(shù)：
顯示器為人與信息的溝通界面，目前以平面顯示器為發(fā)展之趨勢(shì)。平面顯示器主要有以下幾種有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OrganicElectro-Luminescence Display，OELD)、等離子體顯示器(PlasmaDisplay Panel，PDP)以及薄膜晶體管液晶顯示器等(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)。
在平面顯示器的制造過程中，基板會(huì)經(jīng)過許多的工藝步驟。因此，基板需通過搬運(yùn)裝置進(jìn)行多次的搬運(yùn)，以在不同的工序機(jī)臺(tái)間轉(zhuǎn)換工藝步驟。
圖1A與圖1B為公知搬運(yùn)裝置搬運(yùn)基板的示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D1A，公知的搬運(yùn)裝置100包括至少二個(gè)承載座110、至少二個(gè)移動(dòng)構(gòu)件120與機(jī)械手臂140。每一個(gè)承載座110固定在一個(gè)移動(dòng)構(gòu)件120上，通過移動(dòng)構(gòu)件120帶動(dòng)承載座110，而可以將基板130承載起來。請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1B，當(dāng)基板130被移至工序機(jī)臺(tái)(圖中未標(biāo)出)附近時(shí)，機(jī)械手臂140會(huì)夾持起基板130而將其傳到工序機(jī)臺(tái)中。
承上述，在真空環(huán)境下，基板130與搬運(yùn)裝置100之間因不斷地分離與接觸而產(chǎn)生的摩擦，往往會(huì)產(chǎn)生靜電而累積在搬運(yùn)裝置100的絕緣組件上。圖1C為累積有靜電的搬運(yùn)裝置與已形成有元件層的基板接觸的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1C，若累積有靜電150的機(jī)械手臂140與已形成有元件層132的基板130接觸時(shí)，靜電150將可能對(duì)基板130上的元件層132造成靜電破壞，而使工藝的合格率嚴(yán)重下降。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種消除靜電的方法，以消除基板在搬送時(shí)在基板上產(chǎn)生的靜電破壞，并進(jìn)而提高工藝合格率。
基于上述目的，本發(fā)明提出一種消除靜電的方法，適于在真空環(huán)境中，消除搬運(yùn)裝置與基板之間因摩擦而產(chǎn)生的靜電。此消除靜電的方法是首先提供基板，此基板具有正面與背面。接著，于基板的背面上形成導(dǎo)電薄膜。之后，利用搬運(yùn)裝置傳送此基板，當(dāng)搬運(yùn)裝置與基板的背面的導(dǎo)電薄膜接觸時(shí)，累積在搬運(yùn)裝置上的靜電會(huì)通過導(dǎo)電薄膜而傳導(dǎo)消散，而避免該靜電破壞該基板。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)例如是銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)例如為金屬，且此金屬例如是選自于鋁、鉬、鉻及其組成中之一種。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述于基板的背面上形成導(dǎo)電薄膜的方法例如為濺鍍(sputtering)。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述導(dǎo)電薄膜全面形成于基板的背面上。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述基板的材質(zhì)例如為玻璃。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述基板例如是主動(dòng)元件陣列基板。并且于此基板的正面上形成有元件層。此元件層包括多個(gè)薄膜晶體管、多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線，其中薄膜晶體管通過掃描線與數(shù)據(jù)線而驅(qū)動(dòng)。
本發(fā)明因采用背面具有導(dǎo)電薄膜的基板，進(jìn)而可以消除在真空環(huán)境中，搬運(yùn)裝置與基板之間因摩擦而產(chǎn)生的靜電。所以，本發(fā)明可以消除基板在搬送時(shí)在基板上產(chǎn)生的靜電破壞現(xiàn)象，并進(jìn)而提高工藝的合格率。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A與圖1B為公知搬運(yùn)裝置搬運(yùn)基板的示意圖。
圖1C為累積有靜電的搬運(yùn)裝置與已形成有元件層的基板接觸的示意圖。
圖2為本發(fā)明之較佳實(shí)施例中一種消除靜電基板的示意圖。
圖3為在本發(fā)明中利用搬運(yùn)裝置搬運(yùn)圖2中的消除靜電基板的示意圖。
圖4為基板的正面的局部俯視示意圖。
圖5A與圖5B為靜電傳導(dǎo)的示意圖。
主要元件標(biāo)記說明100搬運(yùn)裝置110承載座120移動(dòng)構(gòu)件130、230基板132、234元件層140機(jī)械手臂150、240靜電231正面232背面233導(dǎo)電薄膜234a薄膜晶體管
234b掃描線234c數(shù)據(jù)線具體實(shí)施方式
圖2為本發(fā)明之較佳實(shí)施例中一種消除靜電基板的示意圖。圖3為在本發(fā)明中利用搬運(yùn)裝置搬運(yùn)圖2中的消除靜電基板的示意圖。請(qǐng)共同參照?qǐng)D2與圖3。本發(fā)明提出的消除靜電的方法，適于在真空環(huán)境中，消除搬運(yùn)裝置100與基板230之間因摩擦而產(chǎn)生的靜電240。如圖2所示，本發(fā)明之消除靜電的方法是首先提供基板230，此基板230具有正面231與背面232。接著，于基板230的背面232上形成導(dǎo)電薄膜233。之后，如圖3所示，利用搬運(yùn)裝置100傳送此基板230，當(dāng)搬運(yùn)裝置100與基板230的背面232的導(dǎo)電薄膜233接觸時(shí)，累積在搬運(yùn)裝置100上的靜電240會(huì)通過導(dǎo)電薄膜233而傳導(dǎo)消散，而避免靜電240破壞基板230。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2，在本發(fā)明一實(shí)施例中，基板230的材質(zhì)例如為玻璃，且于基板230的背面232上形成導(dǎo)電薄膜233的方法例如為濺鍍，導(dǎo)電薄膜233是如圖2所示的全面形成于基板230的背面232上。此外，利用濺鍍形成的導(dǎo)電薄膜233，其材質(zhì)可以是銦錫氧化物(IndiumTin Oxide，ITO)或是銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)，因此可形成透明的導(dǎo)電薄膜233。導(dǎo)電薄膜233的材質(zhì)也可以是金屬，且此金屬例如是選自于鋁、鉬、鉻及其組成中之一種。另外，在一實(shí)施例中，基板230例如是主動(dòng)元件陣列基板。于此基板230的正面231上形成有元件層234。圖4為基板的正面的局部俯視示意圖，請(qǐng)參照?qǐng)D4，元件層234包括多個(gè)薄膜晶體管234a、多條掃描線234b以及多條數(shù)據(jù)線234c，其中薄膜晶體管234a通過掃描線234b與數(shù)據(jù)線234c而驅(qū)動(dòng)。
請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D3，搬運(yùn)裝置100包括至少二個(gè)承載座110、至少二個(gè)移動(dòng)構(gòu)件120與機(jī)械手臂140。每一個(gè)承載座110固定在一個(gè)移動(dòng)構(gòu)件120上，通過移動(dòng)構(gòu)件120帶動(dòng)承載座110，而可以將基板230承載起來。當(dāng)基板230被移至工序機(jī)臺(tái)(圖中未標(biāo)出)附近時(shí)，機(jī)械手臂140會(huì)夾持起基板230而將其傳到工序機(jī)臺(tái)中。
由于本發(fā)明之消除靜電的方法是使基板230的背面232具有導(dǎo)電薄膜233，所以如上所述，當(dāng)搬運(yùn)裝置100在搬送基板230時(shí)，搬運(yùn)裝置100會(huì)與基板230的背面232的導(dǎo)電薄膜233接觸，因此，累積在搬運(yùn)裝置100上的靜電可以被導(dǎo)電薄膜233傳導(dǎo)而消散，而不會(huì)有公知中如圖1C所示的靜電破壞的情形發(fā)生。為進(jìn)一步說明，請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D5A與圖5B。
圖5A與圖5B為靜電傳導(dǎo)的示意圖。請(qǐng)先參照?qǐng)D5A，由于搬運(yùn)裝置100與基板230間之分離與接觸導(dǎo)致的摩擦，會(huì)使得靜電240累積在搬運(yùn)裝置100的絕緣組件上。也就是說，靜電240可能會(huì)累積在機(jī)械手臂140上，也可能會(huì)累積在如圖3所示的承載座110上。
當(dāng)以機(jī)械手臂140傳送背面232具有導(dǎo)電薄膜233的基板230時(shí)，如圖5B所示，機(jī)械手臂140會(huì)與基板230的背面232的導(dǎo)電薄膜233接觸，此時(shí)靜電240即可通過導(dǎo)電薄膜233而傳導(dǎo)消散，所以靜電240不會(huì)傷害到位于基板230的正面231的元件層234。如此一來，即可達(dá)到消除基板230在搬送時(shí)在基板230上產(chǎn)生的靜電破壞現(xiàn)象。
綜上所述，本發(fā)明之消除靜電的方法具有下述優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明可有效地消除累積在搬運(yùn)裝置上的靜電，并消除在基板上產(chǎn)生的靜電破壞。本發(fā)明因采用在背面具有導(dǎo)電薄膜的基板，所以，當(dāng)累積在搬運(yùn)裝置上的靜電與基板背面的導(dǎo)電薄膜接觸時(shí)，靜電可通過導(dǎo)電薄膜而傳導(dǎo)消散。所以，靜電不會(huì)對(duì)基板上的元件產(chǎn)生靜電破壞，進(jìn)而可提高工藝的合格率。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種消除靜電的方法，其特征在于適于在真空環(huán)境中，消除搬運(yùn)裝置與基板之間因摩擦而產(chǎn)生的靜電，該消除靜電的方法包括提供該基板，該基板具有正面與背面；于該基板的該背面上形成導(dǎo)電薄膜；以及利用該搬運(yùn)裝置傳送該基板，當(dāng)該搬運(yùn)裝置與該基板的該背面的該導(dǎo)電薄膜接觸時(shí)，累積在該搬運(yùn)裝置上的該靜電會(huì)通過該導(dǎo)電薄膜而傳導(dǎo)消散，而避免該靜電破壞該基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消除靜電的方法，其特征在于該導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消除靜電的方法，其特征在于該導(dǎo)電薄膜的材質(zhì)包括金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的消除靜電的方法，其特征在于該金屬是選自于鋁、鉬、鉻及其組成中之一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消除靜電的方法，其特征在于在該基板的該背面上形成該導(dǎo)電薄膜的方法包括濺鍍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消除靜電的方法，其特征在于該導(dǎo)電薄膜全面形成于該基板的該背面上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消除靜電的方法，其特征在于該基板的材質(zhì)包括玻璃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的消除靜電的方法，其特征在于該基板包括主動(dòng)元件陣列基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的消除靜電的方法，其特征在于在該基板的該正面上形成有元件層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的消除靜電的方法，其特征在于該元件層包括多個(gè)薄膜晶體管；多條掃描線；以及多條數(shù)據(jù)線，其中上述這些薄膜晶體管通過上述這些掃描線與上述這些數(shù)據(jù)線而驅(qū)動(dòng)。
全文摘要
一種消除靜電的方法，適于在真空環(huán)境中，消除搬運(yùn)裝置與基板之間因摩擦而產(chǎn)生的靜電，此消除靜電的方法是首先提供基板，此基板具有正面與背面。接著，于基板的背面上形成導(dǎo)電薄膜。之后，利用搬運(yùn)裝置傳送此基板，當(dāng)搬運(yùn)裝置與基板的背面的導(dǎo)電薄膜接觸時(shí)，累積在搬運(yùn)裝置上的靜電會(huì)通過導(dǎo)電薄膜而傳導(dǎo)消散，而避免靜電破壞基板。本發(fā)明可消除基板在搬送時(shí)在基板上產(chǎn)生的靜電破壞現(xiàn)象。
文檔編號(hào)B65H26/00GK1913739SQ200510090100
公開日2007年2月14日 申請(qǐng)日期2005年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月12日
發(fā)明者陳建裕, 鐘享顯, 許泓譯 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司